题名 电子辐照高阻NTD硅中缺陷的退火特性
被引量：1
1
作者
董友梅 戴培英
机构
郑州大学图书馆 郑州大学物理工程学院
出处
《郑州大学学报（自然科学版）》
CAS
1998年第3期40-43,共4页
基金
河南省自然科学基金
文摘
本文研究了高阻（８０～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ－Ｐ＋ｎ结中经电子辐照缺陷态在真空条件下的等时、等温退火特性，获得了５个缺陷能级，结果表明其中Ｅ３，Ｅ４能级是主要的复合中心．
关键词
ntd 硅 电子辐照 退火 硅 少数载流子寿命 缺陷态
Keywords
ntd Sielectronic radiation ischronismisotherism annealing minority carriers lifetime defect states
分类号
TN304.11
[电子电信—物理电子学]
O474
[理学—半导体物理]
题名 电子辐照NTD硅的少数载流子寿命
被引量：1
2
作者
董友梅 李燕山 戴培英
机构
郑州大学图书馆 中州大学工程系 郑州大学物理工程学院
出处
《郑州大学学报（自然科学版）》
CAS
1997年第2期47-49,53,共4页
基金
河南省自然科学基金
文摘
本文对电子辐照 NTD 硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析,获得了未退火时τ与 T(77K～300K)的线性关系和寿命的相对偏差|△τ|/■(=|τ-■|)≤10%,这些结果表明样品的均匀性相当好。等时等温退火后的τ值显示样品具有较好的热稳定性。
关键词
电子辐照 ntd 硅 少数载流子寿命 硅 热稳定性
Keywords
electronic radiation ntd —siisochronal and isothermal annealing minority carrier lifetime
分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
O471
[理学—半导体物理]
题名 NTD硅电子辐照缺陷的等时退火特性
被引量：2
3
作者
戴培英 李燕山 董友梅
机构
郑州大学物理工程学院 郑州大学图书馆
出处
《郑州大学学报（自然科学版）》
CAS
1997年第3期28-30,共3页
基金
河南省自然科学基金
文摘
本文研究了ＮＴＤ硅经电子辐照缺陷的等时退火特性，获得了五个缺陷能级。
关键词
ntd 硅 电子辐照 缺陷能级 等时退火 硅
Keywords
buckminsterfullerene diamond film Si intermediate
分类号
TN304.1
[电子电信—物理电子学]
O474
[理学—半导体物理]
题名 高通量堆NTD硅系统活化剂量计算
被引量：1
4
作者
雷鸣 周春林 李子彦 邹德光 刘鹏 蔡文超
机构
中国核动力研究设计院
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
北大核心
2016年第9期953-957,共5页
文摘
根据单晶硅及靶桶材料成分、测量的辐照孔道中子通量谱与辐照时间,采用点燃耗程序ORIGEN与蒙特卡罗程序MCNP耦合计算高通量堆中子嬗变掺杂(NTD)硅辐照系统活化后的外照射剂量当量率及各种活化产物放射性核素衰减变化情况,同时对各种活化核素剂量率贡献及相应衰减时间进行了分析。通过计算结果与堆厅γ电离室剂量率监测对比验证及堆厅屏蔽层厚度的保守估算,表明目前NTD硅系统转运过程屏蔽设计满足辐射防护要求,并提出有益建议。
关键词
高通量堆 剂量当量 ntd 硅 ORIGEN
Keywords
HFETR dose equivalent ntd silicon ORIGEN
分类号
TL72
[核科学技术—辐射防护及环境保护]
题名 电子辐照高阻区熔N型NTD硅中缺陷态的退火特性
5
作者
戴培英 董友梅 司怀吉
机构
郑州大学 河南农业大学
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2001年第1期50-52,共3页
基金
南省教委自然科学基金
文摘
报导了经电子辐照后的高阻 (4 5～ 70Ω·cm)NTD FZ Si p+nn+结的N Si中缺陷态在氮气保护下的等时、等温退火特性 ,而且获得了主要缺陷态能极E3、E4 的激活能和频率因子。
关键词
电子辐照 等温退火 中子嬗变掺杂 ntd 硅 半导体材料
Keywords
electron irradiation isothermal annealing ntd lifetime of minority carrier
分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
题名 氩气氛NTDFZ－Si中的空位型缺陷
6
作者
孟祥提
机构
清华大学核能技术设计研究院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期387-390,374,共5页
文摘
用正电子湮没技术研究了生长态、总注入量分别为５．８×１０￣（１６）和３．６×１０￣（１７）ｃｍ￣（－２）的中子辐照氩气氛区熔单晶硅中空位型缺陷的退火行为，发现未辐照单晶硅在从室温到高温的退火过程中始终存在着分量强度为１０％～１８％的单空位型缺陷；低注入量中子辐照的主要缺陷是单空位型，较高注入量中子辐照时单空位和双空位型缺陷浓度均较高。
关键词
中子辐照 ntd 硅 空位型缺陷
分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
题名 NTD硅电阻率径向不均匀度曲线族
7
作者
邹胜强
机构
广州半导体材料研究所
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第3期256-260,共5页
文摘
本文从不均匀度的定义出发,在假设热中子通量完全均匀的前提下,运用半导体理论,推导出 NTD 硅电阻率径向不均匀度Δρ_t、掺杂比 f 与原始单晶硅电阻率径向不均匀度Δρ三者之间的函数关系;并且以 f 和Δρ为自变量、Δρ_t 为参变量,绘制了等Δρ_t 曲线族,分析了它们的物理意义,举例说明了该曲线族的使用方法。
关键词
ntd 硅 电阻率 硅 单晶径向不均匀度
分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
题名 峨嵋半导体材料厂、所的新产品开发
8
作者
张伟
出处
《电子材料（机电部）》
1991年第4期11-14,共4页
文摘
电子材料国产化，是电子元器件、整机国产化的当务之急和必由之路。要逐步提高整机国产化的比率、材料是基础，材料制造部门肩负重任。
关键词
峨嵋半导体材料厂 新产品开发 ntd 硅 磨片二极管芯片
分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
F426.63
[经济管理—产业经济]
