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HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性
被引量：
3
1
作者
刘心田
包昌珍
+2 位作者
褚君浩
周茂树
李韶先
《红外技术》
EI
CSCD
北大核心
1998年第6期22-24,共3页
运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。
关键词
碲镉汞
离子注入
表面损伤
红外探测器
下载PDF
职称材料
题名
HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性
被引量：
3
1
作者
刘心田
包昌珍
褚君浩
周茂树
李韶先
机构
中国科学院上海技术物理所红外物理国家实验室
航天工业总公司三院
出处
《红外技术》
EI
CSCD
北大核心
1998年第6期22-24,共3页
文摘
运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。
关键词
碲镉汞
离子注入
表面损伤
红外探测器
Keywords
hgcdte
ion implantation
surface
damage
分类号
TN215.05 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性
刘心田
包昌珍
褚君浩
周茂树
李韶先
《红外技术》
EI
CSCD
北大核心
1998
3
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