期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于GaN HEMT的混合EF类功率放大器设计
被引量：
9
1
作者
程知群
张志维
+2 位作者
刘国华
孙昊
蔡勇
《微波学报》
CSCD
北大核心
2019年第2期34-37,共4页
基于GaN HEMT提出了一种3.5 GHz频率的高效率混合EF类功率放大器。采用输出端并联谐振电感来补偿晶体管的输出电容,提高了混合EF类功放的工作频段,使其能在3.5 GHz频率下达到高效率。使用简单的微带传输线构成谐波控制和匹配网络,满足混...
基于GaN HEMT提出了一种3.5 GHz频率的高效率混合EF类功率放大器。采用输出端并联谐振电感来补偿晶体管的输出电容,提高了混合EF类功放的工作频段,使其能在3.5 GHz频率下达到高效率。使用简单的微带传输线构成谐波控制和匹配网络,满足混合EF类功放基波、奇次谐波和偶次谐波的阻抗特征,同时完成与50Ω负载阻抗的匹配。测试结果显示,在3.3～3.8 GHz频段内,在1dB压缩点处输出功率达到40 dBm,漏极效率75%～79%,增益11.5～12.3 dB。
展开更多
关键词
高效率
GaN
HEMT
补偿输出电容
ef
类功率放大器
谐波控制
下载PDF
职称材料
题名
基于GaN HEMT的混合EF类功率放大器设计
被引量：
9
1
作者
程知群
张志维
刘国华
孙昊
蔡勇
机构
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
中国电子科技集团公司第四十一研究所电子信息测试技术安徽省重点实验室
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生学研究所纳米器件与应用重点实验室
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2019年第2期34-37,共4页
基金
国家自然科学基金(61871169)
浙江省自然科学基金(LZ16F010001)
文摘
基于GaN HEMT提出了一种3.5 GHz频率的高效率混合EF类功率放大器。采用输出端并联谐振电感来补偿晶体管的输出电容,提高了混合EF类功放的工作频段,使其能在3.5 GHz频率下达到高效率。使用简单的微带传输线构成谐波控制和匹配网络,满足混合EF类功放基波、奇次谐波和偶次谐波的阻抗特征,同时完成与50Ω负载阻抗的匹配。测试结果显示,在3.3～3.8 GHz频段内,在1dB压缩点处输出功率达到40 dBm,漏极效率75%～79%,增益11.5～12.3 dB。
关键词
高效率
GaN
HEMT
补偿输出电容
ef
类功率放大器
谐波控制
Keywords
high
ef
ficiency
GaN
HEMT
compensated
output
capacitor
ef
class
power
amplifier
harmonic
control
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于GaN HEMT的混合EF类功率放大器设计
程知群
张志维
刘国华
孙昊
蔡勇
《微波学报》
CSCD
北大核心
2019
9
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
