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用于纳秒级窄脉冲工作的大功率半导体激光器模块 被引量：16
1
作者 陈彦超 赵柏秦 李伟 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期695-700,共6页
介绍了一种将脉冲半导体激光器发射系统中的脉冲整形电路、驱动电路、激光器保护电路、激光器集成封装成一个激光器模块的方式。当激光器工作于纳秒级窄脉冲状态下时,激光器封装引腿产生的电抗会使得耦合进激光器的脉冲波形劣化,导致能... 介绍了一种将脉冲半导体激光器发射系统中的脉冲整形电路、驱动电路、激光器保护电路、激光器集成封装成一个激光器模块的方式。当激光器工作于纳秒级窄脉冲状态下时,激光器封装引腿产生的电抗会使得耦合进激光器的脉冲波形劣化,导致能量损失。为得到上升时间短,波形半宽窄,峰值功率大的光输出,改进了激光器管芯的结构并采用混合光电子集成的方式将驱动电路和激光器管芯封装在一个模块内,使得窄脉冲电信号高效地耦合进半导体管芯。分析验证表明,改进后的激光器模块的各项输出参数均得到改善。同等条件下,改进后的模块在光脉冲宽度为4.5 ns时,峰值功率比单独封装激光器提高6倍多。测试了激光器模块U-P曲线,得到了脉冲宽度7 ns左右,峰值光功率176 W的光脉冲输出。 展开更多
关键词 高峰值功率 半导体激光器阵列 窄脉冲 激光器模块
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百瓦级半导体激光器模块的风冷散热系统分析 被引量：13
2
作者 张志军 刘云 +4 位作者 付喜宏 张金龙 单肖楠 朱洪波 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期187-191,共5页
对百瓦级半导体激光器风冷散热系统进行分析,利用ANSYS有限元分析软件对高功率半导体激光模块器件的温度场分布进行了模拟和优化设计。为百瓦级大功率半导体激光模块风冷系统工艺方案的选择提供了依据,并据此进行了实验验证。
关键词 高功率半导体激光器 热特性 ANSYS 温度分布
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半导体激光器输出功率影响因素的研究进展 被引量：6
3
作者 黄佳瑶 尚林 +5 位作者 马淑芳 张帅 刘青明 侯艳艳 孔庆波 许并社 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期218-224,共7页
大功率半导体激光器是现代激光加工设备、激光再制造设备、激光医疗、激光显示以及国防设备中重要的关键基础元器件和核心组件,在工业和国防等领域有着广泛的应用。提高半导体激光器的输出功率首先需要确定影响功率输出的因素,然后通过... 大功率半导体激光器是现代激光加工设备、激光再制造设备、激光医疗、激光显示以及国防设备中重要的关键基础元器件和核心组件,在工业和国防等领域有着广泛的应用。提高半导体激光器的输出功率首先需要确定影响功率输出的因素,然后通过优化外延材料、芯片结构和制备工艺来解决这些问题。因此,对大功率半导体激光器输出功率影响因素的研究具有重要的意义。基于此,主要对限制GaAs基大功率半导体激光器输出功率的因素进行了综述,总结了近几年GaAs基大功率半导体激光器在腔面灾变、载流子泄漏、双光子吸收以及纵向空间烧孔方面的研究进展,这对进一步提高半导体激光器的输出功率、优化半导体激光器的结构设计、改进外延材料的质量以及提高材料的外延技术具有重要意义。 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 输出功率 腔面灾变 载流子泄漏 双光子吸收 纵向空间烧孔
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径向桥电极高功率垂直腔面发射激光器 被引量：5
4
作者 侯立峰 钟钢 +5 位作者 赵英杰 王玉霞 郝永芹 冯源 姜晓光 谢浩瑞 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期1-5,共5页
为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件,对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻,减小焦耳热;降低... 为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件,对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻,减小焦耳热;降低热阻,提高器件的散热能力。实验制备了出光孔径同为200μm的径向桥电极与常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器,并对器件的性能进行了实验对比测试。结果表明径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件的微分电阻为0.43Ω;室温下最大输出功率可达340 mW,是常规电极垂直腔面发射半导体激光器的1.7倍;器件的热阻为0.095℃/mW,在80℃时,仍能正常激射,具有良好的热特性,径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器的光电特性与温度特性要远好于常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器器件。 展开更多
关键词 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 径向桥 热拐点
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激光二极管合束模块整体散热热阻分析 被引量：5
5
作者 张志军 刘云 +3 位作者 付喜宏 单肖楠 朱洪波 王立军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期49-53,共5页
半导体激光器散热是在热源至热沉之间尽可能提供一条低的热阻通路。其主要目的是降低外热阻(即激光器芯片至散热空间的热阻),使发热激光器芯片与被冷却表面之间保持一个低的温度梯度和良好的热接触。对于接触热阻冷却方法,人们往往根据... 半导体激光器散热是在热源至热沉之间尽可能提供一条低的热阻通路。其主要目的是降低外热阻(即激光器芯片至散热空间的热阻),使发热激光器芯片与被冷却表面之间保持一个低的温度梯度和良好的热接触。对于接触热阻冷却方法,人们往往根据自身的研究对象,用实验方法来解决接触热阻的问题。通过对单管合束模块整体热阻逐步进行分析,通过软件模拟和结合频率红移法对激光二极管热阻进行测量,得出单管合束模块整体散热热阻小于0.25℃/W。此散热模块可以满足百瓦级半导体激光器的散热要求。 展开更多
关键词 激光器 大功率半导体激光器 风冷散热 热阻 频率红移法
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高功率In Ga As量子阱垂直腔面发射激光器的研制 被引量：2
6
作者 晏长岭 宁永强 +7 位作者 秦莉 张淑敏 赵路民 王青 刘云 初国强 王立军 姜会林 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1029-1031,共3页
采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口 (直径为 30 0 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器 ,实现了器件室温准连续工作 (脉冲宽度为 5 0 μs ,重复频率为 10 0 0Hz) ,并对器件的伏安特性、光输出特... 采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口 (直径为 30 0 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器 ,实现了器件室温准连续工作 (脉冲宽度为 5 0 μs ,重复频率为 10 0 0Hz) ,并对器件的伏安特性、光输出特性、发射光谱 ,以及器件的远场发射特性等进行了实验测试 器件阈值电流为 4 6 0mA ,器件的最大光输出功率为 10 0mW ,发射波长为 978.6nm ,光谱半功率全宽度为 1.0nm ,远场发散角小于 10° ,垂直方向的发散角θ⊥ 为 8° ,水平方向的发散角θ∥ 为 9° 。 展开更多
关键词 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 氧化物限制工艺 量子阱 对称光束
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基于调制转移的大功率半导体激光器频率稳定控制
7
作者 刘兆 《光电技术应用》 2023年第4期41-45,69,共6页
为了提高大功率半导体激光器输出频率稳定控制的效果,提出基于调制转移的大功率半导体激光器频率稳定控制方法。首先分析大功率半导体激光器工作原理,利用光电调制器对激光器泵浦光相位进行调制,获取大功率半导体激光器光波附加相位和... 为了提高大功率半导体激光器输出频率稳定控制的效果,提出基于调制转移的大功率半导体激光器频率稳定控制方法。首先分析大功率半导体激光器工作原理,利用光电调制器对激光器泵浦光相位进行调制,获取大功率半导体激光器光波附加相位和泵浦光电场矢量;然后以附加相位和泵浦光电场矢量为基础,使用调制转移技术建立调制转移光谱锁频环路模型,计算大功率半导体激光器探测光和边带拍频信号;最后建立调制转移光谱锁频环路模型表达式,通过求解该表达式,得到大功率半导体激光器的锁频数值,实现激光器输出频率的有效控制。实验表明,文中方法计算大功率半导体激光器拍频信号较为准确,降低其输出拍频信号区间,响应时间最大为0.07 s,响应较为迅速,控制精度较高,具备较好的频率稳定控制能力,控制效果好。 展开更多
关键词 调制转移 大功率 半导体激光器 频率稳定控制 光电调制器 环路模型
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高功率蓝光半导体激光器巴条的封装技术研究
8
作者 周勇 王琦 +3 位作者 高翔 高俊腱 陶春燕 郝明明 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第22期3237-3244,共8页
为实现高功率的蓝光半导体激光输出,对蓝光巴条的封装技术进行了研究。利用金锡硬焊料封装了高功率氮化镓(GaN)蓝光半导体激光巴条,应用铜钨过渡热沉作为缓冲层抑制了铜热沉和GaN激光芯片之间封装残余应力,采用高精度贴片机将芯片共晶... 为实现高功率的蓝光半导体激光输出,对蓝光巴条的封装技术进行了研究。利用金锡硬焊料封装了高功率氮化镓(GaN)蓝光半导体激光巴条,应用铜钨过渡热沉作为缓冲层抑制了铜热沉和GaN激光芯片之间封装残余应力,采用高精度贴片机将芯片共晶键合在铜钨过渡热沉上。贴片质量的好坏直接影响了器件的输出特性,所以重点分析了贴片机的焊接温度焊接压力、焊接时间对器件的影响。实验结果表明:当贴片机的焊接温度为320℃、焊接压力为0.5 N、焊接时间为40 s时,焊料层界面空洞最少,热阻最低为0.565℃/W,阈值电流最低为4.9 A,在注入电流30 A时,输出光功率最高为32.21 W,最高光电转换效率达到了23.3%。因此,在优化焊接温度、焊接压力、焊接时间后,利用金锡硬焊料将蓝光半导体激光芯片共晶键合在铜钨过渡热沉的技术方案是实现蓝光半导体激光巴条高功率工作的有效途径。 展开更多
关键词 高功率激光器 半导体激光器 氮化镓 蓝光 巴条 铜钨过渡热沉
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包含寄生参数的大功率半导体激光器等效电路模型 被引量：2
9
作者 刘谈平 王召巴 《中北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2014年第6期750-756,共7页
对大功率半导体激光器驱动电源仿真研究时,需要建立体现大功率半导体激光器电气特性的等效负载模型,目前的LD(Laser Diode)电路模型由于缺乏寄生参数而不适用.本文根据大功率半导体激光器的测试数据,通过分析改进LD的速率方程,建立了包... 对大功率半导体激光器驱动电源仿真研究时,需要建立体现大功率半导体激光器电气特性的等效负载模型,目前的LD(Laser Diode)电路模型由于缺乏寄生参数而不适用.本文根据大功率半导体激光器的测试数据,通过分析改进LD的速率方程,建立了包含寄生参数的大功率半导体激光器等效电路模型.仿真结果表明:该等效电路模型的V-I曲线和P-I曲线与厂家给出的曲线一致,可以作为仿真大功率半导体激光驱动电源的等效负载. 展开更多
关键词 等效电路模型 大功率半导体激光器 寄生参数 仿真
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高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性
10
作者 张素梅 石家纬 +1 位作者 赵世舜 胡贵军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期267-271,共5页
为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半... 为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同 ,在p n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层 ,其厚度约为 0 1 μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响 ,在n+ GaAs衬底和n Al0 5Ga0 5As下包层间加一层n+ GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs GaAs大功率半导体激光器相比 ,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性。 30 0 0h的恒流电老化结果表明 ,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降 。 展开更多
关键词 高功率半导体激光器 远结 单量子阱 ALGAAS/GAAS
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基于AlN膜钝化层的高功率垂直腔面发射激光器 被引量：1
11
作者 钟钢 侯立峰 王晓曼 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期7-11,共5页
高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基于AlN膜钝化层的980 nm高功率VCSEL器件。对高功率VCSEL进行模拟仿真与理论分析表明,采用AlN膜钝化层可... 高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基于AlN膜钝化层的980 nm高功率VCSEL器件。对高功率VCSEL进行模拟仿真与理论分析表明,采用AlN膜钝化层可以改善器件内部的温度分布,降低器件的热阻,提高器件的散热能力;采用相同的外延片与工艺实验制备了出光孔径同为200μm的AlN膜钝化层和传统的SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件;对两种不同的钝化层的器件性能进行了实验对比测试,结果表明AlN膜钝化层的高功率VCSEL器件室温下的最大输出功率可达470 mW,比同温度下SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件的最大输出功率高140 mW。AlN膜钝化层的高功率VCSEL在外界温度80℃时,仍能正常激射,具有良好的温度适应性与光电性能。 展开更多
关键词 激光器 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 AlN膜 钝化层
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球端面光纤耦合界面烧蚀现象的实验研究 被引量：1
12
作者 杜章永 张书云 +2 位作者 孔德超 毛海涛 李方正 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期50-51,共2页
本文提出大功率半导体激光器(LD)对光纤耦合界面的烧蚀的理论假设,得出系统耦合效率随时间的变化关系为ηt=η0t-αβmsk=η0t-αβρ。制作出三种不同直径的光纤端面小球,并对其防烧蚀性能进行了实验研究。实验证明激光器对光纤的烧蚀... 本文提出大功率半导体激光器(LD)对光纤耦合界面的烧蚀的理论假设,得出系统耦合效率随时间的变化关系为ηt=η0t-αβmsk=η0t-αβρ。制作出三种不同直径的光纤端面小球,并对其防烧蚀性能进行了实验研究。实验证明激光器对光纤的烧蚀主要集中在粘接剂区,且大直径的球端面光纤能有效的减小烧蚀对系统耦合效率的影响。从而证明了公式的正确性。 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 球端面光纤 烧蚀 耦合效率
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具有防烧蚀功能的球端面光纤的实验研究
13
作者 杜章永 李书蝶 +2 位作者 朱永涛 毛海涛 李方正 《河南大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2009年第1期18-21,共4页
用射线理论对半导体激光器与球端面光纤耦合光路作了计算和分析.对大功率半导体激光器与三种不同直径球端面光纤耦合界面的防烧蚀进行了实验研究.实验结果表明,大功率半导体激光器对光纤的烧蚀主要集中在粘接剂区,且大直径的球端面光纤... 用射线理论对半导体激光器与球端面光纤耦合光路作了计算和分析.对大功率半导体激光器与三种不同直径球端面光纤耦合界面的防烧蚀进行了实验研究.实验结果表明,大功率半导体激光器对光纤的烧蚀主要集中在粘接剂区,且大直径的球端面光纤能有效地减小烧蚀对系统耦合效率的影响. 展开更多
关键词 球端面光纤 耦合效率 防烧蚀 大功率半导体激光器
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半导体激光器在激光遥控制导中的空间耦合 被引量：4
14
作者 欧秋晔 康婷颋 +3 位作者 王诚 惠渭生 徐静 吴英春 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期1006-1011,共6页
针对高功率脉冲半导体激光器的远场特点,及激光制导对激光功率密度和光斑均匀性的要求,给出多孔径空间耦合方案并对其优点进行理论分析;针对纳米叠层芯片高功率半导体激光器偏振特性,基于偏振复用的原理,进行2支高功率半导体阵列激光器... 针对高功率脉冲半导体激光器的远场特点,及激光制导对激光功率密度和光斑均匀性的要求,给出多孔径空间耦合方案并对其优点进行理论分析;针对纳米叠层芯片高功率半导体激光器偏振特性,基于偏振复用的原理,进行2支高功率半导体阵列激光器的偏振合束研究。通过试验得出结论:偏振耦合后系统输出光功率几乎2倍于单个激光器输出功率,采用多孔径耦合及偏振耦合均能满足遥控制导光斑要求。 展开更多
关键词 高功率脉冲半导体激光器 空间耦合 激光指令制导 激光驾束制导 偏振合束
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大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计 被引量：4
15
作者 王俊 马骁宇 +2 位作者 林涛 郑凯 冯小明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2449-2454,共6页
本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关... 本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2. 展开更多
关键词 大功率808nm半导体激光器 GaAsP/AlGaAs量子阱激光器 分别限制异质结构
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高功率半导体激光阵列的高温特性机理 被引量：3
16
作者 李波 王贞福 +7 位作者 仇伯仓 杨国文 李特 赵宇亮 刘育衔 王刚 白少博 杜宇琦 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期1158-1164,共7页
高峰值功率半导体激光阵列在高温工作条件中的应用需求日益凸显,本文以微通道封装的高峰值功率960 nm半导体激光阵列为研究对象,通过精密控温系统测试了其在10~80℃范围内峰值功率、电光转换效率、工作电压和光谱等一系列光电特性,结合... 高峰值功率半导体激光阵列在高温工作条件中的应用需求日益凸显,本文以微通道封装的高峰值功率960 nm半导体激光阵列为研究对象,通过精密控温系统测试了其在10~80℃范围内峰值功率、电光转换效率、工作电压和光谱等一系列光电特性,结合理论分析,给出不同温度下电光转化效率的能量损耗分布。结果表明,工作温度从10℃升高到80℃后,电光转化效率从63.95%下降到47.68%,其中载流子泄漏损耗占比从1.93%上升到14.85%,是导致电光转换效率下降的主要因素。该研究对高峰值功率半导体激光器阵列在高温应用和激光芯片设计方面具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 高功率半导体激光阵列 高温 微通道 电光转化效率 能量损耗分布
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连续半导体激光器单条阵列老化筛选系统 被引量：3
17
作者 任永学 邓海丽 +1 位作者 程义涛 王晓燕 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第7期469-471,476,共4页
介绍了用于连续高功率半导体激光器单条阵列的老化筛选系统,通过对积分球采集激光功率进行理论分析,确定了积分球内壳的参数。采用水冷积分球,实现了激光功率探测部分的冷却,同时解决了激光功率采集以及球壳内部散热的问题。利用光电探... 介绍了用于连续高功率半导体激光器单条阵列的老化筛选系统,通过对积分球采集激光功率进行理论分析,确定了积分球内壳的参数。采用水冷积分球,实现了激光功率探测部分的冷却,同时解决了激光功率采集以及球壳内部散热的问题。利用光电探测器、数据采集卡等硬件实现了激光功率信号的光电转换以及模数转换,基于LabVIEW环境开发了激光功率采集软件,实现了对高功率激光的实时采集、记录。最终建立了采集稳定性好、准确度高的老化筛选系统。 展开更多
关键词 连续高功率半导体激光器 老化筛选 水冷积分球 模数(A/D)转换 实验室虚拟仪器工作平台(LabVIEW)
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GaAs基大功率半导体激光器的研究进展 被引量：1
18
作者 张旭 董海亮 +3 位作者 贾志刚 张爱琴 梁建 许并社 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期9-15,共7页
经半个多世纪的发展,半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势,在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其... 经半个多世纪的发展,半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势,在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其应用的关键问题,如何进一步提高激光器的光电性能是半导体激光器面临的挑战。输出功率、电光转换效率、光束质量、寿命和可靠性是衡量半导体激光器性能最重要的参数。电光转换效率直接影响器件的输出功率,转换效率低产生的热量更多,导致器件工作温度升高,使得器件的稳定性变差,严重影响器件的寿命和可靠性。近年来,随着GaAs基大功率半导体激光器外延生长技术的提高、器件结构设计的理论水平提高以及封装技术的提升,激光器的输出功率和电光转换效率均得到了大幅提高。从2007年到2017年,边发射激光器的单管输出功率已由14.7 W提高至33 W,而光抽运面发射器件在2018年单管输出功率高达72 W。2020年单管器件的电光转换效率已高达74.6%。随着高效冷却技术的发展,半导体激光器的寿命已达百万小时以上。本文主要介绍了GaAs基半导体激光器近年来的发展状况,综述了外延结构、输出功率、电光转换效率、光束质量、寿命和可靠性等方面的发展现状,探讨了影响输出功率的各种因素及目前的解决方法,展望了半导体激光器未来的发展趋势。 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 砷化镓(GaAs) 输出功率 电光转换效率 光束质量 寿命与可靠性
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高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响 被引量：2
19
作者 李波 王贞福 +6 位作者 仇伯仓 杨国文 李特 赵宇亮 刘育衔 王刚 白少博 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期19-26,共8页
为了解决阵列中每个发光点性能分布不均的问题,研究了微通道水冷封装的960nm半导体激光器阵列,阵列包含38个发光点,腔长为2mm,在驱动电流为600A、占空比为10%的条件下,输出的峰值功率达到665.6 W,电光转换效率为63.8%,中心波长为959.5nm... 为了解决阵列中每个发光点性能分布不均的问题,研究了微通道水冷封装的960nm半导体激光器阵列,阵列包含38个发光点,腔长为2mm,在驱动电流为600A、占空比为10%的条件下,输出的峰值功率达到665.6 W,电光转换效率为63.8%,中心波长为959.5nm.通过对应力的理论分析,给出了各个发光点应变的表达式;通过搭建单点测试系统获得阵列中每个发光点的阈值电流、斜率效率、光谱和功率等光电特性;结合应变理论分析可知,器件中发光点的性能与应变大小和类型密切相关,压应变会导致器件波长蓝移、阈值电流降低、功率和斜率效率升高,张应变会导致波长红移、阈值电流升高、功率和斜率效率降低.研究表明,影响器件内部发光点的性能不仅与热效应有关,而且与封装后残余的应变密切相关,通过应力的分布可以预测阵列性能的变化规律,可为高峰值功率、高可靠性的半导体激光阵列的研制提供参考. 展开更多
关键词 高功率半导体激光阵列 独立发光点 应变 微通道 光电特性
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基于LPC2148的808nm大功率半导体激光治疗仪
20
作者 王彪 《应用科技》 CAS 2012年第1期31-34,共4页
以ARM处理器LPC2148为核心,采用数控恒流源驱动方式,将808 nm大功率半导体激光器和智能化控制技术相结合,设计研制了一种智能型大功率半导体激光治疗仪.通过LPC2148自身的USB接口引擎和EasyUSB214x动态库,结合VC++编写了上位机应用软件... 以ARM处理器LPC2148为核心,采用数控恒流源驱动方式,将808 nm大功率半导体激光器和智能化控制技术相结合,设计研制了一种智能型大功率半导体激光治疗仪.通过LPC2148自身的USB接口引擎和EasyUSB214x动态库,结合VC++编写了上位机应用软件,将治疗仪的日志数据以USB的通讯方式传输到上位机,以实现对治疗操作日志数据的记录、查阅和研究. 展开更多
关键词 LPC2148 808nm大功率激光器 半导体激光治疗仪
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