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110~200GHz频段InP单行载流子光电二极管
1
作者 杨大宝 邢东 +2 位作者 赵向阳 刘波 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期39-44,共6页
设计制备了一种基于InP材料低偏压工作的单行载流子光电二极管(UTC-PD),该器件的工作频率范围为110~200 GHz。为提升器件的带宽特性,UTC-PD芯片的吸收层采用p型高斯掺杂的InGaAs材料,芯片的InP衬底减薄至12μm。UTC-PD采用背照式的方式... 设计制备了一种基于InP材料低偏压工作的单行载流子光电二极管(UTC-PD),该器件的工作频率范围为110~200 GHz。为提升器件的带宽特性,UTC-PD芯片的吸收层采用p型高斯掺杂的InGaAs材料,芯片的InP衬底减薄至12μm。UTC-PD采用背照式的方式输入光信号。通过倒装焊的形式将芯片安装在厚度为50μm的AlN基片上的共面波导焊盘上进行测试。在-3 V偏压和155μm波长输入光条件下,制备器件的响应度超过02 A/W;在110 GHz处获得最高输出功率为-56 dBm,19783 GHz处的输出功率最低为-106 dBm。 展开更多
关键词 低偏压 单行载流子光电二极管(UTC-PD) 高斯掺杂 背照式 响应度
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对称双栅高斯掺杂应变Si金属氧化物半导体场效应管的二维解析模型 被引量：1
2
作者 李劲 吴笑峰 +2 位作者 席在芳 胡仕刚 李目 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期1203-1208,共6页
基于扩散、阈值调整和离子注入等工艺过程导致器件的沟道区的掺杂分布不均匀,提出对称双栅高斯掺杂应变硅MOSFET器件,并对其相关特性进行研究。通过对沟道二维泊松方程求解建立该器件结构的表面势和阈值电压模型,分析弛豫SiGe层的Ge组... 基于扩散、阈值调整和离子注入等工艺过程导致器件的沟道区的掺杂分布不均匀,提出对称双栅高斯掺杂应变硅MOSFET器件,并对其相关特性进行研究。通过对沟道二维泊松方程求解建立该器件结构的表面势和阈值电压模型,分析弛豫SiGe层的Ge组分和掺杂偏差σn对表面势和阈值电压的影响。此外,还对比分析高斯掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件和均匀掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件的表面势和阈值电压。研究结果表明:阈值电压随应变Si膜中Ge组分的增加而降低;表面势和阈值电压随偏差σn的增加而减小;高斯掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件和均匀掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件的表面势和阈值电压相差较大,表明非均匀掺杂对器件表面势和阈值电压等影响较大。 展开更多
关键词 高斯掺杂 应变SI 阈值电压
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杂质纵向高斯分布UTBB-SOI MOSFET的虚拟阴极阈值电压解析模型
3
作者 韦素芬 陈红霞 +2 位作者 李诗勤 黄长斌 刘璟 《集美大学学报（自然科学版）》 CAS 2021年第5期472-480,共9页
采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOI MOSFET,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器... 采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOI MOSFET,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器件建立二维阈值电压解析模型。通过与Sentaurus Device器件仿真结果对比分析,发现:阈值电压模型能准确预测器件在不同掺杂、器件厚度和偏置电压下的阈值电压,正确反映器件的背栅效应,其模拟结果与理论模型相符。 展开更多
关键词 UTBB-SOI MOSFET 高斯分布 虚拟阴极 阈值电压
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p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x基区内建电场的物理机制
4
作者 赵传阵 唐吉玉 +2 位作者 文于华 吴靓臻 孔蕴婷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期873-877,共5页
采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变... 采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变化、价带有效态密度变化以及禁带宽度变窄量变化对基区内建电场的影响要大于掺杂对内建电场的影响.Ge组分为三角形分布时,在总的Ge组分一定的条件下,内建电场从发射结到集电结逐渐变大.在任一给定位置x处,内建电场随着Ge组分的增加而增大.当Ge组分分布为矩形三角形分布时,对于给定的Ge组分转折点x1,基区内建电场从发射结到集电结缓慢地增大.在Ge组分恒定的区域,内建电场变化甚微,在Ge组分为线性缓变区域的同一位置x处,内建电场随Ge组分转折点x1的增大而缓慢地增大.此外,在x1附近内建电场变化有一个很大的陡坡. 展开更多
关键词 硅锗合金 内建电场 三角形Ge分布 矩形三角形Ge分布 高斯分布
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基于改进自适应遗传算法的高斯掺杂四线偏振模光纤放大器
5
作者 黄勇 秦祖军 《桂林电子科技大学学报》 2021年第6期442-448,共7页
针对阶梯式或多环式复杂铒离子掺杂结构的光纤制备困难,以及单段掺铒光纤少模放大器难以实现四阶及以上高阶模式增益均衡放大,提出一种由两段简单高斯掺杂掺铒光纤级联而成的四线偏振模掺铒光纤放大器(4LP-EDFA),并设计了改进自适应遗... 针对阶梯式或多环式复杂铒离子掺杂结构的光纤制备困难,以及单段掺铒光纤少模放大器难以实现四阶及以上高阶模式增益均衡放大,提出一种由两段简单高斯掺杂掺铒光纤级联而成的四线偏振模掺铒光纤放大器(4LP-EDFA),并设计了改进自适应遗传算法对放大器性能进行优化。结果表明,当两段光纤的长度分别为3.33m和3.16m,高斯掺杂中心位置分别为0.12a和0.78a处(a为光纤纤芯半径),高斯分布的1/e半宽度分别为0.1a和0.16a时,4LP-EDFA获得约24.52d B的平均模式增益和近乎可忽略的差分模式增益(DMG)。设计结果同时发现,两段高斯掺杂光纤中的第一段光纤的长度变化、高斯掺杂中心的位置变化、高斯分布的1/e半宽度变化对放大器增益特性的影响更为显著。 展开更多
关键词 少模光纤 高斯掺杂 掺铒光纤放大器 自适应遗传算法
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