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埋地钢质管道阴极保护真实电位的测量技术 被引量:42
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作者 胡士信 熊信勇 +2 位作者 石薇 郑斌 张本革 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2005年第7期297-301,共5页
埋地钢质管道采用阴极保护后,因电流在土壤介质中的IR降及杂散电流的影响使得真实电位很难测量,常规的断电法不能排除杂散电流的影响,而且常规断电法要求全线所有的阴极保护站电流都要同步切断,测量系统复杂,工程中难以达到。本文采用PM... 埋地钢质管道采用阴极保护后,因电流在土壤介质中的IR降及杂散电流的影响使得真实电位很难测量,常规的断电法不能排除杂散电流的影响,而且常规断电法要求全线所有的阴极保护站电流都要同步切断,测量系统复杂,工程中难以达到。本文采用PMT型电位测量探头断电法,配以APM1型智能电位测量仪可以在不切断干线管道保护电流的条件下测出真实的电位,方法简单,可操作性强,不受杂散电流的影响。 展开更多
关键词 阴极保护 真实电位 测量 ir
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极化探头在埋地钢质管道阴极保护的应用 被引量:31
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作者 杨义军 李文玉 +1 位作者 王芷芳 杜艳霞 《煤气与热力》 2010年第4期24-27,共4页
分析了管道阴极保护电位测量误差的原因,论述了极化探头的结构和使用方法。结合工程实例,考察了采用Cu/饱和CuSO4参比电极的极化探头在埋地天然气钢质管道阴极保护参数测量中消除IR降方面的实际效果。与其他方法的测量结果相比,在管道... 分析了管道阴极保护电位测量误差的原因,论述了极化探头的结构和使用方法。结合工程实例,考察了采用Cu/饱和CuSO4参比电极的极化探头在埋地天然气钢质管道阴极保护参数测量中消除IR降方面的实际效果。与其他方法的测量结果相比,在管道阴极保护正常运行状态下,用极化探头法可以使电位测量误差最小,可以测到最接近真实值的管道阴极保护电位。 展开更多
关键词 阴极保护 保护电位 极化探头 极化电位 ir 极化探头法 试片断电法 管道瞬间断电法
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埋地管线剥离覆盖层下阴极保护的有效性 被引量:30
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作者 闫茂成 王俭秋 +1 位作者 柯伟 韩恩厚 《中国腐蚀与防护学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期257-262,共6页
由微小缝隙模拟管线剥离覆盖层(涂层)下的局部电化学环境,用微电极技术测量了缝隙内局部电位及pH的分布,研究了缝口阴极保护电位、剥离区几何形状、溶液电导率等因素对剥离区内部局部环境及阴极保护水平的影响。结果表明,剥离区内电位降... 由微小缝隙模拟管线剥离覆盖层(涂层)下的局部电化学环境,用微电极技术测量了缝隙内局部电位及pH的分布,研究了缝口阴极保护电位、剥离区几何形状、溶液电导率等因素对剥离区内部局部环境及阴极保护水平的影响。结果表明,剥离区内电位降(电位梯度)主要集中在破损口附近,而剥离区深处接近自然腐蚀状态;剥离区内有效保护距离随缝口保护电位负移而增加,但缝口过保护并不能有效提高剥离区保护效果。阴极保护可使剥离区局部电化学环境pH升高、电导率增大。 展开更多
关键词 阴极保护 管道 涂层 缝隙腐蚀 微电极 电位降(ir降) 应力腐蚀开裂
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埋地管道阴极保护电位测量方法研究进展 被引量:26
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作者 李自力 谢跃辉 +1 位作者 郝宏娜 尚兴彬 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2012年第1期55-59,共5页
对目前常用的埋地管道阴极保护电位测量方法和适用场合进行了对比分析。在此基础上,详细介绍了密间隔电位测量(CIPS)方法和极化探头法及其应用,总结了几种专门用于消除IR降的电位测量技术。最后,提出了特殊环境和特殊位置处的管段阴极... 对目前常用的埋地管道阴极保护电位测量方法和适用场合进行了对比分析。在此基础上,详细介绍了密间隔电位测量(CIPS)方法和极化探头法及其应用,总结了几种专门用于消除IR降的电位测量技术。最后,提出了特殊环境和特殊位置处的管段阴极保护电位测量中需注意的问题。 展开更多
关键词 埋地管道 阴极保护电位测量 密间隔电位测量(CIPS) 极化探头法 ir 特殊管段 试片断电法
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埋地管道阴极保护电位IR降评估方法的研究 被引量:16
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作者 翁永基 李相怡 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期360-362,共3页
理论分析土壤电阻率和涂层缺陷电阻等参数对埋地管道阴极保护电位测量时IR降误差的影响 ,建立IR降电阻因子计算模型 ,并用实验数据验证 ,此外 ,还讨论了IR降误差的工程预测方法 .
关键词 ir 埋地管道 阴极保护电位 预测方法 土壤电阻率 并用 验证 工程 计算模型 理论分析
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深亚微米SoC中的电源/地网络设计 被引量:10
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作者 时昕 王东辉 侯朝焕 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2004年第12期198-202,206,共6页
随着芯片集成度的不断提高,其上所消耗的功率也在不断增加,因此,电源/地网络设计的可靠性与有效性就成为了SoC设计中一个关键性的问题。以往的设计中,通常都是由设计师根据经验进行电源/地网络的设计,因而可能导致设计效率的降低,延长... 随着芯片集成度的不断提高,其上所消耗的功率也在不断增加,因此,电源/地网络设计的可靠性与有效性就成为了SoC设计中一个关键性的问题。以往的设计中,通常都是由设计师根据经验进行电源/地网络的设计,因而可能导致设计效率的降低,延长了芯片的上市时间。针对这个问题,本文首先介绍了IR压降和电迁移现象的产生原因及其影响因素。其次,提出了一种方法,在芯片物理设计的初始阶段,就对其电源/地网络进行可靠的估算,并在估算的基础上进行电源/地网络的设计,从而在设计的早期确保了电源分配的可靠性,提高了设计效率。最后,本文通过一个DSP&CPU芯片的设计实例,介绍了该方法的使用,并获得了良好的效果。 展开更多
关键词 电源分配 电源网络 电迁移 ir压降 信号完整性 可靠性
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霍尔效应测量磁场实验中副效应的研究 被引量:13
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作者 孙可芊 李智 +1 位作者 廖慧敏 张朝晖 《物理实验》 2016年第11期36-40,44,共6页
用换向法对实验室的霍尔效应仪进行了测量,结果表明各种副效应中以不等位电势差的贡献最大,而能斯特效应和里吉-勒迪克效应的贡献可以忽略.测量结果还显示存在一项额外的副效应,这一副效应与霍尔电流的平方成正比,与外磁场无关,其性质... 用换向法对实验室的霍尔效应仪进行了测量,结果表明各种副效应中以不等位电势差的贡献最大,而能斯特效应和里吉-勒迪克效应的贡献可以忽略.测量结果还显示存在一项额外的副效应,这一副效应与霍尔电流的平方成正比,与外磁场无关,其性质与一般教科书中提到的各种副效应都不同,应该是由霍尔电流的热效应引起的温差电动势.根据上述结果,对换向法的公式进行了相应的修正. 展开更多
关键词 霍尔效应 不等位电势差 温差电动势
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埋地钢质管道阴极保护电位测量中的IR降及其修正 被引量:10
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作者 王芷芳 朱安纲 《腐蚀与防护》 CAS 2003年第3期110-112,118,共4页
埋地钢质管道在阴极保护系统通电情况下测得的保护电位 ,并不代表真实的电位值 ,其中包含IR降电压成分在内。本文讨论IR降的影响程度及相关因素 ,以及修正IR降的办法。此外 。
关键词 埋地钢质管道 阴极保护 电位测量 ir 修正
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杂散电流干扰下管道密间隔电位检测数据处理方法 被引量:11
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作者 滕延平 张丰 +4 位作者 赵晋云 蒋国辉 隋溪 周兴涛 韩兴平 《管道技术与设备》 CAS 2009年第4期29-31,共3页
管道的密间隔电位测试(CIPS)的数据,能有效评价管道的阴极保护水平。但在检测中,各种途径的杂散电流所产生的IR降经常能对测试数据产生影响。消除这种影响的方法是在测试桩处安装智能数据记录仪,自动记录测试桩处同步断送电的管地ON/OF... 管道的密间隔电位测试(CIPS)的数据,能有效评价管道的阴极保护水平。但在检测中,各种途径的杂散电流所产生的IR降经常能对测试数据产生影响。消除这种影响的方法是在测试桩处安装智能数据记录仪,自动记录测试桩处同步断送电的管地ON/OFF电位波动情况。利用智能记录仪记录的数据对CIPS数据进行更正。现场实践证明:这种方法能有效排除杂散电流IR降对CIPS检测数据的影响,获得更加准确的极化电位用于评价阴极保护水平。 展开更多
关键词 阴极保护 密间隔电位测试 杂散电流 ir 数据处理
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数字集成电路物理设计阶段的低功耗技术 被引量:11
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作者 桑红石 张志 +1 位作者 袁雅婧 陈鹏 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第4期73-75,80,共4页
通过一个图像处理SoC的设计实例,着重讨论在物理设计阶段降低CMOS功耗的方法.该方法首先调整PAD摆放位置、调整宏单元摆放位置、优化电源规划,得到一个低电压压降版图,间接降低CMOS功耗;接着,通过规划开关活动率文件与设置功耗优化指令... 通过一个图像处理SoC的设计实例,着重讨论在物理设计阶段降低CMOS功耗的方法.该方法首先调整PAD摆放位置、调整宏单元摆放位置、优化电源规划,得到一个低电压压降版图,间接降低CMOS功耗;接着,通过规划开关活动率文件与设置功耗优化指令,直接降低CMOS功耗.最终实验结果表明此方法使CMOS功耗降低了10.92%.基于该设计流程的图像处理SoC已经通过ATE设备的测试,并且其功耗满足预期目标. 展开更多
关键词 集成电路 物理设计 电压降 低功耗
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绝缘防腐蚀层缺陷对油气管线阴极保护中IR降的影响 被引量:9
11
作者 周勇 王楠 +2 位作者 郭自新 魏克颖 张世虎 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2016年第9期753-755,763,共4页
采用试片断电法,通过室内模拟试验研究了绝缘防腐蚀层缺陷对阴极保护IR降的影响规律。结果表明:管线施加阴极保护管/地电位时,IR降随着恒电位仪输出电位的增加而增大;在相同的管/地电位下,IR降会随着绝缘防腐蚀层破损面积的增大而增大,... 采用试片断电法,通过室内模拟试验研究了绝缘防腐蚀层缺陷对阴极保护IR降的影响规律。结果表明:管线施加阴极保护管/地电位时,IR降随着恒电位仪输出电位的增加而增大;在相同的管/地电位下,IR降会随着绝缘防腐蚀层破损面积的增大而增大,缺陷大小和阴极保护度呈负相关性。 展开更多
关键词 埋地管道 阴极保护 防腐层缺陷 ir
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消除IR降的阴极保护电位测量方法及实际应用 被引量:7
12
作者 颜达峰 刘乃勇 +2 位作者 袁鹏斌 舒江 李月娥 《煤气与热力》 2013年第8期1-3,共3页
对消除IR降的管道阴极保护电位测量方法进行比选,筛选出技术经济性较优的埋地试片法。对埋地试片法用于调整阴极保护站恒电位仪预置电位的工程应用进行了探讨。
关键词 ir 阴极保护电位 埋地试片法 恒电位仪 预置电位
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埋地钢质管道的阴极保护准则 被引量:7
13
作者 张合平 《煤气与热力》 2015年第7期31-34,共4页
基于阴极保护的原理和阴极保护标准NACE RP0169—1969的变迁,分析阴极保护准则的最小保护电位和最大保护电位,讨论各版本标准阴极保护准则的异同和相关性。各阴极保护准则不是排异的,而是互补地组成一个完整的评判体系。
关键词 阴极保护准则 通电电位 断电电位 极化电位 ir
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低功耗集成电路中IR Drop分析与工程实践 被引量:6
14
作者 孙艳 《集成电路应用》 2017年第6期69-73,共5页
随着集成电路工艺进入超深亚微米和纳米数量级,单位面积上的功耗消耗和电流密度明显上升,而这会导致超大规模集成电路中电源网络的IR Drop问题,对于超大规模集成电路进行IR Drop分析就成为必要。为了提高深亚微米工艺下低功耗芯片的性... 随着集成电路工艺进入超深亚微米和纳米数量级,单位面积上的功耗消耗和电流密度明显上升,而这会导致超大规模集成电路中电源网络的IR Drop问题,对于超大规模集成电路进行IR Drop分析就成为必要。为了提高深亚微米工艺下低功耗芯片的性能和成品率,有必要对超大规模低功耗芯片的IR Drop成因进行研究,并运用EDA工具对其进行分析,通过IR Drop分析结果找出芯片电源网络的缺陷,并对IR Drop敏感区域进行相关干预,并获得预期的改善。 展开更多
关键词 CMOS 低功耗电路 静态功耗 动态功耗 ir drop
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核电领域高阻抗纯水体系IR降控制的研究
15
作者 蔡双雨 雷欣 +2 位作者 张博 文磊 金莹 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2024年第8期104-110,共7页
在采用电化学技术对工程材料进行服役性能表征及寿命评估过程中,IR降是一个难以忽略的影响因素。核电领域高阻抗纯水体系,由于纯水溶液电阻大,IR降的影响更是无法忽略。该实验采用掠入射GIXRD分析某核级304L不锈钢表层钝化膜物相,结合GI... 在采用电化学技术对工程材料进行服役性能表征及寿命评估过程中,IR降是一个难以忽略的影响因素。核电领域高阻抗纯水体系,由于纯水溶液电阻大,IR降的影响更是无法忽略。该实验采用掠入射GIXRD分析某核级304L不锈钢表层钝化膜物相,结合GIXRD物相分析结果,选择合理的等效电路对核级304L不锈钢在纯水溶液中的电化学阻抗谱进行拟合,测得体系的各项电化学参数。该文将高阻抗纯水溶液等效成具有平板电容器响应的纯水涂层,具有创新性。通过分析对比该纯水涂层电容的理论计算值与实际测量值,验证了纯水涂层等效假设的合理性,能够对核电领域高阻抗纯水体系IR降控制研究提供一定借鉴。极化曲线的IR降补偿计算,进一步验证了纯水涂层溶液电阻的存在及其测量的准确性。 展开更多
关键词 高阻抗纯水体系 核级304L不锈钢 极化曲线 电化学阻抗谱 ir
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南干线四川气田榕佛段外腐蚀调查总结 被引量:6
16
作者 张平 龚树鸣 《天然气与石油》 2001年第4期43-46,共4页
德国人做的四川气田南干线榕佛段智能清管检测报告揭出令人震惊的事实 :在原以为阴极保护状况良好的管线上 ,发生了严重的外腐蚀 ,甚至穿孔。南干线的教训说明 :以往的阴极保护在许多关键的概念上存在误区 ,外腐蚀调查的结果表明 ,在设... 德国人做的四川气田南干线榕佛段智能清管检测报告揭出令人震惊的事实 :在原以为阴极保护状况良好的管线上 ,发生了严重的外腐蚀 ,甚至穿孔。南干线的教训说明 :以往的阴极保护在许多关键的概念上存在误区 ,外腐蚀调查的结果表明 ,在设计及运行管理中选择性能优异的防腐层、采用断电法来正确判定管道是否处于真正的保护状态是至关重要的。 展开更多
关键词 智能清管检测 极化电位 断电法 ir 四川气田 输气管线 外腐蚀
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高速PCB多板互联的电源完整性分析 被引量:1
17
作者 牛森 张敏娟 银子燕 《单片机与嵌入式系统应用》 2023年第9期41-44,共4页
针对PCB多板互联的非理想连接以及多电源电压的压降损失,提出了一种基于电源分配网络的仿真设计方法,对由底板12 V输入电压逐级降压至核心板主芯片的1.1 V、1.5 V供电电压的电源网络进行仿真分析。主要涉及3个方面:①直流压降,通过选择... 针对PCB多板互联的非理想连接以及多电源电压的压降损失,提出了一种基于电源分配网络的仿真设计方法,对由底板12 V输入电压逐级降压至核心板主芯片的1.1 V、1.5 V供电电压的电源网络进行仿真分析。主要涉及3个方面:①直流压降,通过选择ESR更低的电感器、加宽主控芯片电源引脚的覆铜面积等措施使得主控芯片的IR Drop从226.24 mV降至41.10 mV;②电流密度,仿真得到电流密度为70.40 A/mm^(2),低于100 A/mm^(2),符合设计标准;③过孔通流能力,增加过孔数量使得过孔处电流从1.172 A降至0.556 A。仿真结果表明,此方法有效降低了多板互联PCB电路潜在的压降损失风险,提高了电源系统的可靠性和稳定性。 展开更多
关键词 PCB 电源完整性 ir drop 电流密度 过孔通流能力 CS3516
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电磁脉冲攻击下片上配电网络IR Drop分析方法
18
作者 刘强 张培然 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第4期582-590,共9页
电磁脉冲攻击对集成电路的安全具有很强的威胁性.为了有效地抵御电磁脉冲攻击,针对片上配电网络易受电磁脉冲影响的问题,提出了一种电磁脉冲攻击下片上配电网络IRdrop分布的分析方法.首先,在集成电路布局规划阶段,基于有限元仿真构建片... 电磁脉冲攻击对集成电路的安全具有很强的威胁性.为了有效地抵御电磁脉冲攻击,针对片上配电网络易受电磁脉冲影响的问题,提出了一种电磁脉冲攻击下片上配电网络IRdrop分布的分析方法.首先,在集成电路布局规划阶段,基于有限元仿真构建片上配电网络模型和电磁脉冲攻击模型,仿真获得电磁脉冲下配电网络上感应电流密度的分布并计算感应电流,然后将感应电流加载到配电网络模型上,使用IR分析工具分析IRdrop分布.基于TSMC180 nm工艺版图的IR drop分析结果显示,电磁脉冲攻击能够在电源和地网络中引入2.3 V以上的IR drop.与现有基于电流分布理论值的分析方法相比,该分析方法能够更准确地获取电磁脉冲下配电网络中的IR drop分布.该分析方法可用于指导改进配电网络的设计,提升抗电磁脉冲攻击能力.实验结果显示,增加一组供电端口后,电源和地网络中的最大IR drop分别降低了28%和24%. 展开更多
关键词 集成电路 片上配电网络 电磁脉冲攻击 电压降
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一种抗电磁故障注入攻击的电源端口布局优化方法
19
作者 张培然 郭龙韬 刘强 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第9期17-24,共8页
电磁故障注入已成为威胁集成电路安全的一种有效故障注入攻击技术。现有研究表明,电磁故障注入攻击通过在集成电路配电网络上感应寄生电流来干扰电路的内部状态。对电磁故障注入攻击下配电网络的有限元分析发现,感应电流会增加电源网络... 电磁故障注入已成为威胁集成电路安全的一种有效故障注入攻击技术。现有研究表明,电磁故障注入攻击通过在集成电路配电网络上感应寄生电流来干扰电路的内部状态。对电磁故障注入攻击下配电网络的有限元分析发现,感应电流会增加电源网络的压降,导致电路故障。为了解决这一问题,本文提出了一种电源端口布局优化方法,以减小感应电流的影响。实验结果表明,通过优化电源端口的位置可以将最差的压降降低40%,增强了电源网络的鲁棒性。 展开更多
关键词 硬件安全 电磁故障注入 压降 电源端口布局
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多因素影响下管道阴保IR降的计算方法 被引量:1
20
作者 杨超 韩庆 +3 位作者 王艺璇 王芫芫 刘延峰 鞠梓宸 《腐蚀与防护》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期58-62,共5页
通过边界元法,研究了不同因素下单条管线IR降的变化规律,并建立了多因素影响下管道IR降计算方法。结果表明:建立的数学模型计算得到的IR降与实测值最大误差为-6.38%,能够满足工程应用的需求。
关键词 ir 数值模拟 阴极保护 断电电位 边界元法
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