期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响
1
作者 田方坤 艾立鹍 +4 位作者 孙国玉 徐安怀 黄华 龚谦 齐鸣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期726-732,共7页
采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InAlAs线性渐变缓冲层对InGaAs/InAlAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响。研究了不同厚度和不同铟含量的InAlAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响。... 采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InAlAs线性渐变缓冲层对InGaAs/InAlAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响。研究了不同厚度和不同铟含量的InAlAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响。结果表明,在300 K(77 K)时,电子迁移率和电子浓度分别为8570 cm^(2)/(Vs)^(-1)(23200 cm^(2)/(Vs)^(-1))3.255E12 cm^(-2)(2.732E12 cm^(-2))。当InAlAs线性渐变缓冲层厚度为50 nm时,材料的表面形貌得到了很好的改善,均方根粗糙度(RMS)为0.154 nm。本研究可以为HEMT器件性能的提高提供强有力的支持。 展开更多
关键词 inyal1-yas线性渐变缓冲层 磷化铟 高电子迁移率场效应晶体管
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部