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不同MgO掺杂比对Mg_xZn_(1-x)O靶材性能的影响
被引量：
1
1
作者
高庆庆
张忠健
+4 位作者
皮陈炳
蔡雪贤
尚福亮
朱德亮
杨海涛
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期82-88,共7页
用传统常压固相烧结法,制备掺杂氧化镁的氧化锌陶瓷靶材,研究不同Mg O含量及烧结温度对MgxZn1-xO陶瓷靶材的微观结构、力学性能、致密度和导电性能的影响.通过X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)测定靶材相结构,扫描式电子显微镜(scann...
用传统常压固相烧结法,制备掺杂氧化镁的氧化锌陶瓷靶材,研究不同Mg O含量及烧结温度对MgxZn1-xO陶瓷靶材的微观结构、力学性能、致密度和导电性能的影响.通过X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)测定靶材相结构,扫描式电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察靶材的断面形貌,万能实验机测量靶材的抗弯强度,维氏显微硬度仪测量靶材的维氏硬度,阿基米德排水法测量靶材密度,四探针法测量靶材导电性能,对MgxZn1-xO靶材的性能进行了表征,分析了MgxZn1-xO陶瓷靶材的烧结机理.结果表明,MgxZn1-xO靶材的最佳烧结温度随着Mg O含量的增加有所提高.Mg O的掺杂比为x=0.12时,靶材的最佳烧结温度是1 450℃;掺杂比为x=0.20时,靶材的最佳烧结温度约为1 500℃.相同烧结温度下,随着Mg O掺杂比的增加,靶材的致密性增大;靶材抗弯强度先升后降,掺杂比为x=0.12时达到最大值,为94.56 MPa.靶材硬度随着Mg含量的增加渐增,在1 450℃烧结,掺杂比为0时维氏硬度为152.000 N/mm2,掺杂比为x=0.40时维氏硬度为364.045 N/mm2.靶材的导电性随着Mg O掺杂比的增加呈渐减趋势,掺杂比为0时,方块电阻为819.36Ω;掺杂比为x=0.40时,方块电阻增至30.00 MΩ.
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关键词
材料加工
粉末冶金
氧化锌
氧锌镁
陶瓷靶材
烧结
掺杂比
力学性能
下载PDF
职称材料
立方Mg_xZn_(1-x)O晶体薄膜的制备和性能
被引量：
3
2
作者
余萍
吴惠桢
+1 位作者
陈奶波
徐天宁
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期277-281,共5页
采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石...
采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石英玻璃衬底上沉积的MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜表面平整,均呈立方结构,且具有高度的(001)择优取向.立方MgxZn1-xO薄膜具有从紫外到近红外波段良好的透明性,折射率为1.7-1.8,随着波长的增大或Mg组分的增大而降低.
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关键词
无机非金属材料
mgxzn
1
-
x
o
晶体薄膜
低温物理沉积
立方相
mgxzn
1
-
x
o
折射率
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职称材料
生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响
3
作者
吴春霞
申德振
范希武
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期671-675,共5页
利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明,在650℃时样品为平整的表面。但X射线衍射测量表明,在此温度下添加Mg源生长的MgxZn1-xO合金薄膜,随Mg量的增加很快经历了六角相...
利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明,在650℃时样品为平整的表面。但X射线衍射测量表明,在此温度下添加Mg源生长的MgxZn1-xO合金薄膜,随Mg量的增加很快经历了六角相-混合相-立方相的相结构转变,这与扫描电子显微照片的直观结果相对应。分析指出该结果是由生长温度和Ⅱ、Ⅵ族元素的化学剂量比共同决定的。
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关键词
等离子辅助分子束外延
MgZn
o
合金
原位反射式高能电子衍射
x
射线光电子能谱
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职称材料
题名
不同MgO掺杂比对Mg_xZn_(1-x)O靶材性能的影响
被引量：
1
1
作者
高庆庆
张忠健
皮陈炳
蔡雪贤
尚福亮
朱德亮
杨海涛
机构
深圳大学材料学院
株洲硬质合金集团有限公司
出处
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期82-88,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(51371120
51302174)
+1 种基金
深圳市战略性新兴产业发展专项资金资助项目(ZDSY20120612094418467)
深圳市科技研发资金基础研究计划资助项目(JCYJ20140418181958489)~~
文摘
用传统常压固相烧结法,制备掺杂氧化镁的氧化锌陶瓷靶材,研究不同Mg O含量及烧结温度对MgxZn1-xO陶瓷靶材的微观结构、力学性能、致密度和导电性能的影响.通过X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)测定靶材相结构,扫描式电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察靶材的断面形貌,万能实验机测量靶材的抗弯强度,维氏显微硬度仪测量靶材的维氏硬度,阿基米德排水法测量靶材密度,四探针法测量靶材导电性能,对MgxZn1-xO靶材的性能进行了表征,分析了MgxZn1-xO陶瓷靶材的烧结机理.结果表明,MgxZn1-xO靶材的最佳烧结温度随着Mg O含量的增加有所提高.Mg O的掺杂比为x=0.12时,靶材的最佳烧结温度是1 450℃;掺杂比为x=0.20时,靶材的最佳烧结温度约为1 500℃.相同烧结温度下,随着Mg O掺杂比的增加,靶材的致密性增大;靶材抗弯强度先升后降,掺杂比为x=0.12时达到最大值,为94.56 MPa.靶材硬度随着Mg含量的增加渐增,在1 450℃烧结,掺杂比为0时维氏硬度为152.000 N/mm2,掺杂比为x=0.40时维氏硬度为364.045 N/mm2.靶材的导电性随着Mg O掺杂比的增加呈渐减趋势,掺杂比为0时,方块电阻为819.36Ω;掺杂比为x=0.40时,方块电阻增至30.00 MΩ.
关键词
材料加工
粉末冶金
氧化锌
氧锌镁
陶瓷靶材
烧结
掺杂比
力学性能
Keywords
materials
pr
o
cessing
p
o
wder
metallurgy
Zn
o
mgxzn
1
-
x
o
ceramic
target
sintering
d
o
ping
rati
o
mechanical
pr
o
perty
分类号
TF125 [冶金工程—粉末冶金]
TM283 [冶金工程—冶金物理化学]
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职称材料
题名
立方Mg_xZn_(1-x)O晶体薄膜的制备和性能
被引量：
3
2
作者
余萍
吴惠桢
陈奶波
徐天宁
机构
浙江大学
浙江大学 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期277-281,共5页
基金
国家自然科学基金10174064上海应用材料研究与发展基金0214资助项目.
文摘
采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石英玻璃衬底上沉积的MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜表面平整,均呈立方结构,且具有高度的(001)择优取向.立方MgxZn1-xO薄膜具有从紫外到近红外波段良好的透明性,折射率为1.7-1.8,随着波长的增大或Mg组分的增大而降低.
关键词
无机非金属材料
mgxzn
1
-
x
o
晶体薄膜
低温物理沉积
立方相
mgxzn
1
-
x
o
折射率
Keywords
in
o
rganic
n
o
n-metallic
materials,
mgxzn
1
-
x
o
thin
films,
l
o
w
temperature
physical
dep
o
siti
o
n,
cubic
mgxzn
1
-
x
o
film,
refractive
inde
x
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响
3
作者
吴春霞
申德振
范希武
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
江苏大学光子制造科学中心
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期671-675,共5页
文摘
利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明,在650℃时样品为平整的表面。但X射线衍射测量表明,在此温度下添加Mg源生长的MgxZn1-xO合金薄膜,随Mg量的增加很快经历了六角相-混合相-立方相的相结构转变,这与扫描电子显微照片的直观结果相对应。分析指出该结果是由生长温度和Ⅱ、Ⅵ族元素的化学剂量比共同决定的。
关键词
等离子辅助分子束外延
MgZn
o
合金
原位反射式高能电子衍射
x
射线光电子能谱
Keywords
P-MBE
mgxzn
1
-
x
^
o
all
o
y
films
RHEED
x
PS
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
O482.31 [理学—物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同MgO掺杂比对Mg_xZn_(1-x)O靶材性能的影响
高庆庆
张忠健
皮陈炳
蔡雪贤
尚福亮
朱德亮
杨海涛
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
下载PDF
职称材料
2
立方Mg_xZn_(1-x)O晶体薄膜的制备和性能
余萍
吴惠桢
陈奶波
徐天宁
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
下载PDF
职称材料
3
生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响
吴春霞
申德振
范希武
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
已选择
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