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同轴纳米电缆的最新研究进展 被引量:5
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作者 张双虎 徐淑芝 +1 位作者 董相廷 王进贤 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1117-1123,共7页
阐述了同轴纳米电缆的制备方法,其中主要包括水热法、溶胶-凝胶法、基于纳米线法、模板法、气相生长法、同轴静电纺丝法等,重点介绍了同轴静电纺丝法制备同轴纳米电缆,并对未来同轴纳米电缆的应用及研究方向进行了简单介绍和展望。
关键词 纳米电缆 同轴纳米电缆 同轴静电纺丝法 静电纺丝法 气相沉积
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模板法组装尼龙-66/铂同轴纳米电缆的研究 被引量:2
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作者 佘希林 宋国君 +1 位作者 李建江 彭智 《现代化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期37-38,40,共3页
采用简单的溶液浸润多孔氧化铝模板的方法制备了PA66的纳米管,再以这种含有PA66纳米管的模板作为“二次模板”,通过电化学沉积技术,在聚合物纳米管内部沉积金属铂纳米线,制得了PA66/铂同轴纳米电缆。用SEM和TEM等测试手段对所制备的聚... 采用简单的溶液浸润多孔氧化铝模板的方法制备了PA66的纳米管,再以这种含有PA66纳米管的模板作为“二次模板”,通过电化学沉积技术,在聚合物纳米管内部沉积金属铂纳米线,制得了PA66/铂同轴纳米电缆。用SEM和TEM等测试手段对所制备的聚合物纳米管和同轴纳米电缆进行了表征。 展开更多
关键词 同轴纳米电缆 组装 聚合物纳米管 模板法
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同轴纳米电缆研究进展 被引量:1
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作者 宋国君 陈东 +2 位作者 李建江 佘希林 彭智 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1-5,共5页
同轴纳米电缆是一维纳米材料家族中的一颗新星,在众多高精尖端技术领域具有十分诱人的应用前景。详细总结了近年来同轴纳米电缆的研究成果,全面归纳了其制备方法和研究现状。把制备方法概括为5类,即模板法、碳热还原与蒸发-凝聚法、溶胶... 同轴纳米电缆是一维纳米材料家族中的一颗新星,在众多高精尖端技术领域具有十分诱人的应用前景。详细总结了近年来同轴纳米电缆的研究成果,全面归纳了其制备方法和研究现状。把制备方法概括为5类,即模板法、碳热还原与蒸发-凝聚法、溶胶-凝胶法、激光烧蚀法和化学气相沉积法。并展望了其发展趋势和应用前景。 展开更多
关键词 同轴纳米电缆 制备方法 研究进展
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Template Synthesis and Characterization of Cu2O/TiO2 Coaxial Nanocable for Photocatalysis
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作者 WANG Hongzhi LIU Ning LU Jing YAO Suwei JIANG Shisheng ZHANG Weiguo 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 2015年第5期846-850,共5页
Coaxial nanocable consisted of p-type Cu2O nanowires and n-type TiO2 nanotubes arrays was prepared in the porous anodic aluminum oxide(AAO) template via the sol-gel method and subsequent electrodeposition method. X-... Coaxial nanocable consisted of p-type Cu2O nanowires and n-type TiO2 nanotubes arrays was prepared in the porous anodic aluminum oxide(AAO) template via the sol-gel method and subsequent electrodeposition method. X-ray diffraction analysis identified an anatase structure of the TiO2 nanotubes and cubic structure of the Cu2O nanowires. The obtained samples were also characterized by scanning electron microscopy(SEM), transmission electron microscopy(TEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy(EDS). The diffrence of open circuit potential of the coaxial nanocable electrode was larger than that of the TiO2 nanotubes electrode under ultraviolet illumination, which means doping with Cu2O could improve the photovoltage effectively. Meanwhile, nanocable arrays exhibited a high activity for photodegrading Rhodamine B under Xe lamp irradiation and the photocatalysis degradation efficiency was up to 98.69% after degradation for 7 h. The enhanced photocatalytic activity could be attributed to the high migration efficiency of photoinduced electrons, which may suppress the charge recombination effectively. 展开更多
关键词 TIO2 CU2O coaxial nanocable HETEROJUNCTION PHOTOCATALYSIS
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用离子吸附法制备银/聚吡咯同轴纳米电缆 被引量:2
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作者 谢胡晓 邱藤 李效玉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1046-1049,共4页
以多元醇还原反应法制备出直径为40~50nm的纳米银线,采用醋酸铜水溶液对银纳米线表面进行处理,通过离子吸附在纳米银线表面吸附铜离子.以吸附在银纳米线表面上的铜离子作为活性单元,氧化吡咯单体聚合,制得Ag/PPy同轴纳米电缆.采... 以多元醇还原反应法制备出直径为40~50nm的纳米银线,采用醋酸铜水溶液对银纳米线表面进行处理,通过离子吸附在纳米银线表面吸附铜离子.以吸附在银纳米线表面上的铜离子作为活性单元,氧化吡咯单体聚合,制得Ag/PPy同轴纳米电缆.采用TEM,FTIR和XPS等表征手段对产物进行表征和检测,并通过表面增强拉曼光谱进一步证实产物中聚吡咯层紧密地吸附在银线表面.结果表明,利用醋酸铜作为氧化剂,通过离子吸附法制备的Ag/PPy同轴纳米电缆,可以在较大范围内有效地控制聚吡咯层厚度,避免银纳米线被刻蚀. 展开更多
关键词 同轴纳米电缆 离子吸附 醋酸铜 聚吡咯 银纳米线
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半导体/SiO_2纳米复合材料的溶胶-凝胶制备 被引量:1
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作者 宋玉哲 杨合情 +1 位作者 尹文艳 万秀琴 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第5期581-585,共5页
总结了溶胶-凝胶法制备半导体/SiO2纳米复合材料的研究进展。目前,通过该方法已制备了镶嵌在SiO2玻璃中的II-VI族I、II-V族I、-VII族和IV族等半导体;形态上,除玻璃块体和薄膜外,还出现了核壳结构的纳米颗粒和同轴纳米电缆。
关键词 溶胶-凝胶法 半导体/SiO2 核壳结构 同轴纳米电缆
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Au/SnO_2异质同轴纳米电缆 被引量:1
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作者 单旭东 王朋伟 +2 位作者 尤力平 俞大鹏 叶恒强 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期473-477,共5页
本文报道了一种新型的Au/SnO2金属-半导体异质同轴纳米电缆结构。通过透射电镜表征,发现其轴心为沿特定方向生长的单晶Au纳米线,而壳层则为沿[100]方向生长的单晶SnO2,整体看来就如同一根单晶Au纳米线外套了一根单晶SnO2纳米管。管的两... 本文报道了一种新型的Au/SnO2金属-半导体异质同轴纳米电缆结构。通过透射电镜表征,发现其轴心为沿特定方向生长的单晶Au纳米线,而壳层则为沿[100]方向生长的单晶SnO2,整体看来就如同一根单晶Au纳米线外套了一根单晶SnO2纳米管。管的两端是封闭的,而Au轴则几乎贯穿整个管,只在端部与SnO2之间有一定间隙。本文讨论了纳米电缆可能的生长机制,而空隙应该是由于两者的热膨胀系数不同所致。 展开更多
关键词 SNO2 AU 异质结构 纳米电缆
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氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆的制备(英文)
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作者 张艳丽 侯鹏翔 刘畅 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期8-13,共6页
采用氢电弧放电法直接制备了无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管同轴纳米电缆。纳米电缆的长度为几微米到数十微米,直径约为10~30 nm。纳米电缆的外包覆层为无定形氧化硅,每根电缆的芯部包含1根到几根单壁碳纳米管。单壁碳纳米管具有较高的... 采用氢电弧放电法直接制备了无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管同轴纳米电缆。纳米电缆的长度为几微米到数十微米,直径约为10~30 nm。纳米电缆的外包覆层为无定形氧化硅,每根电缆的芯部包含1根到几根单壁碳纳米管。单壁碳纳米管具有较高的结晶度,其直径主要集中在2.2 nm和1.8 nm。基于实验研究结果,提出了一种纳米电缆的生长机制。所制备的无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆可望用于场效应晶体管等纳电子器件的构建。 展开更多
关键词 同轴纳米电缆 单壁碳纳米管 氧化硅 电弧放电
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n-ZnO/p-CuO同轴纳米线异质结的制备及其Ⅰ-Ⅴ特性
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作者 彭伟 李金钗 《武汉大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期212-216,共5页
采用热蒸发气相沉积法在Si(100)衬底上生长直径约为60~70nm的氧化锌(ZnO)纳米线,进一步运用离子束溅射技术和热氧化工艺在ZnO纳米线表面形成含有均匀密集分布的超细氧化铜(CuO)纳米颗粒的CuO壳层,构成n-ZnO(核芯)/p-CuO(壳层)同轴纳米... 采用热蒸发气相沉积法在Si(100)衬底上生长直径约为60~70nm的氧化锌(ZnO)纳米线,进一步运用离子束溅射技术和热氧化工艺在ZnO纳米线表面形成含有均匀密集分布的超细氧化铜(CuO)纳米颗粒的CuO壳层,构成n-ZnO(核芯)/p-CuO(壳层)同轴纳米线异质结.扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)用于研究样品的形貌、成分和晶体结构.实验结果表明,生长的ZnO纳米线呈纤锌矿单晶结构,CuO壳层为多晶结构.Ⅰ-Ⅴ曲线表明该同轴纳米线异质结构具有优良的二极管整流特性.这种具有大的异质结面积和高的比表面受光面积及强的表面化学活性的n-ZnO/p-CuO同轴纳米线异质结构在大电流密度的纳米整流器件、太阳能电池、光敏器件和气敏传感器等领域有很好的应用前景. 展开更多
关键词 氧化锌(ZnO) 氧化铜(CuO) 同轴纳米线 异质结 Ⅰ-Ⅴ特性
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CuO@NiCo_2O_4同轴纳米电缆异质结催化剂的制备及其氧还原电催化性能研究
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作者 蒋聪 张天珩 +1 位作者 田景华 杨瑞枝 《电池工业》 CAS 2018年第2期100-106,共7页
本文采用简单的溶胶-凝胶法合成了NiCo_2O_4包裹的CuO同轴纳米电缆异质结催化剂。扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)结果表明,复合之后CuO和NiCo_2O_4的形态与结构保持不变。进一步采用旋转圆盘电极(RRDE)技术研究了在碱性溶液中纯Ni... 本文采用简单的溶胶-凝胶法合成了NiCo_2O_4包裹的CuO同轴纳米电缆异质结催化剂。扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)结果表明,复合之后CuO和NiCo_2O_4的形态与结构保持不变。进一步采用旋转圆盘电极(RRDE)技术研究了在碱性溶液中纯NiCo_2O_4、纯CuO和CuO@NiCo_2O_4复合催化剂的电催化性能。对于氧还原反应(ORR),复合后的CuO@NiCo_2O_4比单独的纯CuO和纯NiCo_2O_4显示出高得多的电化学活性,其特征在于具有更高的极限扩散电流密度和更正的起始电位,同时复合后的催化剂具有更优异的稳定性,这可以归因于其独特的同轴纳米电缆结构和复合催化剂中CuO和NiCo_2O_4之间的协同催化作用。 展开更多
关键词 同轴纳米电缆 异质结 电催化 氧还原
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银单晶纳米线的气相合成及其表面增强拉曼散射特性(英文)
11
作者 李志 祝巍 +3 位作者 余庆选 杨乾辉 邵智斌 楼立人 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期106-111,共6页
通过气-液-固(VLS)机制,利用热蒸发方法在Ag/ZnO同轴结构纳米线中合成了单晶Ag纳米线.ZnO壳的限制作用被认为是促成了Ag单晶相的形成.通过腐蚀掉ZnO壳而获得的银纳米线,其直径可以通过改变源中银的含量来调控.这些高质量的银纳米线具有... 通过气-液-固(VLS)机制,利用热蒸发方法在Ag/ZnO同轴结构纳米线中合成了单晶Ag纳米线.ZnO壳的限制作用被认为是促成了Ag单晶相的形成.通过腐蚀掉ZnO壳而获得的银纳米线,其直径可以通过改变源中银的含量来调控.这些高质量的银纳米线具有明显的表面增强拉曼散射(SERS)增强效果. 展开更多
关键词 银纳米线 化学气相沉积(CVD) 氧化锌 同轴结构纳米线 表面增强拉曼散射(SERS)
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MWCNT@SiO2纳米同轴电缆的制备及储锂性能
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作者 石慧敏 王惠 +5 位作者 尹金维 朱青云 吴平 唐亚文 周益明 陆天虹 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期175-179,共5页
以多壁碳纳米管(MWCNT)为模板,通过正硅酸乙酯(TEOS)的水解缩聚反应制得MWCNT@SiO2纳米同轴电缆.采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和电化学测试对样品的形貌、结构及电化学性能进行表征.结果表明,MWCNT表面包覆了一层厚度... 以多壁碳纳米管(MWCNT)为模板,通过正硅酸乙酯(TEOS)的水解缩聚反应制得MWCNT@SiO2纳米同轴电缆.采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和电化学测试对样品的形貌、结构及电化学性能进行表征.结果表明,MWCNT表面包覆了一层厚度均匀的多孔SiO2层,利于其获得较好的储锂性能.作为锂离子电池负极材料,MWCNT@SiO2纳米同轴电缆表现出了较高的比容量和较好的循环性能.在100 m A/g电流密度下经过80次循环,MWCNT@SiO2纳米同轴电缆的放电比容量仍高达431.7 m A·h/g,高于石墨材料的理论比容量(372 m A·h/g). 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 MWCNT@SiO2 纳米同轴电缆 水解缩聚反应
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用乙二醇为还原剂制备Ag/C同轴纳米电缆 被引量:1
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作者 邱敏 陶志银 +3 位作者 余丽 吴绪虎 牛琼 牛和林 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第6期88-91,共4页
利用一种简单的有机物乙二醇作为还原剂和碳源,采用简单温和的水热方法制备出Ag/C同轴纳米电缆.用SEM、TEM、XRD、UV-vis和FT-IR对产物进行了表征,探索了制备Ag/C同轴纳米电缆的最佳条件是温度为180℃、CH2SO4=2mol·L-1,并且提出... 利用一种简单的有机物乙二醇作为还原剂和碳源,采用简单温和的水热方法制备出Ag/C同轴纳米电缆.用SEM、TEM、XRD、UV-vis和FT-IR对产物进行了表征,探索了制备Ag/C同轴纳米电缆的最佳条件是温度为180℃、CH2SO4=2mol·L-1,并且提出了可能的反应机制. 展开更多
关键词 乙二醇 同轴纳米电缆 AG纳米线 碳化
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同轴三层纳米电缆NiO@SiO_2@TiO_2的制备与表征 被引量:2
14
作者 宋超 董相廷 +1 位作者 王进贤 刘桂霞 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1186-1190,共5页
采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,成功地制备出了NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆.采用差热-热重(TG-DTA)分析、X射线衍射(XRD)分析、傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析、扫描电子显微镜(SEM)分析和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品... 采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,成功地制备出了NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆.采用差热-热重(TG-DTA)分析、X射线衍射(XRD)分析、傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析、扫描电子显微镜(SEM)分析和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行表征,结果表明,所得产物为NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆,内层为NiO,直径大约为40~50 nm;中间层为SiO2,厚度大约为40~45 nm;外层为TiO2,厚度大约为45~50 nm.对NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆的形成机理进行了讨论. 展开更多
关键词 NiO@SiO2@TiO2 同轴三层纳米电缆 静电纺丝技术
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NiO@SnO_2@Zn_2TiO_4@TiO_2同轴四层纳米电缆的制备、表征及形成机理研究 被引量:7
15
作者 宋超 董相廷 +1 位作者 王进贤 刘桂霞 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第20期2471-2478,共8页
采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@[Zn(CH3COO)2+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆.采用热重-差热... 采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@[Zn(CH3COO)2+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆.采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征.结果表明,所得产物为同轴四层纳米电缆,芯层为NiO,直径为35~55 nm;第二层为SnO2,厚度为30~50 nm;第三层为Zn2TiO4,厚度为25~40 nm;壳层为TiO2,厚度为40~90 nm.对同轴四层纳米电缆的形成机理进行了探讨. 展开更多
关键词 NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2 同轴四层纳米电缆 静电纺丝技术 形成机理
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静电纺丝技术制备NiO-ZnTiO_3-TiO_2同轴三层纳米电缆及其形成机制 被引量:1
16
作者 宋超 董相廷 +1 位作者 王进贤 刘桂霞 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期122-128,共7页
采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]-[Zn(CH3COO)2+PVP]-[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,在600℃下将其进行热处理,制备出了NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。采用热重-差热(TG-D... 采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]-[Zn(CH3COO)2+PVP]-[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,在600℃下将其进行热处理,制备出了NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征。对NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆的形成机制进行了讨论。结果表明,所得产物为NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。芯层为NiO,直径大约为(42.024±4.405)nm;中间层为ZnTiO3,厚度大约为(55.385±7.681)nm;壳层为TiO2,厚度大约为(70.747±7.373)nm。 展开更多
关键词 NiO-ZnTiO3-TiO2 同轴三层纳米电缆 静电纺丝技术 形成机制
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