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77K MOSFET计算机模拟增量限制方法
1
作者
曹俊诚
魏同立
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期323-327,共5页
对低温器件计算机模拟方法作了具体的考虑。从求解变量和半导体物理意义出发，数值计算结果事先有一个定性范围，如果每一次循环的迭代初值都修正到这个数值范围内，那么选代过程将以更快的速度接近真解。提出了适用于低温半导体器件计...
对低温器件计算机模拟方法作了具体的考虑。从求解变量和半导体物理意义出发，数值计算结果事先有一个定性范围，如果每一次循环的迭代初值都修正到这个数值范围内，那么选代过程将以更快的速度接近真解。提出了适用于低温半导体器件计算机模拟的增量限制方法，并且将该方法插入ＭＩＮＩＭＯＳ４．０进行了数值实验。结果表明，设置增量限制能保证低温半导体器件模拟的数值收敛性，并巨有较快的收敛速度。
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关键词
MOSFET
场效应晶体管
计算机模拟
增量限制
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职称材料
题名
77K MOSFET计算机模拟增量限制方法
1
作者
曹俊诚
魏同立
机构
东南大学微电子中心低温实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期323-327,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
对低温器件计算机模拟方法作了具体的考虑。从求解变量和半导体物理意义出发，数值计算结果事先有一个定性范围，如果每一次循环的迭代初值都修正到这个数值范围内，那么选代过程将以更快的速度接近真解。提出了适用于低温半导体器件计算机模拟的增量限制方法，并且将该方法插入ＭＩＮＩＭＯＳ４．０进行了数值实验。结果表明，设置增量限制能保证低温半导体器件模拟的数值收敛性，并巨有较快的收敛速度。
关键词
MOSFET
场效应晶体管
计算机模拟
增量限制
Keywords
low
-
temperature
device
,
simulation
,
increment
limit
method
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
77K MOSFET计算机模拟增量限制方法
曹俊诚
魏同立
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994
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