MOS控制晶闸管的设计,工艺,模拟和实验结果
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1Jahn.,TM,蔚红旗.MOS控制晶闸管的电路应用特性[J].国外电力电子技术,1992(2):9-15.
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2陈力才,温绍森.MCT (MOS控制晶闸管)可靠性的研究[J].国外电力电子技术,1991(1):32-34.
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3俞苹.国外MOS控制晶闸管的研制概况[J].电力电子技术,1990(4):42-45.
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4袁寿财,王晓宝,刘欣荣.800V/10A和1200V/6A IGBT的研制[J].电力电子技术,1994,28(1):58-60.
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5张鹤鸣,戴显英,林大松,王伟,解勇.MOS控制晶闸管的最大可关断电流[J].西安电子科技大学学报,2000,27(2):133-137. 被引量:2
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6冯玉春,刘玉书.MOS控制晶闸管(MCT)的设计[J].电力电子技术,1994,28(1):55-57. 被引量:1
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7Tem.,VAK,张秀澹.MOS控制晶闸管技术的进展[J].国外电力电子技术,1990(3):8-9.
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8Sugaw.,F,张军泽.一种MOS控制的MCC—GTO晶闸管[J].国外电力电子技术,1991(2):13-15.
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9刘成芳,钟利平.MOS控制的晶闸管简介[J].国外电子元器件,1995(8):31-33.
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10弓小武,樊昌信,刘玉书.一种新型 MOS 控制功率器件[J].电力电子技术,1997,31(2):88-90. 被引量:2
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