介绍了一款2~18 GHz的宽带放大器MMIC,该MMIC利用0.15μm GaN HEMT工艺设计加工,采用两级分布式结构设计,实现了较高的整体电路增益。利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计。在2~18 GHz工作频率范围内...介绍了一款2~18 GHz的宽带放大器MMIC,该MMIC利用0.15μm GaN HEMT工艺设计加工,采用两级分布式结构设计,实现了较高的整体电路增益。利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计。在2~18 GHz工作频率范围内,电路小信号增益>20 d B,增益平坦度<±1.5 d B,输入输出回波损耗<-10 d B,输出功率>30 d Bm,功率附加效率(PAE)>7%,电路工作电压为25 V,最大功耗为7 W,芯片面积为4.5 mm×2.5 mm。展开更多
文摘介绍了一款2~18 GHz的宽带放大器MMIC,该MMIC利用0.15μm GaN HEMT工艺设计加工,采用两级分布式结构设计,实现了较高的整体电路增益。利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计。在2~18 GHz工作频率范围内,电路小信号增益>20 d B,增益平坦度<±1.5 d B,输入输出回波损耗<-10 d B,输出功率>30 d Bm,功率附加效率(PAE)>7%,电路工作电压为25 V,最大功耗为7 W,芯片面积为4.5 mm×2.5 mm。
