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基于链式的信号转移冗余TSV方案
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作者 王伟 张欢 +3 位作者 方芳 陈田 刘军 汪秀敏 《计算机工程与应用》 CSCD 2014年第17期34-39,154,共7页
三维集成电路(3D IC)带来了诸多的益处,譬如高带宽,低功耗,外形尺寸小。基于硅通孔的三维集成得到了行业的广泛采用。然而,硅通孔的制造过程引入了新的缺陷机制。一个失效的硅通孔会使整个芯片失效,会极大地增加成本。增加冗余硅通孔修... 三维集成电路(3D IC)带来了诸多的益处,譬如高带宽,低功耗,外形尺寸小。基于硅通孔的三维集成得到了行业的广泛采用。然而,硅通孔的制造过程引入了新的缺陷机制。一个失效的硅通孔会使整个芯片失效,会极大地增加成本。增加冗余硅通孔修复失效硅通孔可能是最有效的提高良率的方法,但是却带来了面积成本。提出了一种基于链式的信号转移冗余方案,输入端从下一分组选择信号硅通孔传输信号。在基于概率模型下,提出的冗余结构良率可以达到99%,同时可以减少冗余TSV的数目。 展开更多
关键词 三维集成电路 硅通孔 容错 THREE-DIMENSIONAL Integrated circuits(3D IC)
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三维CMOS集成电路技术研究 被引量:3
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作者 朱国良 张鹤鸣 +2 位作者 胡辉勇 李发宁 舒斌 《电子科技》 2004年第7期21-26,共6页
论述了三维集成电路(3D IC )的发展概况,介绍了近几年国外发展的各种三维集成电路技术,主要包括再结晶技术、埋层结构技术、选择性外延过生长技术和键合技术。并基于 SiGe 材料特性,提出了一种新型的 Si-SiGe 三维 CMOS 结构,即将第一... 论述了三维集成电路(3D IC )的发展概况,介绍了近几年国外发展的各种三维集成电路技术,主要包括再结晶技术、埋层结构技术、选择性外延过生长技术和键合技术。并基于 SiGe 材料特性,提出了一种新型的 Si-SiGe 三维 CMOS 结构,即将第一层器件(Si nMOS)做在 SOI(Si on insulator)材料上,接着利用 SiO2/SiO2低温直接键合的方法形成第二层器件的有源层,然后做第二层器件(SiGe pMOS),最终形成完整的三维 CMOS结构。与目前所报道的 Si 基三维集成电路相比,该电路特性明显提高。 展开更多
关键词 三维集成电路(3DIC) SI/SIGE CMOS SOI/SiGeOI 低温键合
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基于三维线性反馈移位寄存器的三维堆叠集成电路可重构测试方案
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作者 陈田 鲁建勇 +2 位作者 刘军 梁华国 鲁迎春 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2023年第3期949-955,共7页
三维堆叠集成电路(3D SIC)结构复杂,相较于二维集成电路(2D IC),设计有效的测试结构以降低测试成本更加困难。为降低3D SIC的测试成本,提出一种基于线性反馈移位寄存器(LFSR)的能够有效适应3D SIC不同测试阶段的三维LFSR(3D-LFSR)测试... 三维堆叠集成电路(3D SIC)结构复杂,相较于二维集成电路(2D IC),设计有效的测试结构以降低测试成本更加困难。为降低3D SIC的测试成本,提出一种基于线性反馈移位寄存器(LFSR)的能够有效适应3D SIC不同测试阶段的三维LFSR(3D-LFSR)测试结构。3D-LFSR结构能够在堆叠前独立进行测试;在堆叠后,复用堆叠前的测试结构,并重构为一个适合当前待测电路的测试结构,且重构后的测试结构能进一步降低测试成本。基于3D-LFSR结构,设计了测试数据处理方法和测试流程,并采用混合测试模式以降低测试时间。实验结果表明,相较于双LFSR结构,3D-LFSR结构的平均功耗降低了40.19%,平均面积开销降低了21.31%,测试数据压缩率提升了5.22个百分点;相较于串行测试模式,采用混合测试模式的平均测试时间减少了20.49%。 展开更多
关键词 三维堆叠集成电路 线性反馈移位寄存器 可测试性设计 可重构测试 测试成本
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一种面向三维微处理器的新型片上网络拓扑 被引量:1
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作者 王谛 白晗 +2 位作者 赵天磊 唐遇星 窦强 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期86-91,97,共7页
利用三维集成电路中硅通孔具有延迟短、功耗低的特性,针对10层以上硅片堆叠的三维片上网络,设计了一种新的拓扑结构3DE-Mesh,并通过实验数据的分析,验证了3DE-Mesh的性能和可扩展性.结果表明,3DE-Mesh的性能和可扩展性均满足10层以上硅... 利用三维集成电路中硅通孔具有延迟短、功耗低的特性,针对10层以上硅片堆叠的三维片上网络,设计了一种新的拓扑结构3DE-Mesh,并通过实验数据的分析,验证了3DE-Mesh的性能和可扩展性.结果表明,3DE-Mesh的性能和可扩展性均满足10层以上硅片堆叠的三维集成电路的要求. 展开更多
关键词 三维集成电路 三维片上网络 拓扑结构 扩展链路
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Circuit modeling and performance analysis of SWCNT bundle 3D interconnects
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作者 钱利波 朱樟明 +1 位作者 丁瑞雪 杨银堂 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第9期171-177,共7页
Metallic carbon nanotubes (CNTs) have been proposed as a promising alternative to Cu interconnects in future integrated circuits (ICs) for their remarkable conductive, mechanical and thermal properties. Compact eq... Metallic carbon nanotubes (CNTs) have been proposed as a promising alternative to Cu interconnects in future integrated circuits (ICs) for their remarkable conductive, mechanical and thermal properties. Compact equiv alent circuit models for single-walled carbon nanotube (SWCNT) bundles are described, and the performance of SWCNT bundle interconnects is evaluated and compared with traditional Cu interconnects at different interconnect levels for through-silicon-via-based three dimensional (3D) ICs. It is shown that at a local level, CNT interconnects exhibit lower signal delay and smaller optimal wire size. At intermediate and global levels, the delay improvement becomes more significant with technology scaling and increasing wire lengths. For 1 mm intermediate and 10 mm global level interconnects, the delay of SWCNT bundles is only 49.49% and 52.82% that of the Cu wires, respec tively. 展开更多
关键词 three-dimensional integrated circuits 3D ICs) carbon nanotube (CNT) signal delay repeater inser-tion
原文传递
An optimal stacking order for mid-bond testing cost reduction of 3D IC 被引量:2
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作者 Ni Tianming Liang Huaguo +4 位作者 Nie Mu Bian Jingchang Huang Zhengfeng Xu Xiumin Fang Xiangsheng 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2018年第2期166-172,共7页
In order to solve the problem that the testing cost of the three-dimensional integrated circuit(3D IC)is too high,an optimal stacking order scheme is proposed to reduce the mid-bond test cost.A new testing model is bu... In order to solve the problem that the testing cost of the three-dimensional integrated circuit(3D IC)is too high,an optimal stacking order scheme is proposed to reduce the mid-bond test cost.A new testing model is built with the general consideration of both the test time for automatic test equipment(ATE)and manufacturing failure factors.An algorithm for testing cost and testing order optimization is proposed,and the minimum testing cost and optimized stacking order can be carried out by taking testing bandwidth and testing power as constraints.To prove the influence of the optimal stacking order on testing costs,two baselines stacked in sequential either in pyramid type or in inverted pyramid type are compared.Based on the benchmarks from ITC 02,experimental results show that for a 5-layer 3D IC,under different constraints,the optimal stacking order can reduce the test costs on average by 13%and 62%,respectively,compared to the pyramid type and inverted pyramid type.Furthermore,with the increase of the stack size,the test costs of the optimized stack order can be decreased. 展开更多
关键词 three-dimensional integrated circuit(3D IC) mid-bond test cost stacking order sequential stacking failed bonding
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切向磁钢混合励磁同步电机空载磁路计算及三维场分析 被引量:22
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作者 张卓然 严仰光 苏凯程 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第30期84-89,共6页
提出一种新结构切向磁钢混合励磁同步电机,分析其结构特点和运行原理。结合该新型电机径/轴向磁路特点,建立了空载等效磁路模型。通过求解非线性磁路方程,计算得到不同励磁磁势下径向与轴向磁路的磁通分布、主气隙磁密、空载感应电势。... 提出一种新结构切向磁钢混合励磁同步电机,分析其结构特点和运行原理。结合该新型电机径/轴向磁路特点,建立了空载等效磁路模型。通过求解非线性磁路方程,计算得到不同励磁磁势下径向与轴向磁路的磁通分布、主气隙磁密、空载感应电势。利用三维有限元法,研究了轴向磁路对径向磁路的影响,从而明晰主气隙磁场随励磁磁势的变化关系,与磁路法计算结果和理论分析是一致的,表明电机气隙磁密高、气隙磁场可调。所建立空载磁路模型及三维有限元分析方法为该新型电机的优化设计、性能分析以及负载特性进一步研究奠定了基础。 展开更多
关键词 混合励磁同步电机 空载特性 等效磁路 三维有限元
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3D-IC类同轴屏蔽型TSV的热力响应分析及结构优化
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作者 孙萍 王志敏 +1 位作者 黄秉欢 巩亮 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期818-826,共9页
硅通孔(TSV)是解决三维集成电路(3D-IC)互连延迟问题的关键技术之一。TSV内部结构的变形失效,大多是由循环温度载荷产生的交变应力引起的。从信号完整性角度考虑,建立了接地TSV形状分别为圆柱形和椭圆柱形的类同轴屏蔽型TSV模型。基于最... 硅通孔(TSV)是解决三维集成电路(3D-IC)互连延迟问题的关键技术之一。TSV内部结构的变形失效,大多是由循环温度载荷产生的交变应力引起的。从信号完整性角度考虑,建立了接地TSV形状分别为圆柱形和椭圆柱形的类同轴屏蔽型TSV模型。基于最大Mises应力准则,对比分析了循环温度载荷对2种类同轴屏蔽型TSV热应力-应变的影响及最大应力点的主要失效形式。最后综合考虑TSV的几何参数对导体和凸块危险点Mises应力的影响,对椭圆柱形类同轴屏蔽型TSV结构进行多目标优化,将2种最优结构中2个危险点的Mises应力分别降低15.10%、17.18%和18.89%、6.74%。为提高TSV热可靠性的优化设计提供参考。 展开更多
关键词 三维集成电路(3D-IC) 热管理 屏蔽型硅通孔(TSV) 有限元仿真 热力响应 多目标优化
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基于功率检测自适应的前馈功放设计 被引量:2
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作者 吴亮宇 余勋林 江鹏 《现代电子技术》 2012年第14期172-174,共3页
分析了常用双环自适应前馈电路在屏蔽和宽带频率兼顾等地方的缺陷,设计了一个功率检测自适应电路。功率检测自适应应用于前馈系统第一极环路,通过MCU监控电压检测值,自动调节第一环路的移相、调幅矢量调节器,改变相位、幅度参数,以达到... 分析了常用双环自适应前馈电路在屏蔽和宽带频率兼顾等地方的缺陷,设计了一个功率检测自适应电路。功率检测自适应应用于前馈系统第一极环路,通过MCU监控电压检测值,自动调节第一环路的移相、调幅矢量调节器,改变相位、幅度参数,以达到环路抵消最好,保证在功率与频率不断变化的情况下,误差信号提取时刻都保持最纯净。仿真结果显示,在输出125W的GSM前馈系统中,可使其IMD3小于-65dBc。 展开更多
关键词 前馈电路 功率检测 自适应电路 三阶交调
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对三相恒定电压源供电电路短路的研究 被引量:1
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作者 骆海峰 《科技视界》 2012年第14期237-239,154,共4页
本文首先设计了一个三相恒定电压源远程供电电路模型,然后利用MATLAB软件研究三相恒定电压源供电电路发生不同类型短路的暂态情况,分析不同情况下故障点电气量的变化特点。这为实际工作中故障选线的判断提供了理论依据,为电力系统供电... 本文首先设计了一个三相恒定电压源远程供电电路模型,然后利用MATLAB软件研究三相恒定电压源供电电路发生不同类型短路的暂态情况,分析不同情况下故障点电气量的变化特点。这为实际工作中故障选线的判断提供了理论依据,为电力系统供电电路的合理维护进行了有益的探索。 展开更多
关键词 三相恒定电压源电路 短路 电力系统
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谈印刷电路板的3D设计
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作者 王静 梅晓莉 《重庆电子工程职业学院学报》 2010年第2期158-161,共4页
介绍用Altium公司的Altium Designer Winter 09软件完成印刷电路板(PCB)的三维(3D)显示;PCB板的三维设计;导入STEP Model形成三维模型;将PCB板的3D文件导出到MCAD软件。以提前预知印刷电路板设计的合理性,缩短新产品的开发周期,便于设... 介绍用Altium公司的Altium Designer Winter 09软件完成印刷电路板(PCB)的三维(3D)显示;PCB板的三维设计;导入STEP Model形成三维模型;将PCB板的3D文件导出到MCAD软件。以提前预知印刷电路板设计的合理性,缩短新产品的开发周期,便于设计部门与制造部门进行良好的沟通。 展开更多
关键词 PCB设计 PCB板三维设计 机械设计3D STEP模型
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一种面向3D-IC中TSV阵列的动态双重自修复方法 被引量:1
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作者 邝艳梅 赵凯 +2 位作者 缪旻 陈兢 罗昌浩 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期121-128,共8页
硅通孔(TSV)是三维集成电路(3D-IC)的关键技术之一,缺陷TSV的片上自修复对于提升3D-IC的可靠性具有重要意义。针对现有片上缺陷TSV自修复方式对冗余TSV数量依赖性较高、可靠性较低等问题,提出了一种包含硬修复和软修复的双重自修复方法... 硅通孔(TSV)是三维集成电路(3D-IC)的关键技术之一,缺陷TSV的片上自修复对于提升3D-IC的可靠性具有重要意义。针对现有片上缺陷TSV自修复方式对冗余TSV数量依赖性较高、可靠性较低等问题,提出了一种包含硬修复和软修复的双重自修复方法。该方法既可以对随机出现的缺陷TSV进行冗余TSV替换,从而实现硬修复;也可以在冗余TSV数量不足时,通过两种不同的软修复策略,对信号进行"并串-串并"转换,实现局部范围内的软修复。该方法能有效减少由大量冗余TSV造成的面积开销,降低缺陷TSV修复率对冗余TSV数量的依赖性,提高缺陷TSV的修复率和3D-IC的可靠性。 展开更多
关键词 三维集成电路(3D-IC) 硅通孔(TSV) 双重自修复 并串-串并转换 高可靠性
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一种改进的穿硅电容三维互连技术 被引量:1
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作者 刘松 单光宝 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第8期558-564,共7页
针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TS... 针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TSC互连电容耦合特性,结合传统收发电路与HSPICE仿真验证TSC互连在高频信号传输应用中的可行性。分析与仿真结果显示:TSC省去TSV背面通孔外露工艺可进一步降低成本及复杂工艺引入的可靠性隐患。采用孔半径2.5μm、孔高50μm单根TSC通道可实现15 Gbps高频信号传输,功耗约为0.045 mW/Gbps。研究表明,TSC互连是一种高可靠、低成本的三维互连结构,为实现高频三维集成电路(3D IC)提供一种可行的互连技术方案。 展开更多
关键词 三维集成电路(3D IC) 三维互连 硅通孔(TSV) 电容耦合互连(CCI) 硅通孔(TSV)背面通孔外露工艺
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两层堆叠3D-IC层间液体冷却流动及换热特性 被引量:1
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作者 马丹丹 夏国栋 +1 位作者 陈卓 王卓 《航空动力学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1569-1576,共8页
随着电路层的垂直堆叠,三维集成电路(3D-IC)的功耗密度成倍增加。具有良好散热能力的层间液体冷却是一种非常有效的方法。采用数值模拟的方法研究了雷诺数在150~900范围内面积为1cm^2,针肋直径为100μm,通道高为200μm,通道间距为200μ... 随着电路层的垂直堆叠,三维集成电路(3D-IC)的功耗密度成倍增加。具有良好散热能力的层间液体冷却是一种非常有效的方法。采用数值模拟的方法研究了雷诺数在150~900范围内面积为1cm^2,针肋直径为100μm,通道高为200μm,通道间距为200μm的带有层间顺排微针肋两层芯片堆叠3D-IC内流体流动与换热特性。结果表明:与相应尺寸的矩形通道结构相比,带有层间顺排微针肋液体冷却3D-IC具有良好的换热效果。在雷诺数为770时,芯片的功率高达250W,其体积热源相当于8.3kW/cm^3;较矩形结构通道,顺排微针肋结构的热源平均温度和热源最大温差只有46.34,13.96K,分别减小了13.26,21.34K。 展开更多
关键词 三维集成电路(3D-IC) 层间液体冷却 强化换热 对流换热 顺排微针肋
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基于环形振荡器的TSV故障非接触测试方法 被引量:1
15
作者 尚玉玲 于浩 +1 位作者 李春泉 谈敏 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期870-875,共6页
为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法。用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期。TSV缺陷造成电阻电容参数的变化,导致振荡周期的变化。通过测量这些变化可以检测TSV故障,同时对TSV故障... 为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法。用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期。TSV缺陷造成电阻电容参数的变化,导致振荡周期的变化。通过测量这些变化可以检测TSV故障,同时对TSV故障的不同位置引起的周期变化进行了研究与分析,利用最小二乘法拟合出通过周期来判断故障位置的曲线,同时提出预测模型推断故障电阻范围。测试结构是基于45 nm PTM COMS工艺的HSPICE进行设计与模拟,模拟结果表明,与同类方法相比,此方法在测试分辨故障的基础上对TSV不同位置的故障进行分析和判断,并能推断故障电阻范围。 展开更多
关键词 三维集成电路(3D-IC) 硅通孔(TSV) 非接触测试 环形振荡器 TSV故障
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层间叉排微针肋液体冷却3D-IC流动及换热特性 被引量:1
16
作者 马丹丹 夏国栋 +2 位作者 翟玉玲 李云飞 蒋静 《航空动力学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1327-1334,共8页
用数值模拟的方法,研究了散热面积为1cm^2带有层间微散热结构双面均热发热3D-IC内部流体层流流动与换热,对体积流量在36~290mL/min范围内,通道高度为200μm,通道间距为200μm的带有矩形微通道和叉排微针肋液体冷却3D-IC(three-dimension... 用数值模拟的方法,研究了散热面积为1cm^2带有层间微散热结构双面均热发热3D-IC内部流体层流流动与换热,对体积流量在36~290mL/min范围内,通道高度为200μm,通道间距为200μm的带有矩形微通道和叉排微针肋液体冷却3D-IC(three-dimensional integration circuit)的流动与换热进行了分析.结果表明:带有层间叉排微针肋液体冷却3D-IC具有良好的换热效果,在热流密度为1.25MW/m^2,体积流量为290mL/min时,其发热面平均温度、最大温度只有318.31,323.16K,分别最大减小了12.31,20.14K,此时的功率为250W、体积热源为8.3kW/cm^3. 展开更多
关键词 三维集成电路 层间液体冷却 强化换热 对流 微针肋
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Energy-Harvesting Systems for Green Computing
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作者 Terrence Mak 《Journal of Electronic Science and Technology》 CAS 2012年第4期291-295,共5页
Energy harvesting technologies provide a promising alternative to battery-powered systems and create an opportunity to achieve sustainable computing for the exploitation of ambient energy sources. However, energy harv... Energy harvesting technologies provide a promising alternative to battery-powered systems and create an opportunity to achieve sustainable computing for the exploitation of ambient energy sources. However, energy harvesting devices and power generators encompass a number of non-classical system behaviors or characteristics, such as delivering nondeterministic power density, and these would create hindrance for effectively utilizing the harvested energy. Previously, we have investigated new design methods and tools that are used to enable power adaptive computing and, particularly, catering non-deterministic voltage, which can efficiently utilize ambient energy sources. Also, we developed a co-optimization approach to maximize the computational efficiency from the harvested ambient energy. This paper will provide a review of these methods. Emerging technologies, such as 3D-IC, which would also enable new paradigm of green and high-performance computing, will be also discussed. 展开更多
关键词 Index Terms--Energy harvesting green computing three-dimensional-integrated circuit 3D-IC) design.
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LW25-126型SF_6断路器安装的一些体会
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作者 李强 李永富 《山西电力技术》 2000年第4期38-39,共2页
介绍并分析了 LW25—126型SF6断路器的安装经验及存在的问题,并提出改进意见。
关键词 SF6断路器 安装 LW25-126型 灭弧原理
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一种CCD驱动电路的设计方法 被引量:4
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作者 李秀娟 方小红 徐晓为 《中国仪器仪表》 2007年第6期43-45,共3页
以CCD图像传感器IL-P3为例,在分析其驱动时序的基础上,结合CPLD软件和VHDL语言,设计一种可调节曝光时间的CCD驱动电路。仿真和实验表明,设计的驱动电路能满足驱动时序的要求。
关键词 CCD 驱动电路 IL-P3 CPLD
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3AQ1EG型断路器氮气泄漏及频繁打压缺陷分析及处理 被引量:2
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作者 刘畅 《电工技术》 2021年第3期120-121,共2页
针对3AQ1EG型断路器频繁发生氮气泄漏或断路器频繁打压缺陷,在该型断路器不同液压状态基础上对二次回路进行分析。结合现场实际情况,提出解决氮气泄漏、断路器频繁打压缺陷的方法,提升了3AQ1EG型断路器缺陷处理速度,保证了设备及电网安... 针对3AQ1EG型断路器频繁发生氮气泄漏或断路器频繁打压缺陷,在该型断路器不同液压状态基础上对二次回路进行分析。结合现场实际情况,提出解决氮气泄漏、断路器频繁打压缺陷的方法,提升了3AQ1EG型断路器缺陷处理速度,保证了设备及电网安全、稳定运行。 展开更多
关键词 3AQ1EG型断路器 氮气泄漏动作 频繁打压
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