聚偏氟乙烯-钛酸钡复合材料的介电性能 被引量：28

1

作者 董丽杰 熊传溪 +3 位作者 陈娟 刘起虹 王雁冰 任中奎 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期122-126,共5页

　用钛酸酯和钛酸丁酯偶联剂对BaTiO3粉进行表面处理,使用熔融法制备了BaTiO3/PVDF复合材料薄片。通过疏水亲油实验定性地分析了钛酸酯和钛酸丁酯偶联剂对BaTiO3粉的偶联作用,通过测定BaTiO3/PVDF的介电常数和介电损耗角正切值表征了复... 　用钛酸酯和钛酸丁酯偶联剂对BaTiO3粉进行表面处理,使用熔融法制备了BaTiO3/PVDF复合材料薄片。通过疏水亲油实验定性地分析了钛酸酯和钛酸丁酯偶联剂对BaTiO3粉的偶联作用,通过测定BaTiO3/PVDF的介电常数和介电损耗角正切值表征了复合材料的介电性能,BaTiO3/PVDF扫描电子显微镜(SEM)的微观形态分析发现,经过偶联剂表面处理,BaTiO3粉在PVDF中的分散情况改善。 展开更多

关键词 BaTiO3/PVDF 偶联剂 介电性能

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环氧树脂与氰酸酯共固化产物性能的研究 被引量：23

2

作者 陈平 程子霞 +1 位作者 朱兴松 雷清泉 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期10-13,共4页

用 DSC,介电和动态力学等分析方法研究了组成对乙酰丙酮过渡金属络合物催化促进的环氧树脂与氰酸酯共固化反应体系反应动力学参数 ,固化产物力学、电气和耐热性能以及玻璃化转变温度的影响。结果表明 ,随着共固化反应体系中氰酸酯含量... 用 DSC,介电和动态力学等分析方法研究了组成对乙酰丙酮过渡金属络合物催化促进的环氧树脂与氰酸酯共固化反应体系反应动力学参数 ,固化产物力学、电气和耐热性能以及玻璃化转变温度的影响。结果表明 ,随着共固化反应体系中氰酸酯含量的增加 ,其表观反应活化能和频率熵因子均随之升高 ;在相同的固化条件下 ,共固化产物中三嗪环结构含量增加 ,聚醚结构减少 ,玻璃化转变温度升高 ,耐热性能。 展开更多

关键词 环氧树脂 氰酸酯 共聚反应 动力学参数 固化物 性能 改性 共固化产物 复合材料

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高介电常数聚酰亚胺/钛酸钡复合膜的制备与性能研究 被引量：21

3

作者 朱宝库 谢曙辉 +1 位作者 徐又一 徐志康 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期546-548,551,共4页

通过将聚酰胺酸溶液与硅烷偶联剂处理的钛酸钡(BaTiO3) 粒子进行溶液共混,亚胺化后得到高介电常数的聚酰亚胺/BaTiO3 复合膜。改性后的Ba TiO3 粒子可以均匀地分散在聚酰亚胺基体中, 制备过程中BaTiO3 粒子未发生经晶型改变,而聚酰亚胺... 通过将聚酰胺酸溶液与硅烷偶联剂处理的钛酸钡(BaTiO3) 粒子进行溶液共混,亚胺化后得到高介电常数的聚酰亚胺/BaTiO3 复合膜。改性后的Ba TiO3 粒子可以均匀地分散在聚酰亚胺基体中, 制备过程中BaTiO3 粒子未发生经晶型改变,而聚酰亚胺分子链的堆积密度有所变化。复合膜的介电常数和介电损耗随着BaTiO3 粒子含量的增加而增加,在50%(体积分数)时,介电常数可达35,介电损耗为0.0082(10kHz),而且在相当大的温度和频率范围内保持稳定,是一种综合性能良好的高介电常数材料。 展开更多

关键词 聚酰亚胺 钛酸钡 复合膜 介电性能

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(Zn_(1-x)Mg_x)TiO_3微波陶瓷系统介电性能的研究 被引量：15

4

作者 王玉梅 李玲霞 +2 位作者 吴霞宛 林曼红 于立 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期911-915,共5页

对 (Zn1-xMgx)TiO3 系统的微观结构和介电性能进行了研究。通过添加一定量的MgO稳定ZnTiO3 六方钛铁矿结构 ,有效抑制了ZnTiO3 分解为Zn2 TiO4 和TiO2 。同时 ,通过调整x值 (x =0 .1～ 0 .4) ,可以获得介电性能优良的微波瓷料。当x=0 .3... 对 (Zn1-xMgx)TiO3 系统的微观结构和介电性能进行了研究。通过添加一定量的MgO稳定ZnTiO3 六方钛铁矿结构 ,有效抑制了ZnTiO3 分解为Zn2 TiO4 和TiO2 。同时 ,通过调整x值 (x =0 .1～ 0 .4) ,可以获得介电性能优良的微波瓷料。当x=0 .3～ 0 .3 5时 ,在 10 6 0℃烧结 ,其品质因数Q0 >2 0 0 0 0 ( 6 .5GHz) ,谐振频率温度系数τf≈ + 2× 10 - 6 /℃ ,介电常数ε =18～ 2 2。通过研究发现热处理可以改变系统微观形貌 ,其品质因数Q0 与热处理温度关系密切 ,当保温时间均为 2h时 ,随着热处理温度的升高 ,Q0 从 2 3 83 3 .93相应升高到 475 84.0 0。 展开更多

关键词 微波陶瓷 钛酸锌 热处理 介电性能

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环氧树脂与氰酸酯共固化物的结构与性能 被引量：16

5

作者 陈平 唐忠朋 +1 位作者 王秀杰 蹇锡高 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期265-272,共8页

研究了用乙酰丙酮过渡金属络合物等促进剂催化促进环氧树脂与氰酸酯(在氰酸酯欠量,适量和过量条件下)的共固化反应行为、固化反应的机理、固化物的结构特征以及结构与性能关系.结果表明,促进剂能明显地降低体系的固化反应温度,缩短固化... 研究了用乙酰丙酮过渡金属络合物等促进剂催化促进环氧树脂与氰酸酯(在氰酸酯欠量,适量和过量条件下)的共固化反应行为、固化反应的机理、固化物的结构特征以及结构与性能关系.结果表明,促进剂能明显地降低体系的固化反应温度,缩短固化反应时间,其促进效果与促进剂种类有关.在固化反应过程中,先是氰酸酯发生自聚反应形成二聚体或三聚体(三嗪环),然后二聚体进一步形成三嗪环,此过程伴随着环氧树脂的聚醚反应,最后是三嗪环与剩余的环氧基反应形成嚼唑烷酮.在氰酸酯欠量的条件下,固化物的交联结构主要是聚醚网络结构和(?)唑烷酮结构,三嗪结构很少.在氰酸酯适量和过量条件下,固化物交联结构主要是三嗪环和(?)唑烷酮结构,聚醚结构很少.随着氰酸酯含量的增加,三嗪结构随之增加,聚醚结构减少,固化物的耐热性能和介电性能随之提高. 展开更多

关键词 有机高分子材料 结构与性能 共固化反应 环氧树脂 氰酸酯

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铋层状化合物Sr_(0.3)Ba_(0.7)Bi_(4-x)La_xTi_4O_(15)陶瓷材料的介电性能 被引量：13

6

作者 黄平 徐廷献 孙清池 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期808-811,共4页

采用固相烧结工艺制备了铋层状化合物Sr0.3Ba0.7Bi4-xLaxTi4O15铁电陶瓷。X射线衍射证实:La含量很大的范围内(x=0～1)均形成了层状钙钛矿结构固熔体。Sr0.3Ba0.7Bi3.25La0.75Ti4O15粉料在低温下难以烧结,随着烧结温度的提高,Sr0.3Ba0.7B... 采用固相烧结工艺制备了铋层状化合物Sr0.3Ba0.7Bi4-xLaxTi4O15铁电陶瓷。X射线衍射证实:La含量很大的范围内(x=0～1)均形成了层状钙钛矿结构固熔体。Sr0.3Ba0.7Bi3.25La0.75Ti4O15粉料在低温下难以烧结,随着烧结温度的提高,Sr0.3Ba0.7Bi3.25La0.75Ti4O15陶瓷密度增加的同时,产生焦绿石相,但La的加入在一定程度上抑制焦绿石相的形成。Sr0.3Ba0.7Bi3.5La0.5Ti4O15陶瓷的介电常数峰在10kHz时较宽,在100Hz时,介电常数峰被随温度升高而逐渐增大的介电常数所"屏蔽",材料损耗角正切随温度升高而增大,在低频下增加得更快。 展开更多

关键词 铋层状化合物 镧搀杂 介电性能 相变温度

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Si/C/N晶须的微波介电性能 被引量：9

7

作者 焦桓 周万城 罗发 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期34-38,共5页

　研究了Si/C/N纳米晶须的制备、组成和微波介电性能。利用CVD法制备了化学组成一定的纳米Si/C/N晶须,XRD研究发现晶须的物相主要为β-SiC。热重分析表明该晶须在700℃以上开始氧化,具有较好的抗氧化性。测定了Si/C/N晶须的复介电常数... 　研究了Si/C/N纳米晶须的制备、组成和微波介电性能。利用CVD法制备了化学组成一定的纳米Si/C/N晶须,XRD研究发现晶须的物相主要为β-SiC。热重分析表明该晶须在700℃以上开始氧化,具有较好的抗氧化性。测定了Si/C/N晶须的复介电常数与作用频率的关系,并计算了介电损耗角正切。依据介电性能数据,分别设计了单层和双层吸波材料,对所设计材料的吸波性能进行了计算。对Si/C/N纳米晶须的吸波机理进行了初步的探讨。 展开更多

关键词 Si/C/N 抗氧化性 复介电常数 吸波材料 吸波机理

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声表面波波速快速求解策略 被引量：10

8

作者 李良儿 吉小军 +1 位作者 施文康 张国伟 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期656-660,共5页

针对有效介电常数与边界条件系数行列式值这两种常用求解方法存在的求解速度、精度及通用性等问题,提出了采用混合法;利用材料对称性和介质的连续性,选用合适的动态搜索步长及区间等策略,实现准确快速求解波速.为声表面波问题的快速求... 针对有效介电常数与边界条件系数行列式值这两种常用求解方法存在的求解速度、精度及通用性等问题,提出了采用混合法;利用材料对称性和介质的连续性,选用合适的动态搜索步长及区间等策略,实现准确快速求解波速.为声表面波问题的快速求解及三维空间的切型优化提供参考. 展开更多

关键词 声表面波 波速 快速求解 压电晶体

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钛酸锶钡(BST)薄膜的介电性能研究 被引量：5

9

作者 陈宏伟 杨传仁 +2 位作者 符春林 赵莉 高志强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期615-617,共3页

　采用射频磁控溅射法制备了BaxSr1-xTiO3(简称BST)薄膜材料,研究了不同膜厚、晶粒尺寸的BST薄膜的介电系数温度特性(εr T)、频率特性(εr f)、电压特性(εr U)及损耗的温度特性(tgδ T)、频率特性(tgδ f),找出了BST薄膜的非线性、损... 　采用射频磁控溅射法制备了BaxSr1-xTiO3(简称BST)薄膜材料,研究了不同膜厚、晶粒尺寸的BST薄膜的介电系数温度特性(εr T)、频率特性(εr f)、电压特性(εr U)及损耗的温度特性(tgδ T)、频率特性(tgδ f),找出了BST薄膜的非线性、损耗随尺度变化的规律。 展开更多

关键词 钛酸锶钡 薄膜 膜厚 晶粒尺寸 介电性能

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(1-y)Ca_(1-x)La_(2x/3)TiO_3-yCa(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3复合体系的微波介电性能 被引量：4

10

作者 王浩 陈文 刘涛 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期880-883,共4页

采用固相合成法制备了(1-y)Ca1-xLa2x/3TiO3yCa(Mg1/3Nb2/3)O3系列微波介质陶瓷材料。研究了复合系统的微波介电性能和微观结构。研究结果表明:在y=0.4～0.6范围内,体系形成了单一的钙钛矿结构。当复合体系组成为0.5Ca0.6La0.267TiO30.5... 采用固相合成法制备了(1-y)Ca1-xLa2x/3TiO3yCa(Mg1/3Nb2/3)O3系列微波介质陶瓷材料。研究了复合系统的微波介电性能和微观结构。研究结果表明:在y=0.4～0.6范围内,体系形成了单一的钙钛矿结构。当复合体系组成为0.5Ca0.6La0.267TiO30.5Ca(Mg1/3·Nb2/3)O3时,在1400℃下烧结保温4h所制备的材料表现出良好的微波介电性能:εr=55,Q×f=45000GHz(7.6GHz下),τf=0.04×10-6/℃。 展开更多

关键词 微波介质陶瓷 复合钙钛矿 固溶体 介电性能

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CeO_2添加对(PbCa)(FeNb)O_3介质陶瓷微观结构及微波性能的影响 被引量：2

11

作者 周东祥 胡明哲 +2 位作者 姜胜林 蔡雪卿 龚树萍 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期709-713,共5页

研究了CeO2添加量对(Pb0.48Ca0.52)(Fe0.5Nb0.5)O3微观结构及介电性能的影响。研究表明:当Ce4+含量≤2.2%(摩尔分数,下同)时,样品为单一钙钛矿相,并且Ce4+进入A位造成样品晶胞的收缩,而Ce4+进入B位造成样品晶胞的膨胀。当Ce4+含量>2... 研究了CeO2添加量对(Pb0.48Ca0.52)(Fe0.5Nb0.5)O3微观结构及介电性能的影响。研究表明:当Ce4+含量≤2.2%(摩尔分数,下同)时,样品为单一钙钛矿相,并且Ce4+进入A位造成样品晶胞的收缩,而Ce4+进入B位造成样品晶胞的膨胀。当Ce4+含量>2.2%时,样品中会出现未知相。样品介电常数随Ce4+含量的增加先增大,后减小,介电常数的增大是由于晶胞体积的收缩以及相对密度的增大;减小则是由于Ce4+的半径(0.087nm)大于(Fe3++Nb5+)的平均半径(0.064nm)以及体系中未知相的出现。此外,由于Ce4+的取代造成氧空位消除、相对密度增大以及晶粒尺寸增大,从而当Ce4+的含量超过一定值时,样品的品质因数得到提高。样品谐振频率温度系数随Ce4+取代量的增加先迅速下降,然后又逐步增加。这是由于Ce4+的取代使得B位键价增加,谐振频率温度系数τf下降;但当样品中出现未知相时,τf又增加。当Ce4+的含量为2.2%时,τf达到最小值3.5×10-6/℃,且此时样品介电常数εr及品质因数谐振频率的积Qf值分别为93.7,6770GHz。研究了CeO2添加(Pb0.48Ca0.52)(Fe0.5Nb0.5)O3样品中晶体结构与介电性能之间的关系。 展开更多

关键词 钙钛矿结构 晶胞体积 介电常数 品质因数 谐振频率温度系数

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纳米多孔二氧化硅薄膜的制备与表征 被引量：8

12

作者 王娟 冯坚 +1 位作者 杨大祥 张长瑞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期54-56,共3页

以正硅酸乙酯为原料,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜.适合匀胶的二氧化硅溶胶的粘度范围为9～15mPa·s;多孔二氧化硅薄膜表面均匀平整,其厚度为400～1000nm;折射率为... 以正硅酸乙酯为原料,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜.适合匀胶的二氧化硅溶胶的粘度范围为9～15mPa·s;多孔二氧化硅薄膜表面均匀平整,其厚度为400～1000nm;折射率为1.09～1.24;介电常数为1.5～2.5.该多孔二氧化硅薄膜具有三维网络结构,二氧化硅微粒直径为10～20nm. 展开更多

关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶 正硅酸 乙酯 低介电常数

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SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料的介电特性 被引量：7

13

作者 罗发 周万城 +1 位作者 焦桓 赵东林 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期98-101,共4页

　采用LAS玻璃粉末和激光诱导法制备的纳米SiC(N)粉体,通过热压烧结法制备了SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料,研究了该复合材料在8.2～12.4GHz频率范围内的微波介电特性。结果表明,SiC(N)/LAS的介电常数主要受纳米SiC(N)粉体含量的控制,此... 　采用LAS玻璃粉末和激光诱导法制备的纳米SiC(N)粉体,通过热压烧结法制备了SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料,研究了该复合材料在8.2～12.4GHz频率范围内的微波介电特性。结果表明,SiC(N)/LAS的介电常数主要受纳米SiC(N)粉体含量的控制,此外还与烧结温度有关。随着烧结温度的提高,复合材料介电常数和介电损耗均随之增大。SiC(N)/LAS对电磁波的损耗作用明显优于同体积分数的纳米SiC(N)与石蜡混合体,这与烧结过程中形成的碳界面有关。 展开更多

关键词 纳米SiC(N) LAS玻璃陶瓷 SiC(N)/LAS复合材料 介电常数

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激光辐照改变Ta_2O_5陶瓷的介电性能 被引量：3

14

作者 季凌飞 王伟 +1 位作者 于振龙 蒋毅坚 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1242-1245,共4页

采用大功率CO2激光辐照技术,进行Ta2O5陶瓷介电性能的改性研究。对辐照前后陶瓷试样的介电性能进行了温度和频率特性的比较,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析,探讨了其介电性能改变的微观机理。经400～1000W的大功率激光辐照处理... 采用大功率CO2激光辐照技术,进行Ta2O5陶瓷介电性能的改性研究。对辐照前后陶瓷试样的介电性能进行了温度和频率特性的比较,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析,探讨了其介电性能改变的微观机理。经400～1000W的大功率激光辐照处理后,Ta2O5陶瓷的介电常数提高了近1倍(κ>60),同时保持了良好的热稳定性(TCκ<10-3/℃)。 展开更多

关键词 改变 CO2激光 TC 处理 激光辐照 光辐射 分析 TA2O5 X射线衍射 介电性能

原文传递

0-3型压电陶瓷/硫铝酸盐水泥复合材料的介电性及压电性 被引量：5

15

作者 黄世峰 常钧 +3 位作者 芦令超 刘福田 王守德 程新 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期87-90,共4页

以硫铝酸盐水泥为基体,铌镁锆钛酸铅(PMN)陶瓷颗粒为功能体制备了水泥基压电复合材料.重点讨论了复合材料的介电性能和压电性能.结果表明:水泥基压电复合材料的介电温谱在-30℃～150℃范围内较平坦,表现出优良的介电温度稳定性,而介电... 以硫铝酸盐水泥为基体,铌镁锆钛酸铅(PMN)陶瓷颗粒为功能体制备了水泥基压电复合材料.重点讨论了复合材料的介电性能和压电性能.结果表明:水泥基压电复合材料的介电温谱在-30℃～150℃范围内较平坦,表现出优良的介电温度稳定性,而介电损耗随着温度的升高而增加;水泥基压电复合材料的压电应变常数和介电常数均随着PMN含量的增加而增大. 展开更多

关键词 PMN 水泥基压电复合材料 压电常数 介电常数 介电温度稳定性

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在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜 被引量：3

16

作者 邢玉梅 陶凯 +4 位作者 俞跃辉 郑志宏 杨文伟 宋朝瑞 沈达身 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期736-738,共3页

　用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退... 　用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2。借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能。 展开更多

关键词 SOI材料 氧化铪 薄膜

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掺镁钛酸钡的抗还原研究 被引量：3

17

作者 李艳霞 姚熹 张良莹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期763-766,共4页

对掺镁钛酸钡进行了抗还原研究。研究了Ba/Ti摩尔比、镁掺杂摩尔分数和烧结气氛对陶瓷的致密化、电阻率以及介电性能的影响。结果表明:在氮气气氛中烧结的样品比在空气中烧结的样品具有更大的介电常数、较小的介电损耗。当烧结温度和保... 对掺镁钛酸钡进行了抗还原研究。研究了Ba/Ti摩尔比、镁掺杂摩尔分数和烧结气氛对陶瓷的致密化、电阻率以及介电性能的影响。结果表明:在氮气气氛中烧结的样品比在空气中烧结的样品具有更大的介电常数、较小的介电损耗。当烧结温度和保温时间都相同时,与在空气中烧结的样品相比,在氮气气氛条件下烧结的样品具有较大的密度,较大的电阻率,较大的介电常数和较小的介电损耗。当镁掺杂摩尔分数为1%时,随着Ba/Ti摩尔比的增加,介电损耗的变化不大;而当镁掺杂摩尔分数为2%时,随着Ba/Ti摩尔比的增加,介电损耗增加。 展开更多

关键词 钛酸钡 抗还原 电阻率 介电性能

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(Ba_(1-x)Sr_x)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3微波陶瓷介电性能研究 被引量：1

18

作者 刘丹丹 吴顺华 王伟 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期679-683,共5页

Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BMT)陶瓷是A(B′1/3B″2/3)O3(A=Ba,Sr;B′=Zn,Mg;B″=Nb,Ta)型复合钙钛矿化合物中的一种,A位由Sr离子取代Ba离子,形成(Ba1-xSrx)(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BSMT)固溶体型化合物,也具有复合钙钛矿结构。Sr含量x≥0.6时... Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BMT)陶瓷是A(B′1/3B″2/3)O3(A=Ba,Sr;B′=Zn,Mg;B″=Nb,Ta)型复合钙钛矿化合物中的一种,A位由Sr离子取代Ba离子,形成(Ba1-xSrx)(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BSMT)固溶体型化合物,也具有复合钙钛矿结构。Sr含量x≥0.6时发生相转变,形成一种新的低温相,这是由于氧八面体畸变造成的。这种低温相结构与BMT六方晶系结构相比具有较低的对称性。低温相的形成,可显著降低BSMT陶瓷的烧结温度,在1500℃即可烧结致密(BMT为1600℃)。BSMT的微观结构和介电性能(如介电常数ε和介电常数温度系数αε)的变化也与此相转变有关。 展开更多

关键词 复合钙钛矿化合物 低温相 微观结构 介电性能

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射频溅射制备镁钙微波陶瓷薄膜的研究

19

作者 董树荣 王德苗 金浩 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期449-452,共4页

制备了膜层质量良好的镁钙微波介质陶瓷(MCT)薄膜.采用高密度等离子体射频溅射法在(110)二氧化硅上沉积了MCT陶瓷薄膜.研究结果表明: 薄膜态MCT陶瓷具有和块状材料相近的微波介电特性,MCT薄膜的介电常数在20左右,品质因子在23 THz左右;... 制备了膜层质量良好的镁钙微波介质陶瓷(MCT)薄膜.采用高密度等离子体射频溅射法在(110)二氧化硅上沉积了MCT陶瓷薄膜.研究结果表明: 薄膜态MCT陶瓷具有和块状材料相近的微波介电特性,MCT薄膜的介电常数在20左右,品质因子在23 THz左右;溅射气体的氩氧混合体积比会明显影响薄膜膜层质量及其介电特性,氧分压的变化改变了八面体C轴长度,使晶格畸变和八面体向四面体转变;溅射功率和退火工艺温度也会影响薄膜质量. 展开更多

关键词 微波介质陶瓷 MCT 介质薄膜 射频溅射

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Pb掺杂SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应 被引量：1

20

作者 王矜奉 陈洪存 +1 位作者 赵春华 高建鲁 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期615-620,共6页

研究了Pb_3O_4对(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏材料电学性质的影响,当Pb_3O_4的含量从0.00增加到0.75％(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760.这说明Pb... 研究了Pb_3O_4对(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏材料电学性质的影响,当Pb_3O_4的含量从0.00增加到0.75％(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760.这说明Pb_3O_4是调控SnO_2压敏材料击穿电压和介电常数的敏感添加剂,晶界势垒高度测量表明,在实验范围内Pb的含量对势垒高度的影响很小,随着Pb含量的增加,SnO_2的晶粒尺寸的迅速长大是击穿电压迅速减小和介电常数迅速增大的主要原因,对样品的复阻抗进行了测量,发现未掺杂Pb的样品具有最低的晶界电阻,而掺杂0.50％Pb_3O_4的样品具有最高的晶界电阻.提出了一个修正的缺陷势垒模型,指出了替代Sn的受主不应当处于晶界上,而应处于耗尽层的Sn的晶格位置. 展开更多

关键词 无机非金属材料 压敏电阻器 铅掺杂 二氧化锡 肖特基势垒

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