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高温超导薄膜在激光辅助化学刻蚀中的表面特性 被引量:3
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作者 刘娟秀 羊恺 +3 位作者 补世荣 张天良 宁俊松 罗正祥 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期296-298,共3页
提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,为YBCO激光化学刻蚀技术中图形形状控制、刻蚀时间选择和激光功率调节等提供了重要的实验结论。研究发... 提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,为YBCO激光化学刻蚀技术中图形形状控制、刻蚀时间选择和激光功率调节等提供了重要的实验结论。研究发现:在激光辐照下,YBCO薄膜的液相刻蚀速率大大加快,将极大改善刻蚀中的横向钻蚀情况,并提高图形边缘的侧壁陡峭度,且整个过程中的刻蚀速率呈现加快趋势;无掩膜时,YBCO表面刻蚀程度持续过渡,激光光斑边界两侧并非严格分界;衬底铝酸镧(LaAlO3)的晶向对YBCO薄膜的表面刻蚀特征有较大影响,沿LaAlO3晶向方向的刻蚀程度高于非晶向方向。 展开更多
关键词 激光辅助化学刻蚀 高温超导薄膜 钇钡铜氧(YBCO)
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YBCO高温超导薄膜激光化学腐蚀进程的实验观测 被引量:1
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作者 羊恺 曾华新 +2 位作者 刘娟秀 补世荣 罗正祥 《低温工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期32-34,共3页
提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,在激光辐照下,YBCO薄膜的液相刻蚀速率大大加快,并且在整个过程中,刻蚀速率呈现加快趋势,这一特性将有... 提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,在激光辐照下,YBCO薄膜的液相刻蚀速率大大加快,并且在整个过程中,刻蚀速率呈现加快趋势,这一特性将有可能用于改善YBCO刻蚀中的横向钻蚀情况,并提高图形边缘的侧壁陡峭度。 展开更多
关键词 激光辅助化学刻蚀 高温超导薄膜 钇钡铜氧
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利用H_3PO_4液层侧面红外热像研究YBCO高温超导薄膜的激光辅助刻蚀特性
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作者 刘娟秀 羊恺 +3 位作者 补世荣 张天良 宁俊松 罗正祥 《感光科学与光化学》 EI CSCD 2006年第6期415-420,共6页
利用红外热像实时监测系统,获取钇钡铜氧激光辅助化学刻蚀中H3PO4液层的侧面红外热像,研究了其溶液温度分布与热对流特性,并对红外监测数据与钇钡铜氧薄膜激光化学刻蚀特性的关系进行了分析.主要实验结论包括:红外灰度图可真实反映溶液... 利用红外热像实时监测系统,获取钇钡铜氧激光辅助化学刻蚀中H3PO4液层的侧面红外热像,研究了其溶液温度分布与热对流特性,并对红外监测数据与钇钡铜氧薄膜激光化学刻蚀特性的关系进行了分析.主要实验结论包括:红外灰度图可真实反映溶液的温度分布和热对流情况,为激光化学刻蚀的热环境分析提供有价值的红外监测数据;通过任意时刻钇钡铜氧表面生成热流所到达高度的分布情况和该时刻的红外灰度图,分析出钇钡铜氧薄膜表面各区域的腐蚀启动先后和刻蚀程度差异等重要信息,为钇钡铜氧及其它材料的激光化学刻蚀特性的实时监测提供了一种新的技术手段. 展开更多
关键词 激光化学刻蚀 红外技术 高温超导 钇钡铜氧
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激光化学刻蚀YBCO高温超导薄膜进程中电流与红外特性
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作者 羊恺 刘娟秀 +3 位作者 刘霖 叶玉堂 补世荣 罗正祥 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期132-135,共4页
利用自行研制的电流与红外实时监测系统,研究了YBCO高温超导薄膜激光辅助化学刻蚀进程中溶液腐蚀电流与红外辐射的变化规律,为YBCO激光化学刻蚀技术中激光功率选择,腐蚀液配比,温度控制以及刻蚀时间的掌握提供了重要的实验依据。主要研... 利用自行研制的电流与红外实时监测系统,研究了YBCO高温超导薄膜激光辅助化学刻蚀进程中溶液腐蚀电流与红外辐射的变化规律,为YBCO激光化学刻蚀技术中激光功率选择,腐蚀液配比,温度控制以及刻蚀时间的掌握提供了重要的实验依据。主要研究结论包括:YBCO薄膜激光化学刻蚀中溶液腐蚀电流初始值较大,增长速率相对稳定,观察到“陡降峰”的出现,并与无激光辐照下的溶液腐蚀电流变化曲线进行对比,分析了可能的原因;通过对腐蚀溶液的侧面红外实时监测,观察化学热的生成及其对流情况,发现激光辐照使YBCO薄膜刻蚀速率加快,而且除激光化学作用外,腐蚀液自身温度升高也是导致刻蚀速率加快的重要因素。 展开更多
关键词 激光辅助化学刻蚀 高温超导薄膜 钇钡铜氧 红外特性
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微秒脉冲激光诱导硅表面微结构的研究
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作者 郑小婵 王德苗 +1 位作者 王文婷 周洋 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期661-664,共4页
分别在空气和SF6环境下,使用波长为1064 nm的半导体微秒脉冲激光器扫描辐照单晶Si制备出微米量级的硅表面微结构,并利用扫描电子显微镜和可见—近红外分光光度计观测激光辐照后的硅表面形貌和光学特性。结果表明,当硅表面每激光光斑面... 分别在空气和SF6环境下,使用波长为1064 nm的半导体微秒脉冲激光器扫描辐照单晶Si制备出微米量级的硅表面微结构,并利用扫描电子显微镜和可见—近红外分光光度计观测激光辐照后的硅表面形貌和光学特性。结果表明,当硅表面每激光光斑面积累积辐照的微秒脉冲数达到1600个,即可在硅表面形成平均高度为30μm、数密度约为3.0×105spike/cm2的锥形微结构;硅表面在SF6气氛中形成的微结构表面光滑,纵横比为2,而空气中的微结构表面粗糙,纵横比为1,表明SF6气氛更有利于锥形微结构形成;微秒激光辐射后的硅在0.2~2.5μm波段内反射率大幅下降,空气中制备的微结构硅平均反射率10%,SF6中制备的低至2.8%;还探讨了硅表面形貌的演化过程,认为激光辅助化学刻蚀和再沉积机制对于微秒激光诱导硅表面微结构的生长起着重要作用。 展开更多
关键词 微秒激光 微结构 激光辅助化学刻蚀 再沉积
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