CMOS反相器的电磁干扰频率效应 被引量：9

1

作者 陈杰 杜正伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期147-151,共5页

利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS反相器在1 MHz^20 GHz电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明:低频电磁干扰通过控制CMOS反相器中MOS管的导通、截止影响CMOS反相器的正常工作;高频电磁干扰通过MOS管中的本征电容... 利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS反相器在1 MHz^20 GHz电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明:低频电磁干扰通过控制CMOS反相器中MOS管的导通、截止影响CMOS反相器的正常工作;高频电磁干扰通过MOS管中的本征电容耦合到输出端,干扰CMOS反相器的工作状态;CMOS反相器对于电磁干扰的敏感度随着干扰频率上升而不断降低。 展开更多

关键词 cmos反相器 器件物理模拟 电磁干扰 翻转 耦合

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PSpice9.2在TTL和CMOS反相器中的应用 被引量：4

2

作者 王琳 李毅 《湖北工业大学学报》 2007年第5期8-11,共4页

应用PSpice9.2仿真软件对TTL和CMOS反相器的逻辑特性和电气特性进行了分析,结果表明,PSpice9.2可用于TTL和CMOS反相器的分析和设计,并可加深对TTL和CMOS逻辑门电路工作原理的理解.

关键词 TTL反相器 cmos反相器 逻辑特性 电气特性

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CMOS反相器电压传输特性的分析和仿真 被引量：5

3

作者 何晓燕 王庆春 《安康师专学报》 2006年第2期63-68,共6页

利用CMOS模拟电路理论,详细分析了CMOS反相器的大信号传输特性和小信号传输特性,并且给出了相应的M atLab和Psp ice仿真结果.

关键词 cmos反相器 电压传输特性 小信号响应 沟道长度调制效应

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CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的脉冲宽度效应理论模型 被引量：4

4

作者 陈杰 杜正伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1200-1204,共5页

从基本半导体物理出发,通过求解载流子连续性方程,建立了能够定量描述引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值与脉冲宽度关系的解析理论模型。通过与仿真结果以及文献中实验数据的对比,验证了该理论模型的正确性。该理论模... 从基本半导体物理出发,通过求解载流子连续性方程,建立了能够定量描述引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值与脉冲宽度关系的解析理论模型。通过与仿真结果以及文献中实验数据的对比,验证了该理论模型的正确性。该理论模型表明,引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值首先随着脉冲宽度增加逐渐降低,但是存在一个明显拐点区域,当脉冲宽度超过该区域之后,引起闩锁效应的功率阈值变化不甚明显。 展开更多

关键词 微波脉冲 cmos反相器 闩锁效应 脉冲宽度

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一种低功耗高线性度VCO的设计与实现 被引量：2

5

作者 殷万君 武建寿 +1 位作者 熊建云 郑君 《电子设计工程》 2016年第2期110-111,116,共3页

随着物联网技术的不断发展,无线通信成为了物联网技术发展的关键技术。射频接收机是无线通信系统的重要功能模块,而压控振荡器(voltage-controlled oscillator,VCO)又是射频接收机的关键组成部分。为了充分考虑面积、功耗、工艺等性能... 随着物联网技术的不断发展,无线通信成为了物联网技术发展的关键技术。射频接收机是无线通信系统的重要功能模块,而压控振荡器(voltage-controlled oscillator,VCO)又是射频接收机的关键组成部分。为了充分考虑面积、功耗、工艺等性能之间的各种约束,设计采用了电流饥饿CMOS反相器单元延时电路,实现了线性度好、频率调节范围广、功耗低、稳定性高的要求。 展开更多

关键词 VCO 电流饥饿 cmos反相器 线性度

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深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究 被引量：2

6

作者 高成 张芮 +1 位作者 王怡豪 黄姣英 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第5期729-734,共6页

针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究。选取一种CMOS双反相器作为研究对象,确定器件的关键尺寸,并进行二维建模,完成器件的单粒子瞬态效应仿真,得到单粒子瞬态效应的阈值... 针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究。选取一种CMOS双反相器作为研究对象,确定器件的关键尺寸,并进行二维建模,完成器件的单粒子瞬态效应仿真,得到单粒子瞬态效应的阈值范围。同时,开展脉冲激光模拟单粒子瞬态效应试验,定位该器件单粒子瞬态效应的敏感区域,捕捉不同辐照能量下器件产生的单粒子瞬态脉冲,确定单粒子瞬态效应的阈值范围,并与仿真结果进行对比分析。 展开更多

关键词 cmos反相器 单粒子瞬态效应 TCAD仿真 脉冲激光试验

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CMOS反相器电压传输特性的三维建模及教学方法研究 被引量：2

7

作者 张红升 杨虹 周前能 《科教导刊》 2017年第6期104-105,共2页

针对"数字集成电路设计原理"课程中CMOS反向器电压传输特性曲线难以被学生理解的教学难题,利用MATLAB进行建模,并通过三维图形,形象的展示了CMOS反向器的IV特性曲线和VTC曲线的内在联系和形成机制,提高了教学效果。

关键词 数字集成电路设计 cmos反相器 MATLAB建模 教学探索

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基于cmos反相器的可精确计算延时电路 被引量：2

8

作者 崔建国 宁永香 《山西电子技术》 2019年第2期3-5,共3页

CMOS反相器的阈值电压为供电电压的一半,但有-15%～+15%合计30%的运行误差,CMOS反相器之间阈值电压的个体差异,使工程师设计传统RC延时电路时,如果以U_C=0. 5V_(CC)作为阈值电压设计延时、该电路实际运行所获得的延时与设计初衷之间的... CMOS反相器的阈值电压为供电电压的一半,但有-15%～+15%合计30%的运行误差,CMOS反相器之间阈值电压的个体差异,使工程师设计传统RC延时电路时,如果以U_C=0. 5V_(CC)作为阈值电压设计延时、该电路实际运行所获得的延时与设计初衷之间的误差很大,设计参数不能拿来引用。设计一种可以精确计算的延时电路,电路仍以U_C=0. 5V_(CC)作为阈值电压设计延时,这个延时电路采用了两个R_C延时网络和两个反相器串联,每个R_C网络产生相同的延时,两个CMOS反相器无论以哪一种有误差的阈值电压运行、最后获得的实际延时都与设计初衷相差无几,参数可以直接拿来引用。 展开更多

关键词 RC延时电路 τ cmos反相器 阈值电压 设计参数 运行误差

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TTL兼容端口电路设计 被引量：2

9

作者 杨纯辉 宋扬 《微处理机》 2010年第6期13-14,共2页

首先给出了电路前后级之间接口需要满足的原则,之后介绍了与TTL兼容电路的输入电平,在给出了CMOS反相器转换电平的定义基础上,详细介绍了三种TTL电路驱动CMOS电路的端口兼容的设计方法,并给出了实际电路设计时应考虑的各种因素。

关键词 TTL兼容 cmos反相器 转换电平

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CMOS反相器的快上升沿强电磁脉冲损伤特性 被引量：1

10

作者 梁其帅 柴常春 +3 位作者 吴涵 李福星 刘彧千 杨银堂 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2022年第8期75-83,共9页

随着电磁环境的日益复杂,保证集成电路(IC)的可靠性成为一个巨大的挑战。在此基础上,通过对CMOS反相器的仿真和实验研究,研究了快上升沿电磁脉冲(EMP)引起的陷阱辅助隧穿(TAT)效应。对此进行了详细的机理分析用于解释其物理损伤过程。EM... 随着电磁环境的日益复杂,保证集成电路(IC)的可靠性成为一个巨大的挑战。在此基础上,通过对CMOS反相器的仿真和实验研究,研究了快上升沿电磁脉冲(EMP)引起的陷阱辅助隧穿(TAT)效应。对此进行了详细的机理分析用于解释其物理损伤过程。EMP感应电场在氧化层中产生陷阱和泄漏电流,从而导致器件的输出退化和热失效。建立了退化和失效的理论模型,以描述输出退化及热积累对EMP特征的依赖性。温度分布函数由半导体中的热传导方程导出。基于TLP测试系统进行的相应实验证实了出现的性能退化,与机理分析一致。Sentaurus TCAD的仿真结果表明,EMP引起的损坏是由栅极氧化层中发生的TAT电流路径引起的,这也是器件的易烧坏位置。此外,还讨论了器件失效与脉冲上升沿的关系。本文的机理分析有助于加强其他半导体器件的EMP可靠性研究,可以对CMOS数字集成电路的EMP加固提出建议。 展开更多

关键词 cmos反相器 电磁脉冲 陷阱辅助隧穿 机理分析

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CMOS反相器高功率微波扰乱效应分析 被引量：1

11

作者 张永胜 《火控雷达技术》 2009年第2期82-85,共4页

通过对CMOS数字电路器件及RF脉冲扰乱效应的模拟分析,比较了注入不同频率与功率的RF扰乱脉冲时对CMOS反相器输出逻辑电平扰乱甚至翻转的效应过程。

关键词 cmos反相器 扰乱效应 注入实验

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基于CMOS反相器的模拟电路研究

12

作者 裴志军 《天津职业技术师范大学学报》 2022年第1期46-51,共6页

电源电压随CMOS工艺节点微缩而降低,使模拟电路设计面临严峻挑战。CMOS反相器因其结构简单,在给定电流下可获得相对高的线性跨导,适合于作为低压高能效模拟电路的构造单元。文章分析了低压高能效模拟单元电路,包括运算跨导放大器、高增... 电源电压随CMOS工艺节点微缩而降低,使模拟电路设计面临严峻挑战。CMOS反相器因其结构简单,在给定电流下可获得相对高的线性跨导,适合于作为低压高能效模拟电路的构造单元。文章分析了低压高能效模拟单元电路,包括运算跨导放大器、高增益离散积分器、gm-C滤波器等,展望了基于CMOS反相器的低压高能效模拟电路,如TIQ比较器、Δ-Σ调制器、环形振荡器与环形放大器、光链中的跨阻放大器与VCSEL驱动器、射频电路中的乘法器、合成器、有源电感等未来的应用前景。 展开更多

关键词 cmos反相器 低电压 高能效 模拟电路 运算跨导放大器

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基于CMOS反相器的VGA信号多路分配电路设计 被引量：1

13

作者 徐煜明 韩雁 徐斐 《工矿自动化》 北大核心 2012年第8期26-30,共5页

针对VGA分配器因电路复杂、基色信号放大不平衡、信号波反射等引起的图像偏色、拖尾、重影等缺陷,在分析了CMOS反相器的电压传输特性曲线的基础上,设计了一种VGA信号多路分配电路。该电路采用CMOS反相器作为模拟小信号放大电路,由74HCU0... 针对VGA分配器因电路复杂、基色信号放大不平衡、信号波反射等引起的图像偏色、拖尾、重影等缺陷,在分析了CMOS反相器的电压传输特性曲线的基础上,设计了一种VGA信号多路分配电路。该电路采用CMOS反相器作为模拟小信号放大电路,由74HCU04AP集成电路构成R、G、B三基色放大电路通道,由射极跟随电路驱动信号输出,能提供4路以上独立的75Ω负载输出,实现一路VGA信号输入、多路VGA信号输出的功能。实际应用表明,该电路结构简单、成本低廉、可靠性高。 展开更多

关键词 cmos反相器 VGA信号 多路分配电路 放大电路 三基色信号

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基于CMOS反相器的脉冲窗口比较器 被引量：1

14

作者 崔建国 宁永香 《山西电子技术》 2020年第5期6-8,共3页

传统利用两个单限比较器实现窗口比较器的方案电路结构较复杂,且同时只能输出一个极性的脉冲,设计一种新颖的基于CMOS反相器的脉冲窗口比较器,窗口比较器只用了三个CMOS反相器、二个电阻、二个预置电位器和一个开关二极管,根据CMOS反相... 传统利用两个单限比较器实现窗口比较器的方案电路结构较复杂,且同时只能输出一个极性的脉冲,设计一种新颖的基于CMOS反相器的脉冲窗口比较器,窗口比较器只用了三个CMOS反相器、二个电阻、二个预置电位器和一个开关二极管,根据CMOS反相器的阈值电压通常大致为高阈值≥0.7Vcc,低阈值≤0.2Vcc、即输入低电平的上限0.2Vcc,输入高电平的下限0.7Vcc的特性,利用反相器N1的输出能否反转,从而使反相器N2、N3的输出反转,从而实现“脉冲窗口”。 展开更多

关键词 脉冲窗口 cmos反相器 阈值 箝位

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一个3位flash ADC核设计 被引量：1

15

作者 胡蓉彬 王继安 +3 位作者 庞世甫 李威 朱鹏 龚敏 《微处理机》 2008年第6期5-8,共4页

用CMOS反相器作比较器设计了一个3位的高速低功率flash ADC核。该ADC核可以应用到分级型和流水线型结构的ADC中,实现更高的转换位数。该3位ADC核采用Choudhury等人提出的编码方案,解决了高速ADC的编码电路问题。采用SMIC的0.35μm/3.3C... 用CMOS反相器作比较器设计了一个3位的高速低功率flash ADC核。该ADC核可以应用到分级型和流水线型结构的ADC中,实现更高的转换位数。该3位ADC核采用Choudhury等人提出的编码方案,解决了高速ADC的编码电路问题。采用SMIC的0.35μm/3.3CMOS工艺模型,用Candence软件进行仿真,该3位ADC速度高达2Gsps,在该速度下具有0.56mW的低功率。 展开更多

关键词 cmos反相器 编码电路 PLA电路

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基于Cadence的CMOS反相器的特性分析与仿真 被引量：1

16

作者 钱香 陆亚青 《通信电源技术》 2021年第2期59-60,共2页

CMOS电路中同时采用NMOS管和PMOS管,电路结构简单且规则,静态功耗非常小,在集成电路中用的较多。CMOS反相器是静态CMOS逻辑电路的基本单元之一,为了分析其直流特性和瞬态特性,用Cadence软件设计了一种CMOS反相器。由CMOS反相器的上升时... CMOS电路中同时采用NMOS管和PMOS管,电路结构简单且规则,静态功耗非常小,在集成电路中用的较多。CMOS反相器是静态CMOS逻辑电路的基本单元之一,为了分析其直流特性和瞬态特性,用Cadence软件设计了一种CMOS反相器。由CMOS反相器的上升时间和下降时间表达式得到瞬态特性的影响因素,通过软件仿真加以验证。 展开更多

关键词 cmos反相器 电压传输特性 上升时间 下降时间

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MOS门电路的正确使用方法

17

作者 任为民 《中国远程教育》 1985年第9期39-41,共3页

MOS门电路因为结构简单、功耗低、扇出系数大和便于集成,所以发展很快。许多中、大规模以及超大规模的数字电路中,越来越多地采用它作为电路的基本单元。因此,在掌握了它工作原理的基础上。了解MOS门电路的使用方法,对于巩固所学知识,... MOS门电路因为结构简单、功耗低、扇出系数大和便于集成,所以发展很快。许多中、大规模以及超大规模的数字电路中,越来越多地采用它作为电路的基本单元。因此,在掌握了它工作原理的基础上。了解MOS门电路的使用方法,对于巩固所学知识,进行数字电路实验和今后工作都是十分有好处的。一、MOS门电路的栅极击穿问题MOS管栅极和源极、漏极、衬底之间有一层绝缘的二氧化硅（见图一）。栅极加有电压信号几乎没有电流,故呈现出极高的输入阻抗(约10¹²Ω),可以当成压控开关。利用这一开关特性可以组成单元门电路。但是栅极绝缘性能好,却也带来另一个问题,就是当栅极同其它带电物体接触时,转移到栅极上的电荷不易漏去。如果这些电荷积累到一定程度,可以使栅极电庄很高,造成二氧化硅层的击穿。这种击穿是不可逆的,将使MOS管损坏。 展开更多

关键词 cmos门电路 栅极绝缘 正确使用 二极管 cmos电路 MOS管 逻辑门 cmos反相器 压控开关 烙铁

原文传递

低功耗的电流饥饿型环形振荡器 被引量：1

18

作者 毛帅宇 叶彤旸 郭红 《电子世界》 2015年第23期31-34,共4页

本文介绍了一种与温度无关的低功耗电流饥饿型环形振荡器,与普通RC、LC等振荡器相比,此振荡器要求的工作电流更小,因此功耗较小,使用的环形振荡器结构结构简单,节约版图面积。

关键词 振荡器 低功耗 cmos反相器

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CMOS反相器的低频噪声模型分析 被引量：1

19

作者 赵智超 吴铁峰 《中国管理信息化》 2017年第13期163-165,共3页

本文结合负载电流以及输出电压的特性,提出了一种针对CMOS反相器的低频噪声模型,同时结合相应的试验,对模型的准确性进行了验证。

关键词 cmos反相器 低频噪声 模型分析

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自制简易可靠的电感测量仪 被引量：1

20

作者 杜灿鸿 《无线电》 2008年第12期82-83,共2页

本文介绍的电感测量仪利用普通的CMOS反相器构成一个皮尔兹CMOS缓冲振荡器，因为振荡频率与LC回路的参数有关，通过测量频率可以间接测量电感，并且测量值与电感的内阻基本无关。本电路原理简单，无需调试即可正常工作，适合有频率计但... 本文介绍的电感测量仪利用普通的CMOS反相器构成一个皮尔兹CMOS缓冲振荡器，因为振荡频率与LC回路的参数有关，通过测量频率可以间接测量电感，并且测量值与电感的内阻基本无关。本电路原理简单，无需调试即可正常工作，适合有频率计但没有电感计的同好制作。 展开更多

关键词 电感测量仪 cmos反相器 LC回路 振荡频率 间接测量 测量频率 电路原理 振荡器

原文传递