期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到386篇文章
< 1 2 … 20 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
InSb凝视红外焦平面组件研制和应用 被引量：19
1
作者 陈伯良 孙维国 +7 位作者 梁平治 郑志伟 王正官 朱晓池 江美玲 龚启兵 丁瑞军 黄水安 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第5期419-423,共5页
研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流制冷机的 6 4× 6 4元InSb红外焦平面组件。焦平面组件平均探测率约 1× 10 11cmHz1 2 W-1,平均量子效率约 72 %,响应率非均匀性约 18%... 研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流制冷机的 6 4× 6 4元InSb红外焦平面组件。焦平面组件平均探测率约 1× 10 11cmHz1 2 W-1,平均量子效率约 72 %,响应率非均匀性约 18%,无效像元率约 0 .5 %。其性能参数满足红外成像制导的技术要求 ,已成功进行了凝视红外成像探测系统外场试验。 展开更多
关键词 insb 焦平面列阵 铟锑合金 红外探测 信号读出
下载PDF
InSb红外焦平面探测器结构应力的ANSYS分析 被引量：21
2
作者 孟庆端 吕衍秋 +1 位作者 鲁正雄 孙维国 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期431-434,共4页
借助有限元软件系统分析了铟柱取不同直径时红外探测器整体结构的应力分布.模拟结果表明,在固定铟柱高度的前提下,当铟柱直径以2μm的步长从36μm减小到18μm的过程中,InSb芯片上的最大应力值呈现出先减小,后线性增加的趋势,但铟柱上应... 借助有限元软件系统分析了铟柱取不同直径时红外探测器整体结构的应力分布.模拟结果表明,在固定铟柱高度的前提下,当铟柱直径以2μm的步长从36μm减小到18μm的过程中,InSb芯片上的最大应力值呈现出先减小,后线性增加的趋势,但铟柱上应力最大值始终保持在15.7MPa左右,且分布几乎不变.S i读出电路上的应力小于InSb芯片上的应力值,变化趋势类同于InSb芯片上应力的变化趋势.铟柱直径取30μm时,InSb芯片和S i读出电路上的应力均达到最小值260MPa和140MPa,整个器件的应力分布在接触区呈现明显的集中性、均匀性,分布更合理. 展开更多
关键词 ANSYS 焦平面 insb 结构应力
下载PDF
锑化物红外探测器国内外发展综述 被引量：18
3
作者 吕衍秋 鲁星 +1 位作者 鲁正雄 李墨 《航空兵器》 CSCD 北大核心 2020年第5期1-12,共12页
锑化物探测器是当前主要的红外探测器类型之一,主要包括InSb、InAsSb、InAlSb以及II类超晶格(T2SL)等红外探测器,覆盖红外短、中、长波。锑化物探测器在精确制导、机载光电、视觉增强、天文观测、气象卫星、火灾告警、人员搜救等军事和... 锑化物探测器是当前主要的红外探测器类型之一,主要包括InSb、InAsSb、InAlSb以及II类超晶格(T2SL)等红外探测器,覆盖红外短、中、长波。锑化物探测器在精确制导、机载光电、视觉增强、天文观测、气象卫星、火灾告警、人员搜救等军事和民用领域都有广泛应用。当前红外探测器已经全面进入第三代发展阶段,锑化物红外探测器也不断出现新技术、新特点和新应用。本文详细分析了锑化物红外探测器的国内外发展现状、工艺路线、技术特点等,并对锑化物红外探测器未来的发展趋势进行了预测。 展开更多
关键词 锑化物 探测器 红外 焦平面阵列 超晶格 insb
下载PDF
InSb磁敏电阻器导电机理及可靠性 被引量：16
4
作者 张之圣 胡明 +1 位作者 刘志刚 王文生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期136-140,共5页
本文详细讨论了ＩｎＳｂ磁敏电阻器的导电机理，在文献［１］、［２］的基础上，提出了提高它的灵敏度的途径．本文首次研究了ＩｎＳｂ磁敏电阻器的可靠性，通过可靠性寿命试验，其失效率λ（ｔ）＜１×１０－５／ｈ．
关键词 insb 磁敏电阻器 导电机理 可靠性 电阻器
下载PDF
InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器 被引量：15
5
作者 刘洪 黄钊洪 +2 位作者 代贵华 黄志文 徐明六 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期19-21,共3页
介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测... 介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。 展开更多
关键词 共晶体薄膜 磁阻式齿轮转速传感器 锑化铟-铟
下载PDF
InSb红外焦平面探测器现状与进展 被引量：18
6
作者 牟宏山 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期394-399,共6页
红外焦平面探测器技术是一种通过摄取景物热辐射分布图像,并将其转换为人眼可见图像的技术。近年来红外探测器技术发展迅速,在军事、工业、农业、医学等各领域显示出越来越重要的应用。本文对锑化铟红外焦平面探测器的应用及发展情况进... 红外焦平面探测器技术是一种通过摄取景物热辐射分布图像,并将其转换为人眼可见图像的技术。近年来红外探测器技术发展迅速,在军事、工业、农业、医学等各领域显示出越来越重要的应用。本文对锑化铟红外焦平面探测器的应用及发展情况进行了分析,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 锑化铟 焦平面 红外探测器
下载PDF
InSb焦平面探测器的发展现状与趋势 被引量：17
7
作者 赵建忠 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第11期905-913,共9页
本文通过对红外技术发展历程的回顾,简要介绍了锑化铟材料的一些基本特性,通过对国外主要锑化铟材料、探测器研制生产单位的产品、性能指标的分析,归纳出锑化铟材料、探测器的主要技术路线,并对未来锑化铟材料、探测器的发展趋势进行了... 本文通过对红外技术发展历程的回顾,简要介绍了锑化铟材料的一些基本特性,通过对国外主要锑化铟材料、探测器研制生产单位的产品、性能指标的分析,归纳出锑化铟材料、探测器的主要技术路线,并对未来锑化铟材料、探测器的发展趋势进行了分析。 展开更多
关键词 锑化铟 焦平面探测器 扩散 注入 数字化
下载PDF
128×128 InSb探测器结构模型研究 被引量：17
8
作者 孟庆端 张晓玲 +1 位作者 张立文 吕衍秋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第19期111-116,共6页
热冲击下红外焦平面探测器的高碎裂概率制约着其成品率.为明晰碎裂机理,基于等效设想,利用小面阵等效大面阵解决了128×128面阵探测器三维结构建模所需单元数过多的问题,同时综合考虑材料线膨胀系数的温度依赖性、材料强度的各向异... 热冲击下红外焦平面探测器的高碎裂概率制约着其成品率.为明晰碎裂机理,基于等效设想,利用小面阵等效大面阵解决了128×128面阵探测器三维结构建模所需单元数过多的问题,同时综合考虑材料线膨胀系数的温度依赖性、材料强度的各向异性、表面加工损伤效应,合理选取InSb材料性能参数,建立起128×128面阵探测器结构有限元分析模型.模拟结果表明:热冲击下最大Von Mises应力值出现在N电极区域,其极值呈非连续分布,这意味着热冲击下128×128面阵探测器的裂纹起源于N电极区域,且不止一条.上述结论与碎裂统计分析报告中典型裂纹起源地及裂纹分布这两方面相符合,这为后续面阵探测器碎裂诱因的研究及结构可靠性设计提供了切实可行的研究思路. 展开更多
关键词 焦平面 锑化铟 结构应力
原文传递
半导体磁头在袖珍验钞器中的应用 被引量：8
9
作者 周冬跃 黄钊洪 +2 位作者 蒋少卿 邝志锋 谭燕枝 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期45-46,50,共3页
设计了一种应用在袖珍验钞器电路中的采用锑化铟 -铟 (InSb In)共晶体薄膜型半导体磁头的信号处理电路 ,研究了这种电路的工作特性。实验证明 :对新版人民币的金属安全线进行磁性信号采集时 ,磁头输出端信号电压的变化量在 - 0 .4mV至 0... 设计了一种应用在袖珍验钞器电路中的采用锑化铟 -铟 (InSb In)共晶体薄膜型半导体磁头的信号处理电路 ,研究了这种电路的工作特性。实验证明 :对新版人民币的金属安全线进行磁性信号采集时 ,磁头输出端信号电压的变化量在 - 0 .4mV至 0 .4mV范围内 当信号处理电路中的集成运放的静态电压设置为 2V、信号放大倍数设置为 10 0 0 0倍左右时 。 展开更多
关键词 半导体磁头 袖珍验钞器 应用 锑化铟-铟 信号处理电路
下载PDF
高灵敏度室温锑化铟红外探测器研制 被引量：15
10
作者 付安英 马睿 薛三旺 《现代电子技术》 2007年第2期182-183,191,共3页
通过对室温工作的光导型锑化锢红外探测器的设计与工艺研究，在理论分析和工艺实验的基础上，优选制造灵敏元的材料，精心设计探测器的光学系统，改进制造工艺，实现对汞敏元精密腐蚀的有效控制等。研制成功的电压响应率达10^3V／W，黑... 通过对室温工作的光导型锑化锢红外探测器的设计与工艺研究，在理论分析和工艺实验的基础上，优选制造灵敏元的材料，精心设计探测器的光学系统，改进制造工艺，实现对汞敏元精密腐蚀的有效控制等。研制成功的电压响应率达10^3V／W，黑体探测率达10^10cm·Hz^1/2·W^-1左右，光谱响应范围2～8μm，响应时间≤2×10^-8s的高性能、高稳定、高可靠器件。 展开更多
关键词 室温 锑化锢 探测器 高灵敏度
下载PDF
磁阻式角度传感器在电子油门系统的应用 被引量：10
11
作者 秦玉伟 《仪表技术》 2007年第4期57-58,6,共3页
介绍一种磁阻式非接触角度传感器,可应用于电子油门系统中的油门踏板传感器和节流阀开度传感器。磁阻式传感器通过改变磁钢与磁阻元件的相对位置来改变阻值大小,从而将踏板的线位移信号或角度变化量转化成电压信号输出,以确定油门踏板... 介绍一种磁阻式非接触角度传感器,可应用于电子油门系统中的油门踏板传感器和节流阀开度传感器。磁阻式传感器通过改变磁钢与磁阻元件的相对位置来改变阻值大小,从而将踏板的线位移信号或角度变化量转化成电压信号输出,以确定油门踏板的位置,实现对节流阀的调节,具有非接触式、成本低的优点。 展开更多
关键词 insb—In 磁阻效应 传感器 非接触式
下载PDF
锑化铟红外焦平面探测器发展现状 被引量：11
12
作者 柏伟 《红外》 CAS 2019年第8期1-14,共14页
近年来,红外探测器技术发展迅速,在国防、气象、红外遥感和航空航天等众多领域应用广泛。作为中波红外波段最重要的探测器之一,锑化铟(InSb)红外焦平面探测器具有量子效率极高、暗电流小、器件响应线性度高、稳定性好、灵敏度极高等特点... 近年来,红外探测器技术发展迅速,在国防、气象、红外遥感和航空航天等众多领域应用广泛。作为中波红外波段最重要的探测器之一,锑化铟(InSb)红外焦平面探测器具有量子效率极高、暗电流小、器件响应线性度高、稳定性好、灵敏度极高等特点,因此备受人们的关注和重视。InSb焦平面探测器性价比高,优势十分突出,其快速发展在很大程度上提高了红外整机性能,同时还覆盖了导弹精确制导、卫星预警探测、机载搜索侦察、红外成像及消防、医疗、电力检测、工业测温等军民两用领域。梳理了国外发达国家在InSb红外焦平面探测器方面的研究情况,分析了其发展方向并对发展前景及趋势进行了展望。 展开更多
关键词 insb 红外焦平面 发展 量子效率
下载PDF
InSb的锂嵌入形成能第一原理计算 被引量：8
13
作者 刘慧英 侯柱锋 +2 位作者 朱梓忠 黄美纯 杨勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1732-1736,共5页
InSb材料在近来的锂离子电池负极材料研究中受到了重视 .使用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法 ,计算了锂离子电池非碳类负极材料InSb各种锂嵌入情况时的形成能以及相应的电子结构 .讨论了锂嵌入时的体积变化、能带结构、电子态密... InSb材料在近来的锂离子电池负极材料研究中受到了重视 .使用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法 ,计算了锂离子电池非碳类负极材料InSb各种锂嵌入情况时的形成能以及相应的电子结构 .讨论了锂嵌入时的体积变化、能带结构、电子态密度以及电荷分布等性质 .计算发现 ,闪锌矿结构的InSb材料 ,锂嵌入到主体材料的间隙位置时的形成能平均每个锂原子都在 2 展开更多
关键词 insb 锂嵌入形成能 第一原理计算 锂离子电池 负极材料 局域密度泛函理论 电子结构 锑化铟
原文传递
InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器 被引量：9
14
作者 黄钊洪 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第7期11-13,共3页
介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约... 介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约 1V至约 3 .5V范围内变化 ,并且两者之间有比较好的线性关系 ,标准偏差 <0 .0 2。输出信号电压与本底噪声之比是 (2 4～ 46 ) :1。 展开更多
关键词 锑化铟 共晶体 磁敏电阻 电流传感器 薄膜
下载PDF
InSb 精密角位移传感器的研究 被引量：7
15
作者 胡明 张之圣 刘志刚 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1998年第2期1-3,共3页
本文介绍了以磁阻效应为工作原理的ＩｎＳｂ精密角位移传感器的设计和制作。这种传感器的主要特点是高分辨率、非接触、体积小、重量轻和使用寿命长。性能测试结果表明，在±１２°范围内，其分辨率达０．
关键词 insb 磁阻效应 角位移传感器 悬臂梁 传感器
下载PDF
鉴别纸币真假的数码化InSb传感器的研制 被引量：6
16
作者 方培生 《传感技术学报》 CAS CSCD 2002年第2期177-179,共3页
本文叙述了以磁阻效应为工作原理的InSb磁敏传感器的设计和制造 ,它具有非接触、数码化、重量轻、分辨率高及使用寿命长等优点 .通过检测和使用完全符合新人民币检测要求 。
关键词 磁阻效应 insb 数码化磁敏传感器
下载PDF
重频激光辐照半导体损伤的有限元分析 被引量：8
17
作者 刘全喜 钟鸣 +4 位作者 江东 齐文宗 蔡邦维 郝秋龙 赵方东 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期670-674,共5页
在考虑到材料热力学参数随温度变化的前提下,以热传导方程和热弹方程为基础,采用有限元分析算法,考查了200ns脉宽、1064nm波长重频激光辐照下,半导体材料InSb体内的温升和热应力分布,分析了由温升效应所致该材料的损伤破坏类型,探讨了... 在考虑到材料热力学参数随温度变化的前提下,以热传导方程和热弹方程为基础,采用有限元分析算法,考查了200ns脉宽、1064nm波长重频激光辐照下,半导体材料InSb体内的温升和热应力分布,分析了由温升效应所致该材料的损伤破坏类型,探讨了热熔融损伤和热应力损伤阈值随光斑尺寸、脉宽、重复率、脉冲次数等的变化规律。 展开更多
关键词 重频激光 损伤阈值 有限元分析 insb 热传导方程 热弹方程
下载PDF
64×64元InSb光伏红外探测器列阵性能表征 被引量：4
18
作者 陈伯良 陆蔚 +2 位作者 王正官 杨华 汪辉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期89-92,共4页
用改进的恒压微探针方法 ,对 6 4× 6 4元 In Sb凝视红外焦平面器件光伏探测器列阵芯片的性能进行了抽样检测和均匀性评价 .测得典型 6 4× 6 4元 In Sb芯片的探测器平均零偏阻抗为 42 MΩ (90 K) ,非均匀性为 2 0 % ;平均 10 0... 用改进的恒压微探针方法 ,对 6 4× 6 4元 In Sb凝视红外焦平面器件光伏探测器列阵芯片的性能进行了抽样检测和均匀性评价 .测得典型 6 4× 6 4元 In Sb芯片的探测器平均零偏阻抗为 42 MΩ (90 K) ,非均匀性为 2 0 % ;平均 10 0 0 K黑体响应率为 2 .8A/W,非均匀性为 6 .3% ;电学串音率 <2 % . 展开更多
关键词 红外焦平面列阵 性能表征 锑化铟 红外探测器
下载PDF
4英寸高质量InSb晶体生长研究 被引量：10
19
作者 柏伟 庞新义 赵超 《红外》 CAS 2018年第9期8-13,共6页
InSb晶体是制备中波红外探测器的重要材料。为了满足新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展需求,开展了大尺寸InSb晶体的生长研究,解决了晶体生长的诸多关键技术,成功地生长出了直径为4 in的高质量InSb单晶,并加工出了高质量的4 in ... InSb晶体是制备中波红外探测器的重要材料。为了满足新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展需求,开展了大尺寸InSb晶体的生长研究,解决了晶体生长的诸多关键技术,成功地生长出了直径为4 in的高质量InSb单晶,并加工出了高质量的4 in InSb抛光晶片。测试表明,直径大于120 mm的晶体长度超过100 mm,晶体位错密度小于100 cm^(-2),其电学参数均匀,载流子浓度、载流子迁移率均满足制备高性能大规格红外焦平面探测器的要求。这为新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展奠定了良好的材料基础。 展开更多
关键词 锑化铟 晶体生长 直径 位错 电学参数
下载PDF
InSb面阵探测器法线方向力学参数选取研究 被引量：10
20
作者 孟庆端 余倩 +1 位作者 张立文 吕衍秋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第22期328-332,共5页
为明确InSb芯片前表面结构缺陷和背面减薄工艺对InSb芯片变形的影响,本文采用降低InSb芯片法线方向杨氏模量的方式,基于热冲击下InSb芯片的典型形变特征来探索InSb芯片力学参数的选取依据.模拟结果表明:当InSb芯片法线方向杨氏模量取体... 为明确InSb芯片前表面结构缺陷和背面减薄工艺对InSb芯片变形的影响,本文采用降低InSb芯片法线方向杨氏模量的方式,基于热冲击下InSb芯片的典型形变特征来探索InSb芯片力学参数的选取依据.模拟结果表明:当InSb芯片法线方向杨氏模量取体材料的30%时,最大Von Mises应力值和法线方向最大应变值均出现在N电极区域,且极值呈非连续分布,这与InSb焦平面探测器碎裂统计报告中典型裂纹起源于N电极区域及多条裂纹同时出现的结论相符合.此外,InSb芯片中铟柱上方区域向上凸起,台面结隔离槽区域往下凹陷,该形变分布也与典型碎裂照片中InSb芯片的应变分布保持一致.因此,基于InSb芯片法线方向应变的判据除了能够预测裂纹起源地及裂纹分布外,还能提供探测器阵列中心区域Z方向应变分布及N电极区域Z方向的应变增强效应,为InSb芯片力学参数的选取提供了依据. 展开更多
关键词 焦平面 锑化铟 结构应力
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 20 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部