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基于M+N结构的SCP容灾系统设计 被引量:4
1
作者 王福阳 李小坚 俞前 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期252-254,282,共4页
将业务接入与业务控制分离,设计并实现基于M+N结构的业务控制点(SCP)容灾系统。该系统可扩展性和可维护性好、可用性高,且对现网设备和业务影响小。测试及实际应用结果表明,其实现了快速的应用级业务恢复,保证了业务的连续性。可以容忍... 将业务接入与业务控制分离,设计并实现基于M+N结构的业务控制点(SCP)容灾系统。该系统可扩展性和可维护性好、可用性高,且对现网设备和业务影响小。测试及实际应用结果表明,其实现了快速的应用级业务恢复,保证了业务的连续性。可以容忍多个生产SCP同时发生故障并提供业务接管。避免数据备份服务的集中运行,增强了容灾SCP的业务处理能力。 展开更多
关键词 移动智能网 业务控制点 容灾 M+n结构 可扩展性 高可用性
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m:n策略下的MPLS网络故障恢复性能评估
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作者 谭贤四 马娅婕 +2 位作者 陈京文 何建华 杨宗凯 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第6期889-895,共7页
该文针对MPLS网络的m:n故障恢复策略,定义了故障恢复性能评估参量,提出了一种带宽约束下的快速故障恢复机制,给出了分析模型,并对局部、部分路径及全路径保护时的网络故障恢复性能进行了分析比较.给出的分析模型同样适于1+1,1:1,1:n结构... 该文针对MPLS网络的m:n故障恢复策略,定义了故障恢复性能评估参量,提出了一种带宽约束下的快速故障恢复机制,给出了分析模型,并对局部、部分路径及全路径保护时的网络故障恢复性能进行了分析比较.给出的分析模型同样适于1+1,1:1,1:n结构下MPLS网络的故障恢复性能分析. 展开更多
关键词 MPLS 性能评估 故障恢复 m:n结构
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论汉语N+N结构里中心词的位置 被引量:14
3
作者 王军 《语言教学与研究》 CSSCI 北大核心 2005年第6期33-38,共6页
复合词结构中的中心词传统上是一个语法结构概念,但在分析汉语N+N复合名词里中心词的位置时,需要分清结构中心和语义中心两个概念,而语义中心应该用更具说服力的语义焦点概念来替代。所有N+N复合名词均有结构中心,其缺省位置居右。语义... 复合词结构中的中心词传统上是一个语法结构概念,但在分析汉语N+N复合名词里中心词的位置时,需要分清结构中心和语义中心两个概念,而语义中心应该用更具说服力的语义焦点概念来替代。所有N+N复合名词均有结构中心,其缺省位置居右。语义焦点位置的确定与汉语语音的特性息息相关,涉及双音化和音重的变化,具有动态性。 展开更多
关键词 n+n结构 中心词 双音化 轻音
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PTFE基复合材料摩擦磨损特性研究 被引量:8
4
作者 曹翠玲 阎逢元 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期139-144,共6页
用机械共混、冷压成型自由烧结的方法制备了PTFE基复合材料;用M-2000型磨损试验机测试了在干摩擦定载荷条件下各试样的磨损性能;用扫描电子显微镜(SEM)对磨损试样的表面形貌进行了观察和分析。结果表明:在实验条件下,复合材料的抗磨性能... 用机械共混、冷压成型自由烧结的方法制备了PTFE基复合材料;用M-2000型磨损试验机测试了在干摩擦定载荷条件下各试样的磨损性能;用扫描电子显微镜(SEM)对磨损试样的表面形貌进行了观察和分析。结果表明:在实验条件下,复合材料的抗磨性能,随青铜粉用量的增大逐渐增强,当青铜粉的用量大于20vol.%后,抗磨损性能增强的趋势明显减缓,在干摩擦条件下复合材料主要发生粘着磨损和磨粒磨损,且随青铜粉用量的增加,磨粒磨损也越明显。研究发现,当青铜粉:氧化镉:二硫化钼为20∶6∶4(体积比)时,复合材料的摩擦磨损性能最佳。 展开更多
关键词 聚四氟乙烯 复合材料 摩擦磨损性能 n-p-n-n结构
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p-i-n结构GaN光电探测器性能的研究 被引量:7
5
作者 周脉鱼 周蕾 +1 位作者 郑南 韩宇 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期248-252,共5页
近年来,可见盲与太阳盲光电探测器在火灾监控、太空通信和导弹尾焰探测等方面的应用引起了越来越多的关注。由于氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,所以成为了在可见区与紫外区的光电器件的首选材料,而p-i-n结构的器件因其响应度高、... 近年来,可见盲与太阳盲光电探测器在火灾监控、太空通信和导弹尾焰探测等方面的应用引起了越来越多的关注。由于氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,所以成为了在可见区与紫外区的光电器件的首选材料,而p-i-n结构的器件因其响应度高、暗电流低、便于集成等优点倍受人们的青睐。采用金属有机气相外延(MOCVD)法制备了p-i-n结构的GaN紫外光电探测器。在此基础上,采用N2气氛下热退火处理的方法,提高了p型GaN层的载流子浓度,从而降低了器件的暗电流。器件在1 V偏压下,暗电流仅为65 pA。器件在1 V偏压下的最大响应度值出现在361 nm处,大小为0.92 A/W。 展开更多
关键词 光学器件 光电探测器 氮化镓 响应度 p-i—n结构 暗电流
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碳纳米管纤维基热电器件的制备及其性能研究 被引量:2
6
作者 余龙 邱华 顾鹏 《丝绸》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期60-66,共7页
利用温差发电的柔性热电器件具有可持续、环保和可穿戴的优点,但是多数热电器件需要利用金属电极相互连接,这在一定程度上降低了热电器件的整体性能。本文利用OA和FeCl 3对碳纳米管纤维进行N型和P型掺杂,制备了无需金属电极连接的具有连... 利用温差发电的柔性热电器件具有可持续、环保和可穿戴的优点,但是多数热电器件需要利用金属电极相互连接,这在一定程度上降低了热电器件的整体性能。本文利用OA和FeCl 3对碳纳米管纤维进行N型和P型掺杂,制备了无需金属电极连接的具有连续P-N结构的热电纤维,并且利用热电纤维制备了3D热电器件。结果显示,N型和P型碳纳米管纤维基热电纤维分别具有-69.7、62.2μV K的高塞贝克系数和552.9、431.4μW(m·K 2)的高功率因数,3D热电器件能够利用人体与环境之间垂直方向上的温差产生开路电压,并可用作简单的温度传感器。这种3D热电器件具有优异的热电性能,在柔性自供电领域有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 碳纳米管纤维 P-n结构 热电纤维 热电器件 温度传感器
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新型光波导阵列电光快速扫描器的馈电特性 被引量:1
7
作者 李家立 石顺祥 +1 位作者 王广生 花吉珍 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期764-767,共4页
研究了新型光波导阵列电光快速扫描器的馈电特性和馈电方式.针对N I N(P I P)型结构和P I N型结构的光波导阵列电光扫描器,导出了相应的馈电电压公式,提出了一种能最大限度降低驱动电压的新方法,并据此研制了4波导P I N阵列扫描器的控... 研究了新型光波导阵列电光快速扫描器的馈电特性和馈电方式.针对N I N(P I P)型结构和P I N型结构的光波导阵列电光扫描器,导出了相应的馈电电压公式,提出了一种能最大限度降低驱动电压的新方法,并据此研制了4波导P I N阵列扫描器的控制电源,成功地进行了电光扫描实验. 展开更多
关键词 扫描器 馈电特性 激光电光扫描 电光效应 光波导阵列 P-I-n结构 低驱动电压
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硅基GHz高速电光调制器研究进展 被引量:2
8
作者 屠晓光 陈少武 余金中 《物理》 CAS 北大核心 2006年第4期317-321,共5页
硅基高速电光调制器是新一代密集波分复用系统和光时分复用系统中的关键光电子器件,他的运用可以降低光通讯系统的制作成本并且大大有利于未来的硅基光电集成.目前国际上已经实现的硅基高速电光调制器件的调制速率已经超过6GHz.文章对... 硅基高速电光调制器是新一代密集波分复用系统和光时分复用系统中的关键光电子器件,他的运用可以降低光通讯系统的制作成本并且大大有利于未来的硅基光电集成.目前国际上已经实现的硅基高速电光调制器件的调制速率已经超过6GHz.文章对国外硅基高速电光调制器的最新研究进展进行了介绍,评述了各种基于不同电学和光学结构的硅基电光调制器,对不同类型器件在制作和应用中的优缺点进行了比较. 展开更多
关键词 硅基光子集成 电光调制器 p-i-n结构 MOS(金属氧化物半导体)结构
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一种低暗计数率P-I-N结构的单光子雪崩二极管探测器 被引量:1
9
作者 李峥 刘丹璐 +2 位作者 董杰 卞大井 徐跃 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期25-30,共6页
基于180 nm BCD工艺制备出一种P型注入增强型P-I-N结构的单光子雪崩二极管(SPAD)探测器。采用P型漂移区与高压N+埋层之间的低掺杂浓度P型外延层作为I层深结雪崩区,提高了近红外波段的光子探测概率(PDP)。利用低掺杂浓度的P型外延层作为... 基于180 nm BCD工艺制备出一种P型注入增强型P-I-N结构的单光子雪崩二极管(SPAD)探测器。采用P型漂移区与高压N+埋层之间的低掺杂浓度P型外延层作为I层深结雪崩区,提高了近红外波段的光子探测概率(PDP)。利用低掺杂浓度的P型外延层作为虚拟保护环,防止了器件横向击穿,降低了暗计数率(DCR)。测试结果表明,虚拟保护环宽度(GRW)为5μm时,器件雪崩电压为56 V。在5 V过偏压下600 nm处的峰值PDP为41%,在901 nm的近红外波段下PDP大于6%,DCR为0.56 s^(-1)·μm^(-2),后脉冲率小于1.2%,表现出良好的电学和光学特性。所提出的SPAD器件为硅基高灵敏度近红外单光子探测器设计提供了一种可选的解决方案。 展开更多
关键词 探测器 单光子雪崩二极管(SPAD) P-I-n结构 光子探测概率(PDP) 暗计数率(DCR)
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提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径 被引量:5
10
作者 彭英才 姚国晓 +1 位作者 马蕾 王侠 《微纳电子技术》 CAS 2008年第4期187-192,197,共7页
多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低,被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线,介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-... 多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低,被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线,介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-i-n结构以增加光收集效率、制作绒面结构以提高对入射光的吸收效果、改进电池结构以谋求最大效率等工艺措施;综述了近5年来多晶Si薄膜电池在材料生长、结构制备和性能参数方面取得的最新进展,并对其发展前景做了预测。 展开更多
关键词 多晶Si薄膜 大晶粒 氢钝化 p-i-n结构 太阳电池 转换效率
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棘突蛋白氨基端嵌入标签(记)蛋白的重组猪流行性腹泻病毒的拯救和鉴定
11
作者 孙如晶 董世娟 +6 位作者 于瑞嵩 李震 李春华 司伏生 谢春芳 陈冰清 张道敬 《微生物学通报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2534-2545,共12页
【背景】猪流行性腹泻(porcine epidemic diarrhea,PED)是严重影响养猪业健康发展的动物传染病,其致病原为猪流行性腹泻病毒(porcine epidemic diarrhea virus,PEDV)。PEDV结构蛋白之一——棘突蛋白(spike protein,S protein)负责病毒... 【背景】猪流行性腹泻(porcine epidemic diarrhea,PED)是严重影响养猪业健康发展的动物传染病,其致病原为猪流行性腹泻病毒(porcine epidemic diarrhea virus,PEDV)。PEDV结构蛋白之一——棘突蛋白(spike protein,S protein)负责病毒的侵染、入胞等过程,该蛋白结构和功能研究是PEDV分子生物学研究的热点。S蛋白分为两个功能域,N端的S1亚单位和C端的S2亚单位,以往研究表明PEDV DR13att毒株S1N(19-233 aa)结构域缺失,不影响DR13att毒株的存活和增殖。【目的】基于靶向RNA重组技术,在PEDV(DR13att)S1N结构域分别引入HA标签基因、抗坏血酸过氧化物酶(APEX2)基因,构建重组PEDV,考察S1N结构域能否被标签(记)蛋白或多肽替换。【方法】利用靶向RNA重组技术的PEDV反向遗传学操作平台,将转移载体p-PEDV-DR13att的S1N结构域(1-234 aa)分别替换成HA基因、APEX2基因,进行重组转移载体的构建,再分别将线性化的载体体外转录的RNA转染至m PEDV感染的LR7细胞,然后在Vero细胞上拯救重组PEDV。通过观察细胞病变效应(cytopathic effect,CPE)、RT-PCR检测、测序、间接免疫荧光分析(immunofluorescence assay,IFA)、Western blotting检测对重组病毒进行验证,最后测定重组病毒滴度并绘制重组病毒生长曲线,探究重组病毒与亲本病毒的生长特性。【结果】构建的重组病毒经过拯救和传代,发现引入HA标签蛋白的重组猪流行性腹泻病毒r PEDV-DR13-S1N-HA(r PEDV-DSH)在P1代出现细胞病变,引入APEX2蛋白的重组猪流行性腹泻病毒r PEDV-DR13-S1N-APEX2(rPEDV-DSA)盲传至P4代,未出现细胞病变。对P4代的rPEDV-DSH、rPEDV-DSA进行RT-PCR检测、测序、间接免疫荧光分析、蛋白质印迹法验证,证实引入HA标签的重组病毒r PEDV-DSH拯救成功,而携带APEX2的重组病毒未能拯救成功。重组病毒rPEDV-DSH生长曲线表明rPEDV-DSH与亲本毒株DR13att有相似的生长趋势,但病毒增殖水平显著低于亲本毒株。 展开更多
关键词 猪流行性腹泻病毒 HA标签 靶向RnA重组技术 S1n结构
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通信生产楼电力系统改造与IDC机房设计
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作者 刘斌 黄自强 《广东通信技术》 2024年第2期70-75,共6页
IDC机房的建设应遵循经济适用、安全可靠、高效节能的原则,根据合理的建设标准和客户需求分期建设。对于在原有大楼建设IDC机房,不仅核实原有供电系统是否存在安全隐患,并提出整改建议;还要核实原有电力系统是否能够满足新增机房负载的... IDC机房的建设应遵循经济适用、安全可靠、高效节能的原则,根据合理的建设标准和客户需求分期建设。对于在原有大楼建设IDC机房,不仅核实原有供电系统是否存在安全隐患,并提出整改建议;还要核实原有电力系统是否能够满足新增机房负载的需求,并提出近、远期改造方案。 展开更多
关键词 变配电系统的改造 机房的设计标准 微模块 ECO模式 2n结构 割接
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多弧法沉积Ti(C,N)膜中的CN相 被引量:3
13
作者 辛煜 范叔平 +2 位作者 甘肇强 金宗明 杨礼富 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期612-614,共3页
在高速钢基片和〈100〉单晶硅片上,用多弧法在C2H2,N2,Ar的气氛中电弧蒸发Ti靶来制备沉积Ti(C,N)膜。总气压在1.2Pa内,起始镀膜温度为260℃。Ti(C,N)膜的晶格取向以除了〈111〉,〈200〉... 在高速钢基片和〈100〉单晶硅片上,用多弧法在C2H2,N2,Ar的气氛中电弧蒸发Ti靶来制备沉积Ti(C,N)膜。总气压在1.2Pa内,起始镀膜温度为260℃。Ti(C,N)膜的晶格取向以除了〈111〉,〈200〉,〈220〉外,还出现了一些新的衍射峰,配合XPS成份分析,本文认为Ti(C,N)膜中有CN结构相存在。随着C2H2/N2流量比的增加,膜中增加了TiC、CN结构超硬相和石墨相,从而导致了Ti(C,N)薄膜硬度的增加。 展开更多
关键词 氮化钛 碳化钛 薄膜 多弧法 C-n结构
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p-InGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响及机理 被引量:3
14
作者 周梅 赵德刚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期534-538,共5页
研究了p-In Ga N层厚度对p-i-n结构In Ga N太阳电池性能的影响。模拟计算发现,随着p-In Ga N层厚度的增加,In Ga N太阳电池效率降低。较差的p-In Ga N欧姆接触特性会破坏In Ga N太阳电池性能。计算结果还表明,无论欧姆接触特性好坏,随着... 研究了p-In Ga N层厚度对p-i-n结构In Ga N太阳电池性能的影响。模拟计算发现,随着p-In Ga N层厚度的增加,In Ga N太阳电池效率降低。较差的p-In Ga N欧姆接触特性会破坏In Ga N太阳电池性能。计算结果还表明,无论欧姆接触特性好坏,随着p-In Ga N层厚度的增加,短路电流下降是导致In Ga N电池效率降低的主要原因。选择较薄的p-In Ga N层有利于提高p-i-n结构In Ga N太阳电池的效率。 展开更多
关键词 InGAn 太阳电池 p-i-n结构
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有机电致发光器件及显示驱动研究进展 被引量:2
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作者 邹建华 朱冠成 +3 位作者 王磊 徐苗 吴为敬 彭俊彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期198-217,共20页
经过30多年的发展,得益于对高效有机半导体材料、新型器件结构、器件工作机理的深入理解以及产业界坚持不懈的工程探索,有机发光二极管(Organic light‑emitting diodes,OLEDs)的综合性能取得了突破性进展,并成功实现了商业化应用,OLEDs... 经过30多年的发展,得益于对高效有机半导体材料、新型器件结构、器件工作机理的深入理解以及产业界坚持不懈的工程探索,有机发光二极管(Organic light‑emitting diodes,OLEDs)的综合性能取得了突破性进展,并成功实现了商业化应用,OLEDs新型显示已成为新一代信息技术的先导性支柱产业。本文将从OLEDs器件角度阐述有机电致发光器件以及显示驱动的研究进展,首先结合光电器件性能提升介绍OLED的基本器件结构演变过程,随后系统性重点阐述现阶段产业上广泛使用以及极具应用前景的器件结构,包括p‑i‑n OLEDs器件结构、叠层器件结构、非掺杂器件结构,最后简述OLEDs显示驱动技术,以期为相关科研工作者提供一些有益的参考。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 p-i-n结构 叠层器件 非掺杂器件 显示驱动
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Adv+N结构的非范畴化与语用构建 被引量:2
16
作者 李伟 《华北水利水电大学学报(社会科学版)》 2016年第2期149-151,共3页
Adv+N结构意为副词修饰名词,这一语言现象历来受到很多学者的关注,对此提出了很多不同的看法和解释。非范畴化理论通过对Adv+N结构进行深入研究,展现了名词非范畴化之后句法和语义特征的变化,转喻是这一过程中的工作机制。在此基础之上,... Adv+N结构意为副词修饰名词,这一语言现象历来受到很多学者的关注,对此提出了很多不同的看法和解释。非范畴化理论通过对Adv+N结构进行深入研究,展现了名词非范畴化之后句法和语义特征的变化,转喻是这一过程中的工作机制。在此基础之上,对Adv+N结构在语言使用中的认知心理动因的分析,丰富了对Adv+N结构在语用构建上的认识。 展开更多
关键词 Adv+n结构 非范畴化 语用构建 转喻
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背照射和正照射p-i-n结构GaN紫外探测器的i-GaN和p-GaN厚度设计 被引量:2
17
作者 周梅 李春燕 赵德刚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1034-1040,共7页
研究了i-Ga N和p-Ga N厚度对背照射和正照射p-i-n结构Ga N紫外探测器响应光谱的影响。模拟计算发现:对于背照射结构,适当地减小i-Ga N厚度有利于提高探测器的响应,降低i-Ga N层的本底载流子浓度也有利于提高探测器的响应;p-Ga N的欧姆... 研究了i-Ga N和p-Ga N厚度对背照射和正照射p-i-n结构Ga N紫外探测器响应光谱的影响。模拟计算发现:对于背照射结构,适当地减小i-Ga N厚度有利于提高探测器的响应,降低i-Ga N层的本底载流子浓度也有利于提高探测器的响应;p-Ga N的欧姆接触特性好坏对探测器的响应影响不大,适当地增加p-Ga N厚度可以改善探测器性能。而正照射结构则不同,i-Ga N厚度对探测器的响应度影响不大,但欧姆接触特性差将严重降低探测器的响应,适当地减小p-Ga N厚度可以大幅度改善探测器的响应特性。能带结构和入射光吸收的差别导致了正照射和背照射探测器结构中i层和p层厚度的选择和设计不同。 展开更多
关键词 GAn p-i-n结构 紫外探测器 量子效率
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γ射线辐照对BJT硅器件参数的影响
18
作者 唐多权 马立国 王顺寿 《扬州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1998年第4期21-23,共3页
研究了3种不同类型的BJT硅晶体器件,经γ射线辐照、理化处理后,其反向截止电流、反向击穿电压、饱和压降。
关键词 硅晶体管 n-P-n结构 Γ射线辐照 BJT器件
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n—p—n型硅器件中缺陷中心对载流子的影响
19
作者 王涛 唐多权 +3 位作者 王顺寿 包建忠 曹宏 王锦荣 《扬州师院学报(自然科学版)》 CSCD 1992年第4期57-59,共3页
研究了两种不同掺杂工艺的n-p-n型硅器件在^(60)Co的γ射线辐照前后产生的缺陷中心,讨论了它们在330~530K温度范围漂白对载流子相对浓度的影响。
关键词 缺陷结构 载流子 硅器件 n-P-n结构
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N+N双面盲压背板盲孔污染问题研究
20
作者 王小平 杜红兵 +2 位作者 任尧儒 袁继旺 纪成光 《印制电路信息》 2018年第9期52-57,共6页
盲孔压接区的污染问题是N+N双面盲压背板制作过程中最常见的问题。本文建立鱼骨图对盲孔压接区的破损污染问题进行了分析,找到了产生盲孔区污染的主要原因为:半固化片开槽设计、钻孔后烘板、去毛刺铜皮破损、阻焊前烘板、各工序擦花及... 盲孔压接区的污染问题是N+N双面盲压背板制作过程中最常见的问题。本文建立鱼骨图对盲孔压接区的破损污染问题进行了分析,找到了产生盲孔区污染的主要原因为:半固化片开槽设计、钻孔后烘板、去毛刺铜皮破损、阻焊前烘板、各工序擦花及成品酸洗,通过优化设计、工艺和制程管控来解决成品开盖前的盲孔污染问题。 展开更多
关键词 背板 n+n结构 盲孔区 发黑
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