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青藏高原北缘阿尔金走滑边界的侧向扩展--甘肃北山晚新生代走滑构造与地壳稳定性分析 被引量:18
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作者 郭召杰 张志诚 +4 位作者 张臣 刘畅 张宇 王驹 陈伟明 《地质通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1678-1686,共9页
对北山地区遥感影像和野外地质特征的分析表明,自阿尔金断裂带向NW方向依次出露三危山-双塔断裂、大泉断裂和红柳河断裂。这些断裂近于平行,且同为左行走滑断裂,具有相似的展布特征,空间走向均为NE40~50°,断裂系末端均发育"... 对北山地区遥感影像和野外地质特征的分析表明,自阿尔金断裂带向NW方向依次出露三危山-双塔断裂、大泉断裂和红柳河断裂。这些断裂近于平行,且同为左行走滑断裂,具有相似的展布特征,空间走向均为NE40~50°,断裂系末端均发育"树枝状"分支断层,在断层夹块之间形成"多米诺"构造,构成了北山地区主要的构造样式。断层谷地沉积物分析和断层泥ESR年代学测试结果表明,三危山-双塔断裂形成于上新世(N2k),大泉断裂形成于早更新世(1.2~1.5Ma),而北山地区分支断层和次级断层的活动在400ka之后。对北山地区断裂构造几何学和年代学的研究表明,阿尔金断裂系晚新生代以来向NW方向的侧向扩展,是阿尔金走滑边界重要的生长方式。北山地区特殊的走滑构造组合样式,使该地区的构造变形难于在某条断层上聚集能量,而分散在若干条次级断层上的位移量又微乎其微,该地区成为"最稳定的活动区"。 展开更多
关键词 北山地区 阿尔金断裂带 走滑断层 侧向扩展 晚新生代
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LATHYROIDES, Encoding a WUSCHEL-Related Homeoboxl Transcription Factor, Controls Organ Lateral Growth, and Regulates Tendril and Dorsal Petal Identities in Garden Pea (Pisum sativum L.) 被引量:6
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作者 Li-Li Zhuang Mike Ambrose +5 位作者 Catherine Rameau Lin Weng Jun Yang Xiao-He Hu Da Luo Xin Li 《Molecular Plant》 SCIE CAS CSCD 2012年第6期1333-1345,共13页
During organ development, many key regulators have been identified in plant genomes, which play a conserved role among plant species to control the organ identities and/or determine the organ size and shape. It is int... During organ development, many key regulators have been identified in plant genomes, which play a conserved role among plant species to control the organ identities and/or determine the organ size and shape. It is intriguing whether these key regulators can acquire diverse function and be integrated into different molecular pathways among different species, giving rise to the immense diversity of organ forms in nature. In this study, we have characterized and cloned LATHYROIDES (LATH), a classical locus in pea, whose mutation displays pleiotropic alteration of lateral growth of organs and predominant effects on tendril and dorsal petal development. LATH encodes a WUSCHEL-related home- oboxl (WOX1) transcription factor, which has a conserved function in determining organ lateral growth among different plant species. Furthermore, we showed that LATH regulated the expression level of TENDRIL-LESS (TL), a key factor in the control of tendril development in compound leaf, and LATH genetically interacted with LOBED STANDARD (LST), a floral dorsal factor, to affect the dorsal petal identity. Thus, LATH plays multiple roles during organ development in pea: it maintains a conserved function controlling organ lateral outgrowth, and modulates organ identities in compound leaf and zygomorphic flower development, respectively. Our data indicated that a key regulator can play important roles in different aspects of organ development and dedicate to the complexity of the molecular mechanism in the control of organ development so as to create distinct organ forms in different species. 展开更多
关键词 PEA LATH LST TL lateral growth organ identity.
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柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响 被引量:7
3
作者 江洋 罗毅 +4 位作者 汪莱 李洪涛 席光义 赵维 韩彦军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期3468-3473,共6页
在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断... 在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光谱(PL)分析发现,样品的内量子效率十分接近.因此,可以推断PSS-h上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高. 展开更多
关键词 蓝宝石图形衬底 氮化镓 发光二极管 侧向生长
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氨热法GaN单晶生长的位错密度演变研究
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作者 夏政辉 李腾坤 +6 位作者 任国强 解凯贺 卢文浩 李韶哲 郑树楠 高晓冬 徐科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期480-486,共7页
氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用... 氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用氨热法生长了氮化镓单晶,利用扫描电子显微镜(SEM),光学显微镜和湿法腐蚀研究了氨热法氮化镓单晶籽晶区至侧向生长区的位错演变。研究结果表明,侧向生长区的氮化镓单晶位错密度明显低于籽晶区,侧向生长超过25μm后,位错密度降低2个数量级。 展开更多
关键词 氮化镓单晶 氨热法 侧向生长 位错密度 腐蚀坑
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气体水合物膜生长动力学研究进展 被引量:4
5
作者 李胜利 孙长宇 陈光进 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期864-876,共13页
由于大多数水合物客体不溶于水,水相与客体相界面首先形成一层气体水合物膜,气体水合物膜生长是水合物生长的主要形式,研究水合物膜生长规律对于理解水合物生长动力学及进一步开发促进和抑制水合物生长的应用技术具有重要意义.本文综述... 由于大多数水合物客体不溶于水,水相与客体相界面首先形成一层气体水合物膜,气体水合物膜生长是水合物生长的主要形式,研究水合物膜生长规律对于理解水合物生长动力学及进一步开发促进和抑制水合物生长的应用技术具有重要意义.本文综述了近年来气体水合物膜生长形态、横向生长和增厚生长的理论和实验研究进展.首先介绍了不同客体-水体系(包括气/液界面、液/液界面和气-液-液体系)形成的水合物膜生长形态随实验条件的变化规律,然后分别从横向生长和增厚生长两方面总结了水合物膜生长的实验和模型方面的研究工作,阐述了常见的膜生长速率和膜厚度的测量方法,分析了水合物膜生长的传热和传质机理.同时展望了未来水合物膜生长研究的发展方向. 展开更多
关键词 水合物膜 动力学 横向生长 增厚生长 形态
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片上制备横向结构ZnO纳米线阵列紫外探测器件 被引量:4
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作者 李江江 高志远 +4 位作者 薛晓玮 李慧敏 邓军 崔碧峰 邹德恕 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期255-263,共9页
将纳米技术与传统的微电子工艺相结合,片上制备了横向结构氧化锌(Zn O)纳米线阵列紫外探测器件,纳米线由水热法直接自组织横向生长于叉指电极之间,再除去斜向的多余纳米线,其余工艺步骤与传统工艺相同.分别尝试了铬(Cr)和金(Au)两种金... 将纳米技术与传统的微电子工艺相结合,片上制备了横向结构氧化锌(Zn O)纳米线阵列紫外探测器件,纳米线由水热法直接自组织横向生长于叉指电极之间,再除去斜向的多余纳米线,其余工艺步骤与传统工艺相同.分别尝试了铬(Cr)和金(Au)两种金属电极的器件结构:由于Cr电极对其上纵向生长的纳米线有抑制作用,导致横向生长纳米线长度可到达对侧电极,光电响应方式为受表面氧离子吸附控制的光电导效应,光电流大但增益低,响应速度慢,经二次电极加固,纳米线根部与电极金属直接形成肖特基接触,光电响应方式变为光伏效应,增益和速度得到了极大改善;由于Au电极对其上纵向生长的纳米线有催化作用,导致溶质资源的竞争,相同时间内横向生长的纳米线不能到达对侧,而是交叉桥接,但却形成了紫外光诱导的纳米线间势垒结高度调控机理,得到的器件特性为最优,在波长为365 nm的20 mW/cm^2紫外光照下,1 V电压时暗电流为10^(-9)A,光增益可达8×10~5,响应时间和恢复时间分别为1.1 s和1.3 s. 展开更多
关键词 紫外探测器 ZNO纳米线阵列 横向生长 光生载流子
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化学气相沉淀法合成单晶金刚石膜实验探索 被引量:3
7
作者 李晓 陶隆凤 +1 位作者 陈美华 王礼胜 《宝石和宝石学杂志》 CAS 2009年第2期11-14,共4页
采用微波等离子体化学气相沉淀法合成了单晶金刚石膜,探索了化学气相沉淀法(CVD)单晶金刚石膜的生长机理。实验仪器采用石英管式微波等离子体化学气相沉积装置,种晶为3颗IaAB型天然金刚石原石,生长面近平行于(111)和(110)方向,生长温度... 采用微波等离子体化学气相沉淀法合成了单晶金刚石膜,探索了化学气相沉淀法(CVD)单晶金刚石膜的生长机理。实验仪器采用石英管式微波等离子体化学气相沉积装置,种晶为3颗IaAB型天然金刚石原石,生长面近平行于(111)和(110)方向,生长温度为800℃,压力约为6 kPa,时间约为8 h。使用宝石显微镜和环境扫描电子显微镜观察分析了CVD单晶金刚石膜的生长表面形貌。结果表明,在生长面上可见明显的生长层,生长晶体无色透明,CVD单晶金刚石膜在生长面上横向外延生长,并形成定向的台阶状表面——"阶梯流"。在相同的条件下,(111)方向上生长的CVD单晶金刚石膜比(110)方向上的更有序。H2浓度的大小对CVD单晶金刚石膜的质量有影响。 展开更多
关键词 化学气相沉淀法 单晶金刚石膜 表面形貌 横向生长
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Growth and ecophysiology of seedlings of Podocarpus falcatus in plantations of exotic species and in a natural montane forest in Ethiopia 被引量:1
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作者 Desalegn Tadele Masresha Fetene 《Journal of Forestry Research》 SCIE CAS CSCD 2013年第1期29-35,共7页
The potential role of exotic tree plantations in facilitating successional processes on degraded areas was evaluated in southern Ethiopia by comparing seedling characteristics, transpiration and photosynthetic perform... The potential role of exotic tree plantations in facilitating successional processes on degraded areas was evaluated in southern Ethiopia by comparing seedling characteristics, transpiration and photosynthetic performance of Podocarpus falcatus seedlings in Eucalyptus plantation, Pinus plantation, adjacent natural forest and clear-felled plantation site. P. falcatus seedlings exhibited differences in architecture between Eucalyptus and Pinus plantations. They had higher leaf area, shorter internode length and greater number of lateral branches in Eucalyptus plantation. At similar vapor pressure deficit (VPD), P. falcatus transpired much less than E. saligna, especially at higher VPDs. Analysis of fluorescence parameters in the leaves showed no significant differences in the level of dark-adapted and light-adapted fluorescence yield (Fv/Fm and ΔF/Fm′, respectively), electron transport rate (ETR) and nonphotochemical quenching (NPQ) among seedlings grown inside plantations and adjacent natural forest, indicating similar photosynthetic performance. Nevertheless, there was evidence of photoinhibition in P. falcatus in the clear-felled site which had low fluorescence yield but high values of NPQ as protection from photoamage. The light response curves of ETR, NPQ and ΔF/Fm′ showed similar light saturation behavior among the seedlings grown inside plantations and natural forest and suggested a sequence of light-adapted to shade-adapted behavior in Natural forest 〉 Eucalyptus plantation 〉 Pinus plantation. The results show the structural flexibility, better water-use and adaptability of P. falcatus in its use of the understory environment of plantation species. 展开更多
关键词 chlorophyll fluorescence height growth lateral growth light response curves TRANSPIRATION
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Growth of decagonal quasicrystal phase in laser resolidified Al_(72)Ni_(12)Co_(16) 被引量:2
9
作者 LIU Yongchang, YANG Gencang, LIU Xinbao & ZHOU YaoheState Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072. China 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2000年第14期1315-1319,共5页
An ultra-high temperature gradient directional solidification process produced by a widened laser beam was adopted to achieve the directionally solidified microstructure of the stable decagonal quasicrystal phase in A... An ultra-high temperature gradient directional solidification process produced by a widened laser beam was adopted to achieve the directionally solidified microstructure of the stable decagonal quasicrystal phase in AI72Ni12Co16 alloy. X-ray, SEM, TEM and optical microscopy techniques were used to investigate the microstructures and identify the phase. The directionally solidified decagonal quasicrystal showed the facet morphology and grew in lateral growth mode. The unusual periodic and quasiperiodic atomic structures of the decagonal quasicrystal and the epitaxial growth in the melt pool were considered to be the key factors influencing the growth morphology. The experimental results were consistent with the Toner’s theoretical atomistic growth model. 展开更多
关键词 QUASICRYSTAL lateral growth ALLOY directional solidification.
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500kV复合绝缘子横向覆冰现象有限元分析 被引量:3
10
作者 陈彦 阳林 刘国特 《中国电力》 CSCD 北大核心 2014年第10期57-63,共7页
雨凇覆冰严重影响输电线路的安全,绝缘子上的冰棱会导致其电场与电位分布的恶化。为探究绝缘子覆冰横向增长现象对绝缘子沿面电场电位的影响,利用ANSYS仿真软件,建立500kV复合绝缘子覆冰有限元模型。根据输电线路现场与实验室中绝缘子... 雨凇覆冰严重影响输电线路的安全,绝缘子上的冰棱会导致其电场与电位分布的恶化。为探究绝缘子覆冰横向增长现象对绝缘子沿面电场电位的影响,利用ANSYS仿真软件,建立500kV复合绝缘子覆冰有限元模型。根据输电线路现场与实验室中绝缘子覆冰出现的冰棱横向增长现象,在仿真模型中改变冰棱长度、角度、位置以及横向竖直冰棱同时出现等情况,对比分析不同工况下各覆冰形态对复合绝缘子电场电位分布的影响。仿真分析表明:雨凇条件下,覆冰横向增长冰棱长度、位置的改变对复合绝缘子沿面电位电场分布的影响较小;随着冰棱铅垂角度减小,复合绝缘子沿面电场电位分布畸变增大,竖直覆冰对复合绝缘子沿面电场电位分布起主要影响。 展开更多
关键词 覆冰 复合绝缘子 横向增长 电场电位 有限元法
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不同生长形态的爵床植株鉴别及其化学成分含量比较 被引量:2
11
作者 姚云峰 熊羿屹 +4 位作者 熊唯琛 甘娇娥 刘博 吴和珍 杨艳芳 《中国实验方剂学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2019年第21期140-147,共8页
目的:鉴别垂直生长(V类)和横向生长(L类)两类爵床并比较其地上部分及不同器官中化学成分含量的差异。方法:使用试剂盒提取两类爵床叶中的DNA,经聚合酶链式反应(PCR)扩增和双向测序得内部转录间隔区2(ITS2)序列,psb A-trn H序列;采用HPLC... 目的:鉴别垂直生长(V类)和横向生长(L类)两类爵床并比较其地上部分及不同器官中化学成分含量的差异。方法:使用试剂盒提取两类爵床叶中的DNA,经聚合酶链式反应(PCR)扩增和双向测序得内部转录间隔区2(ITS2)序列,psb A-trn H序列;采用HPLC,测定两类爵床地上部分及花穗、叶和茎中爵床脂定B和金不换甲醚的含量;通过独立样本T检验和配对样本T检验,比较两类爵床地上部分及其不同器官中的爵床脂定B和金不换甲醚的含量差异。结果:将2个序列经过剪切后比对,V类和L类爵床的DNA序列完全一致;独立样本T检验结果表明,爵床脂定B的含量在两类爵床的地上部分中不存在显著差异,而金不换甲醚的含量为V类爵床显著高于L类(P <0. 05);配对样本T检验结果表明,爵床脂定B和金不换甲醚的含量在同类爵床的花穗、叶和茎中均存在显著性差异(P <0. 05),花穗和叶中的含量远大于茎;且金不换甲醚在V类爵床的花穗和叶中的含量要高于L类。结论:DNA条形码技术鉴别序列一致,表明两类不同生长形态的爵床为同种植物;不同生长形态的爵床植株中金不换甲醚的含量存在差异,V类爵床含量更高;同时,爵床茎中有效成分的含量极少,故在爵床的花穗和叶多的花、果期采收为佳。 展开更多
关键词 爵床 垂直生长类 横向生长类 DNA条形码 爵床脂定B 金不换甲醚
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Cu原子簇触发形核下的深过冷Ag-Ge合金组织演变研究 被引量:1
12
作者 孙玉峰 刘晓芳 +1 位作者 王育人 魏炳忱 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期732-735,共4页
采用玻璃包覆的方法获得具有较大过冷度的亚共晶、共晶以及过共晶Ag-Ge合金熔体,并通过高能离子束轰击Cu箔产生Cu原子团簇溅射到过冷合金熔体中来触发非均质形核过程。凝固后合金显微组织的分析结果表明:在深过冷合金熔体中引入Cu原子团... 采用玻璃包覆的方法获得具有较大过冷度的亚共晶、共晶以及过共晶Ag-Ge合金熔体,并通过高能离子束轰击Cu箔产生Cu原子团簇溅射到过冷合金熔体中来触发非均质形核过程。凝固后合金显微组织的分析结果表明:在深过冷合金熔体中引入Cu原子团簇,它对亚共晶、共晶以及过共晶Ag-Ge合金的显微组织演变有着不同的影响效果,分析了显微组织的演变规律与形成机制。 展开更多
关键词 玻璃包覆 深过冷 显微组织 侧向生长
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4H-SiC同质外延基面位错的转化 被引量:2
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作者 杨龙 赵丽霞 吴会旺 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第3期250-254,共5页
采用化学气相沉积法在4°偏角4H-SiC衬底上进行同质外延生长,并使用500℃熔融KOH对SiC衬底及外延片进行腐蚀。采用同步加速X射线衍射仪和光学显微镜对外延前后基面位错(BPD)形貌进行系统表征,分析了基面位错向刃位错转化的过程。外... 采用化学气相沉积法在4°偏角4H-SiC衬底上进行同质外延生长,并使用500℃熔融KOH对SiC衬底及外延片进行腐蚀。采用同步加速X射线衍射仪和光学显微镜对外延前后基面位错(BPD)形貌进行系统表征,分析了基面位错向刃位错转化的过程。外延生长过程中同时存在台阶流生长和侧向生长(即垂直于台阶方向)两种模式,当侧向生长模式占主导时,能够有效地抑制基面位错向外延层的延伸;当台阶流生长模式占主导时,基面位错延伸至外延层。结果表明,随着碳硅比增加,外延层基面位错密度能够降低至0.05 cm-2,这是由于侧向生长增强导致的。通过优化碳硅比,能够制备出高质量的4H-SiC同质外延片,其基面位错密度和表面缺陷密度分别为0.09和0.12 cm-2。 展开更多
关键词 4H-SIC 同质外延片 基面位错(BPD) 刃位错 侧向生长 碳硅比
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Lateral growth of silicalite-1 crystal membrane on glass slabs
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作者 Cheng, MJ Lin, LW +3 位作者 Yang, YS Yang, WS Xu, YD Li, XS 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1997年第1期37-40,共4页
ZEOLITES and molecular sieves are crystallite materials with well-defined and uniform micropore system that can recognize and discriminate molecules according to their sizes and shapes. Therefore, zeolite and molecula... ZEOLITES and molecular sieves are crystallite materials with well-defined and uniform micropore system that can recognize and discriminate molecules according to their sizes and shapes. Therefore, zeolite and molecular sieve crystals serve as host, organizing organic and inorganic guest atoms, molecules, and supramolecular compounds in their channels or cavities, which results in host-guest materials with novel properties in optical data storage, nonlinear optics, electrochemistry and optoelectronics. The general crystallite size of zeolites and 展开更多
关键词 ZEOLITE MEMBRANE SILICALITE-1 lateral growth HYDROTHERMAL synthesis.
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Enhancement of InGaN-Based Light Emitting Diodes Performance Grown on Cone-Shaped Pattern Sapphire Substrates
15
作者 Huanyou Wang Yalan Li Penghua Zhang 《Journal of Materials Science and Chemical Engineering》 2014年第7期53-58,共6页
To enhance light extraction effciency, high-quality InGaN-based light emitting diodes (LED) was grown on cone-shaped patterned sapphire (CPSS) by using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). From the transmi... To enhance light extraction effciency, high-quality InGaN-based light emitting diodes (LED) was grown on cone-shaped patterned sapphire (CPSS) by using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). From the transmission electron microscopy (TEM) observation, the CPSS was confirmed to be an efficient way to reduce the threading dislocation density in the GaN epilayer. A sharp and high intensity Photoluminescence (PL) for LED on CPSS at 457 nm compared to LED on unpattern planar sapphire substrates (USS) indicates that the crystalline quality was improved significantly and the internal reflection on the cones of the substrate was enhanced. The output power of the LED on CPSS is higher than that of LED on USS. The achieved improvement of the output power is not only due to the improvement of the internal quantum efficiency upon decreasing the dislocation density, but also due to the enhancement of the extraction efficiency using the CPSS. 展开更多
关键词 METAL-ORGANIC Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Patterned SAPPHIRE Substrate Optical Emission lateral growth
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Steady Lateral Growth of Three-Dimensional Particle Laden Density Currents
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作者 M.R.Moossavi Hekmati M.Najafi N.Ashrafi khorasani 《China Ocean Engineering》 SCIE EI CSCD 2018年第4期467-475,共9页
In this paper the steady lateral growth of three-dimensional turbulent inclined turbidity current is investigated. To simulate the current, an experimental setup is developed to analyze the turbidity current for diffe... In this paper the steady lateral growth of three-dimensional turbulent inclined turbidity current is investigated. To simulate the current, an experimental setup is developed to analyze the turbidity current for different regimes in the particle laden density currents environment. The Buckingham’s π theorem together with a dimensional analysis is implemented to derive the appropriate non-dimensional variables. The experimental results were normalized and plotted in the form of non-dimensional graphs from which a theoretical model is developed and analyzed. Based on the results obtained for the steady lateral growth, three different regimes, namely, inertia-viscous one as the first regime, buoyancy-viscous and gravity-viscous as the second and third regimes are distinguished within the current.In these regimes, the force balance is between the driving and resisting forces. Namely, in the first regime, the force balance is between the inertia and viscous forces, in the second regime, the buoyancy and viscous forces, and in the third regime, gravity and viscous forces are balanced. The experimental results indicate that the lateral growth rate in the first regime is smaller than that in the second and third regimes due to the magnitude and type of the forces involved in those regimes. According to the graphical results, the three different lateral growth rates appear when the normalized current length is smaller than about 3, between about 3 and 10, and larger than about 10. In those regions,the slopes of the data are different with respect to one another. 展开更多
关键词 turbidity current STEADY PARTICLE lateral growth TURBULENCE supercritical initial conditions
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基于微柱状电极生长ZnO纳米线的研究(英文) 被引量:1
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作者 蒋海涛 刘诗斌 +1 位作者 何培培 郭书霞 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期3213-3216,共4页
采用硅衬底电极无催化剂制备横向ZnO纳米线,实现了二维氧化锌纳米线网电路的制备。本研究涉及的技术一方面可以为突破纳电子器件制备极限提供新技术参考;另一方面,去除了纳米线生长过程中的金催化剂污染,降低成本,简化工艺。
关键词 纳米线网 CVD 无催化剂 横向生长
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MPCVD侧面扩展生长单晶金刚石形貌及光谱 被引量:1
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作者 徐永宽 王军山 +3 位作者 陈建丽 孙科伟 李璐杰 张颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期697-701,共5页
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法同质生长了边缘无多晶聚集的金刚石,详细研究了其表面与侧面的生长情况。利用微分干涉相差显微镜和喇曼光谱仪对边缘无多晶的单晶金刚石进行了表征,结果表明,通过优化侧面温度的控制可以实现4... 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法同质生长了边缘无多晶聚集的金刚石,详细研究了其表面与侧面的生长情况。利用微分干涉相差显微镜和喇曼光谱仪对边缘无多晶的单晶金刚石进行了表征,结果表明,通过优化侧面温度的控制可以实现4个侧面呈单晶生长,生长结束后金刚石尺寸由原始的3.50 mm×3.50 mm扩展到4.50 mm×4.52 mm,并且侧面扩展部分与表面区域的喇曼特征峰半高宽均在2.2~2.4 cm-1附近,呈现出较高的结晶质量,而光致发光光谱测试结果表明,晶体内部有氮和硅杂质存在。对于金刚石同质生长而言,金刚石4个侧面同时生长将会提高单晶生长效率和金刚石单片尺寸。 展开更多
关键词 金刚石 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD) 侧面生长 形貌 光致发光
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银纳米线的侧向生长及其抑制研究 被引量:1
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作者 彭勇宜 徐国钧 +3 位作者 周剑飞 代国章 王云 李宏建 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1656-1661,共6页
采用多元醇法,在不同温度,不同PVP滴加速度和加入量的条件下合成了银纳米线。利用XRD,UV-Vis,SEM和TEM对银纳米线及其侧向生长过程进行了观察和分析。UV-Vis表明银纳米线在纵向生长的同时发生了侧向生长。而且表示银纳米线侧向生长的紫... 采用多元醇法,在不同温度,不同PVP滴加速度和加入量的条件下合成了银纳米线。利用XRD,UV-Vis,SEM和TEM对银纳米线及其侧向生长过程进行了观察和分析。UV-Vis表明银纳米线在纵向生长的同时发生了侧向生长。而且表示银纳米线侧向生长的紫外吸收光谱峰在银纳米线合成后期发生了明显的红移,由384nm红移至约388nm处,表明银纳米线合成后期直径迅速增长,银纳米线发生了快速的侧向生长。SEM研究表明银纳米线直径在反应前期(15~23min)只增加了20nm,而在反应后期(23~30min)银纳米线直径增加了近150nm,SEM观察结果与UV-Vis分析结论一致。同时还发现银纳米线直径不仅与晶种大小有关而且与银线外覆盖的银层厚度有关,银源以吸附在银线侧面的小银颗粒为附着点沿其侧面多点沉积导致了银纳米线的侧向生长;降低反应液温度(165℃降至155℃),降低PVP滴加速度(67mL·h^(-1)减小到49mL·h^(-1))以及减少银纳米线合成后期PVP加入量可抑制银纳米线的侧向生长,显著提高银纳米线长径比,银纳米线直径由200nm减小至100nm左右,长度仍保持在100μm以上。 展开更多
关键词 多元醇法 银纳米线 侧向生长 抑制
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一个从两端向中间生长的背斜:台湾西部麓山带八卦山背斜
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作者 张进 马宗晋 王乾盈 《高校地质学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期459-468,共10页
八卦山背斜位于台湾西部的逆冲褶皱带,总体生长是从北向南发展的。由于该地区滑脱面锦水页岩的倾角在走向上有很明显的变化,南北两端小,中部倾角大;因此随之卷入褶皱的地层在走向上也发生明显的变化,造成该背斜形成两端向西突出以及中... 八卦山背斜位于台湾西部的逆冲褶皱带,总体生长是从北向南发展的。由于该地区滑脱面锦水页岩的倾角在走向上有很明显的变化,南北两端小,中部倾角大;因此随之卷入褶皱的地层在走向上也发生明显的变化,造成该背斜形成两端向西突出以及中部窄而两端宽的平面形态。由于在该背斜两端均受到边界构造的控制(可能是侧断坡),因此背斜的生长受到限制,早期主要从北向南,晚期主要从南向北,这样的发育过程可以很好的解释背斜的平面特征、轴面分布特征以及不同部分的形成机制,八卦山背斜内部的发育有其自身独特的方式。 展开更多
关键词 八卦山背斜 漳化断层 断层相关褶皱 锦水页岩 侧向迁移
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