MOS控制晶闸管(MCT)的设计 被引量：1

1

作者 冯玉春 刘玉书 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1994年第1期55-57,共3页

讨论了MCT的结构设计及耐压设计.通过对结构参数的最佳化选择,制造出开关电流9A,耐压900V的MCT芯片.n沟MOS阈值电压为2V,p沟MOS阈值电压为-5V.当门极加-7V电压时,其关断电流密度为220A/cm^2.

关键词 mos控制 晶闸管 设计

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MOS控制晶闸管的最大可关断电流 被引量：2

2

作者 张鹤鸣 戴显英 +2 位作者 林大松 王伟 解勇 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期133-137,共5页

建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于MOS控制晶闸管的仿真模型 ,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系 .解析与模拟... 建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于MOS控制晶闸管的仿真模型 ,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系 .解析与模拟分析结果符合较好 .结果表明 ,耦合晶体管电流放大系数及晶闸管射极短路电流的设计决定了器件的最大可关断电流 . 展开更多

关键词 mos控制 晶闸管 最大可关断电流

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MCT特性的PSPICE模拟

3

作者 周宝霞 陈治明 夏蔚 《西安理工大学学报》 CAS 1997年第4期378-380,共3页

通过使用等效电路法，利用国际通用电路模拟软件包PSPICE对新型的电力电子器件MCT进行特性模拟和分析，并对Harris公司的器件MCTV75P60E1进行计算。结果表明该方法简单易行，模拟结果可靠。

关键词 PSPICE mos控制 晶闸管 MCT 等效电路 特性模拟

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新型功率器件MCT的模拟与制造

4

作者 周如培 周宝霞 陈治明 《西安理工大学学报》 CAS 1997年第1期1-5,共5页

介绍了新型功率器件MCT的基本特点与结构。利用开发出的MCT计算机辅助设计软件，模拟MCT的静态、动态特性，优化了MCT的结构参数。根据工艺模拟结果，编制MCT的制造工艺流程，研制出2．7A／5OOV的样片，其开通时间为200ns，关断时间为4... 介绍了新型功率器件MCT的基本特点与结构。利用开发出的MCT计算机辅助设计软件，模拟MCT的静态、动态特性，优化了MCT的结构参数。根据工艺模拟结果，编制MCT的制造工艺流程，研制出2．7A／5OOV的样片，其开通时间为200ns，关断时间为4μs。 展开更多

关键词 功率器件 mos控制 晶闸管 模拟 MCT CAD 工艺

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功率集成光激MOS控制交流多路开关模拟设计

5

作者 张华曹 段飞 《西安理工大学学报》 CAS 2002年第2期151-153,共3页

介绍了一种新型功率集成光激 MOS控制多路开关 ,它由双向晶闸管、MOS器件、光电器件组成。此开关通过光电转换来实现强电与弱电之间的隔离 ;可工作在交流状态 ,其通态压降低 ,约在 1 .5～ 3 V之间 ;并对其阻断特性、电流特性、开关特性... 介绍了一种新型功率集成光激 MOS控制多路开关 ,它由双向晶闸管、MOS器件、光电器件组成。此开关通过光电转换来实现强电与弱电之间的隔离 ;可工作在交流状态 ,其通态压降低 ,约在 1 .5～ 3 V之间 ;并对其阻断特性、电流特性、开关特性进行了全面的模拟分析。 展开更多

关键词 光激 mos控制 双向晶闸管 多路开关 功率集成电路

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用全扩散法制作MCT

6

作者 张发生 周如培 +1 位作者 周宝霞 陈治明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第9期664-666,共3页

使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ．除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造．试制品主要电特性达到设计要求，说明了利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性．文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路，报道了... 使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ．除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造．试制品主要电特性达到设计要求，说明了利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性．文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路，报道了样品的测试结果，并对试制工作进行了简单分析． 展开更多

关键词 全扩散法 mos控制 晶闸管 硅片 MCT

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MCT （MOS控制晶闸管）可靠性的研究

7

作者 陈力才 温绍森 《国外电力电子技术》 1991年第1期32-34,31,共4页

关键词 晶闸管 mos控制 可靠性 MCT

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MOS控制的晶闸管的结构、原理和应用

8

作者 曲学基 《UPS应用》 2015年第2期54-58,共5页

MOS控制的晶闸管（Mos Controlled Thyristor，MGT）是将MOSFET与晶阐管组合而成的复合型器件。MCT具有高电压、大电流、高载流密度、低通态压降的特点。文中中介了MCT的结构、原理和应用。

关键词 mos控制 晶闸管 结构 应用 原理 mosFET 载流密度 通态压降

原文传递

国外MOS控制晶闸管的研制概况

9

作者 俞苹 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1990年第4期42-45,共4页

关键词 晶闸管 功率器件 mos控制

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一种新的横向型MOS控制的晶闸管

10

作者 Darw.,MN 王黛琳 《国外电力电子技术》 1991年第1期25-26,共2页

关键词 晶闸管 mos控制 横向型

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一种MOS控制的MCC—GTO晶闸管

11

作者 Sugaw.,F 张军泽 《国外电力电子技术》 1991年第2期13-15,共3页

关键词 晶闸管 可关断晶闸管 mos控制

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800V/10A和1200V/6A IGBT的研制

12

作者 袁寿财 王晓宝 刘欣荣 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1994年第1期58-60,共3页

简单介绍了800V/10A、1200V/6A IGBT的研制与工艺。

关键词 双极晶体管 mos控制 制造

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MOS控制晶闸管的电路应用特性

13

作者 Jahn.,TM 蔚红旗 《国外电力电子技术》 1992年第2期9-15,共7页

关键词 mos控制 晶闸管 电路

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MOS控制晶闸管的设计,工艺,模拟和实验结果

14

作者 Bauer,F 俞苹 《国外电力电子技术》 1992年第2期4-9,共6页

关键词 晶闸管 mos控制 设计

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新型功率器件MCT的研究

15

作者 唐国洪 陈德英 周健 《电子器件》 CAS 1993年第2期87-93,共7页

本文探讨了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42... 本文探讨了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42A/cm^2的阳极电流. 展开更多

关键词 晶闸管 功率器件 硅片直接键合 mos控制 晶闸管

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低导通压降MOS控制晶闸管的研制

16

作者 刘中梦雪 黄伟 +4 位作者 刘垚 张海峰 段懿晨 丁继洪 赵建强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期476-481,487,共7页

基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行... 基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计,得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片,并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明,优化后器件正向阻断电压超过1600 V,脉冲峰值阳极电流为3640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。 展开更多

关键词 mos控制晶闸管(MCT) 导通压降 正向阻断电压 p基区 静态特性

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硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展 被引量：3

17

作者 王彩琳 高勇 张新 《电子器件》 EI CAS 2005年第4期945-948,957,共5页

综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管... 综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案。 展开更多

关键词 硅直接键合 电力电子器件 集成门极换流晶闸管 集成门极双晶体管 mos控制可关断晶闸管

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MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究 被引量：3

18

作者 李学宁 唐茂成 +2 位作者 李肇基 李原 刘玉书 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期63-66,共4页

本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本... 本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构ＤＯＦＭ－ＣＴ器件，其电流可控能力达１３４Ａ／ｃｍ２。 展开更多

关键词 三重扩散 mos控制晶闸管 工艺 场效应器件

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电力半导体器件的现状及发展趋势 被引量：1

19

作者 陈烨 吴济钧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期33-39,共7页

叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功... 叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功率器件的作用。提出了高压、大电流、高频、模块化和组件化是电力半导体器件今后发展的方向。 展开更多

关键词 电力半导体器件 集成电路 mos控制晶闸管

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金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化 被引量：2

20

作者 胡飞 宋李梅 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期274-279,320,共7页

金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析... 金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析并结合仿真优化重点研究了MCT开启瞬态特性。通过对MCT开启过程进行详细地理论分析推导,给出了MCT开启过程中阳极电流和上升时间的表达式。结合Sentaurus TCAD仿真优化,将MCT开启过程中电流上升速率（di/dt）由40 kA/s提升至80 kA/s,极大地改善了器件开启瞬态特性。最后,总结提出了提高器件开启瞬间di/dt的设计途径。 展开更多

关键词 mos控制晶闸管(MCT) 电流上升速率(di/dt) 脉冲功率开关 开启瞬态 上升时间

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