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Yb掺杂C_(60)薄膜的x射线光电子能谱研究 被引量:2
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作者 何少龙 李宏年 +5 位作者 李海洋 张寒洁 吕斌 何丕模 鲍世宁 徐亚伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期915-921,共7页
在超高真空系统中制备了C6 0 的Yb填隙化合物薄膜 .用x射线光电子能谱研究了Yb和C6 0 结合过程中C 1s ,Yb4f和Yb 4d的变化 .利用Yb 4f和C 1s的谱峰强度确定出相纯样品的化学组分接近Yb2 .75C6 0 ,这一结果与晶体x射线衍射结果一致 .Yb 4... 在超高真空系统中制备了C6 0 的Yb填隙化合物薄膜 .用x射线光电子能谱研究了Yb和C6 0 结合过程中C 1s ,Yb4f和Yb 4d的变化 .利用Yb 4f和C 1s的谱峰强度确定出相纯样品的化学组分接近Yb2 .75C6 0 ,这一结果与晶体x射线衍射结果一致 .Yb 4f和Yb 4d的峰形与峰位表明化合物中Yb的价态为Yb2 + .相纯样品 (Yb2 .75C6 0 )的C 1s峰位相对于纯C6 0 向低结合能方向移动约 0 .5eV .C 1s结合能减小说明有Yb 6s电子转移到C6 0 的最低未充填分子轨道能带上 .结合能变化大小及峰宽的具体数值为进一步在薄膜样品上研究Yb2 .75C6 0 展开更多
关键词 镱掺杂 c60薄膜 X射线光电子能谱 镱价态 镱填隙化合物薄膜
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碱土族金属掺杂对C_(60)薄膜的电子结构与性质的影响 被引量:2
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作者 伍春燕 陈易明 +4 位作者 钟韶 张海燕 何艳阳 朱燕娟 梁远博 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期262-265,共4页
将Sn粉末和C60粉末共同蒸发获得碱土族金属掺杂的C60薄膜样品,与未掺杂的纯C60样品一起进行扫描电镜、紫外可见吸收光谱和电阻随温度变化特性的测量,分析比较掺杂对薄膜样品的组成、结构和性质的影响.结果显示,掺锡后组成... 将Sn粉末和C60粉末共同蒸发获得碱土族金属掺杂的C60薄膜样品,与未掺杂的纯C60样品一起进行扫描电镜、紫外可见吸收光谱和电阻随温度变化特性的测量,分析比较掺杂对薄膜样品的组成、结构和性质的影响.结果显示,掺锡后组成薄膜的纳米颗粒略有增大并突出表面,使薄膜的电子发射阈值降低;掺入的Sn原子在禁带中形成杂质能级,使电子吸收跃迁由原来的直接跃迁变为间接跃迁,导电性也由原来的绝缘体变为N型半导体. 展开更多
关键词 掺杂 电子吸收跃迁 导电性 c60薄膜
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在氩气氛下生长的C_(60)薄膜的结构与特性 被引量:1
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作者 张海燕 陈易明 +3 位作者 伍春燕 何艳阳 王金华 朱燕娟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1264-1268,共5页
采用惰性气氛蒸发法制备 C6 0 薄膜 ,用原子力显微镜 (AFM)、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)及紫外 -可见光谱研究了在氩 (Ar)气氛下生长的 C6 0 薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性 .AFM测量表明在 Ar气氛下生长的C6 0 薄膜的表面生长... 采用惰性气氛蒸发法制备 C6 0 薄膜 ,用原子力显微镜 (AFM)、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)及紫外 -可见光谱研究了在氩 (Ar)气氛下生长的 C6 0 薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性 .AFM测量表明在 Ar气氛下生长的C6 0 薄膜的表面生长岛更尖锐 ,并且有较大直径的表面粒子 .由紫外 -可见光吸收谱测量发现 Ar气氛下生长的 C6 0 薄膜的强度和吸收峰位置与在真空下生长的 C6 0 薄膜比较有大的红移 .可求出在 Ar气氛下生长的 C6 0 薄膜的光学禁带宽度 Eg=2 .2 4e V,比在真空下生长的 C6 0 薄膜禁带宽度 (2 .0 2 e V)要大 .与真空下生长的 C6 0 薄膜比较 ,Ar气氛下生长的 C6 0 薄膜的红外谱没有变化 ,但 X射线衍射表明其结构从面心立方 (fcc)相变成 fcc相与六角密堆 (hcp) 展开更多
关键词 c60薄膜 惰性气氛 紫外-可见光吸收谱 氩气
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C60势垒二极管 被引量:2
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作者 贾鹤群 黄子强 《现代显示》 2006年第4期53-58,共6页
本文探讨将C60富勒烯材料作为有源矩阵液晶显示的开关元件。首先介绍了Lechner二极管有源矩阵液晶显示的原理。之后介绍了本文制作的C60二极管的工艺流程及其性能。将C60薄膜淀积在Al上,制成Al/C60结构的薄膜二极管。对Al/C60的肖特基... 本文探讨将C60富勒烯材料作为有源矩阵液晶显示的开关元件。首先介绍了Lechner二极管有源矩阵液晶显示的原理。之后介绍了本文制作的C60二极管的工艺流程及其性能。将C60薄膜淀积在Al上,制成Al/C60结构的薄膜二极管。对Al/C60的肖特基结构与MIS结构的电学特性做了研究。Al/C60肖特基结构在偏压±2V时的整流比为30,而MIS结构在偏压±2V时整流比为100。在MIS结构中,AlOx的形成起着关键的作用。研究还发现,刚淀积好的薄膜二极管,其整流效应并不理想,在真空中经退火处理后,其性能得到增强。最后探讨了如何将C60势垒二极管与Lechner二极管有源矩阵液晶显示进行结合。 展开更多
关键词 有源矩阵液晶显示 Lechner二极管 c60薄膜
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快重离子辐照C_(60)薄膜的强电子激发效应研究 被引量:2
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作者 金运范 田惠贤 +6 位作者 刘杰 谢二庆 王志光 张崇宏 孙友梅 朱智勇 姚存峰 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2004年第7期781-785,共5页
利用能量为 2 0GeV的13 6Xe和 2 7GeV的2 3 8U离子对C60 薄膜进行了辐照 ,并用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱和拉曼散射技术分析了辐照过的C60 样品 ,在傅立叶变换红外光谱上 ,首次观察到一个位于 6 70cm-1处的 ,表征未知结构的新... 利用能量为 2 0GeV的13 6Xe和 2 7GeV的2 3 8U离子对C60 薄膜进行了辐照 ,并用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱和拉曼散射技术分析了辐照过的C60 样品 ,在傅立叶变换红外光谱上 ,首次观察到一个位于 6 70cm-1处的 ,表征未知结构的新峰 ,研究了其强度随电子能损和辐照剂量的变化规律 .分析结果表明 ,电子能量转移主导了C60 薄膜的损伤过程 ;而损伤的部分恢复是由强电子激发的退火效应引起的 ;另外 。 展开更多
关键词 强电子激发效应 快重离子 退火效应 傅立叶变换红外光谱 X射线衍射谱 c60薄膜
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室温和液氮温度Si基底C60薄膜的微观结构与光学特性比较研究
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作者 段金霞 黄新堂 +3 位作者 甘仲维 高建明 黄祥平 吕海峰 《应用光学》 CAS CSCD 2003年第1期28-30,共3页
 在室温和液氮温度(77K)下用蒸镀法在Si(111)衬底上制备C60薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)研究两种不同基底上制备薄膜的微观结构,并用椭圆偏振光谱仪测量了光学参数(包括吸收光谱、折射率及光频介电常数)。结果表明,衬底温度降低,薄膜...  在室温和液氮温度(77K)下用蒸镀法在Si(111)衬底上制备C60薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)研究两种不同基底上制备薄膜的微观结构,并用椭圆偏振光谱仪测量了光学参数(包括吸收光谱、折射率及光频介电常数)。结果表明,衬底温度降低,薄膜更均匀,颗粒更细,光学吸收峰位置出现蓝移且在整个光频范围吸收增强。 展开更多
关键词 室温 液氮温度 光学特性 比较研究 c60薄膜 微观结构 蓝移 椭偏谱 硅衬底 薄膜制备 吸收光谱 60薄膜
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1.23GeV Fe离子在C_(60)薄膜中形成潜径迹的Raman谱分析 被引量:1
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作者 金运范 姚存峰 +7 位作者 王志光 谢二庆 宋银 孙友梅 张崇宏 刘杰 段敬来 赵志明 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期667-670,共4页
用能量为1.23GeV的快Fe离子辐照了多层堆叠的C60薄膜。用Raman散射技术分析了快Fe离子在C60薄膜中由强电子激发引起的效应,主要包括辐照引起C60分子的聚合及其高温、高压相(HTHP)的形成,和在髙电子能损下C60晶体点阵位置上的C60分子向... 用能量为1.23GeV的快Fe离子辐照了多层堆叠的C60薄膜。用Raman散射技术分析了快Fe离子在C60薄膜中由强电子激发引起的效应,主要包括辐照引起C60分子的聚合及其高温、高压相(HTHP)的形成,和在髙电子能损下C60晶体点阵位置上的C60分子向非晶碳的转变。由此演绎出了快Fe离子在C60薄膜中的损伤截面或潜径迹截面σ和潜径迹的半径Re,及其随沉积在电子系统中的能量密度的变化而变化的规律。 展开更多
关键词 潜径迹 强电子激发效应 c60薄膜 快Fe离子 RAMAN谱
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气体压强对氮气氛下制备的C_(60)纳米薄膜形貌和光学性质的影响 被引量:1
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作者 丁宇 张海燕 +5 位作者 钟韶 伍春燕 何艳阳 宁锌 梁远博 朱燕娟 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第4期271-274,共4页
用扫描电镜、双光束紫外 可见分光光度计和椭偏仪研究了在氮气 (N2 )氛下制备的C6 0 薄膜的表面形貌及光吸收特性。研究发现 ,薄膜表面粒子粒径随气压的增大而增大 ,表面结晶现象也随气压增大而明显 ;与真空中制备的C6 0 薄膜比较 ,发... 用扫描电镜、双光束紫外 可见分光光度计和椭偏仪研究了在氮气 (N2 )氛下制备的C6 0 薄膜的表面形貌及光吸收特性。研究发现 ,薄膜表面粒子粒径随气压的增大而增大 ,表面结晶现象也随气压增大而明显 ;与真空中制备的C6 0 薄膜比较 ,发现其紫外 可见吸收的相对强度明显不同 ,吸收峰位红移 ;并且随着氮气压强的增加吸收峰位红移增加。对氮气氛下C6 0 展开更多
关键词 c60薄膜 氮气氛 紫外-可见光吸收谱
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120 keVH^+离子注入C_(60)薄膜中的辐照效应 被引量:1
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作者 朱圣星 姚江宏 《重庆大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期57-59,共3页
研究高能离子与C60 晶体相互作用 ,是认识高能离子与凝聚态物理相互作用的基本规律和开发应用C60 分子材料的基础 ,对实现C60 分子掺杂以及这种材料开发应用都具有十分重要的意义。利用12 0keVH+ 离子注入C60 薄膜 ,系统研究不同注入剂... 研究高能离子与C60 晶体相互作用 ,是认识高能离子与凝聚态物理相互作用的基本规律和开发应用C60 分子材料的基础 ,对实现C60 分子掺杂以及这种材料开发应用都具有十分重要的意义。利用12 0keVH+ 离子注入C60 薄膜 ,系统研究不同注入剂量对C60 薄膜结构的影响 ,用Raman散射技术分析了H+ 离子在C60 薄膜中引起的辐照效应。分析结果表明 ,H+ 离子辐照会影响C60 薄膜结构 ,使C60 薄膜产生聚合和薄膜非晶碳化现象 ,上述现象产生与辐照注入离子的辐照剂量有关。在整个辐照过程中电子能损起主导作用 ,电子能损有明显的退火效应 ,致使C60 由晶态向非晶态转变过程中 ,经历了一个石墨化的中间过程 ,即晶态C60 展开更多
关键词 离子注入 辐照效应 c60薄膜 退火效应 碳团簇 原子簇
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C_(60)薄膜的制备
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作者 杨国伟 游富强 《微细加工技术》 1994年第3期67-72,共6页
本文首先简要叙述了C_(60)分子的结构以及C_(60)固体的结构和物性,然后较详细地讨论了目前采用的几种气相生长C_(60)。薄膜的方法,以及不同的衬底上C_(60)薄膜的生长特性,最后提出了目前C_(60)薄膜生... 本文首先简要叙述了C_(60)分子的结构以及C_(60)固体的结构和物性,然后较详细地讨论了目前采用的几种气相生长C_(60)。薄膜的方法,以及不同的衬底上C_(60)薄膜的生长特性,最后提出了目前C_(60)薄膜生长研究中存在的几个问题。 展开更多
关键词 薄膜生长 c60薄膜 薄膜 笼状碳簇合物
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氩气氛下制备的C_(60)薄膜的形貌、结构和光学性质
11
作者 伍春燕 张海燕 +3 位作者 王金华 陈易明 何艳阳 朱燕娟 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第6期440-444,共5页
用原子力显微镜 (AFM)、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)及紫外 可见光谱 (UV/VIS)研究了在氩 (Ar)气氛下制备的C60 薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性。发现其UV/VIS的强度和吸收峰位置明显不同于在真空中制备的C60 薄膜。与真空中制... 用原子力显微镜 (AFM)、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)及紫外 可见光谱 (UV/VIS)研究了在氩 (Ar)气氛下制备的C60 薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性。发现其UV/VIS的强度和吸收峰位置明显不同于在真空中制备的C60 薄膜。与真空中制备的C60 薄膜比较 ,所研究薄膜的红外谱没有变化 ,但X射线衍射表明其结构从面心立方 (fcc)相变成fcc相与六角密堆(hcp)相的混合相。AFM表明 ,在Ar气氛中制备的C60 薄膜有较大的表面粒子 ,并且表面生长岛更尖锐。这将有利于C60 薄膜的场电子发射。 展开更多
关键词 c60薄膜 氩气氛 紫外-可见光吸收谱 形貌 结构 60薄膜 富勒烯 光学性质
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Yb_(2.75)C_(60)同步辐射光电子能谱
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作者 何少龙 李宏年 +7 位作者 王晓雄 李海洋 I.Kurash 钱海杰 苏润 M.I.Abbas 钟俊 洪才浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期1400-1405,共6页
在超高真空系统中制备了Yb2 75C6 0 薄膜 .对样品进行了同步辐射光电子能谱研究 .在费米能级以下约 5eV范围内的谱数据由Yb2 75C6 0 价带 (C6 0 分子轨道LUMO ,HOMO和HOMO 1导出的能带 )和芯态 (Yb 4f7 2 ,4f5 2 )能级构成 .用紫外能... 在超高真空系统中制备了Yb2 75C6 0 薄膜 .对样品进行了同步辐射光电子能谱研究 .在费米能级以下约 5eV范围内的谱数据由Yb2 75C6 0 价带 (C6 0 分子轨道LUMO ,HOMO和HOMO 1导出的能带 )和芯态 (Yb 4f7 2 ,4f5 2 )能级构成 .用紫外能区不同能量的入射光子 ,用C 2p和Yb 4f光电离截面随光子能量的不同变化规律 ,通过定量拟合 ,得到了对谱线有贡献的上述各个组分的峰位、峰宽和强度 .结果表明 ,光子能量高于约 30 0eV时 ,芯态 4f的贡献使得实验结果远远偏离价带的本征态密度分布 .因此 ,研究Yb2 75C6 0 价态时 ,应使用能量低于 30 0eV的光子 .对实验和拟合结果分析 ,发现了类似纯C6 0 的光电离截面振荡现象 .振荡幅度相对于纯C6 0 较小 ,反映了化合物中C6 0 分子的化学环境对光电离截面振荡现象起着不可忽略的作用 . 展开更多
关键词 光电离 c60分子 光子能量 光电子能谱 价带 态密度分布 c60薄膜 能带 振荡现象 幅度
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Structural stability of C_(60) films under the bombardment of 1.95 GeV Kr ions
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作者 YAO CunFeng FU YunChong +6 位作者 JIN YunFan WANG ZhiGuang ZANG Hang WEI KongFang GOU Jie MA YiZhun SHEN TieLong 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2010年第31期3533-3537,共5页
The structural stability of C60 films under the bombardment of 1.95 GeV Kr ions is investigated.The irradiated C60 films were analyzed by Fourier Transform Infrared(FTIR) spectroscopy and Raman scattering technique.Th... The structural stability of C60 films under the bombardment of 1.95 GeV Kr ions is investigated.The irradiated C60 films were analyzed by Fourier Transform Infrared(FTIR) spectroscopy and Raman scattering technique.The analytical results indicate that the irradiation induced a decrease of icosahedral symmetry of C60 molecule and damage of C60 films;different vibration modes of C60 molecule have different irradiation sensitivities;the mean efficient damage radius obtained from experimental data is about 1.47 nm,which is in good agreement with thermal spike model prediction. 展开更多
关键词 c60薄膜 离子轰击 结构稳定性 傅立叶变换红外光谱 c60分子 伏特 电子
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C_(60)半导体光电器件
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作者 杨国伟 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期227-231,共5页
讨论了两类C60薄膜作为半导体材料制备的光电器件:C60电致发光二极管和半导体聚合物/C60异质结二极管、分析了器件的工作原理、指出了C60作为半导体光电材料潜在的应用领域。
关键词 半导体薄膜 聚合物 电致发光 c60薄膜 导质结
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掺锡C60薄膜材料的电子结构与电导性研究
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作者 伍春燕 张海燕 +3 位作者 何艳阳 梁礼正 朱艳娟 张春华 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第3期92-94,共3页
本文报道了锡掺杂C6 0 薄膜样品的扫描电镜 ,X射线衍射 ,紫外可见吸收光谱和电阻随温特性的测量结果 ;显示样品由纳米级颗粒组成 ,为面心立方结构 ,掺杂锡原子在禁带中形成施主能级 ,电阻随温度增加呈指数衰减 ,霍耳效应证实为N型半导体。
关键词 锡掺杂 紫外可见光吸收 电阻 c60薄膜 60薄膜 半导体 电子结构 电导性
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GeV能量的Fe离子在C_(60)薄膜中的辐照效应研究
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作者 姚存峰 金运范 +5 位作者 宋银 王志光 刘杰 孙友梅 张崇宏 段敬来 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期309-312,共4页
利用傅立叶转换红外光谱和Raman谱仪分析了0.98GeV的Fe离子在电子能损Se为3.5keV/nm时,不同辐照剂量(5×1010—8×1013ions/cm2)下,在C60薄膜中引起的辐照损伤效应。分析表明,Fe离子辐照引起了C60分子的聚合与损伤。在辐照剂量... 利用傅立叶转换红外光谱和Raman谱仪分析了0.98GeV的Fe离子在电子能损Se为3.5keV/nm时,不同辐照剂量(5×1010—8×1013ions/cm2)下,在C60薄膜中引起的辐照损伤效应。分析表明,Fe离子辐照引起了C60分子的聚合与损伤。在辐照剂量达到一中间值1×1012ions/cm2,C60分子的损伤得到部分恢复,归因于电子激发引起的退火效应。通过对Raman数据的拟合分析,演绎出Fe离子辐照在C60材料中形成的潜径迹截面或引起损伤的截面约为1.32×10-14cm2。 展开更多
关键词 c60薄膜 辐照效应 GeV能量的离子 退火效应 聚合
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C_(60)薄膜在快重离子辐照下的结构稳定性研究
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作者 金运范 姚存峰 +5 位作者 宋银 刘杰 王志光 孙友梅 张崇宏 段敬来 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期323-327,共5页
用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱、X射线光电子谱和拉曼散射技术分析了能量为GeV量级的S、Fe、Xe、和U离子,以及120keV的H离子在室温下辐照多层堆积C60薄膜的结构稳定性,即快重离子在C60薄膜中由高密度电子激发引起的效应,主要包括C6... 用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱、X射线光电子谱和拉曼散射技术分析了能量为GeV量级的S、Fe、Xe、和U离子,以及120keV的H离子在室温下辐照多层堆积C60薄膜的结构稳定性,即快重离子在C60薄膜中由高密度电子激发引起的效应,主要包括C60分子的聚合、分子结构的损伤、新的高温-高压相的形成和晶态向非晶态的转变。 展开更多
关键词 结构稳定性 c60薄膜 快重离子 高密度电子激发效应
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Al/C60/Cu薄膜结构的电学性质
18
作者 贾鹤群 黄子强 《真空电子技术》 2006年第3期24-27,共4页
将C60薄膜沉积在Al上,制成了Al/C60结构的薄膜二极管。对Al/C60结构的肖特基结构与金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的电学特性做了研究。Al/C60肖特基结构在偏压±2 V时的整流比为30,而Al/C60的MIS结构在偏压±2 V时整流比为100。... 将C60薄膜沉积在Al上,制成了Al/C60结构的薄膜二极管。对Al/C60结构的肖特基结构与金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的电学特性做了研究。Al/C60肖特基结构在偏压±2 V时的整流比为30,而Al/C60的MIS结构在偏压±2 V时整流比为100。在MIS结构中,AlOx的形成起着关键的作用。研究还发现,刚沉积好的薄膜二极管,其整流效应并不理想,在真空中经退火处理后,其性能得到增强。此二极管在空气中无封装情况下表现出高稳定性。 展开更多
关键词 c60薄膜 整流接触 肖特基势垒接触 金属-绝缘层-半导体
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低速高电荷态重离子在C_(60)薄膜中引起的势效应研究
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作者 付云翀 姚存峰 金运范 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期223-227,共5页
为了研究低速高电荷态离子在C60薄膜中引起的势效应,用能量为200keV的高电荷态Xen+(n=3,10,13,15,17,20,22,23)离子辐照了C60薄膜。用原子力显微镜(AFM)和Raman散射技术分析了辐照过程中高电荷态Xen+离子所储存势能在C60薄膜中引起的效... 为了研究低速高电荷态离子在C60薄膜中引起的势效应,用能量为200keV的高电荷态Xen+(n=3,10,13,15,17,20,22,23)离子辐照了C60薄膜。用原子力显微镜(AFM)和Raman散射技术分析了辐照过程中高电荷态Xen+离子所储存势能在C60薄膜中引起的效应,即势效应。AFM分析结果表明,辐照C60薄膜的表面粗糙度随辐照Xen+离子电荷态(即势能)的增加而减小,揭示了势效应的存在。而Raman分析结果表明,由于Xe离子的动能远大于其所储存的势能,因此,尽管有表面势效应的影响,但在Raman分析的深度范围内,弹性碰撞还是主导了C60薄膜的损伤过程。 展开更多
关键词 低速高电荷态离子 c60薄膜 势效应
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银电极表面上C_(60)薄膜的表面增强拉曼光谱研究
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作者 孙玉华 鲍芳 +2 位作者 顾伟 姚建林 顾仁敖 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期707-710,共4页
在银电极表面形成一层C60薄膜,分别在乙腈溶液和水溶液中进行表面增强拉曼光谱(SERS)研究并将两者进行比较,从而消除了溶液中的C60干扰表面吸附C60的SERS谱图的可能性。研究结果表明,C60分子对称性的降低导致SERS谱峰发生了分裂;表面电... 在银电极表面形成一层C60薄膜,分别在乙腈溶液和水溶液中进行表面增强拉曼光谱(SERS)研究并将两者进行比较,从而消除了溶液中的C60干扰表面吸附C60的SERS谱图的可能性。研究结果表明,C60分子对称性的降低导致SERS谱峰发生了分裂;表面电磁场的作用使得光谱选律在SERS效应中被拓宽,产生了新的拉曼谱峰。该结果与团簇吸附在粗糙银电极表面的C60分子的研究结果相似。与之不同的是在乙腈溶液和水溶液中的SERS谱图的低波数区内分别在348和311cm-1左右出现一个新峰,经过分析可认为该峰与C60-金属基底的相互作用有关。 展开更多
关键词 表面增强拉曼光谱 c60薄膜 银电极
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