玻璃中CdSSe量子点生长实验研究 被引量：11

1

作者 田强 吴畅书 +2 位作者 李永升 罗莹 宋金 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期205-207,共3页

介绍了玻璃中半导体量子点的生长过程 ,在 62 0℃用不同的生长时间在玻璃中生长了一系列不同尺寸的CdSSe量子点 .基于扩散控制的生长过程理论用光吸收谱对该系列量子点的生长特性进行了分析讨论 .

关键词 半导体量子点 cdsse 玻璃 吸收谱 生长 共熔法

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玻璃中半导体CdSSe量子点的界面态发光 被引量：4

2

作者 吴畅书 田强 +2 位作者 刘惠民 王一红 桑丽华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期481-484,共4页

研究了玻璃中半导体 Cd SSe量子点的界面态发光 .在 10 K温度下 ,通过 PL 和吸收光谱实验 ,研究了半导体Cd SSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、温度对 PL 和吸收光谱的影响 .实验发现PL 谱中在 1.84e V和... 研究了玻璃中半导体 Cd SSe量子点的界面态发光 .在 10 K温度下 ,通过 PL 和吸收光谱实验 ,研究了半导体Cd SSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、温度对 PL 和吸收光谱的影响 .实验发现PL 谱中在 1.84e V和 1.91e V有两个尖锐的发光峰 ,且峰位不随量子点尺寸大小变化而漂移 ,这是来源于与量子点尺寸无关的界面态的发光 ;同时 ,界面态的发光强度应与量子点半径成反比 ,实验结果与之相符 . 展开更多

关键词 玻璃 半导体量子点 界面态 光致发光谱 光吸收谱 cdsse

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玻璃中CdSSe量子点的制备及尺寸研究 被引量：1

3

作者 黄平 颜其礼 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2002年第4期379-380,共2页

用两步退火法在玻璃基体中制备了CdSSe半导体量子点 ,并测量了它的室温吸收光谱 .根据吸收谱的基态能与量子点尺寸的关系 ,用有效质量近似模型计算了量子点的平均尺寸 ,其结果与透射电镜观测值较好符合 .

关键词 量子点 尺寸 cdsse

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CdSSe半导体纳米晶体的实验研究 被引量：1

4

作者 黄平 颜其礼 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期680-682,共3页

用共熔法在玻璃基体中退火生长了一系列不同尺寸的CdSSe半导体纳米晶体,并比较和分析了一步法和两步法.两步退火法增加纳米晶体的数目,在一定程度上提高了纳米晶体尺寸分布.根据纳米晶体的室温吸收光谱,用有效质量近似模型估算了纳米晶... 用共熔法在玻璃基体中退火生长了一系列不同尺寸的CdSSe半导体纳米晶体,并比较和分析了一步法和两步法.两步退火法增加纳米晶体的数目,在一定程度上提高了纳米晶体尺寸分布.根据纳米晶体的室温吸收光谱,用有效质量近似模型估算了纳米晶体的平均尺寸在2.25～2.58 nm之间. 展开更多

关键词 cdsse 半导体纳米晶体 退火

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CdS_xSe_（1－x）纳米微晶的辐射跃迁过程 被引量：2

5

作者 孙聆东 赵家龙 +6 位作者 靳春明 窦恺 陈一民 黄世华 虞家琪 席淑珍 李磊 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期1-5,共5页

利用变温吸收光谱和光致发光光谱研究了ＣｄＳｘＳｅ（１－ｘ）纳米微晶的辐射跃迁过程．由Ｖａｒｓｈｎｉ公式，拟合了微晶的吸收峰随温度的变化．根据变温发射光谱，研究了发光峰位置和温度的依赖关系，并分析了吸收峰和发光峰随温度... 利用变温吸收光谱和光致发光光谱研究了ＣｄＳｘＳｅ（１－ｘ）纳米微晶的辐射跃迁过程．由Ｖａｒｓｈｎｉ公式，拟合了微晶的吸收峰随温度的变化．根据变温发射光谱，研究了发光峰位置和温度的依赖关系，并分析了吸收峰和发光峰随温度变化的快慢．对发光的动力学过程．作了简单的分析． 展开更多

关键词 吸收光谱 发射光谱 微晶玻璃 纳米 cdsse

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高性能量子点编码磁性微球的制备 被引量：1

6

作者 鲁思 张鼎晟子 +2 位作者 刘冰 徐宏 古宏晨 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期509-516,共8页

基于改进的层层组装法,以氯仿/正丁醇混合溶液作为反应溶剂,将油溶性CdSSe/ZnS量子点装载到表面氨基修饰的磁性聚苯乙烯微球(MS)表面,通过调节量子点浓度,制备出高性能CdSSe/ZnS量子点编码磁性微球(CdSSe/ZnS-MBs).研究了氯仿和氯仿/正... 基于改进的层层组装法,以氯仿/正丁醇混合溶液作为反应溶剂,将油溶性CdSSe/ZnS量子点装载到表面氨基修饰的磁性聚苯乙烯微球(MS)表面,通过调节量子点浓度,制备出高性能CdSSe/ZnS量子点编码磁性微球(CdSSe/ZnS-MBs).研究了氯仿和氯仿/正丁醇混合溶液对CdSSe/ZnS-MBs制备效果的影响.结果表明,氯仿/正丁醇混合溶液不仅能避免氯仿等量子点良溶剂对聚合物微球的形貌破坏,同时能促进CdSSe/ZnS量子点高效地装载到磁性微球表面.所制备的CdSSe/ZnS-MBs在水相具有较好的分散性,荧光强度变异系数(CV)小,形貌均一.该方法为简单、精确可控地制备高编码容量的量子点编码微球提供了新思路. 展开更多

关键词 量子点 荧光 编码微球 层层组装 硒硫化镉 硫化锌 磁性聚苯乙烯

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带隙渐变纳米线的制备及其非线性光学效应研究 被引量：1

7

作者 汪雨 吴志瀚 谷付星 《上海理工大学学报》 CAS 北大核心 2018年第2期145-149,共5页

由于一般的半导体纳米材料只有单一带隙,限制了其应用范围。通过搭建气–液–固法生长纳米线的实验装置,引入金作为催化剂,并加入移动源,成功制备出单根带隙渐变的硫硒化镉纳米线。其成分从一端的纯硫化镉连续过渡到另一端的纯硒化镉,... 由于一般的半导体纳米材料只有单一带隙,限制了其应用范围。通过搭建气–液–固法生长纳米线的实验装置,引入金作为催化剂,并加入移动源,成功制备出单根带隙渐变的硫硒化镉纳米线。其成分从一端的纯硫化镉连续过渡到另一端的纯硒化镉,对应的带隙从2.44 e V渐变到1.74 e V。并使用波长为405 nm的激光照射该纳米线,得到它的荧光光谱图来证实其带隙呈渐变状态。利用波长为1 064 nm的激光,将其耦合进单根纳米线中,产生了532 nm的绿色倍频光和双光子荧光,这说明硫硒化镉纳米线具有二阶和三阶的非线性光学效应。 展开更多

关键词 半导体纳米线 硫硒化镉 气–液–固法 非线性光学效应

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CdSSe掺杂玻璃中的光致暗变效应研究

8

作者 靳春明 秦伟平 +5 位作者 赵家龙 周方策 窦恺 刘俊业 黄世华 虞家琪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期184-187,共4页

本文用DFWM和荧光光谱方法研究了光致暗变效应对CdSSe掺杂玻璃光学性质的影响,解释了经过强光照射的样品,DFWM反射率,荧光强度和透射率降低的原因.

关键词 cdsse 掺 杂 玻璃 光致暗变效应

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带隙渐变纳米线的光电导淬灭效应

9

作者 刘敦伟 袁光立 +2 位作者 安辉耀 石雪梅 于涛 《半导体光电》 CAS 北大核心 2018年第2期206-210,224,共6页

采用气相沉积温度梯度分布合成纳米线法,在750～950℃耐高温石英管中,在催化剂金的催化作用下,生长出310μm带隙渐变的硫硒化镉半导体纳米线,并利用倏逝波耦合的方法导波激发,分别对不同掺杂比例的部分纳米线进行研究。实验发现,在注入... 采用气相沉积温度梯度分布合成纳米线法,在750～950℃耐高温石英管中,在催化剂金的催化作用下,生长出310μm带隙渐变的硫硒化镉半导体纳米线,并利用倏逝波耦合的方法导波激发,分别对不同掺杂比例的部分纳米线进行研究。实验发现,在注入功率低于10-8 W时,随着光强增大不同带隙宽度的纳米线的淬灭度都在增大;然而在注入功率继续增大时,S元素比例占到90%的纳米线的淬灭度峰值最早到来,以Se元素为主的纳米线的淬灭度峰值在10-6 W注入光下仍未出现,原因是增加S元素会使更多的复合中心转变为陷阱能级中心,更多的电子可以跃迁至导带。封装上电极的带隙渐变纳米线可应用于制作高分辨率的红外光探测器,也为有效检测半导体材料的缺陷能级提供了便利。 展开更多

关键词 淬灭效应 光探测器 硫硒化镉 纳米线 带隙

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玻璃中CdSSe纳米晶体的光谱性能 被引量：5

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作者 王引书 高兴国 +2 位作者 赵亮 汪艳贞 王若桢 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期2775-2779,共5页

对掺有镉、硒、硫的玻璃在 6 5 0— 80 0℃退火 4h ,生长了不同尺寸的CdS0 1 3Se0 87纳米晶体 ,测量了纳米晶体的吸收光谱、光致发光 (PL)谱和电调制光谱 ,确定了纳米晶体部分电子态的能量 ,讨论了CdSSe纳米晶体的光学性质与其尺寸之... 对掺有镉、硒、硫的玻璃在 6 5 0— 80 0℃退火 4h ,生长了不同尺寸的CdS0 1 3Se0 87纳米晶体 ,测量了纳米晶体的吸收光谱、光致发光 (PL)谱和电调制光谱 ,确定了纳米晶体部分电子态的能量 ,讨论了CdSSe纳米晶体的光学性质与其尺寸之间的依赖关系 .随着纳米晶体尺寸的增大 ,对应激子的吸收峰、PL峰及电吸收信号发生红移 ,表现出明显的量子尺寸效应 .小尺寸纳米晶体的电吸收表现为量子受限的Stark效应 ,而大尺寸纳米晶体的电吸收线形与体材料的相似 ;随着纳米晶体尺寸的增大 ,电吸收信号增强 . 展开更多

关键词 cdsse纳米晶体 吸收光谱 光致发光谱 电光响应 电调制光谱 量子尺寸效应 玻璃

原文传递

半导体CdSSe量子点10K光致发光谱和光吸收谱研究 被引量：3

11

作者 吴畅书 田强 +2 位作者 刘惠民 王一红 桑丽华 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期330-333,共4页

在 10K温度下 ,通过光致发光和光吸收谱实验研究半导体CdSSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、量子点电子能级的温度效应。

关键词 半导体量子点 光致发光谱 光吸收谱 纳米材料 量子尺寸效应 温度效应cdsse量子点

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CdSSe玻璃的光学增益 被引量：1

12

作者 周方策 秦伟平 +4 位作者 赵家龙 靳春明 窦恺 黄世华 虞家琪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期242-246,共5页

本文使用放大的自发辐射技术(ASE)测量了CdSSe玻璃(国产JB 510)的光学增益.在波长λ=625nm处,测得增益系数g≈8cm^(-1).增益出现的波长范围对应样品荧光光谱中陷阱能级的宽带.一个简单的三能级模型,辅之以陷阱能级发光的衰减测量,定性... 本文使用放大的自发辐射技术(ASE)测量了CdSSe玻璃(国产JB 510)的光学增益.在波长λ=625nm处,测得增益系数g≈8cm^(-1).增益出现的波长范围对应样品荧光光谱中陷阱能级的宽带.一个简单的三能级模型,辅之以陷阱能级发光的衰减测量,定性地解释了增益出现的原因. 展开更多

关键词 cdsse玻璃 光学增益 激光材料 增益

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基于Au纳米岛修饰的CdSSe纳米带光电探测器

13

作者 赵吉玉 谭秋红 +3 位作者 刘磊 杨伟业 王前进 刘应开 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期328-338,共11页

三元合金CdS_(x)Se_(1-x)兼具CdS和CdSe的物理性质,其带隙可以通过改变元素的组分来调节.该合金具有优异的光电性能,在光电器件方面具有潜在的应用价值.本文首先通过热蒸发法制备了单晶CdS_(0.42)Se_(0.58)纳米带器件,在550 nm光照及1 ... 三元合金CdS_(x)Se_(1-x)兼具CdS和CdSe的物理性质,其带隙可以通过改变元素的组分来调节.该合金具有优异的光电性能,在光电器件方面具有潜在的应用价值.本文首先通过热蒸发法制备了单晶CdS_(0.42)Se_(0.58)纳米带器件,在550 nm光照及1 V偏压下,器件的光电流与暗电流之比为1.24×10^(3),光响应度达60.1 A/W,外量子效率达1.36×10^(4)%,探测率达2.16×10^(11)Jones,其上升/下降时间约为41.1/41.5 ms.其次,通过Au纳米岛修饰该CdS_(0.42)Se_(0.58)纳米带后,器件的光电性能显著提升,在550 nm光照及1 V偏压下,器件的光开关比、响应度、外量子效率及探测率分别提高了5.4倍、11.8倍、11.8倍和10.6倍,并且上升/下降时间均缩短了近一半.最后基于Au纳米岛的局域表面等离子共振解释了器件光电性能增强的微观物理机制,为在不增大器件面积的前提下,制备高性能光电探测器提供了一种有效策略. 展开更多

关键词 cdsse纳米带 Au纳米岛 局域表面等离子体共振 光电探测器

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CdSSe玻璃在环形腔中的自振荡

14

作者 周方策 靳春明 +3 位作者 赵家龙 窦恺 黄世华 虞家琪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期133-138,共6页

两表面镀有高反射膜,自身形成F-P腔的CdSSe玻璃薄片置于环形腔中.在一定的输入光强参数下,反射光信号出现其有某种规律性的振荡.实验观测了作为输入光强函数的不同振荡模式.由于所用样品的光双稳回线宽阔,上下两支有较大的倾斜度,我们... 两表面镀有高反射膜,自身形成F-P腔的CdSSe玻璃薄片置于环形腔中.在一定的输入光强参数下,反射光信号出现其有某种规律性的振荡.实验观测了作为输入光强函数的不同振荡模式.由于所用样品的光双稳回线宽阔,上下两支有较大的倾斜度,我们观察到较大数目的输出强度上升与下降台阶.简单的绝热模拟表明,自振荡的模式遵从Farey-tree结构. 展开更多

关键词 cdsse玻璃 自振荡 非线性光学 振荡

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掺CdS_xSe_(1-x)玻璃的非线性光学特性研究 被引量：1

15

作者 费浩生 韩力 赵峰 《量子电子学》 CAS CSCD 1990年第3期210-215,共6页

用多种方法对掺CdS_xSe_(1-x)玻璃的非线性光学特性进行了研究,表明该种材料具有大的三阶非线性极化率(x^((3))～10(-9)esu),其非线性光学来源于半导体微晶中的等离子体带填充,测得非线性响应时间为3.5ps。

关键词 掺cdsse玻璃 玻璃 非线性 光学性质

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