光刻机的演变及今后发展趋势 被引量：32

1

作者 李艳秋 《微细加工技术》 2003年第2期1-5,11,共6页

微电子技术的发展一直是光刻设备和技术发展与变革的动力。通过介绍光刻机的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻设备的发展潜力,结合比较极紫外光刻机和电子束曝光机的开发现状和特点,预言将来以极紫外光刻机、电子束曝光机和某种常规... 微电子技术的发展一直是光刻设备和技术发展与变革的动力。通过介绍光刻机的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻设备的发展潜力,结合比较极紫外光刻机和电子束曝光机的开发现状和特点,预言将来以极紫外光刻机、电子束曝光机和某种常规光刻机结合,来实现工业需要的各种图形的制备。 展开更多

关键词 光刻机 发展趋势 极紫外光刻机 电子束曝光机 微电子技术

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大数值孔径产业化极紫外投影光刻物镜设计 被引量：21

2

作者 刘菲 李艳秋 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期224-230,共7页

极紫外光刻技术（EUVL）是半导体制造实现22 nm及以下节点的下一代光刻技术,高分辨投影物镜的设计是实现高分辨光刻的关键技术。为设计满足22 nm产业化光刻机需求的极紫外光刻投影物镜,采用6枚高次非球面反射镜,像方数值孔径达到0.3,像... 极紫外光刻技术（EUVL）是半导体制造实现22 nm及以下节点的下一代光刻技术,高分辨投影物镜的设计是实现高分辨光刻的关键技术。为设计满足22 nm产业化光刻机需求的极紫外光刻投影物镜,采用6枚高次非球面反射镜,像方数值孔径达到0.3,像方视场宽度达到1.5 mm。整个曝光视场内的平均波像差均方根值（RMS）为0.0228λ,不采用任何分辨率增强技术的情况下,75 nm光学成像的焦深内,25 nm分辨力的光学调制传递函数（MTF）大于45%。在部分相干因子为0.5-0.8的照明条件下,畸变小于1.6 nm,线宽变化小于1.6%。物面到像面的距离为1075 mm,像方工作距大于30 mm。该物镜结合离轴照明或相移掩模等分辨率增强技术,能够在更大的焦深内实现22 nm光刻分辨率的光刻胶成像,满足半导体制造中22 nm节点技术对产业化极紫外光刻物镜的需求。 展开更多

关键词 光学设计 投影物镜 高次非球面 极紫外光刻(euvl)

原文传递

激光等离子体极紫外光刻光源 被引量：16

3

作者 窦银萍 孙长凯 林景全 《中国光学》 EI CAS 2013年第1期20-33,共14页

研究并讨论了下一代光刻的核心技术之一—激光等离子体极紫外光刻光源。简要介绍了欧美和日本等国极紫外光刻技术的发展概况,分析了新兴的下一代13.5 nm极紫外光刻光源的现状,特别讨论了国内外激光等离子体极紫外光刻光源的现状,指出目... 研究并讨论了下一代光刻的核心技术之一—激光等离子体极紫外光刻光源。简要介绍了欧美和日本等国极紫外光刻技术的发展概况,分析了新兴的下一代13.5 nm极紫外光刻光源的现状,特别讨论了国内外激光等离子体极紫外光刻光源的现状,指出目前其存在的主要问题是如何提高光源的转化效率和减少光源的碎屑。文中同时概述了6.x nm(6.5～6.7 nm)极紫外光刻光源的最新研究工作。最后,介绍了作者所在研究小组近年来在极紫外光源和极紫外光刻掩模缺陷检测方面开展的研究工作。 展开更多

关键词 极紫外光刻 激光等离子体 极紫外光源 转换效率

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现代光刻技术 被引量：6

4

作者 陈大鹏 叶甜春 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期81-86,共6页

作为当前集成电路制造的主流技术,光学光刻在趋近其分辨力极限的同时,面临着越来越大的挑战,即便在波前工程和分辨力增强技术的帮助下,光学光刻的分辨力也难以满足快速发展的半导体产业的技术需求。接近式 X 射线光刻技术(XRL)、散射角... 作为当前集成电路制造的主流技术,光学光刻在趋近其分辨力极限的同时,面临着越来越大的挑战,即便在波前工程和分辨力增强技术的帮助下,光学光刻的分辨力也难以满足快速发展的半导体产业的技术需求。接近式 X 射线光刻技术(XRL)、散射角限制电子束投影光刻技术(SCALPEL)、电子束直写光刻技术(EBDW)、极紫外线即软 X 射线投影光刻技术(EUVL)、离子投影光刻技术(IPL)等下一代光刻技术(NGL)将会在特征线宽为 100—70 nm 的技术节点介入集成电路制造的主流技术中。从目前 NGL 技术发展的趋势和市场需求的多元化来看,竞争的结果很可能是各种 NGL 技术并存。当特征尺寸进入纳米尺度(≤100 nm)以后,最终只有那些原子级的成像技术才能成为胜者。 展开更多

关键词 光刻 分辨力 X射线光刻技术 电子束直写 极紫外线投影光刻 离子束投影光刻

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极紫外光刻系统物镜光学元件的支撑与分析 被引量：5

5

作者 王辉 《中国光学与应用光学》 2010年第6期598-604,共7页

介绍了极紫外光刻系统物镜光学元件的支撑原理和支撑要求,分析了符合运动学支撑要求的物镜支撑结构和面形检测用支撑结构;针对支撑结构性能和支撑方案中关键问题进行了深入研究,并提出了相应的解决方案。最后建立了支撑结构的有限元模型... 介绍了极紫外光刻系统物镜光学元件的支撑原理和支撑要求,分析了符合运动学支撑要求的物镜支撑结构和面形检测用支撑结构;针对支撑结构性能和支撑方案中关键问题进行了深入研究,并提出了相应的解决方案。最后建立了支撑结构的有限元模型,并在此基础上进行了重力场中的镜体变形分析和温度场作用下系统的热变形分析。分析结果表明,检测用支撑与实际用支撑两种结构在重力环境下支撑出的元件面形基本相同,面形相差0.0026nm(RMS);温控范围为0.05℃时,由机械结构热变形引起的镜体面形变化在0.001nm(RMS)量级。研究结果表明,运动学物镜元件支撑结构能够满足极紫外光刻系统对于物镜机械支撑结构的要求。 展开更多

关键词 极紫外光刻 物镜 运动学支撑 有限元分析

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极紫外光刻机真空材料放气分率的单质谱测试方法研究 被引量：4

6

作者 罗艳 王魁波 吴晓斌 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期392-398,共7页

水蒸气(H_2O)和碳氢化合物(C_xH_y)的放气分率是评价极紫外光刻机(EUVL)真空材料的重要参数。研究材料放气分率的传统方法一般需要2个完全相同的四极质谱计,这不仅大大增加了测试设备造价,而且会导致测试结果存在误差。为解决这一问题,... 水蒸气(H_2O)和碳氢化合物(C_xH_y)的放气分率是评价极紫外光刻机(EUVL)真空材料的重要参数。研究材料放气分率的传统方法一般需要2个完全相同的四极质谱计,这不仅大大增加了测试设备造价,而且会导致测试结果存在误差。为解决这一问题,本文仅采用1个四极质谱计,设计了一种EUVL真空材料评价装置。采用该装置测试了碳纤维增强树脂基复合材料层压板(CFRP板)和玻璃陶瓷板(GC板)在不同时间的放气组分、总放气率和放气分率。结果表明,CFRP板放出大量的H_2O和C_xH_y;虽然C_xH_y放气分率比H_2O下降快,但经10h抽真空后,CFRP板仍可放出大量C_xH_y,且其总放气率高于经验阈值;GC板置于真空1h后就不再放出C_xH_y,且其总放气率低于经验阈值;因此GC板比CFRP板更适用于极紫外光刻机真空系统。基于单质谱的放气分率测试方法可用于指导极紫外光刻机真空材料的选择。 展开更多

关键词 极紫外光刻机(euvl) 真空材料 放气分率 四极质谱计(QMS)

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光源掩模协同优化的原理与应用 被引量：3

7

作者 陈文辉 何建芳 +1 位作者 董立松 韦亚一 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期641-649,共9页

当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技... 当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应用,并对其挑战和发展趋势进行了展望,认为SMO不仅是193 nm浸润式光刻技术的重要组成部分,也将是EUV光刻中必不可少的一种技术。 展开更多

关键词 远紫外光刻(euvl) 分辨率增强技术 光源掩模协同优化(SMO) 像素化光源 193 nm浸没式光刻

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极紫外光学表面污染控制技术的研究进展 被引量：4

8

作者 雷敏 李小平 苗怀坤 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2013年第3期37-43,共7页

极紫外(EUV)光刻机中光学元件的污染和采用的污染控制策略是影响光刻机性能的重要因素,其中污染主要包括光学表面碳沉积和光学表面氧化,污染控制技术包括智能气体混合技术、保护层技术和污染物清洁技术。着重论述了上述两种主要污染形... 极紫外(EUV)光刻机中光学元件的污染和采用的污染控制策略是影响光刻机性能的重要因素,其中污染主要包括光学表面碳沉积和光学表面氧化,污染控制技术包括智能气体混合技术、保护层技术和污染物清洁技术。着重论述了上述两种主要污染形式和三种污染控制技术的研究进展,对EUV光刻机中污染研究的前景进行了展望,并指出其发展面临的挑战及有待解决的关键技术。 展开更多

关键词 光学制造 极紫外光刻 光学表面污染 污染控制 氧化 碳沉积

原文传递

Xe液体微滴靶激光等离子体光源实验 被引量：2

9

作者 尼启良 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期939-943,共5页

基于Xe的惰性和在13～14nm波段高的辐射强度，Xe被认为是极紫外投影光刻（EuVL）潜在的靶材，为此设计和研制了一台液体微滴喷射靶激光等离子体（LPP）极紫外光源。详细地研究了Xe液体微滴喷射靶的光谱辐射特性、在13．4nm的激光-EUV转... 基于Xe的惰性和在13～14nm波段高的辐射强度，Xe被认为是极紫外投影光刻（EuVL）潜在的靶材，为此设计和研制了一台液体微滴喷射靶激光等离子体（LPP）极紫外光源。详细地研究了Xe液体微滴喷射靶的光谱辐射特性、在13．4nm的激光-EUV转换效率、辐射稳定性及碎屑产生状况。实验结果表明，Xe在13．4nm的最高转换效率可以达到0．75％／2πsr／2%bw，辐射稳定性±4％（1σ），在激光打靶10^5次后无碎屑产生。 展开更多

关键词 Xe液体微滴喷射靶 激光等离子体光源 极紫外投影光刻

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极紫外光刻真空工件台技术研究 被引量：1

10

作者 朱涛 李艳秋 《微细加工技术》 EI 2005年第1期32-37,共6页

在极紫外光刻系统中,真空工件台的运行精度、速度、加速度以及动态定位和扫描同步性能是影响整机成像质量、套刻精度和产率的重要因素。结合极紫外光刻机的工作原理和发展现状,论述了极紫外光刻机真空工件台系统的特征、组成及其关键技术。

关键词 极紫外光刻机 工件台 真空 控制

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低压环境中材料的氢损伤测试技术 被引量：1

11

作者 罗艳 吴晓斌 +1 位作者 王宇 王魁波 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2020年第9期66-71,共6页

为了评估极紫外光刻(EUVL)机结构材料的氢损伤行为,提出首先采用低压气相充氢的方法获得不同充氢时间下材料内的氢含量及其变化趋势,同时采用电解充氢恒载荷拉伸试验获得不同氢含量材料的门槛应力值、氢脆指数及变化趋势;然后将两者结... 为了评估极紫外光刻(EUVL)机结构材料的氢损伤行为,提出首先采用低压气相充氢的方法获得不同充氢时间下材料内的氢含量及其变化趋势,同时采用电解充氢恒载荷拉伸试验获得不同氢含量材料的门槛应力值、氢脆指数及变化趋势;然后将两者结合从而评判一种材料在低压气相氢环境中的氢脆敏感性及其随时间的变化趋势。采用该试验方法对比测试了304不锈钢(304SS)和65Mn弹簧钢在低压环境中的氢损伤行为,结果表明:两种材料置于室温10Pa氢环境的时间越长,其氢脆敏感性越低,越不容易发生氢损伤;且材料内氢含量相同的条件下,65Mn弹簧钢比相304SS的氢脆敏感性高。该试验方法可用于EUVL中大部分结构材料的氢损伤行为评估,且试验结果具有指导意义。 展开更多

关键词 极紫外光刻 材料 氢致开裂 氢脆敏感性 测试技术

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强组态相互作用对Sn离子谱线分布的影响

12

作者 李继弘 罗月娥 +3 位作者 王学文 董晨钟 丁晓彬 蒋军 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期20-28,共9页

本文利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,计算了Sn离子在不同离化度下(从SnVI到SnXⅢ)所产生的4p^6 4d^(n-1)4f+4p^6 4d^(n-1)5p+4p^5 4d^(n+1)-4p^64d^n的跃迁光谱,给出了组态平均能量随电离度的变化规律和理论预言的辐射光谱,并分析了组... 本文利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,计算了Sn离子在不同离化度下(从SnVI到SnXⅢ)所产生的4p^6 4d^(n-1)4f+4p^6 4d^(n-1)5p+4p^5 4d^(n+1)-4p^64d^n的跃迁光谱,给出了组态平均能量随电离度的变化规律和理论预言的辐射光谱,并分析了组态相互作用对其的影响. 展开更多

关键词 MCDF方法 组态相互作用 振子强度 不可分辨的跃迁峰(UTA) 极真空紫外光刻(euvl)

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极紫外投影光刻光学系统 被引量：9

13

作者 王丽萍 《中国光学与应用光学》 2010年第5期452-461,共10页

极紫外光刻(EUVL)是半导体工业实现32～16nm技术节点的候选技术,而极紫外曝光光学系统是EUVL的核心部件,它主要由照明系统和微缩投影物镜组成。本文介绍了国内外现有的EUVL实验样机及其系统参数特性;总结了EUVL光学系统设计原则,分别综... 极紫外光刻(EUVL)是半导体工业实现32～16nm技术节点的候选技术,而极紫外曝光光学系统是EUVL的核心部件,它主要由照明系统和微缩投影物镜组成。本文介绍了国内外现有的EUVL实验样机及其系统参数特性;总结了EUVL光学系统设计原则,分别综述了EUVL投影光学系统和照明光学系统的设计要求;描述了EUVL投影曝光系统及照明系统的设计方法;重点讨论了适用于22nm节点的EUVL非球面六镜投影光学系统,指出了改善EUVL照明均匀性的方法。 展开更多

关键词 极紫外光刻 投影光学系统 照明光学系统 光学设计

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