英飞凌推出1200V碳化硅MOSFET技术

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摘要 2016年5月10日,英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术,使产品设计可以在功率密度和性能上得到较大提高。英飞凌CoolSiC^TM MOSFET具备更大的灵活性,可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案开发人员实现节省空间、减轻重量、降低散热的要求,并提高可靠性和降低系统成本。SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的3倍或以上。

作者文洁

出处《轻工机械》 CAS 2016年第3期102-102,共1页 Light Industry Machinery

关键词英飞凌 MOSFET技术电源转换产品设计功率密度磁性元件不间断电源逆变器

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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