期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
电子束反应蒸发制备高迁移率IMO薄膜及其性能研究 被引量：1
1
作者 陈新亮 韩东港 +3 位作者 张德坤 孙建 耿新华 赵颖 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1022-1025,共4页
研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟（In2O3：Mo,IMO）薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3：MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。随着MoO3掺杂剂含量的增加,IMO薄膜电阻率先降低而后增加,光学性能呈现... 研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟（In2O3：Mo,IMO）薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3：MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。随着MoO3掺杂剂含量的增加,IMO薄膜电阻率先降低而后增加,光学性能呈现薄膜透过率下降的趋势。在1.0 wt.%MoO3掺杂剂含量时,获得最佳薄膜性能,薄膜电阻率ρ约为1.97×10^-4Ω.cm,方块电阻Rs约为18Ω/□,载流子浓度n约为6.85×1020cm^-3,电子迁移率μ约为46.3 cm2.V^-1.s^-1,可见光和近红外区域透过率T约为75%-85%（含玻璃衬底）。这种高迁移率的IMO薄膜有望应用于μc-Si：H薄膜太阳电池以及a-Si：H/μc-Si：H硅叠层薄膜太阳电池。 展开更多
关键词 电子束反应蒸发技术 掺钼氧化铟(In2O3:Mo imo)薄膜 高迁移率 太阳电池
原文传递
电子束沉积生长高迁移率IMO透明导电薄膜的研究 被引量：8
2
作者 陈新亮 韩东港 +2 位作者 孙建 赵颖 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1599-1601,共3页
研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长... 研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长速率至0.04nm/s,高速率生长IMO薄膜,薄膜厚度约50nm。典型薄膜电阻率ρ约为2.5×10-4Ωcm,方块电阻Rs约为22.5Ω,载流子浓度n～5.8×1020cm-3,电子迁移率μ约为47.1cm2V-1s-1,可见光和近红外区域平均透过率约为80%。获得的IMO薄膜光电性能和直接利用低速率生长的薄膜特性相当或更好,并且极大地降低了薄膜生长时间。 展开更多
关键词 电子束蒸发技术 In2O3:Mo(imo)薄膜 高迁移率 太阳电池
原文传递
电子束反应蒸发技术生长Mo掺杂In_2O_3薄膜 被引量：4
3
作者 韩东港 陈新亮 +2 位作者 孙建 赵颖 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期686-690,共5页
利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200～350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3(IMO,In2O3:Mo)薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温度增加,原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)图像均证明IMO薄膜表面趋于粗糙,透过率和Hall测试... 利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200～350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3(IMO,In2O3:Mo)薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温度增加,原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)图像均证明IMO薄膜表面趋于粗糙,透过率和Hall测试表明其光学和电学性能逐渐提高。在衬底温度为350℃时,获得薄膜最小电阻率为2.1×10-4Ωcm,载流子迁移率为34.2cm2/Vs,其可见光区及近红外区的平均透过率为78%。衬底温度为200℃时,薄膜表现为黑褐色,经分析X射线光电子能谱(XPS)结果认为与薄膜中钼的低价氧化有关,提高衬底温度可改善薄膜氧化状态。 展开更多
关键词 电子束蒸发技术 Mo掺杂In_2O_3(imo)薄膜 衬底温度 X射线光电子能谱(XPS)
原文传递
厚度对电子束蒸发制备IMO薄膜性能的影响 被引量：2
4
作者 韩东港 陈新亮 +1 位作者 杨瑞霞 赵颖 《河北工业大学学报》 CAS 北大核心 2010年第6期1-3,共3页
通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为=35 nm时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,薄膜的晶体结构变... 通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为=35 nm时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,薄膜的晶体结构变得较完善,晶粒增大,薄膜电学性能取得到了改善,在薄膜厚度=150 nm时获得最小电阻率～2.1×10-4 cm,而光学特性有所恶化.通过性能指数比较,d=110 nm厚度的IMO薄膜光电性能较好. 展开更多
关键词 电子束蒸发技术 In2O3:Mo(imo)薄膜 薄膜厚度 高迁移率 晶体结构
下载PDF
透明导电IMO薄膜的载流子迁移率研究 被引量：6
5
作者 孟扬 章壮健 华中一 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期265-269,共5页
采用van der Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2 O3 ∶Mo)薄膜和ITO(In2 O3 ∶Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较。结果表明 ,IMO薄膜的载流子迁移率高达 10 0cm2 V-1s-1以上 ,远超过已报导的其他掺杂透明... 采用van der Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2 O3 ∶Mo)薄膜和ITO(In2 O3 ∶Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较。结果表明 ,IMO薄膜的载流子迁移率高达 10 0cm2 V-1s-1以上 ,远超过已报导的其他掺杂透明导电氧化物 (TCO)薄膜的载流子迁移率 ;IMO薄膜的载流子有效质量约为电子静止质量的 0 35倍 ;IMO薄膜的高载流子迁移率主要是由于载流子受到的散射作用较弱所引起。这无法用通常的掺杂TCO薄膜的载流子散射理论来解释 ,为此引入复合效应进行分析。在ITO薄膜中 ,每形成一个电中性复合粒子 ,就会使两个掺杂的Sn4+ 失去贡献载流子的电活性 ;而在IMO薄膜中 ,即使一个掺杂Mo6+ 与晶格间隙中的一个O2 -结合成复合离子后 ,该复合离子仍然会贡献出一个载流子 ,故薄膜中形成的电中性复合粒子数目较少 ,从而导致价态差为 3的IMO薄膜中的电中性复合粒子对载流子的散射远低于价态差为 1的ITO薄膜 ,因此 。 展开更多
关键词 载流子 迁移率 掺钼氧化铟 复合效应 透明导电imo薄膜
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部