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高掺杂浓度Yb∶YAG晶体的生长及光谱性能 被引量:7
1
作者 徐晓东 赵志伟 +3 位作者 宋平新 周国清 邓佩珍 徐军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期955-958,共4页
应用中频感应提拉法生长了掺杂浓度高达 5 0at. %的Yb∶YAG晶体 ,研究了室温下Yb∶YAG晶体的吸收和发射光谱特性以及荧光寿命 ,在 939nm和 96 9nm处存在Yb3 + 离子的 2个吸收带 ,能与InGaAs激光二极管(LD)有效耦合 ,适合激光管二极抽运... 应用中频感应提拉法生长了掺杂浓度高达 5 0at. %的Yb∶YAG晶体 ,研究了室温下Yb∶YAG晶体的吸收和发射光谱特性以及荧光寿命 ,在 939nm和 96 9nm处存在Yb3 + 离子的 2个吸收带 ,能与InGaAs激光二极管(LD)有效耦合 ,适合激光管二极抽运。其荧光主峰位于 10 32nm附近 ,Yb∶YAG晶体的荧光寿命为 390 μs。比较了高掺杂与低掺杂Yb∶YAG晶体的光谱参数 。 展开更多
关键词 材料 YB:YAG晶体 提拉法 晶体生长 光谱特性
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Nd:Gd_3Ga_5O_(12)多晶原料合成及单晶生长研究 被引量:10
2
作者 孙晶 刘景和 +4 位作者 关效贤 李建利 曾繁明 万玉春 张亮 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期585-589,共5页
通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1300℃下,采用固相反应法合成了Nd∶Gd... 通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1300℃下,采用固相反应法合成了Nd∶Gd3Ga5O12(Nd∶GGG)多晶原料。用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd∶GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061 54nm。对晶体表面的开裂现象进行了分析。 展开更多
关键词 掺钕钆镓石榴石晶体 原料挥发 激光晶体 提拉法 晶体生长
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La_3Ga_5SiO_(14)单晶的生长、性能及SAW应用 被引量:14
3
作者 武安华 徐家跃 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期559-564,共6页
本文综述了新型压电晶体La3 Ga5SiO14 的最新研究进展 ,详细讨论了该晶体的生长问题 ,简单介绍了该晶体的性能及其在SAW和BAW方面的应用 ,分析了该晶体在压电应用方面的优势。
关键词 单晶 应用 SAW La3Ga5SiO14 Gzochralski LPE 晶体生长 压电性能 声表面波
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Tm∶YAG晶体的生长及吸收特性 被引量:9
4
作者 宋平新 赵志伟 +3 位作者 徐晓东 姜本学 邓佩珍 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期376-379,共4页
采用提拉法生长出三种掺Tm3 + 浓度的Tm∶YAG晶体。运用ICP AES测定Tm3 + 离子在Tm∶YAG晶体中的分凝系数约为 1。室温下测定了Tm∶YAG晶体在 190~ 90 0nm之间的吸收光谱及 10 0 0~ 4 5 0 0cm-1范围内退火前后的红外吸收谱。测试结果... 采用提拉法生长出三种掺Tm3 + 浓度的Tm∶YAG晶体。运用ICP AES测定Tm3 + 离子在Tm∶YAG晶体中的分凝系数约为 1。室温下测定了Tm∶YAG晶体在 190~ 90 0nm之间的吸收光谱及 10 0 0~ 4 5 0 0cm-1范围内退火前后的红外吸收谱。测试结果表明 ,退火后 336 5cm-1处OH-1离子的吸收峰完全消失。说明在空气气氛下对Tm∶YAG晶体进行退火处理改善了晶体的性能。 展开更多
关键词 Tm: YAG晶体 生长工艺 提拉法 分凝系数 吸收光谱 ICP-AES 红外可调谐激光晶体
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高温闪烁晶体Ce∶YAP的生长研究 被引量:9
5
作者 李涛 赵广军 +3 位作者 何晓明 徐军 潘守夔 徐月泉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期85-89,共5页
Ce∶YAP晶体具有优良的闪烁性能 ,其主要特点是光产额大 ,衰减时间短 ,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配 ,在γ射线探测、核医学等方面有着广阔的应用前景。我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶YAP晶体 ,成功地解决了在生长过程中... Ce∶YAP晶体具有优良的闪烁性能 ,其主要特点是光产额大 ,衰减时间短 ,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配 ,在γ射线探测、核医学等方面有着广阔的应用前景。我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶YAP晶体 ,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及孪晶问题 ,并对晶体生长过程中的爬料、纯YAP晶体着色等现象作了讨论。X射线激发发射谱表明晶体的发射峰在 388nm ,吸收测试则显示晶体在 2 5 4nm、36 展开更多
关键词 高温闪烁晶体 CE:YAP 提拉法晶体生长 X射线激发发射谱 吸收谱 铈掺杂
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提拉法晶体生长数值模拟研究进展 被引量:11
6
作者 邵淑芳 张庆礼 +4 位作者 苏静 孙敦陆 王召兵 张霞 殷绍唐 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期687-692,共6页
数值模拟方法是了解晶体生长过程中各种物理现象和问题的重要手段,可以为晶体生长工艺参数的设定、温场设计等提供参考。本文介绍了最近几十年来数值模拟技术对提拉法生长晶体过程中物理问题的研究进展,同时对晶体生长过程中界面形状、... 数值模拟方法是了解晶体生长过程中各种物理现象和问题的重要手段,可以为晶体生长工艺参数的设定、温场设计等提供参考。本文介绍了最近几十年来数值模拟技术对提拉法生长晶体过程中物理问题的研究进展,同时对晶体生长过程中界面形状、液流、速度场、温度场、各种输运过程以及工艺条件和参数对晶体生长的影响等的数值模拟进行了介绍。 展开更多
关键词 提拉法 数值模拟 晶体生长 对流 界面形状
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直拉法硅单晶生长中断棱与掉苞问题的探讨 被引量:9
7
作者 董建明 张波 +3 位作者 刘进 赵科巍 罗晓斌 赵彩霞 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2013年第1期157-159,共3页
在直拉法硅单晶生长过程中,由于位错的产生经常会导致硅棒发生断棱与掉苞现象,严重影响了晶体硅和器件的性能,降低了硅太阳能电池的光电转换效率。为了分析该现象,借助于位错形成的理论,探讨了Φ203mm(100)硅棒发生断棱与掉苞的具体原... 在直拉法硅单晶生长过程中,由于位错的产生经常会导致硅棒发生断棱与掉苞现象,严重影响了晶体硅和器件的性能,降低了硅太阳能电池的光电转换效率。为了分析该现象,借助于位错形成的理论,探讨了Φ203mm(100)硅棒发生断棱与掉苞的具体原因及应对措施。影响直拉法单晶硅棒发生断棱与掉苞的因素包括:熔体中过多的杂质,热场、机械传动装置及炉体的不稳定等。 展开更多
关键词 直拉法 位错 单晶生长 杂质 热场
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Cr^(3+)∶LiCaAlF_6晶体提拉法生长的研究 被引量:3
8
作者 张尚安 魏世道 +2 位作者 韩奇阳 陶德节 冯朝鲜 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期243-248,共6页
在国内首次报道熔体提拉法生长Cr3+∶LiCaAlF6晶体的研究.晶体生长工艺中不用HF流动气氛和铂金炉膛.研制出质量较好的尺寸达(20—25)mm×(90—120)mm的晶体.测定了晶体对809nm红外波段的... 在国内首次报道熔体提拉法生长Cr3+∶LiCaAlF6晶体的研究.晶体生长工艺中不用HF流动气氛和铂金炉膛.研制出质量较好的尺寸达(20—25)mm×(90—120)mm的晶体.测定了晶体对809nm红外波段的吸收系数μ为10-2量级,晶体中无OH-.对于熔体的富Li组成。 展开更多
关键词 掺铬 氟化铝钙锂 提拉法 晶体生长 缺陷 激光
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大尺寸无机闪烁晶体Ce^(3+):YAG的生长和光谱研究 被引量:6
9
作者 黄朝红 陆磊 +4 位作者 周东方 秦青海 李运奎 殷绍唐 施朝淑 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期354-357,共4页
本文研究了大尺寸、高光学质量无机闪烁晶体Ce3 + :YAG的生长 ,并对它的吸收光谱和荧光光谱进行了测量和分析。在克服了晶体易开裂和出现宏观缺陷的情况下 ,采用提拉法成功生长出直径达 4 5mm的Ce3 + :YAG单晶。光谱测量表明晶体具有优... 本文研究了大尺寸、高光学质量无机闪烁晶体Ce3 + :YAG的生长 ,并对它的吸收光谱和荧光光谱进行了测量和分析。在克服了晶体易开裂和出现宏观缺陷的情况下 ,采用提拉法成功生长出直径达 4 5mm的Ce3 + :YAG单晶。光谱测量表明晶体具有优良的光学性能。 展开更多
关键词 闪烁晶体 Ce^3+:YAG 提拉法 单晶生长 光谱测量 晶体生长 大尺寸 无机闪烁晶体
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掺Yb^(3+)钇铝石榴石晶体的生长和性能研究 被引量:3
10
作者 王永国 徐学珍 +3 位作者 常米 朱建慧 莫小刚 桂尤喜 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期442-445,共4页
用提拉法生长出φ40×190mm^3的掺Yb^(3+)钇铝石榴石(Yb:YAG)晶体,摸索出了合适的温场系统、生长工艺和热处理条件。通过测量Yb:YAG晶体在939nm处的透过率得出了其吸收系数与原始掺杂浓度之间的关系。所生长Yb:YAG晶体的光—光转换... 用提拉法生长出φ40×190mm^3的掺Yb^(3+)钇铝石榴石(Yb:YAG)晶体,摸索出了合适的温场系统、生长工艺和热处理条件。通过测量Yb:YAG晶体在939nm处的透过率得出了其吸收系数与原始掺杂浓度之间的关系。所生长Yb:YAG晶体的光—光转换效率为38.6%,斜率效率达55.1%。 展开更多
关键词 掺杂 YB^3+ 钇铝石榴石晶体 晶体生长 晶体性能 激光晶体 提拉法
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采用延时修正法实施QUICK格式模拟提拉单晶体的生长 被引量:4
11
作者 宇慧平 隋允康 +1 位作者 张峰翊 王学锋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期648-656,共9页
为了数值模拟提拉(又名Czochralski)法获得单晶体的生长过程,本文采用有限容积法离散控制方程,采用非均匀的交错网格避免不合理的振荡压力场,采用三阶精度QUICK(Quadratic Upwind Interpolation of Convective Kinematics)格式离散对流... 为了数值模拟提拉(又名Czochralski)法获得单晶体的生长过程,本文采用有限容积法离散控制方程,采用非均匀的交错网格避免不合理的振荡压力场,采用三阶精度QUICK(Quadratic Upwind Interpolation of Convective Kinematics)格式离散对流项,采用延时修正来实施QUICK格式获得满足主对角占优的代数方程组,采用SIMPLE(Semi-implicit Method for Pressure Linked Equations)算法耦合压力和速度场,给出了基于上述方法的方程、算法,并发展了程序,计算了Wheeler标准问题,计算结果与文献相当一致,同时本算法能模拟计算高葛拉晓夫数时的流动,显示出非均匀网格QUICK格式模拟晶体生长的优越性;另外本文将这一算法运用到单晶硅的数值模拟中,计算结果令人满意。 展开更多
关键词 QUICK格式 提拉法 单晶体 晶体生长 延时修正法 数值模拟
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提拉法生长平肩同成分铌酸锂晶体的研究
12
作者 秦娟 梁丹丹 +5 位作者 孙军 杨金凤 郝永鑫 李清连 张玲 许京军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期978-986,共9页
提拉法生长的晶体肩部形状普遍为斜肩,但斜肩的肩部质量差且加工难度大,会降低晶体的利用率,生长平肩晶体可以解决该问题。然而,平肩晶体对热场和扩肩工艺要求非常高,扩肩阶段易出现多晶和包裹体缺陷。铌酸锂晶体作为一种多功能晶体材料... 提拉法生长的晶体肩部形状普遍为斜肩,但斜肩的肩部质量差且加工难度大,会降低晶体的利用率,生长平肩晶体可以解决该问题。然而,平肩晶体对热场和扩肩工艺要求非常高,扩肩阶段易出现多晶和包裹体缺陷。铌酸锂晶体作为一种多功能晶体材料,在电子技术、光通信技术、激光技术及集成光子学技术等领域得到了广泛应用。本研究以同成分铌酸锂晶体为例,利用数值模拟和实验方法,研究了提拉法生长平肩晶体的热场和扩肩工艺。结果表明:提拉法生长平肩晶体时,放肩阶段结晶前沿的界面形状需保持微凸;反射屏降低(10 mm)可减小结晶前沿的温度梯度,避免肩部生成多晶;扩肩速度以监控为主,微调加热功率保证扩肩趋势,适当增大扩肩初期(ϕ≤30 mm)的速度,降低中后期(ϕ≥35 mm)的扩肩速度,可达到不产生包裹体和缩短放肩周期的目的;采用小幅度(Δt=10 min)微调拉速(Δv=0.2 mm/h)和功率的策略,可实现拉速(0~1.5 mm/h)的快速变化(1.5~2 h)而不影响晶体扩肩趋势和质量。使用优化后的热场和扩肩工艺,获得了系列三英寸平肩同成分铌酸锂晶体,晶体光学均匀性良好。 展开更多
关键词 铌酸锂 热场设计 平肩晶体 提拉法 晶体生长
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Numerical study of heat transport and fluid flow during the silicon crystal growth process by the Czochralski method 被引量:3
13
作者 金超花 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第6期38-43,共6页
A global analysis of heat transfer and fluid flow in a real Czochralski single silicon crystal furnace is developed using the FLUENT package.Good agreement was obtained for comparisons of the power and crystal growth ... A global analysis of heat transfer and fluid flow in a real Czochralski single silicon crystal furnace is developed using the FLUENT package.Good agreement was obtained for comparisons of the power and crystal growth speed between the simulation and experimental data,and the effect of the length of the crystal on heat transfer and fluid flow was analyzed.The results showed that T_(max) increases and its location moves downward as the crystal length increases.The flow pattern in the melt does not change until the crystal grows to 900 mm.As the crystal length increases,the flow pattern in the first gas area only changes when the crystal length is less than 700 mm,but the flow pattern in the second area changes throughout the growth process. 展开更多
关键词 czochralski crystal growth SILICON fluid flow numerical study
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YAlO_(3)∶Ce晶体的生长及性能研究 被引量:3
14
作者 丁言国 叶崇志 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第6期965-972,共8页
本文采用中频感应提拉法生长了尺寸为Φ35 mm×70 mm的完整的YAlO_(3)∶Ce(YAP∶Ce)晶体。XRD测试结果表明所生长的YAP∶Ce晶体主相为YAP相,同时存在第二相YAG相;光致激发发射光谱表明晶体发射波长在344 nm和376 nm,激发波长分别为2... 本文采用中频感应提拉法生长了尺寸为Φ35 mm×70 mm的完整的YAlO_(3)∶Ce(YAP∶Ce)晶体。XRD测试结果表明所生长的YAP∶Ce晶体主相为YAP相,同时存在第二相YAG相;光致激发发射光谱表明晶体发射波长在344 nm和376 nm,激发波长分别为273 nm、290 nm和305 nm;X射线激发发射光谱表明晶体发射波长在377 nm附近;在γ高能射线激发下,晶体衰减时间曲线呈指数衰减,拟合后得到YAP∶Ce晶体的衰减时间为46 ns,通过高斯拟合以后YAP∶Ce晶体的能量分辨率和绝对光产额分别为8.51%和8530 ph/MeV。本文分析了晶体生长过程中产生开裂和相变的原因,通过优化温场和工艺可以得到完整无开裂的晶体。如何获得更大尺寸的无开裂、无相变晶体,并实现量产是该晶体规模化应用中需要解决的重要技术难题。 展开更多
关键词 YAlO_(3)∶Ce 闪烁晶体 提拉法 晶体生长 闪烁性能 开裂 相变
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大尺寸掺钕和掺铥铝酸钇晶体的生长和退火技术 被引量:3
15
作者 莫小刚 王永国 +4 位作者 朱建慧 徐学珍 何占斌 桂尤喜 王克强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期520-525,共6页
通过分析铝酸钇(YAP)晶体产生孪晶、开裂、色心和弥散性散射的原因,探讨了克服这些缺陷和问题的技术途径。采用提拉法生长了b轴方向的掺钕和掺铥铝酸钇(Nd:YAP和Tm:YAP)晶体,通过温场系统、生长工艺参数和切割工艺的优化,克服了晶体开... 通过分析铝酸钇(YAP)晶体产生孪晶、开裂、色心和弥散性散射的原因,探讨了克服这些缺陷和问题的技术途径。采用提拉法生长了b轴方向的掺钕和掺铥铝酸钇(Nd:YAP和Tm:YAP)晶体,通过温场系统、生长工艺参数和切割工艺的优化,克服了晶体开裂的问题,晶体直径达到46mm;通过真空退火工艺,既显著减轻了紫外和可见区的色心吸收,又减小了晶体的应力,有助于克服晶体在加工过程中的开裂问题。晶体生长实验和晶体的显微观察表明:YAP晶体中的弥散状散射很可能同熔体中组分的均匀性有关,通过增大晶体的直径,增强强迫对流有助于减轻晶体中的弥散状散射。高质量b轴Nd:YAP和a轴Tm:YAP晶体已分别实现二极管泵浦大于140W的1.079μm和大于10W的1.99μm激光输出。 展开更多
关键词 ND:YAP TM:YAP 提拉法 晶体生长 退火
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高质量Tb_(3)Sc_(2)Al_(3)O_(12)磁光晶体的生长及性能 被引量:3
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作者 郝元凯 辛显辉 +4 位作者 刘蕾 胡强强 付秀伟 贾志泰 陶绪堂 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期1070-1077,共8页
Tb_(3)Sc_(2)Al_(3)O_(12)(TSAG)晶体具有高透过率、高激光损伤阈值、低吸收系数以及比Tb_(3)Ga_(5)O_(12)(TGG)更为优异的磁光性能,被认为是理想的磁光材料;但由于晶体在生长过程中会累积大量的热应力,并且出现成分偏析的现象,导致晶... Tb_(3)Sc_(2)Al_(3)O_(12)(TSAG)晶体具有高透过率、高激光损伤阈值、低吸收系数以及比Tb_(3)Ga_(5)O_(12)(TGG)更为优异的磁光性能,被认为是理想的磁光材料;但由于晶体在生长过程中会累积大量的热应力,并且出现成分偏析的现象,导致晶体在后期加工和使用过程中容易开裂,严重限制了该晶体的应用。本文通过优化生长工艺,采用提拉法成功生长了高质量且完整无开裂的TSAG磁光晶体。将生长所得的单晶经定向、切割及抛光后获得尺寸合适的样品,并对其热学性能和光学性能进行了系统表征。结果显示,TSAG晶体在400~1500 nm波段透过率达到84%左右,热学性能优于目前商业化应用较好的TGG晶体,在高功率下应用时变形较小且散热更快,将更好地保护器件安全。TSAG晶体的Verdet常数约为TGG晶体的1.2倍,且晶体生长过程不存在Ga_(2)O_(3)挥发等问题,制备较为简单,有望在可见近红外波段实现商业化应用。 展开更多
关键词 TSAG 磁光 提拉法 晶体生长 激光
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新型(Sr_(0.5)Ca_(0.5))_(3)Ta(Ga_(0.5)Al_(0.5))_(3)Si_(2)O_(14)高温压电晶体的生长及性能表征
17
作者 赵桂媛 刘蕾 +2 位作者 尹芳艺 朱孟花 付秀伟 《铸造技术》 CAS 2023年第5期400-404,共5页
硅酸镓镧系列晶体因具有较高电阻率和优异的压电性能被认为是高温传感器应用的优选材料。本文在国际上首次采用提拉法成功生长了新型(Sr_(0.5)Ca_(0.5))_(3)Ta(Ga_(0.5)Al_(0.5))_(3)Si_(2)O_(14)(SCTGAS)高温压电晶体,并研究了离子取... 硅酸镓镧系列晶体因具有较高电阻率和优异的压电性能被认为是高温传感器应用的优选材料。本文在国际上首次采用提拉法成功生长了新型(Sr_(0.5)Ca_(0.5))_(3)Ta(Ga_(0.5)Al_(0.5))_(3)Si_(2)O_(14)(SCTGAS)高温压电晶体,并研究了离子取代对晶体生长及电学性能的影响。生长的SCTGAS晶体无色,结晶质量较好,呈现出板面生长形态,在可见光波段具有较高的透过性。在450℃测试温度下,该晶体的电阻率仍高于109Ω·cm。此外,Sr取代能够显著增强晶体的高温压电系数d11,550℃时该值达到5.55 pC/N。因此,SCTGAS晶体在高温压电传感器领域展现出良好的应用潜力。 展开更多
关键词 硅酸镓镧 高温压电 压电系数 提拉法 晶体生长
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直拉法晶体生长的晶体形状控制算法 被引量:2
18
作者 王岩 康明 李敏远 《兵工自动化》 2006年第1期58-59,共2页
直拉法晶体形状控制采用Bardsley算法。先确定晶体重量、时间和长度初始值,再以给定初始时间确定晶体生长阶段,在相应时间段用线性内插法重新表示上述过程参变量,然后引入循环下标及前一控制周期模型量,得到相应长度增量的晶体模型重量... 直拉法晶体形状控制采用Bardsley算法。先确定晶体重量、时间和长度初始值,再以给定初始时间确定晶体生长阶段,在相应时间段用线性内插法重新表示上述过程参变量,然后引入循环下标及前一控制周期模型量,得到相应长度增量的晶体模型重量。比较模型重量和称重传感器测量值,计算PID控制器输出,从而得出晶体重量。 展开更多
关键词 形状控制 直拉法 晶体生长 Bardsley算法
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自动加料单晶炉的设计与研究 被引量:2
19
作者 李海林 武欢 王瑞 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第2期203-206,共4页
由于传统的晶体生长设备不具备加料功能,在晶体生长过程中无法进行原料补充,所以最终的晶体尺寸通常受制于坩埚和设备大小。而更大尺寸的坩埚和设备成本高,这制约了大尺寸晶体的研究和发展。该文设计了一种自动加料系统,可根据已生长的... 由于传统的晶体生长设备不具备加料功能,在晶体生长过程中无法进行原料补充,所以最终的晶体尺寸通常受制于坩埚和设备大小。而更大尺寸的坩埚和设备成本高,这制约了大尺寸晶体的研究和发展。该文设计了一种自动加料系统,可根据已生长的晶体质量向坩埚内补充同等质量的原料,确保坩埚内固-液界面保持不变,从而实现小坩埚生长大尺寸晶体的目标,提高了设备利用率,节约了能源,降低了生产成本,促进了大尺寸晶体的发展。 展开更多
关键词 自动加料 提拉单晶炉 晶体生长 大尺寸晶体
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Marangoni Convection in the LiCaAIF_6 Crystal Growth by the Czochralski Technique 被引量:1
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作者 Hiroshi Mizuseki Touetsu Shishido +1 位作者 Kyoko Ichinoseki Yoshiyuki Kawazoe 《Journal of Thermal Science》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第4期348-352,共5页
Numerical simulation of the mixed convection induced by buoyancy, crystal rotation, and also unbalanced surface tension at the melt-gas interface is conducted by means of the finite volume method in the model of the C... Numerical simulation of the mixed convection induced by buoyancy, crystal rotation, and also unbalanced surface tension at the melt-gas interface is conducted by means of the finite volume method in the model of the Czochralski crystal growth. The role of Marangoni convection in the heat and mass transfer is investigated by the comparison of the models with and without surface tension included, and our results indicate that Marangoni convection plays an important role in the heat and mass transfer near the interface of melt and crystal, and also the convection structure. 展开更多
关键词 MARANGONI CONVECTION BUOYANCY CONVECTION czochralski technique crystal growth computer simulation.
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