位移损伤剂量法评估空间GaAs/Ge太阳电池辐照损伤过程 被引量：12

1

作者 吴宜勇 岳龙 +8 位作者 胡建民 蓝慕杰 肖景东 杨德庄 何世禹 张忠卫 王训春 钱勇 陈鸣波 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期723-732,共10页

本文针对GaAs/Ge太阳电池,利用位移损伤剂量法研究了其在轨服役条件下的性能退化行为.首先在地面模拟辐照环境中,试验获得了在不同能量的电子和质子辐照下的电池性能随辐照注量的退化行为.基于上述实验结果以及计算获得的带电粒子在电... 本文针对GaAs/Ge太阳电池,利用位移损伤剂量法研究了其在轨服役条件下的性能退化行为.首先在地面模拟辐照环境中,试验获得了在不同能量的电子和质子辐照下的电池性能随辐照注量的退化行为.基于上述实验结果以及计算获得的带电粒子在电池中的非电离能量损失(NIEL)获得了不同能量电子辐照位移损伤的等效指数n为1.7,电子损伤剂量转化为质子损伤剂量等效系数为5.2,并进一步建立了电池性能随位移损伤剂量的退化方程.利用该方法对国产GaAs/Ge太阳电池在500,22000和36000km轨道带电粒子辐照条件下电性能退化行为以及不同厚度玻璃盖片对电池损伤的防护效果进行了评价. 展开更多

关键词 gaas/ge太阳电池 辐照损伤 带电粒子 位移损伤剂量

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GaAs/Ge太阳电池抗电子辐射研究 被引量：10

2

作者 张新辉 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期17-21,共5页

锗砷化镓(GaAs/Ge)太阳电池抗电子辐射试验研究是高性能航天应用太阳能电源的基础研究项目。对这种电池进行了1×1013e/cm2 、1×1014e/cm2 、6×1014e/cm2 、1×1015e/cm2、1.69×1015e/cm2 等辐射总量的试验。在1... 锗砷化镓(GaAs/Ge)太阳电池抗电子辐射试验研究是高性能航天应用太阳能电源的基础研究项目。对这种电池进行了1×1013e/cm2 、1×1014e/cm2 、6×1014e/cm2 、1×1015e/cm2、1.69×1015e/cm2 等辐射总量的试验。在1×1015e/cm2辐射下,开路电压、短路电流和转换效率分别衰减了9.27%、11.25%和19.35%。电子辐射后,电池在长波长方光谱响应衰降较多,电池深能级瞬态谱分析表明带隙中引入了0.42 eV、0.43 eV的深能级。为提高电池的耐辐射性能,要改进电池制作工艺,提高电池各半导体层均匀性,减小电池结深和减小电池有效部分的厚度。 展开更多

关键词 gaas/ge太阳电池 抗电子辐射 电池性能 光谱响应曲线

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空间实用GaAs/Ge太阳电池高能质子辐射效应研究 被引量：3

3

作者 王荣 张新辉 +2 位作者 郭增良 翟佐绪 朱升云 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期432-435,共4页

用能量为5—20MeV,注量为1×109—7×1013 cm-2的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系,并进行了微观机理的讨论。研究结果表明,注量低于1×109 cm-2的质子辐照不会引起太阳... 用能量为5—20MeV,注量为1×109—7×1013 cm-2的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系,并进行了微观机理的讨论。研究结果表明,注量低于1×109 cm-2的质子辐照不会引起太阳电池性能的变化; 注量高于1×109 cm-2辐照,会引起太阳电池性能的改变。当注量为3×1012 cm-2时,5、10、20 MeV质子辐照引起太阳电池性能参数Isc衰降变化分别是原值的80%、86%、90%;Voc衰降变化分别为原值的82%、85%、88%;Pmax衰降的变化分别为原值的60%、64%、67%。当辐照注量为5×1013 cm-2时,5、10、20 MeV质子辐照引起Pmax衰降的变化分别为原值的26%、30%、36%。即随着注量的增加,太阳电池性能衰降增大;且相同注量的辐照,质子能量愈高,太阳电池性能衰降愈小。这与质子在电池材料中的能量损失和辐照引入的深能级Ec-0.41eV有关。 展开更多

关键词 gaas/ge太阳电池 质子 辐照效应

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质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较 被引量：5

4

作者 孙旭芳 王荣 +2 位作者 刘运宏 郭增良 张新辉 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期489-491,共3页

利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐... 利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同. 展开更多

关键词 gaas/ge太阳电池 质子辐照 电子辐照

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100keV质子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池光电效应的影响 被引量：5

5

作者 赵慧杰 何世禹 +6 位作者 孙彦铮 孙强 肖志斌 吕伟 黄才勇 肖景东 吴宜勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期404-410,共7页

利用空间环境模拟设备,用固定能量为100keV、注量为1×109—3×1012cm-2的质子,对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行了辐照试验.利用伏安(I-V)特性、光谱响应和光致发光(PL)光谱测试,研究分析了电池的光电效应.试验表明,电池的各种... 利用空间环境模拟设备,用固定能量为100keV、注量为1×109—3×1012cm-2的质子,对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行了辐照试验.利用伏安(I-V)特性、光谱响应和光致发光(PL)光谱测试,研究分析了电池的光电效应.试验表明,电池的各种电性能参数如短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、最大输出功率(Pm)和填充因子(FF)都因质子辐照注量的增加,出现不同程度的衰降.在质子能量相同条件下,电池电性能衰降均随照射注量增大而增大.质子辐照对材料的光电性能具有破坏性的影响.这种破坏性是由于质子辐照引入的大量缺陷,使晶格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加所致. 展开更多

关键词 gaas/ge太阳电池 质子辐照 光电效应

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50-170keV质子照射对GaAs／Ge太阳能电池光谱响应的影响 被引量：2

6

作者 赵慧杰 何世禹 +3 位作者 肖志彬 孙彦铮 肖景东 张益君 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期31-34,共4页

用固定能量(100 keV)不同注量(1×10^(11)-3×10^(12)cm^(-2))或固定注量(3×10^(12)cm^(-2))不同能量(50-170 keV)的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系。结果表明,质子辐照对材... 用固定能量(100 keV)不同注量(1×10^(11)-3×10^(12)cm^(-2))或固定注量(3×10^(12)cm^(-2))不同能量(50-170 keV)的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系。结果表明,质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响。这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷,使品格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加。在质子能量相同的条件下,电池光学性能衰降随照射注量增大;在注量相同的条件下,辐射能量越高,太阳电池光学性能衰降越大。 展开更多

关键词 gaas/ge太阳电池 质子辐射 光谱响应

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国产GaAs/Ge太阳电池在轨行为评价 被引量：3

7

作者 胡建民 吴宜勇 +3 位作者 何松 钱勇 陈鸣波 杨德庄 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1568-1573,共6页

研究了电子和质子辐照下国产GaAs/Ge太阳电池电学性能退化规律。结果表明:小于200keV质子辐照下国内外GaAs/Ge电池等效损伤系数明显不同,原因是国内外太阳电池结构参数的不同引起的。高能质子和电子辐照下,国内外电池等效损伤系数结果相... 研究了电子和质子辐照下国产GaAs/Ge太阳电池电学性能退化规律。结果表明:小于200keV质子辐照下国内外GaAs/Ge电池等效损伤系数明显不同,原因是国内外太阳电池结构参数的不同引起的。高能质子和电子辐照下,国内外电池等效损伤系数结果相近,和电池结构关系不大,这是由于高能质子和能够造成电池位移损伤的电子更容易穿透电池,在电池中产生均匀损伤。通过计算透过防护盖片后的带电粒子能谱对JPL(Jet Propulsion Labo-ratory)的等效注量法进行了改进,在地球同步轨道环境下评价了国产GaAs/Ge太阳电池的在轨行为。 展开更多

关键词 gaas/ge太阳电池 辐射效应 相对损伤系数 在轨行为

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1MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池变温光致发光研究 被引量：3

8

作者 郑勇 肖鹏飞 +1 位作者 易天成 王荣 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期568-570,共3页

对1 MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池在30~290K温度范围进行了变温光致发光光谱测量,分析了辐照电池样品的发光峰位、发光强度随温度的变化.并用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合,得出了辐照太阳电池的非辐射复合中心分别为H2... 对1 MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池在30~290K温度范围进行了变温光致发光光谱测量,分析了辐照电池样品的发光峰位、发光强度随温度的变化.并用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合,得出了辐照太阳电池的非辐射复合中心分别为H2（EV＋0.41eV）和H3（EV＋0.71eV）. 展开更多

关键词 gaas/ge太阳电池 电子辐照 光致发光 非辐射复合中心

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国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究 被引量：2

9

作者 王荣 司戈丽 +2 位作者 张新辉 郭增良 翟佐绪 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期507-510,共4页

研究了国产卫星用背场Ｓｉ太阳电池和ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能随质子辐照注量１×１０９ －５ × １０１３ ｃｍ－２的变化．实验表明，２种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势．背场 Ｓｉ太阳电池性能参数短... 研究了国产卫星用背场Ｓｉ太阳电池和ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能随质子辐照注量１×１０９ －５ × １０１３ ｃｍ－２的变化．实验表明，２种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势．背场 Ｓｉ太阳电池性能参数短路电流Ｉｓｃ和最大输出功率Ｐｍａｘ衰降变化快，辐照注量为２ × １０１０ｃｍ－２时， Ｐｍａｘ就已衰降为原值的７５％，而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池对应相同的衰降辐照注量达８×１０１１ｃｍ－２，且 Ｉｓｃ和Ｐｍａｘ衰降变化起初缓慢，当辐照注量接近３ × １０１２ ｃｍ－２时才迅速下降．背场Ｓｉ太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ｅｖ＋０．１４ ｅＶ和Ｅｖ＋０．４３ ｅＶ深能级有关，而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ｅｃ－０．４１ ｅＶ深能级有关． 展开更多

关键词 Si太阳能 gaas/ge太阳电池 质子辐照 砷化镓 锗

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GaAs/Ge太阳电池电子辐射效应的移位损伤剂量分析 被引量：2

10

作者 王荣 刘运宏 +2 位作者 鲁明 冯钊 易天成 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2015年第5期520-522,527,共4页

引入移位损伤剂量,对国产空间用GaAs/Ge太阳电池电子的辐射效应进行研究分析。首先计算电子在电池中的非电离能损(non-ionizing energy loss,NIEL)值,再用其与电子辐射注量的相乘,得到相应的移位损伤剂量(displacement damage dose,Dd)... 引入移位损伤剂量,对国产空间用GaAs/Ge太阳电池电子的辐射效应进行研究分析。首先计算电子在电池中的非电离能损(non-ionizing energy loss,NIEL)值,再用其与电子辐射注量的相乘,得到相应的移位损伤剂量(displacement damage dose,Dd),并对不同能量电子辐射下GaAs/Ge太阳电池最大输出功率Pmax随Dd的衰降曲线进行修正。分析结果表明:用Dd代替辐射注量,可使不同能量电子辐射引起的GaAs/Ge太阳电池Pmax的衰降能用单一曲线来描述。由此,通过NIEL值的计算和相对少的电子实验数据,就可确定太阳电池Pmax的衰降曲线,能够方便地预测在轨任务太阳电池的工作寿命。 展开更多

关键词 gaas/ge太阳电池 移位损伤剂量 电子辐射

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5～20 MeV高能质子辐照对空间实用GaAs/Ge太阳电池性能的影响 被引量：1

11

作者 王荣 司戈丽 +2 位作者 郭增良 张新辉 翟佐绪 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期214-217,共4页

用能量为 5～ 2 0MeV ,注量为 1× 10 9～ 7× 10 13 cm- 2 的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照 ,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系 ,并对变化关系进行了能损模拟分析 .结果表明 :注量低于 1× 10 9cm- 2... 用能量为 5～ 2 0MeV ,注量为 1× 10 9～ 7× 10 13 cm- 2 的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照 ,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系 ,并对变化关系进行了能损模拟分析 .结果表明 :注量低于 1× 10 9cm- 2 的质子辐照不会引起太阳电池性能的变化 ;当注量增加为3× 10 12 cm- 2 时 ,5 ,10 ,2 0MeV质子辐照引起的太阳电池性能参数Isc的衰降变化分别是原值的80 % ,86 % ,90 % ;Voc的衰降变化分别为原值的 82 % ,85 % ,88% ;Pmax的衰降变化分别为原值的6 0 % ,6 4 % ,6 7% .当辐照注量为 5× 10 13 cm- 2 时 ,5 ,10 ,2 0MeV质子辐照引起的Pmax衰降变化分别为原值的 2 6 % ,30 % ,36 % .即随着注量的增加 ,太阳电池性能衰降增大 ;且相同注量的辐照 ,质子能量愈高 ,太阳电池性能衰降愈小 . 展开更多

关键词 5-20MeV 性能 gaas/ge太阳电池 质子辐照 空间实用电池

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质子辐射下GaAs/Ge太阳电池的性能退化 被引量：1

12

作者 赵慧杰 肖景东 +3 位作者 吕伟 孙彦铮 张益君 何世禹 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第10期819-822,共4页

对GaAs/Ge太阳电池进行了质子辐射实验。质子辐射的能量为70～170keV,辐射的剂量为1×109～3×1012cm-2。研究结果表明,GaAs/Ge太阳电池具有一定的抗辐射性能;能量小于200keV的质子辐射中,质子辐射能量相同条件下,随辐射剂量的... 对GaAs/Ge太阳电池进行了质子辐射实验。质子辐射的能量为70～170keV,辐射的剂量为1×109～3×1012cm-2。研究结果表明,GaAs/Ge太阳电池具有一定的抗辐射性能;能量小于200keV的质子辐射中,质子辐射能量相同条件下,随辐射剂量的增加,电池性能参数短路电流Isc、开路电压Uoc、最大功率Pm和填充因子FF衰降增大;质子辐射剂量相同条件下,辐射能量越高,太阳电池性能衰降越大;在所有测试参数中,最大功率Pm的退化最为明显。 展开更多

关键词 gaas/ge太阳电池 质子辐射 性能退化

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0.5MeV质子对玻璃盖片未完全覆盖GaAs/Ge太阳电池的影响

13

作者 王荣 郭增良 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期764-767,共4页

用注量为 1.2× 10 12 ～ 1.2× 10 13 cm-2 的低能量 (0 .5 Me V)质子辐照空间实用 Ga As/ Ge太阳电池 ,电池被覆盖有 4种情况 :10 0 %玻璃覆盖 ,5 %部分无玻璃覆盖有封胶 ,5 %部分无玻璃覆盖无封胶 ,10 0 %无玻璃覆盖 .研究表... 用注量为 1.2× 10 12 ～ 1.2× 10 13 cm-2 的低能量 (0 .5 Me V)质子辐照空间实用 Ga As/ Ge太阳电池 ,电池被覆盖有 4种情况 :10 0 %玻璃覆盖 ,5 %部分无玻璃覆盖有封胶 ,5 %部分无玻璃覆盖无封胶 ,10 0 %无玻璃覆盖 .研究表明 ,电池性能衰降随着质子辐照注量的增加而增大 ,但性能参数 Isc和 Uoc衰降程度 4种覆盖情况是不同的 :10 0 %覆盖 ,电池性能衰降最弱 ;5 %部分无玻璃覆盖有封胶 ,性能衰降较弱 ;5 %部分无玻璃覆盖无封胶 ,衰降较强 ;10 0 %无覆盖性能衰降最大 .研究还表明 ,相同的质子辐照注量引起的 Isc衰降变化比 Uoc变化显著 ;未覆盖部分仅占 5 % ,也会引起电池性能明显衰降 . 展开更多

关键词 0.5MeV质子 未完全覆盖 gaas/ge太阳电池 质子辐照 玻璃覆盖 电池性能衰降

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GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析 被引量：1

14

作者 涂洁磊 王亮兴 +3 位作者 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期192-195,共4页

分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核... 分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核条件,成功获得了效率为20.95%(AM0,25℃,2cm× 4cm)的GaAs/Ge太阳电池. 展开更多

关键词 gaas/ge太阳电池 I-V特性曲线 计算机模拟 界面扩散

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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照损伤效应 被引量：12

15

作者 胡建民 吴宜勇 +2 位作者 钱勇 杨德庄 何世禹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期5051-5056,共6页

研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐照下剂量为1×1015cm-2时,... 研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐照下剂量为1×1015cm-2时,与辐照前相比最大功率衰降了17.7%.暗I-V特性分析表明,高能电子辐照下三结电池串、并联电阻的变化是引起太阳电池电学性能衰降的重要原因.光谱响应分析结果表明,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池电学性能发生明显衰降的主要原因是其GaAs子电池的严重损伤造成的,而GaAs子电池的损伤主要表现为基区底部光生载流子收集效率的明显衰降.提高GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池抗辐照能力的关键在于尽可能地减小GaAs子电池的基区损伤. 展开更多

关键词 GaInP/gaas/ge太阳电池 电子辐照 电学性能 光谱响应

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国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应 被引量：6

16

作者 王荣 刘运宏 +1 位作者 孙旭芳 崔新宇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1599-1602,共4页

运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×1010,1×1011,1×1012和1×1013cm-2.对电池的辐射效应... 运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×1010,1×1011,1×1012和1×1013cm-2.对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析.研究结果表明:随辐照注量的增加,太阳电池性能参数Isc,Voc和Pmax的衰降幅度均增大;但随质子辐照能量的增加,Isc,Voc和Pmax的衰降幅度均减小.实验中0.28MeV质子辐照引起电池Isc,Voc,Pmax衰降最显著,三结电池中光谱响应衰降最明显的是中间GaAs电池. 展开更多

关键词 GaInP/gaas/ge太阳电池 质子辐照 光谱响应

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0．28-2．80MeV质子辐射对空间实用GaInP／GaAs／Ge多结太阳电池性能的影响 被引量：2

17

作者 刘运宏 孙旭芳 王荣 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期47-49,共3页

用0.28、0.62和2.80 MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge多结电池进行质子辐射效应研究。辐照注量为1×10^(12)cm^(-2)。对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析。结果表明:随质子辐照能量的增加,... 用0.28、0.62和2.80 MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge多结电池进行质子辐射效应研究。辐照注量为1×10^(12)cm^(-2)。对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析。结果表明:随质子辐照能量的增加,太阳电池性能参数I_(sc),V_(oc),p_(max)和光谱响应的衰降幅度均减小,0.28MeV质子辐照引起电池性能衰降最显著;低能质子辐照引起中间GaAs电池光谱响应衰降更明显。 展开更多

关键词 GaInP/gaas/ge太阳电池 质子辐照 光谱响应

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GaAs/Ge太阳电池组件无光照检测方法研究 被引量：1

18

作者 程保义 呼文涛 薛梅 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1368-1369,1405,共3页

分析了GaAs/Ge太阳电池在组合和测试方面存在的问题,阐述了GaAs/Ge太阳电池组件进行无光照检测的必要性。通过测试原理分析和试验确定了GaAs/Ge太阳电池组件无光照测试方案,并将测试结果和太阳模拟器(1 Sun,25℃)条件下测试结果进行对... 分析了GaAs/Ge太阳电池在组合和测试方面存在的问题,阐述了GaAs/Ge太阳电池组件进行无光照检测的必要性。通过测试原理分析和试验确定了GaAs/Ge太阳电池组件无光照测试方案,并将测试结果和太阳模拟器(1 Sun,25℃)条件下测试结果进行对比分析,实践表明该方法具有简单、快捷、准确的特点。 展开更多

关键词 无光照检测 gaas/ge太阳电池组件 太阳电池阵

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电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池短路电流退化机制研究 被引量：1

19

作者 齐佳红 胡建民 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2015年第4期89-91,共3页

应用PC1D程序拟合1 Me V电子辐照后Ga In P/Ga As/Ge太阳电池的光谱响应得到少数载流子扩散长度随辐照电子注量的变化关系.结果表明:少数载流子(少子)扩散长度随辐照电子注量增加而减小,少数载流子扩散长度的缩短是太阳电池短路电流退... 应用PC1D程序拟合1 Me V电子辐照后Ga In P/Ga As/Ge太阳电池的光谱响应得到少数载流子扩散长度随辐照电子注量的变化关系.结果表明:少数载流子(少子)扩散长度随辐照电子注量增加而减小,少数载流子扩散长度的缩短是太阳电池短路电流退化的主要原因. 展开更多

关键词 GaInP/gaas/ge太阳电池 电子辐照 PC1D程序 损伤效应

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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术研究进展 被引量：6

20

作者 王祖军 王兴鸿 +7 位作者 晏石兴 唐宁 崔新宇 张琦 石梦奇 黄港 聂栩 赖善坤 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第3期490-504,共15页

文章首先重点介绍了国内外开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子、质子及其他辐射粒子或射线辐照实验的研究进展,然后从辐照损伤效应的仿真模拟研究、抗辐射加固技术、损伤预估方法等方面综述了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应... 文章首先重点介绍了国内外开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子、质子及其他辐射粒子或射线辐照实验的研究进展,然后从辐照损伤效应的仿真模拟研究、抗辐射加固技术、损伤预估方法等方面综述了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术的研究进展,最后梳理了当前GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应研究中亟待解决的关键技术问题,为深入开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应实验方法标准制定、损伤机理分析、在轨寿命预估及抗辐射加固技术研究提供了理论指导和实验技术支持。 展开更多

关键词 GaInP/gaas/ge三结太阳电池 辐照损伤 位移效应 抗辐射加固 电子辐照 质子辐照

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