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一种具有辅助耗尽效应的BiCMOS NJFET
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作者 冯金荣 冯全源 陈晓培 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期682-685,共4页
基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET)。该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部埋层(P-BOT)层。利用PBOT层的辅助耗尽效应来避免NJFET过早横向击穿,达到提高NJFET源-漏击穿电压的目的... 基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET)。该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部埋层(P-BOT)层。利用PBOT层的辅助耗尽效应来避免NJFET过早横向击穿,达到提高NJFET源-漏击穿电压的目的。采用Sentaurus TCAD软件对该BiCMOS NJFET的击穿电压进行仿真。结果表明,该NJFET的击穿电压达104V,在相同N阱掺杂浓度下,比传统NJFET提高了57.6%。 展开更多
关键词 n沟道结型场效应晶体管 降低表面电场 击穿电压 BICMOS
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1200V常开型4H-SiC VJFET 被引量：3
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作者 倪炜江 李宇柱 +5 位作者 李哲洋 李赟 管邦虎 陈征 柏松 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期103-106,共4页
用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395 A/cm2,相应的比导通电阻为5.06 mΩ·cm2。分析发现欧... 用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395 A/cm2,相应的比导通电阻为5.06 mΩ·cm2。分析发现欧姆接触电阻是导通电阻的重要组成部分,改善欧姆接触可以进一步降低导通电阻。 展开更多
关键词 4H碳化硅 常开型 垂直沟道结型场效应晶体管 比导通电阻
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高压SiC JFET研究进展
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作者 陈刚 柏松 +4 位作者 李赟 陶然 刘奥 杨立杰 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期224-227,283,共5页
利用自主生长的SiC外延材料,采用干法刻蚀μm级密集深槽工艺技术和高能、高剂量离子注入结合高温激活退火方法,进行SiC电力电子JFET器件的开发,研制出常开型、常关型SiC JFET器件,反向阻断电压都达到1 700V,正向电流达3.5A。常开型JFET... 利用自主生长的SiC外延材料,采用干法刻蚀μm级密集深槽工艺技术和高能、高剂量离子注入结合高温激活退火方法,进行SiC电力电子JFET器件的开发,研制出常开型、常关型SiC JFET器件,反向阻断电压都达到1 700V,正向电流达3.5A。常开型JFET的夹断电压在-1.7V,最大跨导Gm为0.52S,比导通电阻最小到4.6mΩ.cm2;常关型JFET的夹断电压在0.9V,最大跨导Gm为1.07S,比导通电阻最小到4.2mΩ.cm2。常开型与常关型器件的栅流开启时栅电压差距小,常开型VG=3.5V时,栅流开始出现,常关型VG=3.3V时,栅流开始出现。 展开更多
关键词 碳化硅 电力电子 垂直沟道结型场效应晶体管
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原位AFM自感应PRC力传感器读数漂移的有源漂移抑制法
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作者 唐飞扬 谷森 +3 位作者 陈俊 胡志平 孟庆林 汝长海 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第3期229-235,共7页
为解决面向扫描电子显微镜(SEM)的原位原子力显微镜(AFM)工作时SEM的聚焦电子束引起原位AFM自感应压阻式微悬臂梁(PRC)力传感器读数持续漂移的难题,首先建立原位AFM自感应PRC力传感器的p沟道结型场效应晶体管(JFET)读数漂移模型,分析SE... 为解决面向扫描电子显微镜(SEM)的原位原子力显微镜(AFM)工作时SEM的聚焦电子束引起原位AFM自感应压阻式微悬臂梁(PRC)力传感器读数持续漂移的难题,首先建立原位AFM自感应PRC力传感器的p沟道结型场效应晶体管(JFET)读数漂移模型,分析SEM聚焦电子束对自感应PRC产生干扰的原因;然后提出了基于原位AFM自感应PRC力传感器p沟道JFET模型的有源漂移抑制法,即先对自感应PRC的栅极进行导电连接,再通过控制施加在自感应PRC栅极上的补偿电压消除SEM聚焦电子束对自感应PRC的干扰。实验结果表明,当补偿电压从未施加上升至40 V时,原位AFM自感应PRC力传感器读数的漂移率从约13 nm/min下降到1 nm/min左右,同时对自感应PRC及其信号调理电路均无损伤。该方法能有效消除SEM聚焦电子束对原位AFM自感应PRC力传感器的影响。 展开更多
关键词 有源漂移抑制法 原位原子力显微镜(AFM) 扫描电子显微镜(SEM) 自感应压阻式微悬臂梁(PRC)力传感器 聚焦电子束 p沟道结型场效应晶体管(JFET)模型
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深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究 被引量：2
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作者 王信 陆妩 +4 位作者 吴雪 马武英 崔江维 刘默寒 姜柯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第22期258-265,共8页
为从工艺角度深入研究航空航天用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺混合信号集成电路总剂量辐射损伤机理,选取国产CMOS工艺制作的NMOS晶体管及寄生双极晶体管进行了60Coγ射线源下的总剂量试验研究.发现:1)CMOS工艺中固有的寄生效应导致N... 为从工艺角度深入研究航空航天用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺混合信号集成电路总剂量辐射损伤机理,选取国产CMOS工艺制作的NMOS晶体管及寄生双极晶体管进行了60Coγ射线源下的总剂量试验研究.发现:1)CMOS工艺中固有的寄生效应导致NMOS晶体管截止区漏电流对总剂量敏感,随总剂量累积而增大;2)寄生双极晶体管总剂量损伤与常规双极晶体管不同,表现为对总剂量不敏感,分析认为两者辐射损伤的差异来源于制作工艺的不同;3)寄生双极晶体管与NMOS晶体管的总剂量损伤没有耦合效应;4)基于上述研究成果,初步分析CMOS工艺混合信号集成电路中数字模块及模拟模块辐射损伤机制,认为MOS晶体管截止漏电流增大是导致数字模块功耗增大的主因,而Bandgap电压基准源模块对总剂量不敏感源于寄生双极晶体管抗总剂量辐射的能力. 展开更多
关键词 总剂量效应 n沟道金属氧化物场效应晶体管 寄生双极晶体管 Bandgap基准电压源
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