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基于裂结技术的单分子尺度化学反应研究进展 被引量:7
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作者 余培锴 冯安妮 +4 位作者 赵世强 魏珺颖 杨扬 师佳 洪文晶 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第8期829-839,共11页
分子电子学是研究单分子器件的构筑、性质以及功能调控的一门新兴学科。其中,金属/分子/金属结的构筑和表征是现阶段分子电子学的主要研究内容。裂结技术是当前分子电子学研究的主要实验方法,主要包括机械可控裂结技术和扫描隧道显微镜... 分子电子学是研究单分子器件的构筑、性质以及功能调控的一门新兴学科。其中,金属/分子/金属结的构筑和表征是现阶段分子电子学的主要研究内容。裂结技术是当前分子电子学研究的主要实验方法,主要包括机械可控裂结技术和扫描隧道显微镜裂结技术。本文对裂结技术进行了介绍,并对近年来利用这些技术,在单分子尺度化学反应的检测和动力学研究,以及将这些技术与溶液环境、静电场、电化学门控等方法相结合,调控单分子器件的电输运性质等方面所取得的进展进行了概述。 展开更多
关键词 分子电子学 单分子 电输运 机械可控裂结 扫描隧道显微镜裂结
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悬空纳米间隔电极对的制备并应用于单分子电学性质测量 被引量:1
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作者 杨扬 田景华 +2 位作者 罗仲梓 吴孙桃 田中群 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期278-282,286,共6页
将普通光刻技术和电化学技术相结合,在微芯片上制备得到了机械可控断裂结法(MCBJ)所需的悬空纳米间隔金属电极对,并分别用热氧化二氧化硅和聚酰亚胺(PI)作为牺牲层使得电极对悬空,明显提高了可控断裂的实验成功率,并延长了微芯片使用寿... 将普通光刻技术和电化学技术相结合,在微芯片上制备得到了机械可控断裂结法(MCBJ)所需的悬空纳米间隔金属电极对,并分别用热氧化二氧化硅和聚酰亚胺(PI)作为牺牲层使得电极对悬空,明显提高了可控断裂的实验成功率,并延长了微芯片使用寿命。利用分子自组装和MCBJ方法成功构筑了金属/分子/金属结,并实施了对巯基苯胺(BDT)单分子的电学性质测量,得到了BDF的电导值和I-V特性曲线。 展开更多
关键词 分子电子学 机械可控裂结法 单分子电导 牺牲层 微加工
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机械可控纳米劈裂法实现单分子电导值的测量
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作者 王青玲 袁杰 +3 位作者 何开华 陈绮丽 龙光芝 向东 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2013年第4期285-291,共7页
为了获得电子在单分子结中传输的特性,研制了具有高稳定性的机械可控纳米劈裂装置芯片.利用此芯片及相应机械装置,获得了能在皮米级精度上操纵间距的纳米电极对;并实现了稳定的单个金属离子所桥接的分子结(电极-分子-金属离子-分子-电... 为了获得电子在单分子结中传输的特性,研制了具有高稳定性的机械可控纳米劈裂装置芯片.利用此芯片及相应机械装置,获得了能在皮米级精度上操纵间距的纳米电极对;并实现了稳定的单个金属离子所桥接的分子结(电极-分子-金属离子-分子-电极).在保持配合物不变的前提下,置换不同金属离子,测量了其所桥接的单分子结的电导值,发现Ca2+络合物的电导值>>Zn2+络合物的电导值>Ni2+络合物的电导值.结合密度泛函理论的计算,验证了所得实验装置的可靠性及实验结果的正确性. 展开更多
关键词 分子电子 纳米电极 单分子电导 金属离子络合物 机械可控纳米劈裂
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基于石墨烯电极的寡聚苯乙炔衍生物单分子的单分子电导研究
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作者 曾凯 林振超 +2 位作者 郑玉玲 陈晓 张彦 《湖北工程学院学报》 2022年第6期16-21,共6页
主要阐述了一种构筑石墨烯/分子/石墨烯结的方法。该方法的主要思想是在铜丝上沉积石墨烯后制备具有石墨烯纳米间隙的芯片,再利用目标分子锚定基团与石墨烯间的弱相互作用力“π-π stacking”将分子组装到石墨烯电极上,形成石墨烯/分子... 主要阐述了一种构筑石墨烯/分子/石墨烯结的方法。该方法的主要思想是在铜丝上沉积石墨烯后制备具有石墨烯纳米间隙的芯片,再利用目标分子锚定基团与石墨烯间的弱相互作用力“π-π stacking”将分子组装到石墨烯电极上,形成石墨烯/分子/石墨烯结。利用这种构筑分子结的方法,并基于机械可控裂结(MCBJ)技术,测量了3种芘与碳链连接位点不同的寡聚苯乙炔类(OPEs)分子的电导,发现3种分子OPE-2PY-1、OPE-2PY-2和OPE-2PY-3的电导值分别为1.66×10^(-5) G_(0)、2.40×10^(-5) G_(0)和1.23×10^(-5) G_(0)。 展开更多
关键词 分子电子学 机械可控裂结技术 石墨烯电极 寡聚苯乙炔类分子
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Unexpected current-voltage characteristics of mechanically modulated atomic contacts with the presence of molecular junctions in an electrochemically assisted-MCBJ 被引量:3
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作者 Yang Yang Junyang Liu +7 位作者 Shi Feng Huimin Wen Jinghua Tian Jueting Zheng Bernd Schollhorn Christian Amatore Zhongning Chen Zhongqun Tian 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第2期560-570,共11页
In this article, we report on the characterization of various molecular junctions' current-voltage characteristics (Ⅰ-Ⅴ curves) evolution under mechanical modulations, by employing a novel electrochemically assis... In this article, we report on the characterization of various molecular junctions' current-voltage characteristics (Ⅰ-Ⅴ curves) evolution under mechanical modulations, by employing a novel electrochemically assisted-mechanically controllable break junction (EC-MCBJ) method. For 1,4-benzenedithiol, the Ⅰ-Ⅴ curves measured at constant electrode pair separation show excellent reproducibility, indicating the feasibility of our EC-MCBJ method for fabricating molecular junctions. For ferrocene-bisvinylphenylmethyl dithiol (Fc-VPM), an anomalous type of Ⅰ-Ⅴ curve was observed by the particular control over the stepping motor. This phenomenon is rationalized assuming a model of atomic contact evolution with the presence of molecular junctions. To test this hypothesized model, a molecule with a longer length, 1,3-butadiyne-linked dinuclear ruthenium(H) complex (Ru-1), was implemented, and the Ⅰ-Ⅴ curve evolution was investigated under similar circumstances. Compared with Fc-VPM, the observed Ⅰ-Ⅴ curves show close analogy and minor differences, and both of them fit the hypothesized model well. 展开更多
关键词 molecular junction electrochemical deposition mechanically controllable break junction (MCBJ) ruthenium complex ferrocenyl molecular wire
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利用纳米门电极增强拉曼散射
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作者 向东 王青玲 +3 位作者 王希成 李铁平 魏有峰 罗中杰 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期241-245,共5页
为了更好地了解表面增强拉曼光谱(SERS)的机制,并进一步提高增强因子,研制了具有高稳定性的纳米劈裂装置及芯片。结合纳米劈裂技术及SERS技术,在拉曼光谱测量的同时能非常精确地操纵两纳米电极间的距离以观察相应拉曼光谱强度的变化。... 为了更好地了解表面增强拉曼光谱(SERS)的机制,并进一步提高增强因子,研制了具有高稳定性的纳米劈裂装置及芯片。结合纳米劈裂技术及SERS技术,在拉曼光谱测量的同时能非常精确地操纵两纳米电极间的距离以观察相应拉曼光谱强度的变化。发现拉曼光谱强度依赖于纳米电极的间距以及激光的偏振化方向。在利用两纳米电极作为增强体的基础上引入了纳米门电极,并观察偏置电压下的门电极对拉曼光谱信号的影响。实验结果表明,拉曼光谱信号的强度强烈地依赖于纳米门电极上所施加的偏置电压。实验为增强拉曼信号提供了新的方法,同时为拉曼光谱增强机制的理论研究提供了参考数据。 展开更多
关键词 光谱学 表面增强拉曼散射光谱 纳米劈裂技术 分子电子 光刻 纳米门电极
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用于纳米劈裂技术的新型芯片及增强拉曼光谱实验
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作者 向东 王青玲 +1 位作者 程永进 吴益平 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期51-55,共5页
为了定量研究纳米颗粒的间距对拉曼(Raman)光谱强度的影响,研制了具有高稳定性的纳米劈裂芯片及装置。利用此芯片及装置,可以获得纳米金属桥断裂后自动形成的两针状纳米电极(纳米颗粒),并且能在pm级精度上操纵两纳米电极间的距离,以观... 为了定量研究纳米颗粒的间距对拉曼(Raman)光谱强度的影响,研制了具有高稳定性的纳米劈裂芯片及装置。利用此芯片及装置,可以获得纳米金属桥断裂后自动形成的两针状纳米电极(纳米颗粒),并且能在pm级精度上操纵两纳米电极间的距离,以观察相应拉曼光谱强度的变化。在利用两纳米电极作为增强体的基础上引入了第3纳米电极,以观察其位置对拉曼光谱信号的影响。实验结果表明,光谱信号的强度强烈依赖于3纳米电极的相对位置,第3纳米电极的引入能进一步提高增强因子,为拉曼光谱增强机制的理论研究提供了重要参考数据。 展开更多
关键词 分子电子 增强拉曼散射光谱 纳米劈裂技术(MCBJ) 光刻 纳米电极
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