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高稳晶振短期频率稳定度的仿真分析 被引量:2
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作者 贾丽娜 彭慧丽 +1 位作者 于德江 杨科 《宇航计测技术》 CSCD 2021年第3期27-33,共7页
基于频率源信号时域稳定度的定义,建立了高稳晶振短期频率稳定度的仿真分析模型,能够对频率源输出频率做前处理、不同方差分析、识别噪声类型、并给出置信区间。在此基础上,引入了晶体振荡器老化特性与温度特性的数学模型。通过构建不... 基于频率源信号时域稳定度的定义,建立了高稳晶振短期频率稳定度的仿真分析模型,能够对频率源输出频率做前处理、不同方差分析、识别噪声类型、并给出置信区间。在此基础上,引入了晶体振荡器老化特性与温度特性的数学模型。通过构建不同老化特性与温度特性下晶体振荡器输出频率,在仿真分析模型中定量分析老化特性与温度特性对短期频率稳定度的影响。实际制作并测试了高稳晶振的稳定度,与仿真结果较为一致,验证了这种仿真分析方法的有效性。 展开更多
关键词 晶体振荡器 频率稳定度 老化特性 温频特性 仿真分析
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一种小型高频恒温晶体振荡器设计 被引量:2
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作者 苏霞 韩艳菊 +3 位作者 王巨 罗梦佳 于姗姗 郑鸿耀 《宇航计测技术》 CSCD 2018年第5期43-47,共5页
恒温晶体振荡器因其频率稳定度高、相位噪声低,在军用电子设备和民用通信领域得到广泛的应用。本文介绍了一种100MHz小型恒温晶振,该产品外形尺寸为25.4mm×25.4mm×12.7mm,采用SC切晶体。振荡电路使用改进的Colpitts电路,控温... 恒温晶体振荡器因其频率稳定度高、相位噪声低,在军用电子设备和民用通信领域得到广泛的应用。本文介绍了一种100MHz小型恒温晶振,该产品外形尺寸为25.4mm×25.4mm×12.7mm,采用SC切晶体。振荡电路使用改进的Colpitts电路,控温电路则为双运放直流放大连续控温结构。测试结果表明,产品相位噪声达到-140dBc/Hz@100Hz、-160dBc/Hz@1kHz、-172dBc/Hz@100kHz;短期稳定度达2.11E-12/1s;在-40℃~70℃的工作温度范围内,频率温度稳定性达到±3.0E-8。 展开更多
关键词 恒温晶振 小型化 高频 相位噪声 短期稳定度 频率温度稳定性
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高稳定度低相位噪声温补晶振芯片设计 被引量:2
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作者 黎荣林 黎敏强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期32-36,共5页
设计了一种满足三级钟标准的高稳定度、低相位噪声温补晶体振荡器(TCXO)集成电路芯片。芯片由电压基准电路、压控晶体振荡电路、温度补偿电压产生电路和缓冲电路等模块组成,只需外接石英晶体谐振器和滤波电容便可构成精密的TCXO。温... 设计了一种满足三级钟标准的高稳定度、低相位噪声温补晶体振荡器(TCXO)集成电路芯片。芯片由电压基准电路、压控晶体振荡电路、温度补偿电压产生电路和缓冲电路等模块组成,只需外接石英晶体谐振器和滤波电容便可构成精密的TCXO。温度补偿电压产生电路输出的电压,随温度变化,满足精确的5次多项式函数特征,使得-40~85℃温度内温补晶振输出的频率温度稳定度优于±0.2×10-6;振荡电路采用了低相位噪声设计技术,使19.99 MHz温补晶振的相位噪声优于-142 d Bc/Hz@1 k Hz。芯片采用0.5μm CMOS工艺制造,面积为2.0 mm×2.0 mm,功耗低于15 m W。 展开更多
关键词 温补晶体振荡器(TCXO) 集成电路芯片 频率温度稳定度 相位噪声 互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺
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高稳定SAW振荡器 被引量:1
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作者 程国辉 杨勋 罗贤盛 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第4期262-264,共3页
介绍了高稳定声表面波SZD817型振荡器,它具有优良的频率温度稳定特性,体积小(50mm×30mm×18mm),质量轻(小于50g),相位噪声低,谐波和杂波抑制高,工作温度范围宽(-55~+85°C),可靠性高等特点。一般声表面波振荡器的频率温... 介绍了高稳定声表面波SZD817型振荡器,它具有优良的频率温度稳定特性,体积小(50mm×30mm×18mm),质量轻(小于50g),相位噪声低,谐波和杂波抑制高,工作温度范围宽(-55~+85°C),可靠性高等特点。一般声表面波振荡器的频率温度稳定性都在10-4量级以上。而SZD817型振荡器的频率温度稳定性,在工作温度-55~+85°C情况下为10-6量级,在-40~+70°C情况下达10-7量级。 展开更多
关键词 声表面波振荡器 频率温度稳定性 声表面波压控振荡器
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基于热仿真的高稳恒温晶振的设计 被引量:2
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作者 陈萍萍 《电子器件》 CAS 北大核心 2019年第1期206-209,共4页
高精度的恒温结构是设计高稳恒温晶体振荡器的关键。为了获取高稳定的恒温晶振,根据以往的经验,我们设计了3种恒温槽结构,并运用ANSYS Icepak软件对这3种结构进行热仿真,通过仿真结果比较得出最优方案,最终设计出体积为36 mm×27 mm... 高精度的恒温结构是设计高稳恒温晶体振荡器的关键。为了获取高稳定的恒温晶振,根据以往的经验,我们设计了3种恒温槽结构,并运用ANSYS Icepak软件对这3种结构进行热仿真,通过仿真结果比较得出最优方案,最终设计出体积为36 mm×27 mm×13 mm的恒温晶体振荡器,其频率温度稳定度≤1×10^(-9)。实践证明,Icepak软件进行恒温晶体振荡器的设计,可以优化恒温槽的结构,提高工作效率。 展开更多
关键词 恒温晶体振荡器 热仿真 ANSYSIcepak 恒温结构 频率温度稳定度
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应用于TCXO的新型五次方电压发生器的设计 被引量:1
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作者 陈新伟 于海洋 徐华超 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期813-819,共7页
采用VIS 0.40μm BCD工艺,设计并实现了一种带有修调技术的应用于温度补偿晶体振荡器(TCXO)的新型五次方电压发生器电路,该五次方电压发生器电路主要由五次方电压产生电路与修调电路两部分构成。其中,五次方电压产生电路采用曲线拟合技... 采用VIS 0.40μm BCD工艺,设计并实现了一种带有修调技术的应用于温度补偿晶体振荡器(TCXO)的新型五次方电压发生器电路,该五次方电压发生器电路主要由五次方电压产生电路与修调电路两部分构成。其中,五次方电压产生电路采用曲线拟合技术,相较于传统的乘法器级联结构具有更高的精度;新型修调电路用来改变五次方电压发生器的系数,采用双路开关技术提高了修调结果的精度。仿真结果显示,该五次方电压发生器的最大拟合误差为1.2%。测试结果显示,采用该新型五次方电压发生器电路设计的TCXO,其频率-温度稳定度达到(±0.45)×10^(-6),相位噪声为-135 d Bc/Hz@1 kHz,芯片面积为2 782μm×2 432μm。 展开更多
关键词 五次方电压发生器 温度补偿晶体振荡器(TCXO) 修调电路 频率-温度稳定度 相位噪声
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恒温温补石英晶体振荡器 被引量:1
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作者 黎敏强 孙敏 +1 位作者 陈中平 王占奎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期122-125,共4页
提出了一种恒温温补晶振(OCTCXO)的实现方法,该OCTCXO由两部分组成:温度补偿晶体振荡器(TCXO)和恒温槽。TCXO放置在恒温槽中,恒温槽是一个负反馈自动控制系统,当环境温度小于恒温槽设定的温度时,OCTCXO相当于一个恒温晶体振荡器(OCXO);... 提出了一种恒温温补晶振(OCTCXO)的实现方法,该OCTCXO由两部分组成:温度补偿晶体振荡器(TCXO)和恒温槽。TCXO放置在恒温槽中,恒温槽是一个负反馈自动控制系统,当环境温度小于恒温槽设定的温度时,OCTCXO相当于一个恒温晶体振荡器(OCXO);当环境温度大于恒温槽设定的温度时,恒温槽停止工作,整个OCTCXO的频率-温度稳定性由TCXO决定,由于OCTCXO最高工作温度与恒温槽设定的温度之间的温度区间很小,使得TCXO在该温度区间内的频率-温度稳定性得到较大的改善,从而提高OCTCXO的频率-温度稳定性。实验结果表明,该OCTCXO标称频率10 MHz,在-40~70℃温度范围内频率-温度稳定性为±1×10-7;最大功耗为1.15 W,常温工作时功耗为410 mW;体积为21.0 mm×13.0 mm×5.1 mm。 展开更多
关键词 恒温晶体振荡器 温度补偿晶体振荡器 石英晶体振荡器 频率-温度稳定性 功耗
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MCXO实时在线自动调试测量系统的设计与实现
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作者 陈小林 欧峥伟 +2 位作者 钟亮 王祝盈 谢中 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期103-106,共4页
设计了一套应用于微机补偿晶体振荡器(MCXO)的自动调试测量系统.该系统集成了S&A4220高低温控制箱、高分辨率频率计、PC计算机、以及基于C8051F061单片机的控制器,能够同时调试测量8台MCXO.PC机的控制软件由LabVIEW编程实现,可对MCX... 设计了一套应用于微机补偿晶体振荡器(MCXO)的自动调试测量系统.该系统集成了S&A4220高低温控制箱、高分辨率频率计、PC计算机、以及基于C8051F061单片机的控制器,能够同时调试测量8台MCXO.PC机的控制软件由LabVIEW编程实现,可对MCXO主要技术指标进行自动测量.运用该系统开发的MCXO,在-40^+85℃的宽温度范围内,频率温度稳定度达到±7×10-8. 展开更多
关键词 微机补偿晶体振荡器(MCXO) 自动测量 频率 温度稳定度
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一种用于TCOCXO的数据修调电路
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作者 徐润 张春雷 +2 位作者 胡锦龙 梁科 李国峰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期508-513,共6页
采用VIS 0.15μm BCD工艺设计了一款应用于温度补偿恒温晶体振荡器(TCOCXO)专用集成电路(ASIC)的数据修调电路。该数据修调电路由逻辑控制电路和一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)构成,主要功能是完成TCOCXO ASIC中温度补偿的控制及... 采用VIS 0.15μm BCD工艺设计了一款应用于温度补偿恒温晶体振荡器(TCOCXO)专用集成电路(ASIC)的数据修调电路。该数据修调电路由逻辑控制电路和一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)构成,主要功能是完成TCOCXO ASIC中温度补偿的控制及实现芯片的多模式工作。与通过模拟函数发生器实现的补偿方式相比,使用该数据修调电路实现的温度补偿方法可以实现更高的补偿精度和更小的芯片面积。通过该电路对TCOCXO ASIC进行调试与配置,搭载该ASIC的晶体振荡器在温度为-40~85℃时频率-温度稳定度可达SymbolqB@5×10^(-9)。TCOCXO ASIC的测试结果表明,这种修调方法在减小芯片面积的同时可以实现更高精度的频率-温度补偿。 展开更多
关键词 温度补偿恒温晶体振荡器(TCOCXO) 数据修调 电可擦可编程只读存储器(EEPROM) 频率-温度稳定度 专用集成电路(ASIC)
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CaTiO_3基微波介质陶瓷的频率温度稳定性 被引量:5
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作者 沈杰 周静 +3 位作者 石国强 杨文才 刘韩星 陈文 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期480-485,共6页
通过对克劳修斯-莫索蒂方程的近似,分析了钙钛矿结构微波介质陶瓷频率温度系数(τf)的主要影响因素,发现改变材料介电响应中离子位移极化和电子位移极化的比例,可调节频率温度系数的正负与大小.通过电子结构计算和容忍因子分析,预测引入... 通过对克劳修斯-莫索蒂方程的近似,分析了钙钛矿结构微波介质陶瓷频率温度系数(τf)的主要影响因素,发现改变材料介电响应中离子位移极化和电子位移极化的比例,可调节频率温度系数的正负与大小.通过电子结构计算和容忍因子分析,预测引入(Zn1/3Nb2/3)4+对具有正温度系数的CaTiO3进行B位取代将提高材料电子极化响应比例,调节τf由正变负.采用偏铌酸盐为前驱体,通过固相反应法合成了Ca[(Zn1/3Nb2/3)xTi(1-x)]O3钙钛矿结构陶瓷,并对其进行结构分析和性能测试,实验结果与理论分析一致,获得了具有近零频率温度系数的Ca[(Zn1/3Nb2/3)0.7Ti0.3]O3介质陶瓷材料. 展开更多
关键词 B位复合钙钛矿陶瓷 谐振频率温度稳定性 极化机理 BO6八面体倾斜
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基于C8051F061的微机补偿晶体振荡器 被引量:1
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作者 陈小林 钟亮 +2 位作者 胡上 王祝盈 谢中 《宇航计测技术》 CSCD 2011年第6期41-45,共5页
设计了一种基于C8051F061芯片的新型微机补偿晶体振荡器(简称MCXO)。由于C8051F061单片机丰富的硬件资源、同时充分发挥了软件的作用使得本设计具有结构简单、体积小、功耗低、开机预热时间短等优点,主要技术指标为:频率温度稳定度为... 设计了一种基于C8051F061芯片的新型微机补偿晶体振荡器(简称MCXO)。由于C8051F061单片机丰富的硬件资源、同时充分发挥了软件的作用使得本设计具有结构简单、体积小、功耗低、开机预热时间短等优点,主要技术指标为:频率温度稳定度为±5×10-8(-40℃~+85℃),体积为(35×23×10)mm3,平均功耗不大于60mW。 展开更多
关键词 单片机 晶体振荡器 频率温度稳定度 温度补偿
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基于SC切晶体的高准确度MCXO 被引量:1
12
作者 赵政强 周渭 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z3期19-21,共3页
针对温补晶振在某些场合的应用提出并实现了一种软件数据补偿的特殊微机补偿晶体振荡器 (MCXO)。不同于传统MCXO对振荡器进行压控补偿的原理 ,这种新型的 MCXO根据温度的变化通过计算机以数据的形式不断修正振荡器的输出频率的标称值 ,... 针对温补晶振在某些场合的应用提出并实现了一种软件数据补偿的特殊微机补偿晶体振荡器 (MCXO)。不同于传统MCXO对振荡器进行压控补偿的原理 ,这种新型的 MCXO根据温度的变化通过计算机以数据的形式不断修正振荡器的输出频率的标称值 ,从而达到对振荡器补偿的目的。此外 ,新型 MCXO在温度传感和数据处理的方法上也都有所改进 ,因而 ,与传统的 MCXO相比 ,这种 MCXO结构简单 ,准确度高 ,具有很广的应用前景。 展开更多
关键词 SC切晶体振荡器 MCXO 频率-温度稳定度 自我温度传感
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一种宽温高精度温补晶振的研制 被引量:9
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作者 孙敏 黎敏强 +1 位作者 陈中平 王占奎 《电子科技》 2013年第8期90-92,共3页
介绍了一种新型宽温微机补偿晶体振荡器。文中使用微处理器对专用集成电路芯片设计了温补晶振,分别在高低温区段对输出频率进行分段补偿;增加了噪声处理电路,滤除补偿电压跳变引入的噪声,避免相噪恶化;用二次分段补偿的方法,将补偿温度... 介绍了一种新型宽温微机补偿晶体振荡器。文中使用微处理器对专用集成电路芯片设计了温补晶振,分别在高低温区段对输出频率进行分段补偿;增加了噪声处理电路,滤除补偿电压跳变引入的噪声,避免相噪恶化;用二次分段补偿的方法,将补偿温度范围拓展到-55~+105℃。试验结果表明,使用该方法研制的10 MHz温补晶振,其频率温度稳定性在-55~+105℃范围内,优于±1.0×10-6,相位噪声优于-140 dBc/Hz@1 kHz。 展开更多
关键词 频率温度稳定度 微机补偿温补晶振 相位噪声
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CeO_2、Sb_2O_3掺杂(Na_(0.88)K_(0.12))_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3无铅陶瓷的压电性能研究 被引量:6
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作者 徐任信 陈文 +1 位作者 徐庆 李月明 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期15-19,共5页
采用传统陶瓷的制备方法制备了CeO2(0~1.0wt%)和Sb2O3(0~0.6wt%)掺杂的(Na0.88K0.12)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷。运用XRD技术研究了样品的晶体结构,测试并分析了样品的介电、压电性能以及谐振频率温度系数。结果表明:所有组成均呈三... 采用传统陶瓷的制备方法制备了CeO2(0~1.0wt%)和Sb2O3(0~0.6wt%)掺杂的(Na0.88K0.12)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷。运用XRD技术研究了样品的晶体结构,测试并分析了样品的介电、压电性能以及谐振频率温度系数。结果表明:所有组成均呈三方结构的钙钛矿型固溶体特征。在适当掺杂剂用量范围内,压电陶瓷的压电常数、介电常数和介电损耗升高,而平面机电耦合系数降低。CeO2和Sb2O3掺杂均改善了(Na0.88K0.12)0.5Bi0.5TiO3压电陶瓷频率温度稳定性。 展开更多
关键词 钛酸铋钠 陶瓷 稳定性
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宽温高稳定度的温度补偿技术 被引量:4
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作者 邓敏 陈卫 《电讯技术》 2008年第6期44-46,共3页
通过对常用两种温度补偿方式的比较,介绍了一种改进型双Г电阻补偿网络作为宽温补偿技术。改进型双Г电阻补偿网络集成了桥式电阻网络和双Г电阻网络的优点,在高低温极值处具有更强的补偿能力。试验表明,采用该种补偿网络的温补晶振在-5... 通过对常用两种温度补偿方式的比较,介绍了一种改进型双Г电阻补偿网络作为宽温补偿技术。改进型双Г电阻补偿网络集成了桥式电阻网络和双Г电阻网络的优点,在高低温极值处具有更强的补偿能力。试验表明,采用该种补偿网络的温补晶振在-55℃^+85℃的宽温范围内,频率温度稳定度优于±1×10-6。 展开更多
关键词 晶体振荡器 温度补偿 双Г电阻 频率温度稳定度
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改善高频宽压控晶振频率温度稳定性方法 被引量:1
16
作者 韩艳菊 杨科 郑鸿耀 《宇航计测技术》 CSCD 2014年第6期45-48,共4页
高频宽压控晶体振荡器广泛应用于各种接收机和应答机中,工作温度范围通常为-40℃^+85℃。对于该类晶振,极易出现频率温度稳定性相对于其内部石英谐振器明显恶化的现象。对此,从理论上分析了引起恶化的原因,并提出通过合理控制振荡电路... 高频宽压控晶体振荡器广泛应用于各种接收机和应答机中,工作温度范围通常为-40℃^+85℃。对于该类晶振,极易出现频率温度稳定性相对于其内部石英谐振器明显恶化的现象。对此,从理论上分析了引起恶化的原因,并提出通过合理控制振荡电路的压控范围和石英谐振器的激励功率,可以改善高频宽压控晶振的温频特性。最后,研制并测试了4只102.3MHz压控晶振,结果优于指标要求,充分验证了方法的有效性。 展开更多
关键词 压控晶振 频率-温度稳定性 高频
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