摘要
对低温器件计算机模拟方法作了具体的考虑。从求解变量和半导体物理意义出发，数值计算结果事先有一个定性范围，如果每一次循环的迭代初值都修正到这个数值范围内，那么选代过程将以更快的速度接近真解。提出了适用于低温半导体器件计算机模拟的增量限制方法，并且将该方法插入ＭＩＮＩＭＯＳ４．０进行了数值实验。结果表明，设置增量限制能保证低温半导体器件模拟的数值收敛性，并巨有较快的收敛速度。
The simulation method for semiconductor device at low-temperatureis considered from both numerical and physical view. The increment limit methodsuitable for MOSFET simulation at 77 K is presented. Computer test for thismethod is carried out by using MINIMOS4. 0. Numerical results indicate that theincrement limit method is convergent fast for 77 K device. simulation.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期323-327,共5页
Research & Progress of SSE
基金
国家自然科学基金
