摘要
用正电子湮没技术研究了生长态、总注入量分别为５．８×１０￣（１６）和３．６×１０￣（１７）ｃｍ￣（－２）的中子辐照氩气氛区熔单晶硅中空位型缺陷的退火行为，发现未辐照单晶硅在从室温到高温的退火过程中始终存在着分量强度为１０％～１８％的单空位型缺陷；低注入量中子辐照的主要缺陷是单空位型，较高注入量中子辐照时单空位和双空位型缺陷浓度均较高。
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期387-390,374,共5页
Chinese Journal of Rare Metals
