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激光化学气相沉积(LCVD)制取TiN薄膜 被引量:4
1
作者 王豫 《热处理》 CAS 2004年第2期33-36,共4页
研究了在W 1 8Cr4V高速钢基体上 ,用CO2 连续激光诱导化学气相沉积TiN薄膜的工艺方法。激光功能 6 0 0W ,在H2 、N2 、TiCl4 反应系统中沉积出TiN薄膜 ,薄膜的颜色呈金黄色 ,显微硬度为 2 5 0 0HV。
关键词 激光化学气相沉积 lcvd TIN薄膜 高速钢
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金属基高功率CO_2激光沉积超硬Si_3N_4膜层性能研究 被引量:1
2
作者 郭良 《中国民航学院学报》 1995年第4期79-84,共6页
本文采用高功率(kw级)CO_2激光在金属基材汽相沉积出厚度~30μm标准化学计量配比、平均硬度达2200HK的α-Si_3N_4膜层,与基材有良好的结合界面,实验分析表明所沉积膜层具有超硬和良好的耐磨抗蚀等性能.
关键词 lcvd 层次结构 耐磨抗蚀性能 氮化硅膜
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准分子激光诱导沉积锰和钨薄膜 被引量:2
3
作者 徐捷 吕新明 楼祺洪 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期357-362,共6页
用波长为308nm XeCl准分子激光辐射光解羰基锰二聚物Mn_2(CO)_10和羰基钨W(CO)。沉积锰和钨薄膜,研究了实验参量与薄膜特性之间的关系。
关键词 lcvd 薄膜
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迅速发展的LCVD技术 被引量:1
4
作者 王庆亚 张玉书 《激光技术》 CAS CSCD 1994年第3期161-167,共7页
本文简要回顾了近十年来激光CVD(LCVD)技术的发展概况及其在金属、电介质和半导体薄膜生长方面的应用情况。阐明了这种新发展起来的成膜技术不仅因其生长的低温化能够给器件带来优良的电学特性,同时也可利用其高精度的膜厚控... 本文简要回顾了近十年来激光CVD(LCVD)技术的发展概况及其在金属、电介质和半导体薄膜生长方面的应用情况。阐明了这种新发展起来的成膜技术不仅因其生长的低温化能够给器件带来优良的电学特性,同时也可利用其高精度的膜厚控制特性获得新结构的材料和器件。作者还对该技术的广泛的应用前景予以展望和肯定。 展开更多
关键词 lcvd 半导体膜 激光技术
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An Axisymmetric Numerical Model for Simulating Kinetically-Limited Growth of a Cylindrical Rod in 3D Laser-induced Chemical Vapor Deposition 被引量:1
5
作者 R.Nassa, W.Z.Dai and Q.ChenMathematics & Statistics, College of Engineering & Science, Louisiana Tech. University, Ruston, LA 71272, USA 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第2期127-132,共6页
Laser-induced chemical vapor deposition (LCVD) is an important process for freeform microfabrication of high aspect ratio prototypes. The system consists of a laser beam focused onto a movable substrate in a vacuum ch... Laser-induced chemical vapor deposition (LCVD) is an important process for freeform microfabrication of high aspect ratio prototypes. The system consists of a laser beam focused onto a movable substrate in a vacuum chamber. Heat from the laser at or near the focal spot of the beam causes gas in the chamber to react. As a result, solid-phase reaction products are deposited on the substrate to form the microstructure. In this paper, we develop a numerical model for simulating growth of an axisymmetric cylindrical rod by pre-specifying the surface temperatures required for growing the rod and then by solving for the laser power that satisfies the pre-specified temperatures. The solution using least squares is obtained by minimizing the sum of square deviations between the pre-specified surface temperatures and the calculated temperatures from the heat equation with a given laser power as a heat source. Model predictions of the laser power over growth time helped in optimizing the growth process. Rods grown based on the predicted laser power from the numerical model were very close to being cylindrical in shape. Ways to further improve the model are being investigated. 展开更多
关键词 Numerical model lcvd Cylindrical rod growth Least squares optimization
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模具钢表面连续激光沉积TiN类薄膜的研究 被引量:2
6
作者 葛柏青 段来根 郎荣兴 《热处理技术与装备》 2007年第1期7-9,14,共4页
利用波长为10.6μm的CO2连续激光诱导化学气相沉积的方法,在模具钢基体上沉积TiN类薄膜。采用XRD、OM、SEM、EDS等手段分析薄膜的组织和相结构。实验表明,当激光功率为600W,扫描速度为2 mm/s时,通过H2、N2和TiC l4之间的化学反应,在模... 利用波长为10.6μm的CO2连续激光诱导化学气相沉积的方法,在模具钢基体上沉积TiN类薄膜。采用XRD、OM、SEM、EDS等手段分析薄膜的组织和相结构。实验表明,当激光功率为600W,扫描速度为2 mm/s时,通过H2、N2和TiC l4之间的化学反应,在模具钢表面获得了均匀致密的枝晶组织,其显微硬度最高可达2500 HV。 展开更多
关键词 模具钢 激光化学气相沉积 薄膜
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激光等离子体诱发SiCl_4解离沉积硅膜的研究
7
作者 张杰 张昌言 +3 位作者 蔺恩惠 李艳玲 邱明新 陆雪标 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期265-266,共2页
硅是重要半导体材料之一,其薄膜广泛应用于集成电路和太阳能电池。但用普通方法制备纯硅需要很高温度,而利用激光便可在低温下进行。因此激光诱导化学气相沉积技术是改革集成电路工艺和制备太阳能电池的一种很有希望的方法。本文用SiCl_... 硅是重要半导体材料之一,其薄膜广泛应用于集成电路和太阳能电池。但用普通方法制备纯硅需要很高温度,而利用激光便可在低温下进行。因此激光诱导化学气相沉积技术是改革集成电路工艺和制备太阳能电池的一种很有希望的方法。本文用SiCl_4代替通常使用的SiH_4,用TEA CO_2激光诱导SiCl_4解离气相沉积硅膜。 展开更多
关键词 lcvd 等离子体 SiCl4 解离沉积
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LCVD法沉积Si_3N_4薄膜微透镜的研究 被引量:1
8
作者 宋国瑞 兰祝刚 姚惠贞 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期84-87,共4页
介绍了一种利用激光化学气相沉积(LCVD)技术,在平面石英玻璃衬底上沉积平凸形Si3N4球面介质膜用作微透镜,包括LCVD的实验装置及其沉积工艺、实验结果表明,只要适当控制源气体的化学配比与浓度,调节激光功率与衬底上的聚焦激光光... 介绍了一种利用激光化学气相沉积(LCVD)技术,在平面石英玻璃衬底上沉积平凸形Si3N4球面介质膜用作微透镜,包括LCVD的实验装置及其沉积工艺、实验结果表明,只要适当控制源气体的化学配比与浓度,调节激光功率与衬底上的聚焦激光光斑尺寸,选择适当的沉积时间,就可以获得不同直径、透明、表面光滑的Si3N4球面介质膜,用作微透镜。 展开更多
关键词 lcvd 微透镜 氮化硅 薄膜技术
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激光化学气相反应制备精细陶瓷膜 被引量:1
9
作者 余茂黎 《硬质合金》 CAS 北大核心 1994年第4期241-245,共5页
本文讨论了激光对化学气相反应的增强机制和激光CVD制备精细陶瓷薄膜系统的选择,介绍了激光CVD在无机物薄膜制备中的应用和前景。
关键词 激光 化学气相反应 陶瓷 薄膜 CVD
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光诱导化学汽相淀积(LCVD)技术的研究进展 被引量:1
10
作者 宋登元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期1-6,共6页
光诱导化学汽相淀(?)(LCVD)技术是一种新的低温化薄膜制备技术.本文首先评述了LCVD技术的特点、原理和装置,然后着重讨论了利用这种技术制备金属、半导体与化合物和介质薄膜以及一些淀积规律,最后指出了LCVD技术尚待解决的若干问题.
关键词 光诱导 化学汽相淀积 lcvd
全文增补中
模具钢表面连续激光沉积TiN类薄膜的研究
11
作者 葛柏青 段来根 郎荣兴 《模具技术》 2006年第5期7-10,共4页
利用波长为10.6μm的CO2连续激光诱导化学气相沉积的方法,在模具钢基体上沉积TiN类薄膜。采用XRD、OM、SEM、EDS等手段分析薄膜的组织和相结构。实验表明,当激光功率为600W,扫描速度为2mm/s,通过H2、N2和TiCl4之间的化学反应,在模具钢... 利用波长为10.6μm的CO2连续激光诱导化学气相沉积的方法,在模具钢基体上沉积TiN类薄膜。采用XRD、OM、SEM、EDS等手段分析薄膜的组织和相结构。实验表明,当激光功率为600W,扫描速度为2mm/s,通过H2、N2和TiCl4之间的化学反应,在模具钢表面获得了均匀致密的枝晶组织,其显微硬度最高可达2500HV。 展开更多
关键词 模具钢 激光化学气相沉积 薄膜
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模具钢表面连续激光沉积TiN类薄膜的研究 被引量:1
12
作者 葛柏青 段来根 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2006年第22期44-46,共3页
利用波长为10.6mm的CO2连续激光诱导化学气相沉积的方法,在模具钢基体上沉积TiN类薄膜。采用XRD、OM、SEM、EDS等手段分析薄膜的组织和相结构。结果表明,当激光功率为600W,扫描速度为2mm/s,通过H2、N2和TiCl4之间的化学反应,在模具钢表... 利用波长为10.6mm的CO2连续激光诱导化学气相沉积的方法,在模具钢基体上沉积TiN类薄膜。采用XRD、OM、SEM、EDS等手段分析薄膜的组织和相结构。结果表明,当激光功率为600W,扫描速度为2mm/s,通过H2、N2和TiCl4之间的化学反应,在模具钢表面获得了均匀致密的枝晶组织,其显微硬度最高可达2500HV。 展开更多
关键词 模具钢 激光化学气相沉积 薄膜
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激光增强CVD法制备柱状晶结构锆酸镧涂层及其性能研究
13
作者 韦志俊 袁点 乔自平 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2019年第5期1639-1644,共6页
使用La(dpm)3和Zr(dpm)4为前驱体,氧气为反应气体,通过激光增强化学气相沉积法制备了烧绿石结构的锆酸镧(LZ)涂层。研究了激光功率、以及前驱体比例对锆酸镧涂层的形貌、晶形、生长取向、沉积速率以及热导率的影响。在优化激光功率的基... 使用La(dpm)3和Zr(dpm)4为前驱体,氧气为反应气体,通过激光增强化学气相沉积法制备了烧绿石结构的锆酸镧(LZ)涂层。研究了激光功率、以及前驱体比例对锆酸镧涂层的形貌、晶形、生长取向、沉积速率以及热导率的影响。在优化激光功率的基础上,通过改变前驱体比例La(dpm)3/Zr(dpm)4,确定了LZ的二元形成区,获得了La/Zr=0.75~1.5比例范围内成分可控的LZ单相样品。随着前驱体La(dpm)3/Zr(dpm)4比例的增加,La逐渐取代锆酸镧结构中的Zr,引起晶面间距的减少,导致XRD峰位向小角度方向偏移。研究表明,该方法制得的LZ涂层的热导率可低至0.936W/(m·K),适用于热障涂层及其他高温隔热场合。 展开更多
关键词 激光增强化学气相沉积 锆酸镧 热障涂层
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大功率CO_2激光沉积超硬Si_3N_4膜的性能和组织
14
作者 冯钟潮 郭良 +3 位作者 梁勇 韩健 侯万良 宁小光 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第8期B351-B355,共5页
用大功率(kW级)CO_2激光在金属基材上通过化学气相沉积获得α-Si_3N_4膜。膜层多为细小的Si_3N_4颗粒组成,与基材有良好的结合,具有超硬和优良的耐磨抗蚀等性能,厚度在5—30μm范围内可控。
关键词 Si3N4膜 组织结构 硬度 耐磨 lcvd
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基于2-opt蚁群算法优化掩膜版缺陷点路径的应用研究
15
作者 徐智俊 王亚腾 熊启龙 《光电子技术》 CAS 2021年第4期274-282,共9页
针对现有激光化学气相沉积设备在寻找掩膜版缺陷点时存在镜头移动行程长、镜头频繁失焦的问题,采用基于2-opt邻域搜索的蚁群算法来优化设备的修复缺陷点顺序。相对于传统的X/Y轴升序排列,此方法能够有效缩短镜头寻点时间、降低失焦概率... 针对现有激光化学气相沉积设备在寻找掩膜版缺陷点时存在镜头移动行程长、镜头频繁失焦的问题,采用基于2-opt邻域搜索的蚁群算法来优化设备的修复缺陷点顺序。相对于传统的X/Y轴升序排列,此方法能够有效缩短镜头寻点时间、降低失焦概率。为加快处理大规模缺陷点时的算法速度,提出设置蚁群近邻搜索范围、2-opt固定半径邻域搜索以及设置不检测标记的加速策略来改善2-opt蚁群算法的收敛时间和优化质量。实验证明,改善后的2-opt蚁群算法路径优化率超过92.5%,最快算法时间仅为5.72 s,失焦率仅仅为0.28%,相比基本蚁群算法和基本2-opt蚁群算法,改善后的2-opt蚁群算法在路径优化质量、优化时间以及保证镜头焦距稳定方面更具优势。 展开更多
关键词 掩膜版 缺陷点 激光化学气相沉积 两元素邻域搜索 蚁群算法 路径优化
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激光诱导化学气相沉积制膜技术 被引量:11
16
作者 葛柏青 王豫 《安徽工业大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第1期7-10,22,共5页
综述了LCVD制备薄膜的原理和特性,国内外对LCVD的研究应用情况及目前最新的研究方向。阐明了LCVD技术在制备薄膜过程中的生长低温化及高精度膜厚的可控制性能等特点。分析了激光功率、反应室气压及基材预处理等参数对薄膜质量的影响。
关键词 激光诱导化学气相沉积 薄膜性能 工艺参数 lcvd技术 表面改性 薄膜制备
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激光化学气相沉积快速生长高取向TiN_x薄膜的研究 被引量:5
17
作者 公衍生 涂溶 後藤孝 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期391-395,共5页
采用激光化学气相沉积(LCVD)技术在氧化铝衬底上制备了高取向的TiNx薄膜,重点研究了激光功率(PL)、衬底预热温度(Tpre)和沉积总压力(Ptot)对薄膜取向和沉积速率的影响,采用X射线衍射(XRD)、俄歇能谱(AES)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜... 采用激光化学气相沉积(LCVD)技术在氧化铝衬底上制备了高取向的TiNx薄膜,重点研究了激光功率(PL)、衬底预热温度(Tpre)和沉积总压力(Ptot)对薄膜取向和沉积速率的影响,采用X射线衍射(XRD)、俄歇能谱(AES)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜组成和结构进行了表征.结果表明:所得到的TiNx薄膜成分均匀,其取向与衬底预热温度有关,随着预热温度的升高,TiNx薄膜的取向由(111)变为(200),薄膜的取向与其微观结构一致.TiNx薄膜的沉积速率随着激光功率升高而增大,在PL=100W时,达到最大值90μm/h(沉积面积为300mm2),显著高于采用其它方法制备的TiNx薄膜. 展开更多
关键词 TiNx薄膜 快速生长 取向 激光化学气相沉积(lcvd)
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通过激光诱导化学气相沉积来制造微碳柱的研究 被引量:7
18
作者 温宗胤 李宝灵 周健 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期79-82,共4页
使用氩离子激光作为光源,乙烷(C2H6)作为工作气体,在激光功率0.5—4.5W,气体压力0.03—0.09MPa的变化范围内,进行激光诱导化学气相沉积形成微结构。试验研究了激光功率、气体压力对碳柱直径和生长长度的影响,讨论了碳柱平均... 使用氩离子激光作为光源,乙烷(C2H6)作为工作气体,在激光功率0.5—4.5W,气体压力0.03—0.09MPa的变化范围内,进行激光诱导化学气相沉积形成微结构。试验研究了激光功率、气体压力对碳柱直径和生长长度的影响,讨论了碳柱平均生长率随照射时间、焦点移动速度的变化规律。根据实验数据,使用焦距移动方法,生成长径比超过500的微碳柱。 展开更多
关键词 激光诱导化学气相沉积 生长速度 直径 微碳柱
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激光化学气相沉积(连载之一) 被引量:4
19
作者 张魁武 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期118-126,共9页
本讲座介绍了激光化学气相沉积的基本原理,较详细地讲述了制备金属薄膜、金刚石薄膜、类金刚石薄膜、氢化非晶硅薄膜、化合物半导体薄膜及绝缘体薄膜等所用的激光器、工艺参数以及薄膜的性能。
关键词 激光化学气相沉积 激光诱导 激光辅助 光解激光 热解激光 光热共解激光
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激光修补技术在修复薄膜图形缺陷上的应用——薄膜图形缺陷激光修补机 被引量:1
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作者 万承华 宋体涵 《电子工业专用设备》 2015年第6期25-30,共6页
阐述了应用激光修补技术在玻璃基板上去除金属及其化合物薄膜和在玻璃基板上沉积金属薄膜的图形缺陷修补原理与方法;简述了影响薄膜图形缺陷修补质量与效率的关键技术;简单介绍了薄膜图形缺陷激光修补机的系统构成及其技术与性能指标。
关键词 激光化学气相沉积(lcvd) 金属薄膜 快速成膜 激光快速去除(ZAP) 设备参数
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