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光刻机的演变及今后发展趋势 被引量:32
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作者 李艳秋 《微细加工技术》 2003年第2期1-5,11,共6页
微电子技术的发展一直是光刻设备和技术发展与变革的动力。通过介绍光刻机的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻设备的发展潜力,结合比较极紫外光刻机和电子束曝光机的开发现状和特点,预言将来以极紫外光刻机、电子束曝光机和某种常规... 微电子技术的发展一直是光刻设备和技术发展与变革的动力。通过介绍光刻机的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻设备的发展潜力,结合比较极紫外光刻机和电子束曝光机的开发现状和特点,预言将来以极紫外光刻机、电子束曝光机和某种常规光刻机结合,来实现工业需要的各种图形的制备。 展开更多
关键词 光刻机 发展趋势 极紫外光刻机 电子束曝光机 微电子技术
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微纳金属光学结构制备技术及应用 被引量:21
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作者 谢常青 朱效立 +5 位作者 牛洁斌 李海亮 刘明 陈宝钦 胡媛 史丽娜 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期243-250,共8页
微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈。针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报道了基于电子束、X射线和接近式光学的混合光刻制作微纳金属光学结构技术。针对微纳光子学器件复杂图形开... 微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈。针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报道了基于电子束、X射线和接近式光学的混合光刻制作微纳金属光学结构技术。针对微纳光子学器件复杂图形开发了微光刻数据处理体系,基于矢量扫描电子束光刻设备在自支撑薄膜上进行1×高分辨率图形形成,利用X射线光刻进行高高宽比微纳图形复制,再利用低成本接近式光学光刻技术进行金属加强筋制作。还报道了自支撑X射线金光栅衍射效率和抗振测试结果。 展开更多
关键词 光学制造 微纳光学结构 电子束光刻 X射线光刻 自支撑薄膜
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人工裁剪制备石墨纳米结构 被引量:11
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作者 刘首鹏 周锋 +9 位作者 金爱子 杨海方 马拥军 李辉 顾长志 吕力 姜博 郑泉水 王胜 彭练矛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期4251-4255,共5页
采用不同的方法裁剪高定向热解石墨(HOPG),制备纳米尺寸的石墨条.首先,发现用聚焦离子束(镓离子)刻蚀高定向热解石墨,可以得到边缘整齐程度在几十纳米的石墨条,另外,用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,可以得到最小尺寸为50nm的纳米石... 采用不同的方法裁剪高定向热解石墨(HOPG),制备纳米尺寸的石墨条.首先,发现用聚焦离子束(镓离子)刻蚀高定向热解石墨,可以得到边缘整齐程度在几十纳米的石墨条,另外,用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,可以得到最小尺寸为50nm的纳米石墨图型(nanosizedgraphitepattern,纳米尺寸的多层石墨结构).采用了三种不同的方案制备反应等离子刻蚀过程中需要的掩膜,分别是PECVD生长的SiO2掩膜,磁控溅射的方法生长的SiO2掩膜和PMMA光刻胶掩膜,并将三种方案的刻蚀结果做了对比. 展开更多
关键词 高定向热解石墨 聚焦离子束刻蚀 电子束曝光 反应离子刻蚀 热解石墨 纳米结构 制备 裁剪 反应离子刻蚀 聚焦离子束 人工 纳米尺寸 SiO2
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电子束曝光技术发展动态 被引量:12
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作者 刘明 陈宝钦 +4 位作者 梁俊厚 李友 徐连生 张建宏 张卫红 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期117-120,共4页
电子束曝光技术是近三十年来发展起来的一门技术 ,主要应用于 0 .1~ 0 .5μm的超微细加工 ,甚至可以实现纳米线条的曝光。文中重点介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂以及电子束曝光技术的应用。
关键词 电子束曝光 微细加工 抗蚀剂
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高线密度X射线透射光栅的制作工艺 被引量:12
5
作者 朱效立 马杰 +9 位作者 曹磊峰 杨家敏 谢常青 刘明 陈宝钦 牛洁斌 张庆钊 姜骥 赵珉 叶甜春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2006-2010,共5页
采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备基于镂空薄膜结构的X射线光刻掩模,然... 采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备基于镂空薄膜结构的X射线光刻掩模,然后利用X射线光刻经济、高效地复制X射线透射光栅.整个工艺流程分别利用了电子束光刻分辨率高和X射线光刻效率高的优点,并且可以得到剖面陡直的纳米级光栅线条.最后,测量了制作出的X射线透射光栅对波长为11nm同步辐射光的衍射峰,实验结果表明该光栅具有良好的衍射特性. 展开更多
关键词 电子束光刻 透射光栅 X射线光刻 X射线衍射光学元件
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3333lp/mm X射线透射光栅的研制 被引量:11
6
作者 朱效立 马杰 +5 位作者 谢常青 叶甜春 刘明 曹磊峰 杨家敏 张文海 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1026-1030,共5页
针对X射线透射光栅摄谱仪中的高线密度光栅,研究了采用电子束曝光和X射线曝光技术结合制作高线密度X射线透射光栅的工艺技术。首先利用电子束曝光和微电镀技术在镂空的薄膜上制备母光栅X射线掩模版,然后利用X射线曝光和微电镀技术小批... 针对X射线透射光栅摄谱仪中的高线密度光栅,研究了采用电子束曝光和X射线曝光技术结合制作高线密度X射线透射光栅的工艺技术。首先利用电子束曝光和微电镀技术在镂空的薄膜上制备母光栅X射线掩模版,然后利用X射线曝光和微电镀技术小批量复制光栅。在国内首次完成了3333lp/mm X射线透射光栅的研制,栅线宽度为150nm,周期为300nm,金吸收体厚度为500nm。衍射效率标定的结果表明,该光栅的占空比合理、侧壁陡直,具有良好的色散特性,能够满足空间探测、同步辐射和变等离子诊断等多个领域的应用。 展开更多
关键词 X射线透射光栅 电子束光刻 X射线光刻 高线密度光栅
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高精度电子束光刻技术在微纳加工中的应用 被引量:12
7
作者 胡超 王兴平 +1 位作者 尤春 孙锋 《电子与封装》 2017年第5期28-32,36,共6页
对电子束光刻系统的原理以及在微纳加工领域的应用进行了讨论。首先对光刻系统的工作原理进行了阐述。然后讨论了电子束光刻的关键工艺,如光胶的选择、剥离工艺的优化以及邻近效应对图形的影响及修正方法。由于电子束光刻在科研领域展... 对电子束光刻系统的原理以及在微纳加工领域的应用进行了讨论。首先对光刻系统的工作原理进行了阐述。然后讨论了电子束光刻的关键工艺,如光胶的选择、剥离工艺的优化以及邻近效应对图形的影响及修正方法。由于电子束光刻在科研领域展现了巨大的潜力,因此吸引了许多学者的注意。最后,举例介绍了电子束光刻在生物医学和硅光电子上的应用。 展开更多
关键词 电子束光刻 微纳加工 纳米电子器件
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电子束光刻技术的原理及其在微纳加工与纳米器件制备中的应用 被引量:7
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作者 张琨 林罡 +2 位作者 刘刚 田扬超 王晓平 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第2期97-103,共7页
电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形。随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值。本文以几种常见的... 电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形。随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值。本文以几种常见的电子束曝光机为例,说明电子束光刻的工作原理和关键技术,并给出一些它在纳米器件和微纳加工方面的应用实例。 展开更多
关键词 电子束光刻 微纳加工 纳米器件
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W波段GaN单片功率放大器研制 被引量:11
9
作者 吴少兵 高建峰 +1 位作者 王维波 章军云 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期266-269,共4页
报道了W波段GaN三级放大电路的研制结果。采用电子束直写工艺在AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的'T'型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.3A/mm,最大跨导为430mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为90GHz及210GHz... 报道了W波段GaN三级放大电路的研制结果。采用电子束直写工艺在AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的'T'型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.3A/mm,最大跨导为430mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为90GHz及210GHz。采用该器件设计了三级放大电路,在75~110GHz频段内最大小信号增益为21dB。该单片在90GHz处的最大输出功率可达1.117W,PAE为13%,功率增益为11dB,输出功率密度为2.33 W/mm。 展开更多
关键词 GAN高电子迁移率晶体管 W波段 电子束直写 功率放大器
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电子束曝光中的邻近效应修正技术 被引量:11
10
作者 刘明 陈宝钦 +1 位作者 张建宏 李友 《微细加工技术》 EI 2000年第1期16-20,共5页
邻近效应是指电子在抗蚀剂和基片中的散射引起图形的改变 ,它严重地影响了图形的分辨率。有多种方法对邻近效应进行修正如剂量调整、图形调整等。我们以JBX 5 0 0 0LS为手段 ,用三种方法 :1图形尺寸修正 ,2大小图形分类和剂量分配 ,3图... 邻近效应是指电子在抗蚀剂和基片中的散射引起图形的改变 ,它严重地影响了图形的分辨率。有多种方法对邻近效应进行修正如剂量调整、图形调整等。我们以JBX 5 0 0 0LS为手段 ,用三种方法 :1图形尺寸修正 ,2大小图形分类和剂量分配 ,3图形分层和大小电流混合曝光 ,对邻近效应进行了修正 ,均取得较好效果。 展开更多
关键词 电子束曝光 邻近效应 集成电路
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电子束曝光高斯分布束斑的Monte Carlo模拟 被引量:9
11
作者 任黎明 陈宝钦 《微细加工技术》 2001年第3期60-63,共4页
经过严格论证 ,提出一种计算简便 ,易于软件实现的电子束束斑直径定义方法 ,在此基础上运用MonteCarlo方法对高斯分布电子束斑进行模拟 ,给出模拟电子数分别为50 0 0、2 0 0 0 0、50 0 0 0、1 0 0 0 0 0时的模拟结果。
关键词 电子束曝光 蒙特卡洛法 高斯分布束斑
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980 nm高功率DBR半导体激光器的设计及工艺 被引量:10
12
作者 乔闯 苏瑞巩 +5 位作者 李翔 房丹 方铉 唐吉龙 张宝顺 魏志鹏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期8-12,共5页
设计并制作了非对称大光腔波导结构,利用分布布拉格反射技术,实现了980 nm波段高功率半导体激光器的稳定输出。在实验过程中,采用电子束光刻技术,结合感应耦合等离子刻蚀工艺,利用SiO2作为硬掩模,并通过减小Ar离子的束流来减弱刻蚀过程... 设计并制作了非对称大光腔波导结构,利用分布布拉格反射技术,实现了980 nm波段高功率半导体激光器的稳定输出。在实验过程中,采用电子束光刻技术,结合感应耦合等离子刻蚀工艺,利用SiO2作为硬掩模,并通过减小Ar离子的束流来减弱刻蚀过程中由于物理轰击作用对SiO2硬掩模的消耗,制作出形貌良好、周期为890 nm、占空比为50%的分布布拉格反射器光栅;采用脊型波导激光器的制作工艺,成功制作出分布布拉格反射激光器,当器件注入电流15 A时,该激光器的输出功率高达10.7 W,斜率效率为0.73 W/A,器件阈值电流为0.95 A,中心波长为979.3 nm。该研究为GaAs基DBR半导体激光器的制作与研究提供了新思路。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 分布布拉格反射器 电子束光刻 高功率
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X射线衍射光学部件的制备及其光学性能表征 被引量:10
13
作者 陈宜方 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期2779-2795,共17页
综述了国内外在纳米加工X射线衍射光学透镜方面的研究现状和最新进展。介绍了作者团队过去三年在这方面做的工作。针对衍射透镜关键技术,研发了具有大高宽比形貌的电子束光刻基础工艺;结合金电镀,提出了纳米尺度波带片的制造技术,并将... 综述了国内外在纳米加工X射线衍射光学透镜方面的研究现状和最新进展。介绍了作者团队过去三年在这方面做的工作。针对衍射透镜关键技术,研发了具有大高宽比形貌的电子束光刻基础工艺;结合金电镀,提出了纳米尺度波带片的制造技术,并将该工艺成功扩展于分辨率板(Siemens star)和集成光栅型会聚透镜的研制。运用蒙特卡罗模拟和显影动力学,探索了电子束光刻技术所能够实现的最大高宽比以及造成这种限制的物理根源;成功研制了50~100nm的波带片透镜(其中,100nm波带片高宽比为16∶1)、50~300nm的分辨率测试板(其中,300nm测试板高宽比为10∶1)和200nm的会聚透镜(高宽比为10∶1)。对所研制的光学部件在同步辐射光源进行了实验表征。结果表明,100nm波带片聚焦斑尺寸为234nm,测试板和会聚透镜的光学特性与国外同样光学部件到达同等水平;会聚透镜辐照的均匀性为99%。最后,总结了近几年我国X射线衍射透镜的发展进度,指出了衍射光学部件光学性能发展的最大瓶颈是分辨率与衍射效率相互制约,提出了提高光学部件衍射效率的具体途径,给出了我国X射线衍射透镜技术的未来发展路线图。 展开更多
关键词 X射线衍射光学部件 波带片 电子束光刻 纳米加工 会聚透镜 分辨率板 同步辐射光源
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32nm节点极紫外光刻掩模的集成研制 被引量:9
14
作者 杜宇禅 李海亮 +2 位作者 史丽娜 李春 谢常青 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期320-326,共7页
报道了国内首块用于极紫外投影光刻系统的6inch(1inch=2.54cm)标准极紫外光刻掩模。论述了32nm节点6inch标准极紫外光刻掩模的设计方案,及掩模衬底、反射层、吸收层材料的工艺特性研究,对缺陷控制及提高掩模效率的方法进行了分析。运用... 报道了国内首块用于极紫外投影光刻系统的6inch(1inch=2.54cm)标准极紫外光刻掩模。论述了32nm节点6inch标准极紫外光刻掩模的设计方案,及掩模衬底、反射层、吸收层材料的工艺特性研究,对缺陷控制及提高掩模效率的方法进行了分析。运用时域有限差分法对掩模的光学特性进行了仿真,根据仿真结果确定合适的Cr吸收层厚度。运用电子束光刻技术进行了掩模的图形生成,针对其中的电子束光刻临近效应进行了蒙特卡罗理论分析,用高密度等离子体刻蚀进行了图形转移,所制造的掩模图形特征尺寸小于100nm,特征尺寸控制精度优于20nm,满足技术设计要求。 展开更多
关键词 X射线光学 极紫外投影光刻 掩模 电子束光刻 32 nm节点 时域有限差分法
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电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用 被引量:7
15
作者 陈宝钦 赵珉 +8 位作者 吴璇 牛洁斌 刘键 任黎明 王琴 朱效立 徐秋霞 谢常青 刘明 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期683-688,共6页
电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电... 电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电子束直写系统所开展的纳米器件和纳米结构制造工艺技术方面的研究。重点阐述了如何利用电子束直写技术实现纳米器件和纳米结构的电子束光刻。针对电子束光刻效率低和电子束光刻邻近效应等问题所采取的措施;采用无宽度线曝光技术和高分辨率、高反差、低灵敏度电子抗蚀剂相结合实现电子束纳米尺度光刻以及采用电子束光刻与X射线曝光相结合的技术实现高高宽比的纳米尺度结构的加工等具体工艺技术问题展开讨论。 展开更多
关键词 电子束光刻 电子束直写 电子束邻近效应校正 纳米制造 纳米器件 纳米结构
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电子束纳米加工技术研究现状 被引量:5
16
作者 卢维美 《微细加工技术》 1998年第2期1-9,共9页
纳米科学技术是80年代后期发展起来面向21世纪的高新技术,纳米加工技术是制造量子微结构的主导技术。电子束纳米加工推动着微细加工技术的研究向着分子、原子量级的纳米层次发展。本文重点介绍电子束纳米曝光技术的研究现状及发展... 纳米科学技术是80年代后期发展起来面向21世纪的高新技术,纳米加工技术是制造量子微结构的主导技术。电子束纳米加工推动着微细加工技术的研究向着分子、原子量级的纳米层次发展。本文重点介绍电子束纳米曝光技术的研究现状及发展前景。 展开更多
关键词 纳米技术 电子束曝光技术 微电子技术 IC
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Large area mold fabrication for the nanoimprint lithography using electron beam lithography 被引量:6
17
作者 CHU JinKui1,2,MENG FanTao1,2,HAN ZhiTao1,2 & GUO Qing1,2 1 Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China 2 Key Laboratory for Precision and Non-traditional Machining Technology of Ministry of Education,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2010年第1期248-252,共5页
The mold fabrication is a critical issue for the development of nanoimprint lithography as an effective low-cost and mass production process.This paper describes the fabrication process developed to fabricate the larg... The mold fabrication is a critical issue for the development of nanoimprint lithography as an effective low-cost and mass production process.This paper describes the fabrication process developed to fabricate the large area nanoimprint molds on the silicon wafers.The optimization of e-beam exposure dose and pattern design is presented.The overlayer process is developed to improve the field stitching accuracy of e-beam exposure,and around 10 nm field stitching accuracy is obtained.By means of the optimization of the e-beam exposure dose,pattern design and overlayer process,large area nanoimprint molds having dense line structures with around 10 nm field stitching accuracy have been fabricated.The fabricated mold was used to imprint commercial imprinting resist. 展开更多
关键词 NANOIMPRINT lithography MOLD FABRICATION electron beam lithography
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0.13μm集成电路制造中的光刻技术研究现状及展望 被引量:7
18
作者 郭宝增 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期281-290,共10页
近三十年来集成电路的特征尺寸不断缩小 ,主要是由于光刻技术稳定发展而推动的。按美国半导体工业协会的推测 ,在以后的一些年内 ,集成电路的特征尺寸还会不断缩小 ,到 2 0 0 3年 ,0 .13μm集成电路将投入生产。有许多光刻技术可以作为... 近三十年来集成电路的特征尺寸不断缩小 ,主要是由于光刻技术稳定发展而推动的。按美国半导体工业协会的推测 ,在以后的一些年内 ,集成电路的特征尺寸还会不断缩小 ,到 2 0 0 3年 ,0 .13μm集成电路将投入生产。有许多光刻技术可以作为生产这种电路的候选者 ,但这种集成电路最终由哪种光刻技术实现 ,目前还没有确定。文中介绍了其中的几种技术 (即 157nm光学光刻技术、X射线光刻技术和角度限制散射电子束光刻技术 )的研究现状 ,并对它们在 0 . 展开更多
关键词 光刻 X射线光刻 电子束光刻 集成电路
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Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹 被引量:8
19
作者 任黎明 陈宝钦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1519-1524,共6页
建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型 ,利用 Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟 .低能电子弹性散射采用较严格的 Mott截面描述 ,为了节约机时 ,利用查表与线性插值方法获得 Mott截面值 ;低能电子非... 建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型 ,利用 Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟 .低能电子弹性散射采用较严格的 Mott截面描述 ,为了节约机时 ,利用查表与线性插值方法获得 Mott截面值 ;低能电子非弹性散射能量损失采用 Joy修正的 Bethe公式计算 ,并对其加以改进 ,引入多元介质平均电离电位、平均原子序数、平均原子量概念 ,利用线性插值方法给出光刻胶 PMMA对应的 k值 .对电子穿越多层介质提出一种新的边界处理方法 .在此基础上运用 Monte Carlo方法模拟高斯分布低能电子束在 PMMA-衬底中的复杂散射过程 .模拟结果表明低能电子束曝光具有曝光效率高、邻近效应低、对衬底损伤轻等优点 ,与 L ee、Peterson等人通过实验得出的结论相符 . 展开更多
关键词 电子束曝光 电子散射 蒙特卡洛法 半导体工艺
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电子束光刻中邻近效应校正的几种方法 被引量:7
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作者 肖沛 孙霞 +1 位作者 闫继红 丁泽军 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第5期464-468,共5页
本文简要介绍了限制电子束光刻分辨率的主要因素之一—邻近效应的产生机制,列举了校正邻近效应的GHOST法、图形区密集度分布法和掩模图形形状改变法,介绍了每种方法的原理、步骤和效果,比较了它们各自的优缺点。
关键词 电子束光刻 邻近效应
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