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不同钝化层对Er_(2)O_(3)/InP MOS电容器界面和电学性能调控
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作者 吴秋菊 方泽波 《绍兴文理学院学报》 2023年第8期54-59,共6页
为满足集成电路发展需要,实验制备Al/Er_(2)O_(3)/InP金属氧化物半导体(MOS)电容器.采用ALD技术分别制备了超薄的Al_(2)O_(3),HfO_(2)和HfAlO钝化层,研究了不同种类的钝化层对InP-MOS器件界面和电学特性的影响.实验结果表明,钝化层能有... 为满足集成电路发展需要,实验制备Al/Er_(2)O_(3)/InP金属氧化物半导体(MOS)电容器.采用ALD技术分别制备了超薄的Al_(2)O_(3),HfO_(2)和HfAlO钝化层,研究了不同种类的钝化层对InP-MOS器件界面和电学特性的影响.实验结果表明,钝化层能有效减小界面态密度,抑制漏电流.其中,HfAlO钝化的MOS电容展现出最小的界面态密度和最佳的器件性能.相比于未钝化的器件,HfAlO钝化电容的界面态密度从3.53×10^(13)cm^(-2)降至4.81×10^(12)cm^(-2),介电常数从7.7提高到23.8,漏电流密度从2.95×10^(-9)A/cm^(2)降低到1.67×10^(-10)A/cm^(2).HfAlO钝化层能有效减低界面态密度,并提高器件电学性能. 展开更多
关键词 MoS电容器 ALD er_(2)o_(3)栅介质 钝化 界面态密度
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