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外延生长薄膜中失配位错形成条件的分子动力学模拟研究 被引量:22
1
作者 周耐根 周浪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期3278-3283,共6页
运用分子动力学方法对负失配条件下的外延铝簿膜中失配位错的形成进行了模拟研究.所采用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势.模拟结果显示:在500K下长时间静态弛豫,表面和内部结构完整的外延膜在9—80原子层厚度范围内(约为其... 运用分子动力学方法对负失配条件下的外延铝簿膜中失配位错的形成进行了模拟研究.所采用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势.模拟结果显示:在500K下长时间静态弛豫,表面和内部结构完整的外延膜在9—80原子层厚度范围内(约为其热力学临界厚度的3—40倍)均不形成失配位错,而在薄膜表面预置一个单原子层厚、三个原子直径大小的凸台或凹坑时,失配位错则能够在15个原子层厚的外延膜上迅速形成:在动态沉积生长条件下,表面自然形成凹凸,初始厚度为9个原子层厚的外延膜在沉积生长中迅速形成失配位错.在三种条件下,所形成的位错均为伯格斯矢量与失配方向平行的全刃位错.分析发现:在压应力作用下,表面微凸台诱发了其侧薄膜内部原子的挤出,造成位错形核;而表面微凹坑则直接因压应力作用形成了一个表面半位错环核. 展开更多
关键词 失配位错 模拟研究 形成条件 外延生长 原子间相互作用势 分子动力学方法 应力作用 嵌入原子法 外延膜 模拟结果 临界厚度 内部结构 薄膜表面 生长条件 自然形成 长时间 热力学 原子层 层厚 单原子 刃位错 位错环 凹坑
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面心立方晶体外延膜沉积生长中失配位错的结构与形成过程 被引量:19
2
作者 周耐根 周浪 杜丹旭 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期372-377,共6页
用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明,失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错,... 用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明,失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错,即由两个伯格斯矢量为〈211〉/6的部分位错和其间的堆垛层错组成,两个部分位错的间距、即层错宽度为1·8nm,与理论计算结果一致;外延晶体薄膜沉积生长中,位错对会发生滑移,但其间距保持稳定.进一步观察发现,该扩展位错产生于一种类似于“局部熔融-重结晶”的表层局部无序紊乱-有序化过程;而这种表层局部紊乱或熔融则起自于失配应力作用下表层挤出四面体的形成,这种挤出四面体在大多数情况下可由原子间相互作用拉回,其消长呈统计涨落,而在个别情况下则发展成为局部紊乱区,成为其后位错形成的核心. 展开更多
关键词 失配位错 外延生长 薄膜 分子动力学
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不同衬底上低温生长的ZnO晶体薄膜的结构及光学性质比较 被引量:8
3
作者 邱东江 吴惠桢 +1 位作者 金进生 徐晓玲 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第1期5-8,共4页
采用电子束反应蒸发方法 ,在单晶Si(0 0 1)及玻璃衬底上低温外延生长了沿c轴高度取向的单晶ZnO薄膜 ,并对沉积的ZnO晶体薄膜的结构和光学性质进行了分析比较。通过对ZnO薄膜的X射线衍射 (XRD)分析及光致荧光激发谱(PLE)测量 ,研究了衬... 采用电子束反应蒸发方法 ,在单晶Si(0 0 1)及玻璃衬底上低温外延生长了沿c轴高度取向的单晶ZnO薄膜 ,并对沉积的ZnO晶体薄膜的结构和光学性质进行了分析比较。通过对ZnO薄膜的X射线衍射 (XRD)分析及光致荧光激发谱(PLE)测量 ,研究了衬底材料结构特性、生长温度及反应气氛中充O2 对ZnO薄膜的晶体结构和晶体光学吸收特性的影响。结果表明 :①衬底温度对沉积的ZnO薄膜的晶体结构影响显著 ,玻璃衬底上生长ZnO薄膜的最佳温度比Si(0 0 1)衬底上生长的最佳温度要高 70℃ ;②虽在最佳生长条件下获得的ZnO薄膜的XRD结果 (半高宽和衍射强度 )相近 ,但光学吸收特性有较大差异 ,Si(0 0 1)衬底上生长的ZnO薄膜优于玻璃衬底上生长的ZnO薄膜 ;③反应气氛中的O2 分压对XRD结构影响不大 ,但对PLE谱影响显著 ,充O2 展开更多
关键词 电子束反应蒸发 结构 光学特性 氧化锌晶体薄膜 低温生长
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半导体薄膜材料外延生长的蒙特卡罗模拟 被引量:5
4
作者 俞重远 封强 +1 位作者 刘玉敏 任晓敏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1272-1276,共5页
半导体自组织生长量子点是一种新型半导体材料,它在纳米电子学、光电子学和生命科学中有广泛的应用前景,本文讨论了计算机模拟量子点的生长在材料设计中的重要意义,建立动力学蒙特卡罗二维模型,通过获得的原子沉积的表面图样和对原子簇... 半导体自组织生长量子点是一种新型半导体材料,它在纳米电子学、光电子学和生命科学中有广泛的应用前景,本文讨论了计算机模拟量子点的生长在材料设计中的重要意义,建立动力学蒙特卡罗二维模型,通过获得的原子沉积的表面图样和对原子簇大小分布的数学统计,得到提高生长温度或者降低沉积速率等量子点外延生长的优化条件。 展开更多
关键词 蒙特卡罗模拟 外延生长 薄膜材料
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Development of in situ characterization techniques in molecular beam epitaxy
5
作者 Chao Shen Wenkang Zhan +7 位作者 Manyang Li Zhenyu Sun Jian Tang Zhaofeng Wu Chi Xu Bo Xu Chao Zhao Zhanguo Wang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第3期9-32,共24页
Ex situ characterization techniques in molecular beam epitaxy(MBE)have inherent limitations,such as being prone to sample contamination and unstable surfaces during sample transfer from the MBE chamber.In recent years... Ex situ characterization techniques in molecular beam epitaxy(MBE)have inherent limitations,such as being prone to sample contamination and unstable surfaces during sample transfer from the MBE chamber.In recent years,the need for improved accuracy and reliability in measurement has driven the increasing adoption of in situ characterization techniques.These techniques,such as reflection high-energy electron diffraction,scanning tunneling microscopy,and X-ray photoelectron spectroscopy,allow direct observation of film growth processes in real time without exposing the sample to air,hence offering insights into the growth mechanisms of epitaxial films with controlled properties.By combining multiple in situ characterization techniques with MBE,researchers can better understand film growth processes,realizing novel materials with customized properties and extensive applications.This review aims to overview the benefits and achievements of in situ characterization techniques in MBE and their applications for material science research.In addition,through further analysis of these techniques regarding their challenges and potential solutions,particularly highlighting the assistance of machine learning to correlate in situ characterization with other material information,we hope to provide a guideline for future efforts in the development of novel monitoring and control schemes for MBE growth processes with improved material properties. 展开更多
关键词 epitaxial growth thin film in situ characterization molecular beam epitaxy(MBE)
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利用脉冲激光沉积外延制备CsSnBr_(3)/Si异质结高性能光电探测器
6
作者 王爱伟 祝鲁平 +3 位作者 单衍苏 刘鹏 曹学蕾 曹丙强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期351-359,共9页
钙钛矿半导体具有光吸收系数高、载流子扩散长度大和荧光量子效率高等优异物理特性,已在光电探测器、太阳能电池等领域展现出重要的应用潜力.但卤化铅钙钛矿的环境毒性和稳定性大大限制了该类器件的应用范围.因此,寻找低毒、稳定的非铅... 钙钛矿半导体具有光吸收系数高、载流子扩散长度大和荧光量子效率高等优异物理特性,已在光电探测器、太阳能电池等领域展现出重要的应用潜力.但卤化铅钙钛矿的环境毒性和稳定性大大限制了该类器件的应用范围.因此,寻找低毒、稳定的非铅钙钛矿半导体尤为重要.利用锡元素替代铅元素并生长高质量的锡基钙钛矿薄膜是实现其光电器件应用的可行方案.本文采用脉冲激光沉积方法,在N型单晶硅(100)衬底上外延生长了一层(100)取向的CsSnBr_(3)钙钛矿薄膜.霍尔效应及电学测试结果表明,基于CsSnBr_(3)/Si半导体异质结在暗态下具有明显的异质PN结电流整流特征,在光照下具有显著的光响应行为,并具有可自驱动、高开关比(104)以及毫秒量级响应/恢复时间等优良光电探测器件性能.本文研究结果表明利用脉冲激光沉积方法在制备新型钙钛矿薄膜异质结、实现快速灵敏的光电探测方面具有重要应用前景. 展开更多
关键词 外延 钙钛矿薄膜 异质结 光电探测器
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La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3外延膜厚度引起的电阻率变化 被引量:3
7
作者 孟影 金绍维 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2006年第3期58-61,共4页
不同厚度的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)外延薄膜被沉积到立方相的LaA lO3(001)单晶衬底上,XRD测试结果显示,LSMO外延膜的结构是单相的,具有与衬底相同的晶格取向;随着膜厚的增加,LSMO外延膜的晶格经历应变到驰豫的变化.电阻测量显示,应变驰豫... 不同厚度的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)外延薄膜被沉积到立方相的LaA lO3(001)单晶衬底上,XRD测试结果显示,LSMO外延膜的结构是单相的,具有与衬底相同的晶格取向;随着膜厚的增加,LSMO外延膜的晶格经历应变到驰豫的变化.电阻测量显示,应变驰豫的薄膜(较厚的薄膜)有较大的电阻率,这与该膜中缺陷浓度增加有关.此外,也对生长在不同单晶衬底上的LSMO外延膜(厚度相同)的结构和电阻进行了对比研究. 展开更多
关键词 外延膜 晶格失配 应变驰豫 缺陷密度
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不同载气对GaN薄膜外延生长影响的研究进展
8
作者 庞博 宿星亮 《当代化工研究》 CAS 2023年第18期8-11,共4页
氮化镓(GaN)凭借着优越的光学和电学性能使其成为新兴半导体光电产业的核心材料和基础器件,在光电子、微电子以及声电子领域中具有举足轻重的地位和广泛的应用前景。为了获得高品质GaN,对其生长条件的优化从未停止。本文综述了氮气(N2)... 氮化镓(GaN)凭借着优越的光学和电学性能使其成为新兴半导体光电产业的核心材料和基础器件,在光电子、微电子以及声电子领域中具有举足轻重的地位和广泛的应用前景。为了获得高品质GaN,对其生长条件的优化从未停止。本文综述了氮气(N2)和氢气(H2)作为载气在利用MOCVD外延生长GaN薄膜中的研究进展,讨论了不同载气的使用对生长机制、薄膜质量和GaN基器件性能的影响。从最优化工艺的角度出发,在生长过程中合理组合使用H2、N2和H2/N2混合气体为载气,并从其生长特点中优化材料性能获得最佳组合是更具优势的生长方案。 展开更多
关键词 GAN薄膜 外延生长 载气 氢气 氮气 薄膜质量
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六方氮化硼外延生长研究进展
9
作者 王高凯 张兴旺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期825-841,共17页
二维超宽禁带半导体材料六方氮化硼(h-BN)具有绝缘性好、击穿场强高、热导率高,以及良好的稳定性等特点,且其原子级平整表面极少有悬挂键和电荷陷阱的存在,使其有潜力成为二维电子器件的衬底和栅介质材料。实现h-BN应用的关键在于生长... 二维超宽禁带半导体材料六方氮化硼(h-BN)具有绝缘性好、击穿场强高、热导率高,以及良好的稳定性等特点,且其原子级平整表面极少有悬挂键和电荷陷阱的存在,使其有潜力成为二维电子器件的衬底和栅介质材料。实现h-BN应用的关键在于生长高质量的h-BN单晶薄膜,本文详细介绍了在过渡金属衬底、绝缘介质衬底和半导体材料表面外延生长h-BN的方法及其研究进展。在具有催化活性的过渡金属衬底(铜、镍、铁、铂等)上可以外延得到高质量的二维h-BN,而在绝缘介质或半导体材料衬底上直接生长h-BN单晶薄膜更具挑战性。蓝宝石以其良好的热稳定性和化学稳定性成为外延h-BN的首选衬底,蓝宝石衬底上生长h-BN薄膜的方法主要有化学气相沉积、分子束外延、离子束溅射沉积、金属有机气相外延,以及高温后退火等,通过这些方法可以在蓝宝石衬底上外延得到h-BN单晶薄膜,还可以集成到现有的一些III-V族化合物半导体的外延生长工艺之中,为h-BN的大面积应用奠定基础。此外,石墨烯、硅和锗等半导体材料衬底上生长h-BN单晶薄膜也是当前研究的一个热点,这为基于h-BN的异质结制备及其应用提供了新的方向。 展开更多
关键词 六方氮化硼 外延生长 薄膜 二维材料 宽禁带半导体
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石榴石单晶膜的生长与应用分析 被引量:1
10
作者 匡轮 任绪才 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1995年第3期232-237,共6页
通过对石榴石单晶膜生长的分析,在研究总结大量前人工作的基础上,本文首次提出“等效参量”的概念和最大生长速度分析法,找出了若干参量之间的内在联系,结合实验数据即可确定出单晶膜的生长机制。实验初步证实了该分析方法的正确性... 通过对石榴石单晶膜生长的分析,在研究总结大量前人工作的基础上,本文首次提出“等效参量”的概念和最大生长速度分析法,找出了若干参量之间的内在联系,结合实验数据即可确定出单晶膜的生长机制。实验初步证实了该分析方法的正确性。单晶膜应用于器件已获得成功。 展开更多
关键词 石榴石 外延生长 单晶膜 磁性材料 半导体
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Vapor-assisted epitaxial growth of porphyrin-based MOF thin film for nonlinear optical limiting 被引量:3
11
作者 Yi-Hong Xiao Zhi-Gang Gu Jian Zhang 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第8期1059-1065,共7页
Fabrication of metal-organic frameworks(MOFs)thin films has been an efficient way to expand their functionalities and applications.Here,we use the vapor-assisted deposition(VAD)method to epitaxially grow a porphyrin-b... Fabrication of metal-organic frameworks(MOFs)thin films has been an efficient way to expand their functionalities and applications.Here,we use the vapor-assisted deposition(VAD)method to epitaxially grow a porphyrin-based MOF PCN-222 film.That is,vapor source assists to deposit pre-treated precursor solution on quartz substrate to form a continuous PCN-222 film.Furthermore,utilizing the post-treated encapsulation of functional carbon-based nanoparticles,the carbon nanodots(CND)and Pt doped CND(Pt/CND)are well loaded into the pores of PCN-222 film,the size(~3.1 nm)of which is highly close to the pore size of the corresponding MOF(~3.7 nm).The Z-scan results reveal that PCN-222 film exhibits high reverse saturable absorption.In addition,encapsulation of carbon based nanodots into PCN-222 film could enhance the nonlinear optical limiting effect benefiting from the host-guest combination.This study serves to present both the available toolbox of thin film preparation and high potential for precise synthetic nanocomposite films in optical limiting devices. 展开更多
关键词 metal-organic framework epitaxial growth PORPHYRIN thin film nonlinear optical property
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Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜 被引量:2
12
作者 张伟 张仕国 袁骏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期568-572,共5页
本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术.实验发现在衬底温度为470~850℃的范围内均可得到单晶薄膜,X射线衍射分析表明,薄膜只在2θ=58.9°处出现一个衍射峰,其生长晶面为(1120),是AlN的解理面.在较高的... 本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术.实验发现在衬底温度为470~850℃的范围内均可得到单晶薄膜,X射线衍射分析表明,薄膜只在2θ=58.9°处出现一个衍射峰,其生长晶面为(1120),是AlN的解理面.在较高的生长温度下,生长速率较低,得到的AlN薄膜具有更窄的衍射半峰宽(0.5°)、Al和N更趋向于化学计量比结合.从扫描电镜测试看出,薄膜表面平整光滑、无裂纹,说明用反应蒸发法外延生长的薄膜表面状况优良.最后,NH3对Si表面的原位清洗也作了一些讨论. 展开更多
关键词 半导体 硅衬底 反应蒸发法 AIN 单晶薄膜
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A review of thickness-induced evolutions of microstructure and superconducting performance of REBa2Cu3O7-δ coated conductor 被引量:1
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作者 Jian-Xin Lin Xu-Ming Liu +6 位作者 Chuan-Wei Cui Chuan-Yi Bai Yu-Ming Lu Feng Fan Yan-Qun Guo Zhi-Yong Liu Chuan-Bing Cai 《Advances in Manufacturing》 SCIE CAS CSCD 2017年第2期165-176,共12页
The research and development of high temperature superconducting (HTS) films, especially ReBa2Cu3- O7-δ (REBCO or RE123; RE=Y, Gd, or other rare earths) yttrium-based coated conductors, has generated widespread i... The research and development of high temperature superconducting (HTS) films, especially ReBa2Cu3- O7-δ (REBCO or RE123; RE=Y, Gd, or other rare earths) yttrium-based coated conductors, has generated widespread interest for the potential applications of the second generation superconducting films. In view of commercialization, however, the maximum superconducting currents for coated conductors should be increased further. Unfortunately, it has been frequently observed that the average critical current density Jc decreases with an increase in film thickness. The thickness effect is still a hurdle for largescale production, especially in pulsed laser deposition and metal organic deposition processes. An engineering current of more than 1 000 A/cm is desired owing to the high cost of 2G superconducting materials. The present work attempts to review the evolution of various issues subject to the thickness effect, including the microstructure, epitaxial texture, surface roughness, pinning force, oxygen deficiency, residual stress, copper-rich layers, and segregation of elements. Furthermore, recent progress in enhancing the performance of superconductors especially in terms of critical current density is illustrated, such as the use of heavy doping. Further understanding of the thickness effect is extremely important for large-scale commercial development of the second generation high temperature superconductors. 展开更多
关键词 Thickness effect Superconducting film Critical current density MICROSTRUCTURE epitaxial texture Pinning force
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The Influence of Deposition Temperature on the Epitaxial Growth of La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3 Thin Film 被引量:1
14
作者 YANG Shao-bo,ZHANG Ao(Beijing Institute of Graphic Communication,Beijing 102600,China) 《北京印刷学院学报》 2011年第4期72-75,共4页
The growth conditions of La0.7Ca0.3MnO3(LCMO) epitaxial thin film are investigated.The results indicate that the deposition temperature plays a crucial role on the growth mode of LCMO thin film.There is an optimal dep... The growth conditions of La0.7Ca0.3MnO3(LCMO) epitaxial thin film are investigated.The results indicate that the deposition temperature plays a crucial role on the growth mode of LCMO thin film.There is an optimal deposition temperature,To,for the epitaxial growth of LCMO thin film.Just only at the To,the real epitaxial LCMO thin film can be obtained.When the deposition temperature deviates from the To,the thin film tends to be polycrystalline,although it orientes growth along a certain direction(a or c axis).Moreover,the experimental results show that just only for the epitaxial thin film the ferromagnetic-paramagnetic transition temperature(i.e.the Courier temperature Tc) equals to the metal-semiconductor transition temperature(Tp).The ferromagnetic state shows metallicity and the paramagnetic state exhibits semiconducting character. 展开更多
关键词 epitaxial POLYCRYSTALLINE thin film electric and magnetic phase transition
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Error Estimate of a Second Order Accurate Scalar Auxiliary Variable (SAV) Numerical Method for the Epitaxial Thin Film Equation 被引量:2
15
作者 Qing Cheng Cheng Wang 《Advances in Applied Mathematics and Mechanics》 SCIE 2021年第6期1318-1354,共37页
A second order accurate(in time)numerical scheme is analyzed for the slope-selection(SS)equation of the epitaxial thin film growth model,with Fourier pseudo-spectral discretization in space.To make the numerical schem... A second order accurate(in time)numerical scheme is analyzed for the slope-selection(SS)equation of the epitaxial thin film growth model,with Fourier pseudo-spectral discretization in space.To make the numerical scheme linear while preserving the nonlinear energy stability,we make use of the scalar auxiliary variable(SAV)approach,in which a modified Crank-Nicolson is applied for the surface diffusion part.The energy stability could be derived a modified form,in comparison with the standard Crank-Nicolson approximation to the surface diffusion term.Such an energy stability leads to an H2 bound for the numerical solution.In addition,this H2 bound is not sufficient for the optimal rate convergence analysis,and we establish a uniform-in-time H3 bound for the numerical solution,based on the higher order Sobolev norm estimate,combined with repeated applications of discrete H¨older inequality and nonlinear embeddings in the Fourier pseudo-spectral space.This discrete H3 bound for the numerical solution enables us to derive the optimal rate error estimate for this alternate SAV method.A few numerical experiments are also presented,which confirm the efficiency and accuracy of the proposed scheme. 展开更多
关键词 epitaxial thin film equation Fourier pseudo-spectral approximation the scalar auxiliary variable(SAV)method Crank-Nicolson temporal discretization energy stability optimal rate convergence analysis.
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沉积温度对LaNiO_3薄膜结构和性能的影响 被引量:1
16
作者 刘保亭 武德起 +3 位作者 闫正 乔晓东 赵庆勋 王英龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期276-279,共4页
采用磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜,应用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响。结果表明在较低的生... 采用磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜,应用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响。结果表明在较低的生长温度和较宽的温度范围内(250-400℃)都能得到外延LaNiO3薄膜。输运性质的测量结果表明在其它条件不变的情况下,250℃温度下生长的LaNiO3薄膜具有最高的电导率。 展开更多
关键词 LANIO3 外延薄膜 磁控溅射
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Transforming the cost of solar-to-electrical energy conversion: Integrating thin-film GaAs solar cells with non-tracking mini-concentrators 被引量:2
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作者 Kyusang Lee Jaesang Lee +1 位作者 Bryan A Mazor Stephen R Forrest 《Light(Science & Applications)》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第1期367-373,共7页
Practical solar energy solutions must not only reduce the cost of the module,but also address the substantial balance of system costs.Here,we demonstrate a counter-intuitive approach based on gallium arsenide solar ce... Practical solar energy solutions must not only reduce the cost of the module,but also address the substantial balance of system costs.Here,we demonstrate a counter-intuitive approach based on gallium arsenide solar cells that can achieve extremely low-cost solar energy conversion with an estimated cost of only 3% that of conventional gallium arsenide solar cells using an accelerated,non-destructive epitaxial lift-off wafer recycling process along with a lightweight,thermoformed plastic,truncated mini-compound parabolic concentrator that avoids the need for active solar tracking.Using solar cell/concentrator assemblies whose orientations are adjusted only a few times per year,the annual energy harvesting is increased by 2.8 times compared with planar solar cells without solar tracking.These results represent a potentially drastic cost reduction in both the module and the balance of system costs compared with heavy,rigid conventional modules and trackers that are subject to wind loading damage and high installation costs. 展开更多
关键词 CONCENTRATOR cost per Watt epitaxial lift-off plastic substrate thin-film GaAs solar cell
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薄膜三重价态锰氧化物的制备与性能 被引量:2
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作者 胡滨 杨铭 +3 位作者 侯长民 胡士奇 袁宏明 冯守华 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2506-2510,共5页
应用偏靶射频磁控溅射方法在SrTiO3(001)单晶衬底上制备了三重价态(Mn3+,Mn4+,Mn5+)锰氧化物薄膜La1-x-yCaxKyMnO3.这种薄膜具有钙钛矿结构,A位拥有La3+,Ca2+和K+三种离子,对应的B位为Mn3+,Mn4+和Mn5+三重价态离子共存.通过18kW高能X射... 应用偏靶射频磁控溅射方法在SrTiO3(001)单晶衬底上制备了三重价态(Mn3+,Mn4+,Mn5+)锰氧化物薄膜La1-x-yCaxKyMnO3.这种薄膜具有钙钛矿结构,A位拥有La3+,Ca2+和K+三种离子,对应的B位为Mn3+,Mn4+和Mn5+三重价态离子共存.通过18kW高能X射线衍射仪和D8X射线面探衍射仪检测证实制备的薄膜为取向多晶薄膜.原子力扫描图像显示薄膜表面平整,且随薄膜厚度增加表面平整度起伏增大.表面光电压测试显示,该薄膜具有明显的光生电压信号. 展开更多
关键词 三重价态 取向薄膜 光生电压
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溶胶凝胶法制备La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜庞磁电阻效应和电流诱导电阻特性 被引量:2
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作者 陈钊 陈长乐 +5 位作者 高国棉 温晓莉 李潭 王永仓 金克新 赵省贵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期549-551,共3页
采用溶胶凝胶法成功制备了La0.7 Ca0.3MnO3块材和单晶薄膜,研究了薄膜的电阻随温度的变化特性,以及在不同的恒定电流下,薄膜的电阻的变化特性,实验发现在同一温度下,电阻随着电流的增大而变小,在同一稳恒电流下,在T>Tc 时,电阻随着... 采用溶胶凝胶法成功制备了La0.7 Ca0.3MnO3块材和单晶薄膜,研究了薄膜的电阻随温度的变化特性,以及在不同的恒定电流下,薄膜的电阻的变化特性,实验发现在同一温度下,电阻随着电流的增大而变小,在同一稳恒电流下,在T>Tc 时,电阻随着温度的升高而变小;并且出现了双极值现象。这些输运特性可以采用双交换作用和晶格畸变产生的小极化子的机制来解释。 展开更多
关键词 庞磁电阻 溶胶-凝胶法 甩胶涂覆法 浸渍法 电流诱导
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外延膜的高分辨X射线衍射分析 被引量:1
20
作者 李长记 邹敏杰 +2 位作者 张磊 王元明 王甦程 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期99-111,共13页
广泛应用于半导体、铁电和光电材料中的外延结构特征以及应变和缺陷会影响外延膜的物理/化学性能。高分辨X射线衍射是对外延结构进行无损准确表征的关键技术。本文从高分辨X射线衍射与外延结构倒易空间的关系出发,重点阐述高分辨X射线... 广泛应用于半导体、铁电和光电材料中的外延结构特征以及应变和缺陷会影响外延膜的物理/化学性能。高分辨X射线衍射是对外延结构进行无损准确表征的关键技术。本文从高分辨X射线衍射与外延结构倒易空间的关系出发,重点阐述高分辨X射线衍射与普通X射线衍射的联系与区别,以强调高分辨X射线衍射特征。以铁电外延膜与衬底结构高分辨X射线衍射为例,系统分析它们的高分辨X射线衍射斑特征,包括共格生长、非共格生长、倾斜生长下衍射斑特征,以及外延膜的尺寸、外延膜的倾斜扭转和外延膜的应变对衍射斑的影响等。结合Si1-xGex(x=0.1)等外延膜结构的具体分析阐述如何通过高分辨X射线衍射谱来获取外延膜结构参数,包括外延膜晶格常数、晶格错配度以及厚度和超晶格等信息。本文还系统介绍了高分辨X射线衍射中的倒易平面图的作法,以及相关的理论和实验方法,并据此获得了PbTiO3外延膜的应力状态、畴结构、相变等结构信息。 展开更多
关键词 薄膜生长 外延膜 高分辨X射线衍射 倒易空间作图
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