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半导体照明中的非成像光学及其应用 被引量:84
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作者 罗毅 张贤鹏 +7 位作者 王霖 杨毅 胡飞 钱可元 韩彦军 李旭亮 张志海 邓国强 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期963-971,共9页
以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源,具有其他传统光源无法比拟的诸多优点,被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势,利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计,以高端半导体照... 以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源,具有其他传统光源无法比拟的诸多优点,被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势,利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计,以高端半导体照明光源的制造为突破点,带动整个半导体照明产业的快速进步,已成为半导体照明技术发展的战略选择。回顾了非成像光学的历史、研究进展以及在半导体照明中的应用,并通过设计实例,介绍了面向功率型LED光线耦合、二维给定光分布以及三维给定光分布问题的非成像光学系统设计原理与解决方案。 展开更多
关键词 半导体照明 非成像光学 氮化镓 发光二极管
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镓矿资源需求趋势分析与中国镓产业发展思考 被引量:32
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作者 赵汀 秦鹏珍 +4 位作者 王安建 王高尚 李建武 刘超 刘毅飞 《地球学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期77-84,共8页
镓是一种伴生矿,主要与铝、锌、锗的矿物伴生,没有独立的矿床,我国金属镓资源储量丰富。作为重要的半导体材料,镓广泛地应用于无线电通讯、光纤通信、汽车雷达、LED照明、太阳能电池等领域,且金属镓所有用途几乎都和当前现代科技发展及... 镓是一种伴生矿,主要与铝、锌、锗的矿物伴生,没有独立的矿床,我国金属镓资源储量丰富。作为重要的半导体材料,镓广泛地应用于无线电通讯、光纤通信、汽车雷达、LED照明、太阳能电池等领域,且金属镓所有用途几乎都和当前现代科技发展及低碳经济、绿色能源和环境保护相关。随着镓消费量的不断增长以及镓应用领域的拓展,金属镓的重要性已经被越来越多的国家注意。本文采用部门分析法分别预测镓在砷化镓、LED、薄膜太阳能领域的应用,预测出全球2020年镓金属需求约410~430 t,并对中国镓产业发展面临的问题进行分析,提出增强下游镓产品竞争力、保护镓金属产能的政策建议。 展开更多
关键词 镓砷化 镓氮化 镓太阳能 铝土矿
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宽禁带半导体器件研究现状与展望 被引量:31
3
作者 朱梓悦 秦海鸿 +2 位作者 董耀文 严仰光 徐华娟 《电气工程学报》 2016年第1期1-11,共11页
电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究... 电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨,并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。 展开更多
关键词 宽禁带半导体器件 碳化硅 氮化镓
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第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状 被引量:27
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作者 蔡蔚 孙东阳 +2 位作者 周铭浩 郭庆波 高晗璎 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第14期42-55,共14页
近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体... 近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体系的可持续发展至关重要。在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上,综述了其材料、器件研发和产业的发展现状,阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果,剖析了第三代半导体行业存在的关键问题。建议在国家政策的进一步领导之下,发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用,对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑,引导各环节间实现资源共享、强强联合,上下游互相拉动和促进,形成一个布局合理、结构完整的产业链。 展开更多
关键词 第三代宽禁带功率半导体 碳化硅 氮化镓 芯片与封装技术 半导体应用与市场 碳化硅控制器和逆变器
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宽禁带功率半导体器件技术 被引量:22
5
作者 张波 邓小川 +1 位作者 陈万军 李肇基 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期618-623,共6页
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。... 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 氮化镓 功率器件 碳化硅 宽禁带半导体
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GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究 被引量:20
6
作者 申屠伟进 胡飞 +3 位作者 韩彦军 薛松 罗毅 钱可元 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期385-389,共5页
基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20%;... 基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20%;同时,低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下时光提取效率较高。 展开更多
关键词 提取效率 发光二极管 GaN 蒙特卡罗方法 光吸收系数 模拟分析 环氧树脂 芯片尺寸 LEDS 蓝宝石 折射率 反射率 限制 P型 封装
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氮化镓功率晶体管三电平驱动技术 被引量:19
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作者 任小永 David Reusch +2 位作者 季澍 穆明凯 Fred C Lee 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第5期202-207,共6页
作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,无论在民用或是军事领域都具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,大直径硅(Si)基Ga... 作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,无论在民用或是军事领域都具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,大直径硅(Si)基GaN外延技术逐步成熟并向商用化方向发展。2010年以来,多家国际著名半导体厂商相继推出GaN功率晶体管器件。与硅半导体功率器件一样,合理的驱动方式也是GaN功率晶体管优越性能得以体现的重要保障。本文将以GaN功率器件在同步整流Buck变换器中的应用为例,提出一种三电平的驱动方式,以充分发挥GaN功率晶体管器件的优越性。实验结果表明,本文提出的三电平驱动方式可以有效提高变换器的效率。 展开更多
关键词 氮化镓 GAN 三电平 驱动方式
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基于GaN HEMT的高效率、高功率密度LLC谐振变换器的设计 被引量:19
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作者 李媛 马红波 柯玉连 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期58-64,88,共8页
氮化镓器件凭借开关速度快、导通电阻小等优势,可使开关电源在高频率工作时兼顾转换效率。同时,开关频率的提高可以减小系统无源元件的体积,进而提高变换器的功率密度。LLC谐振变换器因其本质的软开关特性,可以实现原边开关管零电压导... 氮化镓器件凭借开关速度快、导通电阻小等优势,可使开关电源在高频率工作时兼顾转换效率。同时,开关频率的提高可以减小系统无源元件的体积,进而提高变换器的功率密度。LLC谐振变换器因其本质的软开关特性,可以实现原边开关管零电压导通及副边整流管零电流关断,可进一步降低系统高频工作时的开关损耗,提升变换器的效率。以IEEE IFEC 2017的要求为指标,在对LLC谐振变换器进行谐振参数优化的基础上,采用GaN HEMT作为原边开关管,结合同步整流技术和平面变压器技术,研制了一台360~400V输入,750W/12V输出的LLC谐振变换器原理样机,整体功率密度达8.27W/cm^3,最高效率为96.23%。实验结果验证了设计方案的可行性和先进性。 展开更多
关键词 高效率 高功率密度 LLC谐振变换器 氮化镓 同步整流
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高功率氮化镓基蓝光激光器 被引量:13
9
作者 胡磊 张立群 +8 位作者 刘建平 黄思溢 任霄钰 田爱琴 周伟 熊巍 李德尧 池田昌夫 杨辉 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期289-294,共6页
高功率氮化镓基蓝光激光器在激光显示、激光照明和材料加工等领域具有很大的应用前景。通过优化蓝光激光器p-AlGaN限制层的生长温度,抑制了量子阱热退化,通过优化量子阱结构,改善了载流子分布,研制出了高功率蓝光激光器。利用变腔面反... 高功率氮化镓基蓝光激光器在激光显示、激光照明和材料加工等领域具有很大的应用前景。通过优化蓝光激光器p-AlGaN限制层的生长温度,抑制了量子阱热退化,通过优化量子阱结构,改善了载流子分布,研制出了高功率蓝光激光器。利用变腔面反射率法获得蓝光激光器的内部光学损耗为6.8 cm^-1,载流子注入效率为90%。在脉冲工作条件下,蓝光激光器的阈值电流密度为1 kA/cm^2,斜率效率为1.65 W/A,预计在6 kA/cm^2电流密度下,输出光功率能达到4 W;在连续工作条件下,激光器的阈值电流密度为1 kA/cm^2,由于封装散热性能不佳,斜率效率下降为1 W/A,预计在6 kA/cm^2的电流密度下,输出光功率为2.2 W。 展开更多
关键词 激光器 氮化镓 蓝光激光器 热退化 内部光学损耗 载流子注入效率
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GaN薄膜的蓝光和红光发射机理研究 被引量:9
10
作者 赖天树 王嘉辉 +1 位作者 张莉莉 林位株 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1493-1496,共4页
由于生长工艺的不完善 ,非掺杂GaN薄膜中通常存在未知的杂质和缺陷 ,产生与这些未知杂质和缺陷能级相关的发光。报道了非掺杂GaN薄膜的 692nm红色发光 ,并研究了非掺杂GaN薄膜的蓝、红色发光的发射机理 ;利用作者提出的吸收归一化光致... 由于生长工艺的不完善 ,非掺杂GaN薄膜中通常存在未知的杂质和缺陷 ,产生与这些未知杂质和缺陷能级相关的发光。报道了非掺杂GaN薄膜的 692nm红色发光 ,并研究了非掺杂GaN薄膜的蓝、红色发光的发射机理 ;利用作者提出的吸收归一化光致发光激发光谱 ,直接测量出了非掺杂GaN薄膜的蓝、红色发光的初始态能级 ,确定蓝色发光为施主价带跃迁复合 ,而红色发光为施主受主跃迁复合 ;给出了黄、蓝、红光的发射模型。 展开更多
关键词 氮化镓 半导体薄膜 发光机理 发光学 光致发光 红色发光 蓝色发光 吸收归一化光谱
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氮化镓功率半导体器件技术 被引量:12
11
作者 张波 陈万军 +2 位作者 邓小川 汪志刚 李肇基 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期1-10,17,共11页
作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,特别是大直径硅(Si)基GaN外延... 作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,特别是大直径硅(Si)基GaN外延技术的逐步成熟并商用化,GaN功率半导体技术有望成为高性能低成本功率技术解决方案,从而受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。总结了GaN功率半导体器件的最新研究,并对GaN功率器件发展所涉及的器件击穿机理与耐压优化、器件物理与模型、电流崩塌效应、工艺技术以及材料发展等问题进行了分析与概述。 展开更多
关键词 氮化镓 功率器件 击穿电压 比导通电阻
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硅基GaN外延层的光致发光谱 被引量:8
12
作者 张昊翔 叶志镇 +1 位作者 卢焕明 赵炳辉 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期120-122,126,共4页
报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出 Ga N 外延层,并对其发光特性进行了研究。发现衬底晶向、生长温度和退火均会对 Ga N 外延层的发光特性产生影响。 Si(111) 衬底比 Si(100) 衬底更有利于 Ga N 外延层... 报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出 Ga N 外延层,并对其发光特性进行了研究。发现衬底晶向、生长温度和退火均会对 Ga N 外延层的发光特性产生影响。 Si(111) 衬底比 Si(100) 衬底更有利于 Ga N 外延层的单色发光。退火使 Ga N 外延层的发光强度降低。在1 050 ℃下生长的 Ga N 外延层的发光强度高于其他温度下生长的 Ga N 展开更多
关键词 半导体材料 氮化镓 光致发光 外延层
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二维电子气等离激元太赫兹波器件 被引量:11
13
作者 秦华 黄永丹 +4 位作者 孙建东 张志鹏 余耀 李想 孙云飞 《中国光学》 EI CAS CSCD 2017年第1期51-67,共17页
固态等离激元太赫兹波器件正成为微波毫米波电子器件技术和半导体激光器技术向太赫兹波段发展和融合的重要方向之一。本综述介绍AlGaN/GaN异质结高浓度和高迁移率二维电子气中的等离激元调控、激发及其在太赫兹波探测器、调制器和光源... 固态等离激元太赫兹波器件正成为微波毫米波电子器件技术和半导体激光器技术向太赫兹波段发展和融合的重要方向之一。本综述介绍AlGaN/GaN异质结高浓度和高迁移率二维电子气中的等离激元调控、激发及其在太赫兹波探测器、调制器和光源中应用的近期研究进展。通过光栅和太赫兹天线实现自由空间太赫兹波与二维电子气等离激元的耦合,通过太赫兹法布里-珀罗谐振腔进一步调制太赫兹波模式,增强太赫兹波与等离激元的耦合强度。在光栅-谐振腔耦合的二维电子气中验证了场效应栅控的等离激元色散关系,实现了等离激元模式与太赫兹波腔模强耦合产生的等离极化激元模式,演示了太赫兹波的调制和发射。在太赫兹天线耦合二维电子气中实现了等离激元共振与非共振的太赫兹波探测,建立了太赫兹场效应混频探测的物理模型,指导了室温高灵敏度自混频探测器的设计与优化。研究表明,基于非共振等离激元激发可发展形成室温高速高灵敏度的太赫兹探测器及其焦平面阵列技术。然而,固态等离激元的高损耗特性仍是制约基于等离激元共振的高效太赫兹光源和调制器的主要瓶颈。未来的研究重点将围绕高品质因子等离激元谐振腔的构筑,包括固态等离激元物理、等离激元谐振腔边界的调控、新型室温高迁移率二维电子材料的运用和高品质太赫兹谐振腔与等离激元器件的集成等。 展开更多
关键词 二维电子气 等离激元 太赫兹 氮化镓
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宽禁带半导体关键设备技术及发展 被引量:9
14
作者 颜秀文 武祥 《电子工业专用设备》 2013年第5期4-8,共5页
宽禁带半导体设备技术是宽禁带半导体器件的支撑和重要基础。简要介绍了宽禁带半导体器件发展面临的设备问题,重点介绍了碳化硅晶体生长炉、碳化硅外延生长炉、碳化硅离子注入机和氮化镓MOCVD四种制约我国宽禁带半导体器件技术发展的关... 宽禁带半导体设备技术是宽禁带半导体器件的支撑和重要基础。简要介绍了宽禁带半导体器件发展面临的设备问题,重点介绍了碳化硅晶体生长炉、碳化硅外延生长炉、碳化硅离子注入机和氮化镓MOCVD四种制约我国宽禁带半导体器件技术发展的关键设备,指出了宽禁带半导体设备技术的未来发展趋势。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 碳化硅 氮化镓 离子注入机 关键设备
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氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化研究 被引量:5
15
作者 张书明 杨辉 +7 位作者 段俐宏 王海 李秉成 王胜国 吴启保 章裕中 胡德进 张双益 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第1期44-47,共4页
氮化镓基蓝、绿光LED在光显示及未来的白光照明领域具有广阔的应用前景,中国科学院半导体研究所和深圳市方大国科光电技术公司利用双方各自的技术优势和资金管理优势,实现了氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化,目前产品已经批量上... 氮化镓基蓝、绿光LED在光显示及未来的白光照明领域具有广阔的应用前景,中国科学院半导体研究所和深圳市方大国科光电技术公司利用双方各自的技术优势和资金管理优势,实现了氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化,目前产品已经批量上市销售。 展开更多
关键词 氮化镓 LED 产业化 发光二极管 绿光 蓝光 工艺技术 中国科学院半导体研究所 深圳市方大国科光电技术公司
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Optimization of top polymer gratings to improve GaN LEDs light transmission 被引量:5
16
作者 Xiaomin Jin 章蓓 +5 位作者 代涛 魏伟 康香宁 张国义 Simeon Trieu Fei Wang 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第10期788-790,共3页
We present a grating model of two-dimensional (2D) rigorous coupled wave analysis (RCWA) to study top diffraction gratings on light-emitting diodes (LEDs). We compare the integrated-transmission of the non-grati... We present a grating model of two-dimensional (2D) rigorous coupled wave analysis (RCWA) to study top diffraction gratings on light-emitting diodes (LEDs). We compare the integrated-transmission of the non-grating, rectangular-grating, and triangular-grating cases for the same grating period of 6 μm, and show that the triangular grating has the best performance. For the triangular grating with 6-μm period, the LED achieves the highest light transmission at 6-μm grating bottom width and 2.9-μm grating depth. Compared with the non-grating case, the optimized light transmission improvement is about 74.6%. The simulation agrees with the experimental data of the thin polymer grating encapsulated flip-chip (FC) GaN-based LEDs for the light extraction improvement. 展开更多
关键词 ABS resins gallium alloys gallium nitride Light emitting diodes Light transmission Optical properties Organic light emitting diodes (OLED) Polymers Semiconducting gallium TRANSPARENCY
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基于GaN器件的高功率密度LLC谐振变换器的研究 被引量:9
17
作者 魏小富 陈神炀 +2 位作者 朱宏铿 杨旭 郭翔 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2019年第8期63-70,共8页
随着信息技术、计算机技术、5G商业应用、大数据中心建设的迅猛发展,对高功率、高效率的通信电源存在巨大需求。氮化镓(Gallium nitride)器件具有高开关速度、低导通电阻、无反向恢复损耗等特点;LLC谐振拓扑可以实现原边功率管零电压导... 随着信息技术、计算机技术、5G商业应用、大数据中心建设的迅猛发展,对高功率、高效率的通信电源存在巨大需求。氮化镓(Gallium nitride)器件具有高开关速度、低导通电阻、无反向恢复损耗等特点;LLC谐振拓扑可以实现原边功率管零电压导通、整流管零电流关断,将二者结合可以在高效率前提下进一步提高开关频率,提升功率密度。本文针对5G基站通信电源扩容中对高功率、高效率、高密度单模块电源的需求,通过原边功率管ZVS、功率器件损耗条件对谐振腔参数Ln、Q进行优化设计,结合最新高频同步整流驱动芯片NCP4305和平面变压器技术,采用全氮化镓器件作为功率管,设计并制作了一款560W,300V输入、37.5V输出的LLC谐振变换器原理样机。功率密度达到13.1W/cm^3,最高效率可达到94.48%,实验验证了设计方案的正确性。 展开更多
关键词 LLC谐振变换器 高功率密度 氮化镓 同步整流
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ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率 被引量:8
18
作者 胡金勇 黄华茂 +1 位作者 王洪 胡晓龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期613-617,共5页
使用现有生产线上工艺成熟且成本低廉的技术实现ITO粗化以提高GaN基LED蓝光芯片的出光效率是产业界重要的研究课题。本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ITO表面粗化,有效地提高了LED芯片的输出光功率。输入电流为20 mA时,ITO层制... 使用现有生产线上工艺成熟且成本低廉的技术实现ITO粗化以提高GaN基LED蓝光芯片的出光效率是产业界重要的研究课题。本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ITO表面粗化,有效地提高了LED芯片的输出光功率。输入电流为20 mA时,ITO层制备密集分布的三角周期圆孔阵列后,芯片输出光功率提升11.4%,但正向电压升高0.178 V;微结构优化设计后,芯片输出光功率提升8.2%,正向电压仅升高0.044 V。小电流注入时,密集分布的三角周期圆孔阵列有利于获得较高的输出光功率。大电流注入时,这种结构将导致电流拥挤,芯片的电光转化效率衰减严重。经过优化设计后的微结构阵列器件,具有较高的电注入效率,因此芯片的出光效率较高且随输入电流的增加而衰减的趋势较慢,因此更适合大电流下工作。 展开更多
关键词 LED ITO 表面粗化 出光效率
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微型发光二极管全彩色显示研究进展(特邀) 被引量:2
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作者 黄丽香 韩冰 +5 位作者 闫龙 赵项杰 朱酉良 林肖 李梓维 潘安练 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2024年第1期420-429,共10页
基于发光二极管的显示技术在电视、电脑、手机等终端产品上获得了广泛应用。与传统液晶显示器和有机发光二极管屏幕相比,微型发光二极管(Micro-LED)显示器件在尺寸、性能、功耗、使用寿命等方面均具有显著优势。总结了Micro-LED全彩色... 基于发光二极管的显示技术在电视、电脑、手机等终端产品上获得了广泛应用。与传统液晶显示器和有机发光二极管屏幕相比,微型发光二极管(Micro-LED)显示器件在尺寸、性能、功耗、使用寿命等方面均具有显著优势。总结了Micro-LED全彩色显示的技术类别和产品应用场景,综述了实现Micro-LED全彩色显示的最新研究进展,包括巨量转移技术、色转换层集成技术和外延芯片单片集成技术,并进一步比较分析这些技术的优缺点,展望了Micro-LED全彩色显示技术的未来发展。 展开更多
关键词 发光二极管 显示技术 单片集成 巨量转移 氮化镓
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福建省氮化镓外延专利技术现状与发展建议
20
作者 许鲜 《广东化工》 CAS 2024年第5期72-74,共3页
氮化镓作为宽禁带半导体材料的代表之一,在电力电子、微波通信、光伏逆变、照明等应用领域具有硅材料无法企及的优势,有重大战略意义。本文以氮化镓外延技术专利活动情况为研究目标,从专利申请趋势、专利地域分布、主要申请人和技术领... 氮化镓作为宽禁带半导体材料的代表之一,在电力电子、微波通信、光伏逆变、照明等应用领域具有硅材料无法企及的优势,有重大战略意义。本文以氮化镓外延技术专利活动情况为研究目标,从专利申请趋势、专利地域分布、主要申请人和技术领域分布等角度进行对比分析,梳理专利技术现状,并对福建省氮化镓外延技术发展提出相关建议。 展开更多
关键词 氮化镓 氮化镓外延 宽禁带半导体 专利分析 专利布局
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