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后CMOS时代中的纳米材料
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作者 傅原 《新材料产业》 2004年第3期12-16,共5页
关键词 CMOS 纳米材料 mosfet技术 器件工艺 纳米晶体管工艺 神经元组织信息处理
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智能功率模块变得越来越高效——更好的功率开关有助于减少损耗多达25%,并且允许在众多应用中使用紧凑型节能无刷直流(BLDC)马达控制解决方案
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作者 Alfred Hesener 《电子设计技术 EDN CHINA》 2011年第7期I0002-I0004,共3页
使用BLDC马达进行节能处处可见,可以说是尘埃落定。其挑战在于以合理的成本在马达里集成一个复杂的电子控制电路,从而为用户提供相应的优势。优化的功率驱动电路对马达具有巨大的提升性能潜力,功率驱动电路就象微控制器和马达之间的... 使用BLDC马达进行节能处处可见,可以说是尘埃落定。其挑战在于以合理的成本在马达里集成一个复杂的电子控制电路,从而为用户提供相应的优势。优化的功率驱动电路对马达具有巨大的提升性能潜力,功率驱动电路就象微控制器和马达之间的肌肉,功率器件的开关和传导损耗会影响整个控制器所需的尺寸和散热设计。 展开更多
关键词 功率模块 HV mosfet技术 BLDC马达
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飞兆半导体的先进MOSFET技术降低Miller电荷达35—40%
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作者 章从福 《半导体信息》 2004年第4期23-24,共2页
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布其性能先进的PowerTrench MOSFET工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg),并改善栅漏电荷对栅源电荷(Qgd:Qgs)的比率,在同步降压应用中带来超卓的开关性能和热效率。低... 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布其性能先进的PowerTrench MOSFET工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg),并改善栅漏电荷对栅源电荷(Qgd:Qgs)的比率,在同步降压应用中带来超卓的开关性能和热效率。低Qgd的优势在于减少开关损耗和缩短"死区时间",以改善稳压性能。理想的Qgd:Qgs比率可以防止栅极误触发。 展开更多
关键词 飞兆半导体 mosfet技术 MILLER 开关损耗 开关性能 栅源 同步降压 误触发 死区时间 开关周期
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提供高性能和可靠性的DirectFET功率MOSFET技术
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作者 Andrew Sawle CarlBlake 《世界电子元器件》 2003年第6期68-69,共2页
随着每一代新处理器的出现,对为处理器提供电源的同步降压变换器的要求也变得越来越高.为满足处理器在大工作电流和快速瞬态响应时间等方面的要求,此类同步降压变换器已经发展成为复杂的高频多相解决方案.现在的许多应用中,工作电流可超... 随着每一代新处理器的出现,对为处理器提供电源的同步降压变换器的要求也变得越来越高.为满足处理器在大工作电流和快速瞬态响应时间等方面的要求,此类同步降压变换器已经发展成为复杂的高频多相解决方案.现在的许多应用中,工作电流可超过100A.因此,设计人员必须处理前所未有的且仍在不断增长的大电流和功率密度,同时还必须满足不断缩小的系统尺寸和不断降低的成本要求.电源变换器设计人员所面临的这些挑战进而转变为对变换器中所使用的功率半导体器件的要求.简单来说,这些要求包括:尽量减小传导和开关损失,同时降低热阻,并且支持进一步降低系统成本.所以,功率半导体器件制造商必须开发新型MOSFET器件才能满足这些要求. 展开更多
关键词 同步降压变换器 DirectFET技术 功率mosfet技术 封装
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英飞凌推出1200V碳化硅MOSFET技术
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作者 文洁 《轻工机械》 CAS 2016年第3期102-102,共1页
2016年5月10日,英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术,使产品设计可以在功率密度和性能上得到较大提高。英飞凌CoolSiC^TM MOSFET具备更大的灵活性,可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案开发人员实现节省空间... 2016年5月10日,英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术,使产品设计可以在功率密度和性能上得到较大提高。英飞凌CoolSiC^TM MOSFET具备更大的灵活性,可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案开发人员实现节省空间、减轻重量、降低散热的要求,并提高可靠性和降低系统成本。SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的3倍或以上。 展开更多
关键词 英飞凌 mosfet技术 电源转换 产品设计 功率密度 磁性元件 不间断电源 逆变器
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基于MC34063的小体积高压升压电源的研究 被引量:1
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作者 陈景忠 刘伯玉 《通信电源技术》 2008年第6期31-32,共2页
微开关电源控制芯片MC34063基于电流型控制稳压技术原理,外围电路极少,使用特别方便。文中介绍了一种实用的小体积高压升压电源的设计方法,它克服了以往PWM开关电源体积大、调试困难的缺点。
关键词 电流型控制 小体积高压升压电源 mosfet应用技术
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SiC元件在铁道车辆上的推广应用 被引量:1
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作者 彭惠民(译) 刘景宝(校) 《国外铁道机车与动车》 2020年第2期32-39,共8页
为发挥碳化硅(SiC)材料的优势、确保装置的可靠性,将采用SiC元件的装置推向实用化,三菱电机公司进行了技术开发,在世界上率先将SiC装置投放市场。目前,采用电压为1.2~3.3 kV的SiC模块的车辆驱动控制装置及辅助电源装置已步入实用化阶段... 为发挥碳化硅(SiC)材料的优势、确保装置的可靠性,将采用SiC元件的装置推向实用化,三菱电机公司进行了技术开发,在世界上率先将SiC装置投放市场。目前,采用电压为1.2~3.3 kV的SiC模块的车辆驱动控制装置及辅助电源装置已步入实用化阶段,其在小型、轻量化以及铁道系统节能等方面的优势已得到证实。下一步将进行内置SBD的MOSFET及6.5 kV耐超高压模块的开发,这种技术不仅适用于铁路,也适用于其他领域。 展开更多
关键词 铁道车辆用电器 SiC模块 SiC-mosfet驱动技术 动力模块
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电力工程电源中MOSFET串联技术的实践
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作者 张倩 《时代农机》 2019年第1期52-53,56,共3页
电力工程是我国基础性建设工程的重要组成部分,对我国经济的发挥具有重要的推动作用。文章对电力工程电源中MOSFET串联技术的实践进行分析,旨在为MOSFET串联技术提高电力工程质量提供有力的参考。
关键词 mosfet串联技术 电力工程 电源 实践
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飞兆半导体强调其Power Franchise战略重点
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作者 张健 《电子设计应用》 2004年第5期88-88,共1页
关键词 飞兆半导体公司 mosfet封装技术 Microcoupler光耦合器 FPS元件 市场 功率产品
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飞兆半导体授权GEM Services使用下一代MOSFET封装技术作为功率半导体市场的开放工具
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《电子与电脑》 2004年第4期150-150,共1页
关键词 飞兆半导体公司 GEM Services公司 mosfet封装技术 功率半导体市场
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Fairchild首推BGA封装表面贴装光耦合器
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《电子技术(上海)》 2004年第4期64-64,共1页
关键词 飞兆半导体公司 BGA封装 表面贴装 光耦合器 mosfet封装技术
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