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一种多模可编程前置分频器的设计
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作者 戴学强 吴建辉 《电子器件》 CAS 2008年第2期653-656,共4页
针对目前大多数射频可调谐芯片中前置分频器多为双模结构,设计了一种基于2/3分频单元的可编程多模(64~127)前置分频器。采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺,在工作电源电压Vdd=5V,输入频率为2.2GHz的情况下,可实现分频比为64~127之间的可编... 针对目前大多数射频可调谐芯片中前置分频器多为双模结构,设计了一种基于2/3分频单元的可编程多模(64~127)前置分频器。采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺,在工作电源电压Vdd=5V,输入频率为2.2GHz的情况下,可实现分频比为64~127之间的可编程多值分频,功耗为37.18mW。 展开更多
关键词 2/3分频功能单元 ecl结构 多模可编程前置分频器
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