多晶硅是微机电系统(MEMS)表面制造工艺的主要结构材料,其疲劳特性是影响MEMS器件可靠性的一个重要因素,因而,研究多晶硅薄膜材料的疲劳特性具有广泛的实际意义.国外主要采用片上测试方法研究多晶硅薄膜的疲劳特性,本文发展了一种新型...多晶硅是微机电系统(MEMS)表面制造工艺的主要结构材料,其疲劳特性是影响MEMS器件可靠性的一个重要因素,因而,研究多晶硅薄膜材料的疲劳特性具有广泛的实际意义.国外主要采用片上测试方法研究多晶硅薄膜的疲劳特性,本文发展了一种新型片外测试方法,利用压电驱动、电容位移检测和高精度CCD图像实时监控技术,全面测试了多晶硅薄膜的疲劳性能.并通过对实验数据的W e ibu ll方法处理,得到了拉伸状态下带缺口和不带缺口的多晶硅薄膜的应力-循环周次曲线.该方法大大降低了对试件制造工艺性的要求,能够有效地测量薄膜的疲劳性能.展开更多
如何实现多约束条件下测试时间优化是目前片上网络(NoC)测试中亟待解决的问题。提出一种基于正弦余弦算法(SCA)的NoC测试规划优化方法。采用专用TAM的并行测试方法,在满足功耗、引脚约束的条件下,建立测试规划模型,对NoC进行测试。通过...如何实现多约束条件下测试时间优化是目前片上网络(NoC)测试中亟待解决的问题。提出一种基于正弦余弦算法(SCA)的NoC测试规划优化方法。采用专用TAM的并行测试方法,在满足功耗、引脚约束的条件下,建立测试规划模型,对NoC进行测试。通过群体围绕最优解进行正弦、余弦的波动,以及多个随机算子和自适应变量进行寻优,达到最小化测试时间的目的。在ITC’02 test benchmarks测试集上进行对比实验,结果表明相比粒子群优化(PSO)算法,提出的算法能够获得更短的测试时间。展开更多
文摘多晶硅是微机电系统(MEMS)表面制造工艺的主要结构材料,其疲劳特性是影响MEMS器件可靠性的一个重要因素,因而,研究多晶硅薄膜材料的疲劳特性具有广泛的实际意义.国外主要采用片上测试方法研究多晶硅薄膜的疲劳特性,本文发展了一种新型片外测试方法,利用压电驱动、电容位移检测和高精度CCD图像实时监控技术,全面测试了多晶硅薄膜的疲劳性能.并通过对实验数据的W e ibu ll方法处理,得到了拉伸状态下带缺口和不带缺口的多晶硅薄膜的应力-循环周次曲线.该方法大大降低了对试件制造工艺性的要求,能够有效地测量薄膜的疲劳性能.
文摘如何实现多约束条件下测试时间优化是目前片上网络(NoC)测试中亟待解决的问题。提出一种基于正弦余弦算法(SCA)的NoC测试规划优化方法。采用专用TAM的并行测试方法,在满足功耗、引脚约束的条件下,建立测试规划模型,对NoC进行测试。通过群体围绕最优解进行正弦、余弦的波动,以及多个随机算子和自适应变量进行寻优,达到最小化测试时间的目的。在ITC’02 test benchmarks测试集上进行对比实验,结果表明相比粒子群优化(PSO)算法,提出的算法能够获得更短的测试时间。
