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倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵
被引量：
2
1
作者
裴为华
陈弘达
+6 位作者
邓晖
毛陆虹
杜云
唐君
梁琨
吴荣汉
王启明
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第9期893-896,共4页
报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔...
报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔增强型光探测器面阵与相应的Si基标准CMOS集成电路混合集成在一起,形成具备64×64路光并行接收及处理的大规模光电集成探测器面阵器件,并对光探测器面阵的主要特性进行了测试,测试结果显示该面阵具有均匀的电特性,反向偏压均大于14V,暗电流约为10nA数量级。
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关键词
倒装焊
光探测器面阵
谐振腔增强型
INGAAS/GAAS量子阱
原文传递
高密度陶瓷倒装焊封装可靠性试验开路后的失效定位
被引量：
5
2
作者
李含
郑宏宇
张崤君
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第9期711-716,共6页
陶瓷材料具有优良的综合特性,被广泛应用于高可靠微电子封装。陶瓷倒装焊封装的特殊结构使得对其进行失效分析相较其他传统封装形式更为困难。针对一款在可靠性试验中发生开路的高密度陶瓷倒装焊封装器件,制定了一套从非破坏性到破坏性...
陶瓷材料具有优良的综合特性,被广泛应用于高可靠微电子封装。陶瓷倒装焊封装的特殊结构使得对其进行失效分析相较其他传统封装形式更为困难。针对一款在可靠性试验中发生开路的高密度陶瓷倒装焊封装器件,制定了一套从非破坏性到破坏性的试验方案对其进行分析。通过时域反射计(TDR)测试排除了基板内部失效的可能性,通过X射线(X-ray)检测、超声扫描显微镜(SAM)和光学显微分析初步断定失效位置,并最终通过扫描电子显微镜和X射线能谱仪实现了对该器件的准确的失效定位,确定失效位置为基板端镀Ni层。该失效分析方法对其他陶瓷倒装焊封装的失效检测及分析有一定的借鉴意义。
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关键词
倒装焊器件
失效分析
X射线
超声扫描显微镜(SAM)
扫描电子显微镜和X射线能谱仪(SEM&EDS)
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职称材料
倒装焊器件中Cu/low-k结构热可靠性分析
3
作者
赵明君
《电子工业专用设备》
2010年第2期50-54,共5页
利用有限元软件建立了倒装焊器件的整体模型和Cu/low-k结构的子模型,分析了在固化工艺及后续热循环条件下Cu/low-k结构的热机械可靠性。结果表明:在金属互连线与低电介质材料的交界处容易产生可靠性问题,采用low-k材料及铜互连线时均增...
利用有限元软件建立了倒装焊器件的整体模型和Cu/low-k结构的子模型,分析了在固化工艺及后续热循环条件下Cu/low-k结构的热机械可靠性。结果表明:在金属互连线与低电介质材料的交界处容易产生可靠性问题,采用low-k材料及铜互连线时均增大了两者所受最大等效应力,另外,通孔宽度对low-k及铜线的热应力影响并不明显。
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关键词
电子技术
倒装焊器件
有限元
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职称材料
底充胶固化工艺对低k倒装焊器件可靠性的影响
被引量：
1
4
作者
赵明君
杨道国
牛利刚
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期66-69,共4页
利用四点弯曲实验测试了一组芯片(30片)的强度,使用威布尔统计模型描述了芯片失效率的分布,预测了在后续热循环过程中芯片的失效概率。通过有限元软件研究了底充胶固化工艺对芯片上方垂直开裂应力、焊点等效塑性应变及低k层最大等效应...
利用四点弯曲实验测试了一组芯片(30片)的强度,使用威布尔统计模型描述了芯片失效率的分布,预测了在后续热循环过程中芯片的失效概率。通过有限元软件研究了底充胶固化工艺对芯片上方垂直开裂应力、焊点等效塑性应变及低k层最大等效应力的影响。结果表明:与未经固化的相比,底充胶固化工艺使得芯片的失效率从0.08%增大到0.37%,焊点的等效塑性应变增大约7倍,低k层的最大等效应力增大约18%。
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关键词
低k倒装焊器件
底充胶固化工艺
四点弯曲实验
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职称材料
倒装焊器件尺寸参数对低k层及焊点的影响
5
作者
赵明君
《电子工业专用设备》
2009年第11期6-9,共4页
当前,集成电路制造中低k介质与铜互连集成工艺的引入已经成为一种趋势,因此分析封装器件中低k结构的可靠性是很有必要的。利用有限元软件分析了倒装焊器件的尺寸参数对低k层及焊点的影响。结果表明:减薄芯片,减小PI层厚度,增加焊点高度...
当前,集成电路制造中低k介质与铜互连集成工艺的引入已经成为一种趋势,因此分析封装器件中低k结构的可靠性是很有必要的。利用有限元软件分析了倒装焊器件的尺寸参数对低k层及焊点的影响。结果表明:减薄芯片,减小PI层厚度,增加焊点高度,增加焊盘高度,减小基板厚度能够缓解低k层上的最大等效应力;而减薄芯片,增加PI层厚度,增加焊点高度,减小焊盘高度,减小基板厚度能够降低焊点的等效塑性应变。
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关键词
电子技术
低k倒装焊器件
有限元
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职称材料
题名
倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵
被引量：
2
1
作者
裴为华
陈弘达
邓晖
毛陆虹
杜云
唐君
梁琨
吴荣汉
王启明
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第9期893-896,共4页
基金
国家自然科学重大资助项目(969896260)
国家自然科学基金重点资助项目(69789802)
+2 种基金
国家"863"高技术资助项目(2001AA312080
2002AA312240
2001AA122032)
文摘
报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔增强型光探测器面阵与相应的Si基标准CMOS集成电路混合集成在一起,形成具备64×64路光并行接收及处理的大规模光电集成探测器面阵器件,并对光探测器面阵的主要特性进行了测试,测试结果显示该面阵具有均匀的电特性,反向偏压均大于14V,暗电流约为10nA数量级。
关键词
倒装焊
光探测器面阵
谐振腔增强型
INGAAS/GAAS量子阱
Keywords
Electric
properties
flip
chip
devices
Integrated
circuits
Light
transmission
Resonance
Semiconducting
gallium
arsenide
Semiconducting
indium
gallium
arsenide
Semiconductor
quantum
wells
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
TN305.94
原文传递
题名
高密度陶瓷倒装焊封装可靠性试验开路后的失效定位
被引量：
5
2
作者
李含
郑宏宇
张崤君
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第9期711-716,共6页
文摘
陶瓷材料具有优良的综合特性,被广泛应用于高可靠微电子封装。陶瓷倒装焊封装的特殊结构使得对其进行失效分析相较其他传统封装形式更为困难。针对一款在可靠性试验中发生开路的高密度陶瓷倒装焊封装器件,制定了一套从非破坏性到破坏性的试验方案对其进行分析。通过时域反射计(TDR)测试排除了基板内部失效的可能性,通过X射线(X-ray)检测、超声扫描显微镜(SAM)和光学显微分析初步断定失效位置,并最终通过扫描电子显微镜和X射线能谱仪实现了对该器件的准确的失效定位,确定失效位置为基板端镀Ni层。该失效分析方法对其他陶瓷倒装焊封装的失效检测及分析有一定的借鉴意义。
关键词
倒装焊器件
失效分析
X射线
超声扫描显微镜(SAM)
扫描电子显微镜和X射线能谱仪(SEM&EDS)
Keywords
flip
-
chip
devic
e
failure
analysis
X-ray
scanning
acoustic
microscope（SAM）
scanning
electron
microscope
and
energy
dispersive
X-ray
spectrometer（SEM＆EDS）
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
倒装焊器件中Cu/low-k结构热可靠性分析
3
作者
赵明君
机构
桂林电子科技大学机电工程学院
出处
《电子工业专用设备》
2010年第2期50-54,共5页
文摘
利用有限元软件建立了倒装焊器件的整体模型和Cu/low-k结构的子模型,分析了在固化工艺及后续热循环条件下Cu/low-k结构的热机械可靠性。结果表明:在金属互连线与低电介质材料的交界处容易产生可靠性问题,采用low-k材料及铜互连线时均增大了两者所受最大等效应力,另外,通孔宽度对low-k及铜线的热应力影响并不明显。
关键词
电子技术
倒装焊器件
有限元
Keywords
Electron
technology
flip
chip
devic
e
FEM
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
底充胶固化工艺对低k倒装焊器件可靠性的影响
被引量：
1
4
作者
赵明君
杨道国
牛利刚
机构
桂林电子科技大学机电工程学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期66-69,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60666002)
文摘
利用四点弯曲实验测试了一组芯片(30片)的强度,使用威布尔统计模型描述了芯片失效率的分布,预测了在后续热循环过程中芯片的失效概率。通过有限元软件研究了底充胶固化工艺对芯片上方垂直开裂应力、焊点等效塑性应变及低k层最大等效应力的影响。结果表明:与未经固化的相比,底充胶固化工艺使得芯片的失效率从0.08%增大到0.37%,焊点的等效塑性应变增大约7倍,低k层的最大等效应力增大约18%。
关键词
低k倒装焊器件
底充胶固化工艺
四点弯曲实验
Keywords
low-k
flip
chip
devic
e
curing
process
of
the
underfill
four-point
bending
test
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
倒装焊器件尺寸参数对低k层及焊点的影响
5
作者
赵明君
机构
桂林电子科技大学机电工程学院
出处
《电子工业专用设备》
2009年第11期6-9,共4页
文摘
当前,集成电路制造中低k介质与铜互连集成工艺的引入已经成为一种趋势,因此分析封装器件中低k结构的可靠性是很有必要的。利用有限元软件分析了倒装焊器件的尺寸参数对低k层及焊点的影响。结果表明:减薄芯片,减小PI层厚度,增加焊点高度,增加焊盘高度,减小基板厚度能够缓解低k层上的最大等效应力;而减薄芯片,增加PI层厚度,增加焊点高度,减小焊盘高度,减小基板厚度能够降低焊点的等效塑性应变。
关键词
电子技术
低k倒装焊器件
有限元
Keywords
Electron
technology
Low-K
flip
chip
devic
e
FEM
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵
裴为华
陈弘达
邓晖
毛陆虹
杜云
唐君
梁琨
吴荣汉
王启明
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
原文传递
2
高密度陶瓷倒装焊封装可靠性试验开路后的失效定位
李含
郑宏宇
张崤君
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
5
下载PDF
职称材料
3
倒装焊器件中Cu/low-k结构热可靠性分析
赵明君
《电子工业专用设备》
2010
0
下载PDF
职称材料
4
底充胶固化工艺对低k倒装焊器件可靠性的影响
赵明君
杨道国
牛利刚
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
下载PDF
职称材料
5
倒装焊器件尺寸参数对低k层及焊点的影响
赵明君
《电子工业专用设备》
2009
0
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职称材料
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