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几何结构对Fe薄膜反常能斯特效应的影响
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作者 张志忠 张小伟 《西南科技大学学报》 CAS 2024年第1期38-43,共6页
反常能斯特效应(Anomalous Nernst effect,ANE)是一种利用磁性材料进行热电转换的效应。利用磁控溅射方法在Si基底上沉积生长Fe薄膜,探究了薄膜的厚度及几何尺寸对反常能斯特效应的影响。结果表明:Fe薄膜的厚度越小,ANE越明显,当薄膜厚... 反常能斯特效应(Anomalous Nernst effect,ANE)是一种利用磁性材料进行热电转换的效应。利用磁控溅射方法在Si基底上沉积生长Fe薄膜,探究了薄膜的厚度及几何尺寸对反常能斯特效应的影响。结果表明:Fe薄膜的厚度越小,ANE越明显,当薄膜厚度增加到50 nm以上时,ANE趋于不变,这与Fe薄膜电阻率随厚度的变化规律一致;在温差一定时,反常能斯特电压和Fe薄膜的宽长比成正比,即薄膜越宽电压信号越强,但在单位宽度下薄膜产生的反常能斯特电压维持不变,说明薄膜的几何尺寸对ANE有较大的影响。研究结果对反常能斯特效应相关器件设计具有指导意义。 展开更多
关键词 反常能斯特效应 热电效应 磁控溅射 fe薄膜
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基底材料对磁控共溅射Al-Cu-Fe薄膜特性的影响 被引量:1
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作者 周细应 薛向融 徐洲 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1741-1743,共3页
采用磁控共溅射工艺来制备Al-Cu-Fe薄膜,选用抛光状态的纯Al、纯Cu和不同粗糙度的不锈钢基作为基底材料。通过原子力显微镜分析薄膜的表面形貌,利用扫描电镜能谱仪分析薄膜的元素含量;通过MTS纳米力学综合测试系统分析薄膜的结合强度和... 采用磁控共溅射工艺来制备Al-Cu-Fe薄膜,选用抛光状态的纯Al、纯Cu和不同粗糙度的不锈钢基作为基底材料。通过原子力显微镜分析薄膜的表面形貌,利用扫描电镜能谱仪分析薄膜的元素含量;通过MTS纳米力学综合测试系统分析薄膜的结合强度和摩擦因数。分析结果表明:不锈钢作为基底材料的薄膜与基体的结合强度最大,其次为纯铝和纯铜。纯铜基底薄膜的摩擦因数最大,达到0.17,其余两种薄膜的摩擦因数均不大于0.03。而薄膜表面形貌与基底材料的原始形貌有直接的联系,基底原始粗糙度越小,薄膜的表面组织也越细;基底原始粗糙度越大,薄膜表面形成的晶粒的团聚越明显。 展开更多
关键词 Al—Cu—fe薄膜 磁控共溅射 基底材料 表面形貌 结合强度 粗糙度
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氮化铁薄膜的结构及磁性研究 被引量:2
3
作者 王丽丽 毕冬梅 +1 位作者 宫杰 宗占国 《长春大学学报》 2005年第6期46-47,共2页
采用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体在玻璃基片上沉积了单相γ-′Fe4N薄膜,采用X射线衍射(XRD)和超导量子干涉仪(SQUID)对所制备的样品进行了结构和磁性性能分析,研究了基片温度对薄膜的结构和磁性性能的影响。
关键词 基片温度 fe-N薄膜 结构 磁性
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γ′-Fe_4N薄膜的制备及其磁性 被引量:2
4
作者 王丽丽 支文 +4 位作者 赵利军 王欣 马楠 金丹红 郑伟涛 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期275-278,共4页
采用直流磁控溅射方法,以Ar/N2为放电气体(N2/(Ar+N2)=10%),在玻璃和NaCl(100)单晶片上分别沉积获得Fe-N薄膜样品.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和超导量子干涉仪(SQUID)对样品的结构、形貌和磁性能进行分析,研究基片和基片温... 采用直流磁控溅射方法,以Ar/N2为放电气体(N2/(Ar+N2)=10%),在玻璃和NaCl(100)单晶片上分别沉积获得Fe-N薄膜样品.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和超导量子干涉仪(SQUID)对样品的结构、形貌和磁性能进行分析,研究基片和基片温度等条件对薄膜的影响.结果表明,以NaCl单晶为基片获得单相γ′-Fe4N薄膜,与玻璃基片相比可降低其生成的基片温度并可扩大形成温度的范围,且比饱和磁化强度略有增大. 展开更多
关键词 fe-N薄膜 结构 磁性
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偏压对直流磁控溅射Fe-N薄膜结构及性能的影响 被引量:1
5
作者 李伟力 郑晓航 +1 位作者 周庚衡 薛宗伟 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期773-775,780,共4页
为了揭示偏压对溅射态Fe-N薄膜磁学行为的影响规律及机理,采用直流磁控溅射工艺在不同偏压下制备了Fe-N薄膜.利用掠入射X射线衍射、小角X射线散射技术和振动样品磁强计研究了薄膜的相结构、厚度、表面粗糙度以及磁性能.结果表明,增加偏... 为了揭示偏压对溅射态Fe-N薄膜磁学行为的影响规律及机理,采用直流磁控溅射工艺在不同偏压下制备了Fe-N薄膜.利用掠入射X射线衍射、小角X射线散射技术和振动样品磁强计研究了薄膜的相结构、厚度、表面粗糙度以及磁性能.结果表明,增加偏压有利于薄膜中非晶的形成,且随着偏压的增大,薄膜的厚度增加,表面粗糙度降低.Fe-N薄膜的磁性能表明,随着偏压的增加,薄膜的饱和磁化强度和矫顽力均有不同程度的减小.偏压的增加导致Fe-N薄膜由晶态向非晶态转变,从而引起磁性能的改变. 展开更多
关键词 fe-N薄膜 偏压 膜厚 表面粗糙度 磁性能
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射频磁控溅射高饱和磁化强度Fe-N薄膜 被引量:1
6
作者 姜恩永 陈逸飞 +1 位作者 李志青 白海力 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期573-576,共4页
用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气... 用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2Pa,基片温度为100~150℃时,最有利于α-″Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735T,超过纯Fe的饱和磁化强度值. 展开更多
关键词 fe-N薄膜 饱和磁化强度 射频磁控溅射
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基片温度对Fe-N化合物薄膜制备及磁性能的影响
7
作者 郭治天 韩奎 《电工材料》 CAS 2004年第1期24-27,共4页
用X射线衍射仪和振动样品磁强计研究了双离子束溅射法制备的Fe-N薄膜的相组成和磁性能。结果表明 ,基片温度对不同基片上制得的薄膜的结构和磁性能有显著影响。基片温度为250℃和300℃时 ,在 (111)硅片基片上制得无晶粒择优取向的单一γ... 用X射线衍射仪和振动样品磁强计研究了双离子束溅射法制备的Fe-N薄膜的相组成和磁性能。结果表明 ,基片温度对不同基片上制得的薄膜的结构和磁性能有显著影响。基片温度为250℃和300℃时 ,在 (111)硅片基片上制得无晶粒择优取向的单一γ′-Fe4N相 ;基片温度为160℃时 ,可在玻璃基片上制得具有 (100)面晶粒取向的单一γ′-Fe4N相薄膜。薄膜磁性测量表明 ,与无晶粒择优取向的γ′-Fe4N相比较 ,具有 (100)面晶粒取向的γ′-Fe4N相的矫顽力较低 ,易达到磁饱和 。 展开更多
关键词 基片温度 fe-N化合物薄膜 磁性能 双离子束溅射法 X射线衍射仪 绝缘材料
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衬底温度对Fe-N薄膜结构、形貌及磁性能的影响
8
作者 王丽丽 王欣 +2 位作者 宫杰 郑伟涛 宗占国 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1838-1842,共5页
采用直流磁控溅射方法,以Ar和N2作为放电气体,在单晶Si(100)衬底上沉积了Fe-N薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)和超导量子干涉仪(SQUIDS)对所制备的样品进行了结构、成分、形貌和磁性能分析... 采用直流磁控溅射方法,以Ar和N2作为放电气体,在单晶Si(100)衬底上沉积了Fe-N薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)和超导量子干涉仪(SQUIDS)对所制备的样品进行了结构、成分、形貌和磁性能分析,研究了衬底温度对薄膜的结构、形貌和磁性能的影响。结果表明:衬底温度对Fe-N薄膜的结构有重要的影响,通过控制衬底温度可以获得单相γ-′Fe4N化合物薄膜;γ-′Fe4N具有较高的饱和磁化强度,是非常有应用前景的磁记录介质及磁头功能材料。 展开更多
关键词 fe-N薄膜 衬底温度 磁性能
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溅射气压对Ni_(80)Fe_(20)薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响 被引量:6
9
作者 王合英 陈欢 +2 位作者 梁栋 张智巍 孙文博 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2180-2183,共4页
为改善Ni80Fe20薄膜的性能,研究不同溅射气压对薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响。用磁控溅射方法制备Ni80Fe20薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析其结构,用四探针方法测量其各向异性磁电阻。实验研究发现,较高的溅射气压下制备的Ni... 为改善Ni80Fe20薄膜的性能,研究不同溅射气压对薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响。用磁控溅射方法制备Ni80Fe20薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析其结构,用四探针方法测量其各向异性磁电阻。实验研究发现,较高的溅射气压下制备的Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻比较低,薄膜磁化到饱和需要的磁场也比较大。在较低的溅射气压(0.2、0.5 Pa)下制备的Ni80Fe20薄膜具有较高的各向异性磁电阻3.7%和4.2%,而且饱和磁化场低(低于1kA/m)。分析结果表明随着溅射气压的变化,Ni80Fe20薄膜的晶格常数、颗粒大小和均匀性等微结构发生变化,导致薄膜的各向异性磁电阻效应差别很大。 展开更多
关键词 Ni80fe20薄膜 结构 各向异性磁电阻 溅射气压
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基片温度对Ni_(81)Fe_(19)薄膜结构和各向异性磁电阻的影响 被引量:6
10
作者 何建方 王书运 王存涛 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期20-23,共4页
利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻。... 利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻。结果表明,基片温度对薄膜的各向异性磁电阻及饱和场有显著影响,随着基片温度的升高,薄膜各向异性磁电阻随之增大,饱和场则相反。基片温度在400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻比和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻比为4.23%,最低磁化饱和场为739.67A/m;随着缓冲层厚度的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。 展开更多
关键词 Ni81fe19薄膜 基片温度 结构 各向异性磁电阻 磁控溅射 缓冲层厚度
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医用316L不锈钢表面沉积Fe/Pt和Pt/Fe/Pt磁性薄膜的研究 被引量:3
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作者 杨治军 周廉 +3 位作者 李争显 于振涛 罗丽娟 蔡玉荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1960-1963,共4页
采用真空电弧离子镀技术,在316L医用不锈钢基片上沉积Fe/Pt和Pt/Fe/Pt多层膜。Fe/Pt和Pt/Fe/Pt薄膜在初始沉积态是无序的fcc结构,经扩散热处理,发生相变,转变为fct有序结构的L10型Fe/Pt和Pt/Fe/Pt薄膜。经SEM、XRD分析和磁性测量表明:3... 采用真空电弧离子镀技术,在316L医用不锈钢基片上沉积Fe/Pt和Pt/Fe/Pt多层膜。Fe/Pt和Pt/Fe/Pt薄膜在初始沉积态是无序的fcc结构,经扩散热处理,发生相变,转变为fct有序结构的L10型Fe/Pt和Pt/Fe/Pt薄膜。经SEM、XRD分析和磁性测量表明:316L医用不锈钢表面可沉积均匀致密的Fe/Pt和Pt/Fe/Pt薄膜,经扩散热处理后,Fe-Pt形成了明显的扩散层,fcc结构的Fe/Pt和Pt/Fe/Pt薄膜部分转变为了fct结构,通过硬磁fct相与软磁fcc相的交换耦合作用,剩磁有了很大的提高。 展开更多
关键词 316L不锈钢 磁性薄膜 电弧离子镀 fe/Pt和Pt/fe/Pt薄膜
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基片温度对Ni_(80)Fe_(20)薄膜结构和各向异性磁电阻的影响 被引量:4
12
作者 王合英 沙文杰 +1 位作者 陈欢 孙文博 《金属功能材料》 CAS 2007年第2期1-4,共4页
本文用磁控溅射方法制备出一系列Ni80Fe20磁性薄膜,研究不同基片温度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。基片温度在150~180℃时制备的Ni80Fe20薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场。X射线衍射仪和扫描电子显微镜测... 本文用磁控溅射方法制备出一系列Ni80Fe20磁性薄膜,研究不同基片温度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。基片温度在150~180℃时制备的Ni80Fe20薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场。X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量结果表明,基片温度通过改变薄膜的晶体结构、晶粒大小和均匀性等微观结构改变薄膜的零场电阻率和各向异性磁电阻,文章对实验结果做出了详细分析。 展开更多
关键词 Ni80fe20薄膜 基片温度 结构 各向异性磁电阻
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磁场退火温度对Ni_(80)Fe_(20)薄膜磁畴结构的影响研究 被引量:5
13
作者 陈森 张师平 +2 位作者 吴平 徐建 向勇 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2013年第3期56-59,共4页
利用电子束真空蒸发方法制备了厚度100nm的Ni80Fe20薄膜,研究了磁场退火温度对薄膜磁畴结构的影响。利用振动样品磁强计测量了磁滞回线,利用磁力显微镜观察了薄膜的表面形貌和磁畴结构。结果表明:磁畴结构为明显的条状畴,磁畴宽度最大... 利用电子束真空蒸发方法制备了厚度100nm的Ni80Fe20薄膜,研究了磁场退火温度对薄膜磁畴结构的影响。利用振动样品磁强计测量了磁滞回线,利用磁力显微镜观察了薄膜的表面形貌和磁畴结构。结果表明:磁畴结构为明显的条状畴,磁畴宽度最大值约为860nm;随着磁场退火温度的升高,磁畴取向趋于沿垂直膜面方向,退火温度为600℃时,沿着主畴的畴壁形成了细小的横向细畴结构。 展开更多
关键词 Ni80fe20薄膜 磁畴 磁场退火
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基片及基片温度对Fe_4N薄膜的形成及其特性的影响 被引量:2
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作者 诸葛兰剑 姚伟国 +1 位作者 吴雪梅 王文宝 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期477-478,481,共3页
以双离子束溅射法在 (111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ′ Fe4 N薄膜 ,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响。结果表明 ,以 (111)硅片为基片 ,可制得无晶粒择优取向的单一γ′ Fe4 N相 ;而以玻璃为基片 ,在基片温度为160℃... 以双离子束溅射法在 (111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ′ Fe4 N薄膜 ,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响。结果表明 ,以 (111)硅片为基片 ,可制得无晶粒择优取向的单一γ′ Fe4 N相 ;而以玻璃为基片 ,在基片温度为160℃时 ,则可制得具有 (10 0 )面晶粒取向的单一γ′ Fe4 N相薄膜 ;与无晶粒择优取向的γ′ Fe4 N相比较 ,具有 (10 0 )面晶粒取向的γ′ Fe4 N相的矫顽力较低 ,易达到磁饱和 ,但二者的饱和磁化强度基本一致。 展开更多
关键词 基片温度 双离子束溅射 基片 γ-fe4N薄膜 晶粒取向
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The effect of deposition temperature on the intermixing and microstructure of Fe/Ni thin film 被引量:1
15
作者 陈尚达 王涛 +1 位作者 郑德立 周益春 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第12期400-404,共5页
The physical vapour deposition of Ni atoms on α-Fe(001) surface under different deposition temperatures were simulated by molecular dynamics to study the intermixing and microstructure of the interracial region. Th... The physical vapour deposition of Ni atoms on α-Fe(001) surface under different deposition temperatures were simulated by molecular dynamics to study the intermixing and microstructure of the interracial region. The results indicate that Ni atoms hardly penetrate into Fe substrate while Fe atoms easily diffuse into Ni deposition layers. The thickness of the intermixing region is temperature-dependent, with high temperatures yielding larger thicknesses. The deposited layers are mainly composed of amorphous phase due to the abnormal deposition behaviour of Ni and Fe. In the deposited Ni-rich phase, the relatively stable metallic compound B2 structured FeNi is found under high deposition temperature conditions. 展开更多
关键词 molecular dynamics physical vapour deposition Ni/fe thin film temperature effect
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添加Ta对Fe-N薄膜结构和磁性的影响 被引量:1
16
作者 郑代顺 马云贵 +1 位作者 魏福林 杨正 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2001年第6期4-8,共5页
用反应溅射法制备了 Fe- N薄膜和不同 Ta含量的 Fe- Ta- N薄膜。研究了这些薄膜的结构和磁性与 Ta含量的关系。实验发现 ,Ta的加入有利于抑制薄膜中γ- Fe4 N相的生成。加入的 Ta部分取代了 α- Fe晶格中的 Fe原子形成了 α- Fe(Ta)固溶... 用反应溅射法制备了 Fe- N薄膜和不同 Ta含量的 Fe- Ta- N薄膜。研究了这些薄膜的结构和磁性与 Ta含量的关系。实验发现 ,Ta的加入有利于抑制薄膜中γ- Fe4 N相的生成。加入的 Ta部分取代了 α- Fe晶格中的 Fe原子形成了 α- Fe(Ta)固溶体 ,部分则沉积在 α- Fe晶粒边界与 N生成 Ta N化合物 ,抑制了 α- Fe晶粒在热处理过程中的长大 。 展开更多
关键词 fe-Ta-N薄膜 相结构 晶格形变 软磁性 纳米晶 反应溅射法 钽掺杂
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热处理及厚度对Co_(90)Fe_(10)薄膜磁电阻的影响 被引量:1
17
作者 陈森 张师平 +3 位作者 吴平 付建波 谢剑桥 魏家琦 《实验室科学》 2012年第6期90-93,共4页
利用电子束真空蒸发方法制备了不同厚度的Co90Fe10磁性薄膜,研究了热处理及厚度对薄膜磁电阻的影响。利用四探针法测量了薄膜的磁电阻,利用磁力显微镜观察了薄膜的磁畴结构。结果表明:热处理可以提高薄膜的磁电阻,尤其是厚度较小的样品... 利用电子束真空蒸发方法制备了不同厚度的Co90Fe10磁性薄膜,研究了热处理及厚度对薄膜磁电阻的影响。利用四探针法测量了薄膜的磁电阻,利用磁力显微镜观察了薄膜的磁畴结构。结果表明:热处理可以提高薄膜的磁电阻,尤其是厚度较小的样品,效果更加明显。对于厚度较大的薄膜,热处理可以改善磁织构,磁畴分布更加有序,出现了类巨磁电阻特征。 展开更多
关键词 Co90fe10薄膜 热处理 磁电阻 磁畴
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溅射条件对Ni_(80)Fe_(20)薄膜各向异性磁电阻的影响
18
作者 王合英 孙文博 茅卫红 《物理实验》 2007年第8期3-5,9,共4页
研究了基片温度和溅射气压对磁控溅射方法制备的Ni80Fe20磁性薄膜各向异性磁电阻的影响.实验发现基片温度是影响Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻最重要的因素.在较高的基片温度下,溅射气压对Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻也有较大的影响.基片... 研究了基片温度和溅射气压对磁控溅射方法制备的Ni80Fe20磁性薄膜各向异性磁电阻的影响.实验发现基片温度是影响Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻最重要的因素.在较高的基片温度下,溅射气压对Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻也有较大的影响.基片温度在150~180℃,溅射气压在0.3~0.5 Pa范围内制备的Ni80Fe20薄膜有较大的各向异性磁电阻(3.7%~4.3%). 展开更多
关键词 Ni80fe20薄膜 各向异性磁电阻 基片温度 溅射气压
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超薄Ni_(81)Fe_(19)薄膜的各向异性磁电阻及磁性能
19
作者 王书运 何建方 王存涛 《理化检验(物理分册)》 CAS 2012年第9期572-575,共4页
利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta(5nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻(AMR)及磁性能的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针技术测量了薄膜的... 利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta(5nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻(AMR)及磁性能的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针技术测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻;用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应试验系统测量了薄膜的磁滞回线。结果表明:在基片温度为400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻为3.5%,最低磁化饱和场为739.67A/m。基片温度为500℃制备的薄膜,饱和磁化强度Ms值最大。随着缓冲层厚度x的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。 展开更多
关键词 Ni81fe19薄膜 基片温度 超薄薄膜 各向异性磁电阻 缓冲层厚度
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磁性薄膜生长的元胞自动机模拟
20
作者 吴保磊 廖聪维 +2 位作者 王昊 叶雪枫 杨晓非 《信息记录材料》 2006年第5期39-42,46,共5页
采用原子嵌入势,用元胞自动机方法模拟了铁(001)面上的薄膜生长。研究了溅射原子的沉积、迁移扩散和再蒸发3个主要的过程。发现溅射功率和基底温度对薄膜表面所形成岛核的形态影响很大,定量计算了当溅射功率和基底温度变化时岛的均匀度... 采用原子嵌入势,用元胞自动机方法模拟了铁(001)面上的薄膜生长。研究了溅射原子的沉积、迁移扩散和再蒸发3个主要的过程。发现溅射功率和基底温度对薄膜表面所形成岛核的形态影响很大,定量计算了当溅射功率和基底温度变化时岛的均匀度。给出了对于实验有指导意义的结论。 展开更多
关键词 元胞自动机 原子嵌入势 fe薄膜生长
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