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溶胶-凝胶法制备声表面波器件用Li∶ZnO薄膜 被引量:20
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作者 丁卫华 翁文剑 +3 位作者 程逵 杜丕一 沈鸽 韩高荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期552-555,559,共5页
用溶胶凝胶法在玻璃载玻片上制备Li∶ZnO薄膜 ,涂膜采用旋涂法。薄膜通过二次涂膜而形成。用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电镜和电阻仪表征和测量了薄膜的特性和性能。实验结果表明 :通过改变每层涂膜热处理的温度 ,可使Li∶ZnO薄膜... 用溶胶凝胶法在玻璃载玻片上制备Li∶ZnO薄膜 ,涂膜采用旋涂法。薄膜通过二次涂膜而形成。用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电镜和电阻仪表征和测量了薄膜的特性和性能。实验结果表明 :通过改变每层涂膜热处理的温度 ,可使Li∶ZnO薄膜具有更好的c轴择优取向性、平整均匀、颗粒细小和高的薄膜电阻率 (≈ 10 7Ω·cm) ,这些性能可满足声表面波器件的使用要求。薄膜形成时每层采用不同成膜热处理温度可使薄膜有较好性能 。 展开更多
关键词 锂/氧化锌薄膜 溶胶-凝胶 c取向 声表面波器件
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直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究 被引量:8
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作者 吕文中 贾小龙 何笑明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期35-39,共5页
ZnO是一种新型的Ⅱ Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对... ZnO是一种新型的Ⅱ Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响。结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性。本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜。 展开更多
关键词 直流磁控溅射工艺 ZNO薄膜 薄膜结构 基片温度 c取向 晶格结构 退火 氩氧比 结晶质量
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溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的特性研究 被引量:16
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作者 肖宗湖 张萌 郭米艳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期1003-1007,共5页
采用Sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了表征。热分析结果表明:二水醋酸锌-乙醇胺-乙二醇甲醚体系Sol-gel的热分解过程与纯二水合乙酸锌的分解过... 采用Sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了表征。热分析结果表明:二水醋酸锌-乙醇胺-乙二醇甲醚体系Sol-gel的热分解过程与纯二水合乙酸锌的分解过程大相径庭。ZnO薄膜的Sol-gel分解趋于在较窄的温度范围内一步完成。在Si(111)衬底和玻璃衬底上生长了ZnO薄膜,都表现出明显的c轴择优取向生长。对比了不同涂覆层数对ZnO薄膜结构及表面形貌的影响,ZnO薄膜的c轴择优取向生长特性随着涂覆层数的增加而减弱,这是由于ZnO薄膜的生长模式由层状生长向岛状生长转变所致。ZnO薄膜在可见光范围的透光率超过85%。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 溶胶-凝胶法 旋转涂覆技术 c取向
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溶胶-凝胶法制备c轴取向生长ZnO薄膜 被引量:8
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作者 肖宗湖 张萌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2015-2017,2020,共4页
采用sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。采用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了表征。热分析结果表明,二水醋酸锌-乙醇胺-乙二醇甲醚体系sol-gel的热分解过程与纯二水合乙酸锌的分解... 采用sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。采用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了表征。热分析结果表明,二水醋酸锌-乙醇胺-乙二醇甲醚体系sol-gel的热分解过程与纯二水合乙酸锌的分解过程大相径庭。ZnO薄膜的sol-gel分解趋于在较窄的温度范围内一步完成。样品在XRD图谱中表现出明显的c轴择优取向。此外,SEM照片也表明:ZnO薄膜样品中间区域和边缘区域的表面形貌相差甚远。探讨了预热处理温度、退火温度等工艺条件对ZnO薄膜的结构性能的影响,最佳的预热处理温度被认为在ZnO相完全生成温度附近。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 溶胶-凝胶法 旋转涂覆技术 c取向
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适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析 被引量:8
5
作者 王芳 杨保和 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期28-31,共4页
探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻... 探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 SAW器件 c取向 薄膜电阻 声表面波(SAW) 性能分析 原子力显微镜(AFM) 平坦 上升 空位
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钡铁氧体薄膜的c轴取向生长 被引量:5
6
作者 刘小晰 杨正 松本光功 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期358-360,共3页
首次使用非晶Ba-Fe-O衬底层来控制钡铁氧体(BaM)薄膜的取向生长。这种非晶层决定了六角M相的结晶并改善了其晶化度。应用这种非晶衬底层,制备了c轴垂直于膜表平面的BaM薄膜。其(008)峰的摇摆曲线的半高宽Δθ5... 首次使用非晶Ba-Fe-O衬底层来控制钡铁氧体(BaM)薄膜的取向生长。这种非晶层决定了六角M相的结晶并改善了其晶化度。应用这种非晶衬底层,制备了c轴垂直于膜表平面的BaM薄膜。其(008)峰的摇摆曲线的半高宽Δθ50仅为2. 展开更多
关键词 钡铁氧体薄膜 c取向 非晶衬底层 生长
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氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO_3晶体薄膜的影响 被引量:3
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作者 王新昌 叶志镇 +4 位作者 何军辉 黄靖云 顾星 卢焕明 赵炳辉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第2期129-131,135,共4页
本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完... 本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜 ,LN(0 0 6 )衍射峰的半高宽为 0 2 1°。 展开更多
关键词 PLD法 硅衬底 LiNb03晶体薄膜 c取向 薄膜生长 脉冲激光沉积 氧压 铌酸锂薄膜 半导体
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退火温度对纳米ZnO薄膜结构与发光特性的影响 被引量:5
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作者 陈晓清 谢自力 +5 位作者 张荣 修向前 顾书林 韩平 施毅 郑有炓 《微纳电子技术》 CAS 2004年第11期24-27,共4页
利用溶胶鄄凝胶法在硅衬底上制备了纳米ZnO薄膜。研究了热处理对ZnO薄膜的质量与发光性能的影响。结果表明,纳米ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,并且,随着退火温度的升高,ZnO的晶粒变大,c轴取向性变好,紫外发光强度增强。
关键词 纳米ZNO薄膜 发光特性 硅衬底 退火温度 发光性能 c取向 发光强度 紫外 溶胶-凝胶法 锌矿
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离子束反应溅射ZnO薄膜的晶体结构及光学、电学性质研究 被引量:4
9
作者 刘建 李晓慧 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期430-433,共4页
采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品XRD谱的分析 ,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO薄膜沿c轴择优取向生长的重要因素。在基片温度 35 0℃ ,氧分压 1 3的溅射条件下 ,得到了完全沿c轴取向... 采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品XRD谱的分析 ,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO薄膜沿c轴择优取向生长的重要因素。在基片温度 35 0℃ ,氧分压 1 3的溅射条件下 ,得到了完全沿c轴取向生长的只有 (0 0 2 )晶面的ZnO薄膜。薄膜的吸收光谱测量结果表明 ,基片温度和氧分压对ZnO薄膜的光学禁带宽度有重要影响。不同氧分压、不同基片温度制备的薄膜电阻率相差很大。 展开更多
关键词 基片温度 ZNO薄膜 光学 离子束 电学性质 晶体结构 禁带宽度 反应溅射 薄膜电阻 c取向
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蒸汽相中c轴取向连续完美单层B-Al-ZS-M5沸石膜的原位制备 被引量:3
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作者 董维阳 任瑜 +1 位作者 周伟正 龙英才 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1521-1523,共3页
Continuous and perfect single-layer B-Al-ZSM-5 zeolite membranes with c-axis orientation, self-transformation from B-containing porous gla ss disks w ith rough and uneven surfaces full of pits, have been in-situ prepa... Continuous and perfect single-layer B-Al-ZSM-5 zeolite membranes with c-axis orientation, self-transformation from B-containing porous gla ss disks w ith rough and uneven surfaces full of pits, have been in-situ prepared on the su bstrates surfaces in a mixed vapor of ethylenediamine, tri-n-propylamine a nd H 2O . The thickness of the membranes is ca. 60 μm. Under the conditions of 20 ℃ and 0.1 MPa pressure difference, the permeabilities of H 2, O 2 and N 2 thro ugh the calcined B-Al-ZSM-5 zeolite membranes are 2 298×10 -8 , 1 176 ×10 -8 and 1 368×10 -9 mol/(m 2·s·Pa), respectively. The calculated values of ideal se lectivities of H 2 an d O 2 over N 2 are 16 8 and 8 60, respectively. The data indicate that the c alcin ed zeolite membranes are non-pinhole, non-crack, continuous and perfect. 展开更多
关键词 蒸汽相 c取向 连续完美单层 B-Al-ZSM-5沸石膜 原位制备
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c轴取向Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备与光学性质 被引量:3
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作者 顾豪爽 李湘云 +4 位作者 王世敏 包定华 李洪彬 邝安祥 李兴教 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期277-279,共3页
Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记... Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一. 展开更多
关键词 BI4TI3O12 c取向 铁电薄膜 制备 光学性质
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脉冲激光沉积法室温下ZnO薄膜的制备与表征 被引量:3
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作者 曹亮亮 叶志镇 +4 位作者 张阳 朱丽萍 张银珠 诸葛飞 赵炳辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期256-258,262,共4页
在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°。薄膜沿c轴方向受到一定的张应力为1.7×108N/m2。原子力显... 在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°。薄膜沿c轴方向受到一定的张应力为1.7×108N/m2。原子力显微镜分析表明薄膜表面较为平整,平均粗糙度约为6.5 nm,晶粒尺寸约为50 nm。此外,透射光谱分析表明薄膜的禁带宽度为3.25 eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30 eV基本相同。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 c取向 室温 脉冲激光沉积
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在Pt/SrTiO_3衬底上制备高c轴取向PbTiO_3薄膜 被引量:3
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作者 卢朝靖 蒋昌忠 +5 位作者 王世敏 石瑛 黄桂玉 赵建洪 顾豪爽 邝安祥 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第14期1273-1275,共3页
铁电PbTiO_3薄膜是一种优良的热释电材料。特别是c轴取向的PbTiO_3薄膜,因为c轴就是极化轴,并且c轴取向的ε低(约为100),所以它的热释电系数大,介电常数小,热容量小,很有希望成为高性能指数,高灵敏度的红外传感器材料。国外用溅射法在Mg... 铁电PbTiO_3薄膜是一种优良的热释电材料。特别是c轴取向的PbTiO_3薄膜,因为c轴就是极化轴,并且c轴取向的ε低(约为100),所以它的热释电系数大,介电常数小,热容量小,很有希望成为高性能指数,高灵敏度的红外传感器材料。国外用溅射法在MgO(100)单晶和外延的P_t膜上制备了高c轴取向的PbTi0_3薄膜,并报道了其优良的电学性质。新近发展起来的sol-gel方法与溅射法相比,制备铁电薄膜有组分易控制,设备简单。 展开更多
关键词 薄膜 c取向 衬底 钛酸铅
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ZnO:Al薄膜性质研究 被引量:1
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作者 杨春容 袁正希 +1 位作者 薛书文 邓宏 《湛江师范学院学报》 2006年第6期37-40,共4页
采用溶胶-凝胶法在硅(100)和玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(ZnO:Al)薄膜.当掺Al3+浓度小于或等于15%时,得到的薄膜均为单一c轴取向.c轴晶格常数随掺Al3+浓度的增加逐渐减小,当掺Al3+浓度增至15%时,薄膜c轴晶格常数值减小约0.56%.薄膜的光... 采用溶胶-凝胶法在硅(100)和玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(ZnO:Al)薄膜.当掺Al3+浓度小于或等于15%时,得到的薄膜均为单一c轴取向.c轴晶格常数随掺Al3+浓度的增加逐渐减小,当掺Al3+浓度增至15%时,薄膜c轴晶格常数值减小约0.56%.薄膜的光学带隙随掺Al3+浓度的增加而增大,掺Al3+20%的薄膜光学带隙达到3.99 eV.O1s结合能随掺Al3+浓度的增加而增大. 展开更多
关键词 掺铝氧化锌薄膜 c取向 光学带隙 结合能
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反应沉积法制备c轴取向ZnO薄膜及表征 被引量:1
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作者 刘坤 季振国 +3 位作者 杨成兴 芮祥新 王龙成 叶志镇 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第6期470-473,共4页
以二水合醋酸Zn为原料 ,采用反应沉积方法在非晶玻璃衬底上制备出了高度c轴取向、结晶良好的ZnO薄膜。研究了不同衬底温度和Zn源温度对ZnO薄膜性质的影响 ,探讨了不同衬底温度和Zn源温度下生长ZnO薄膜的最佳参数。本文还讨论了该方法制... 以二水合醋酸Zn为原料 ,采用反应沉积方法在非晶玻璃衬底上制备出了高度c轴取向、结晶良好的ZnO薄膜。研究了不同衬底温度和Zn源温度对ZnO薄膜性质的影响 ,探讨了不同衬底温度和Zn源温度下生长ZnO薄膜的最佳参数。本文还讨论了该方法制备ZnO薄膜的沉积机制及优化条件下样品的透光特性。 展开更多
关键词 反应沉积法 制备 c取向 ZNO薄膜 表征 X射线衍射 紫外辐射光吸收 氧化锌 半导体
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光纤ZnO薄膜的制备及光催化性能研究 被引量:2
16
作者 王英连 刘玉华 +1 位作者 任思雨 孙汪典 《环境污染治理技术与设备》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期33-36,共4页
实验利用射频磁控溅射镀膜工艺,分别在光纤和石英玻璃上成功制备了ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对薄膜进行了测试分析,并对其光催化降解苯酚的性能进行了对比测试。结果表明,该薄膜具有良好的C轴取向性,光... 实验利用射频磁控溅射镀膜工艺,分别在光纤和石英玻璃上成功制备了ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对薄膜进行了测试分析,并对其光催化降解苯酚的性能进行了对比测试。结果表明,该薄膜具有良好的C轴取向性,光致发光峰分别位于362nm、421nm和486nm附近,且随着薄膜样品晶粒的减小而出现蓝移,光纤上ZnO薄膜的光催化能力是以石英玻璃为基底的ZnO薄膜的193倍,光催化效果显著。 展开更多
关键词 石英玻璃 制备 光催化性能 镀膜工艺 ZNO薄膜 苯酚 c取向 光致发光 蓝移 射频磁控溅射
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退火对射频磁控溅射氧化锌薄膜性能的影响 被引量:1
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作者 谢和平 张树人 +2 位作者 杨成韬 张洪伟 杨艳 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第1期87-89,共3页
采用射频磁控溅射技术在SiO2/Si上淀积高C轴取向的ZnO薄膜,在氧气和氩气的混合气氛、不同温度(400~900℃)下进行快速热退火处理。利用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对薄膜结构、形貌... 采用射频磁控溅射技术在SiO2/Si上淀积高C轴取向的ZnO薄膜,在氧气和氩气的混合气氛、不同温度(400~900℃)下进行快速热退火处理。利用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对薄膜结构、形貌与界面状态性能进行了分析。研究结果表明,ZnO薄膜的晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大,衍射峰强度增强,峰位随之偏移;SEM分析显示薄膜呈柱状生长,表现出较好的C轴取向性;TEM分析表明ZnO与下电极Pt是呈共格生长,晶格匹配很好。 展开更多
关键词 快速热退火 ZNO薄膜 c取向 透射电镜(TEM)
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薄膜的自组织设计及形貌控制(英文) 被引量:2
18
作者 周小燕 邓宏 +2 位作者 姜斌 李燕 王恩信 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期9-13,共5页
采用单源化学气相沉积 (SSCVD)法 ,在Si( 1 0 0 )基片上通过改变前驱反应体与基片的入射角度 ,获得了可控柱状取向的ZnO薄膜。研究发现 ,入射角度的改变可使沉积薄膜中的柱状结构的生成方向倾斜。但X射线衍射 (XRD)分析表明 :ZnO薄膜的c... 采用单源化学气相沉积 (SSCVD)法 ,在Si( 1 0 0 )基片上通过改变前驱反应体与基片的入射角度 ,获得了可控柱状取向的ZnO薄膜。研究发现 ,入射角度的改变可使沉积薄膜中的柱状结构的生成方向倾斜。但X射线衍射 (XRD)分析表明 :ZnO薄膜的c轴 ( 0 0 2 )取向与入射角无关 ,且不沿ZnO柱状结构的生长方向取向。由于ZnO的 ( 0 0 2 )面为其表面自由能最低且原子密度高的晶面 ,ZnO薄膜的生长更易于在垂直于基片表面的方向c轴取向生长。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 自组织设计 单源化学气相沉积法 柱状结构 入射角度 X射线衍射分析 c取向
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超声电化学沉积ZnO薄膜及其机理研究 被引量:2
19
作者 郭艳 沈鸿烈 +2 位作者 尹玉刚 李斌斌 高超 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1638-1640,1645,共4页
采用超声电化学沉积生长了c轴取向的ZnO薄膜,并与常规电化学沉积生长的ZnO薄膜进行了比较。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计研究了样品的晶体结构、表面形貌以及光学性能。结果表明,常规电化学沉积生长的... 采用超声电化学沉积生长了c轴取向的ZnO薄膜,并与常规电化学沉积生长的ZnO薄膜进行了比较。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计研究了样品的晶体结构、表面形貌以及光学性能。结果表明,常规电化学沉积生长的ZnO薄膜为纳米柱状结构,随着沉积电压的增加,c轴取向率呈极值变化,热退火可提高这种薄膜的透射率。超声电化学沉积生长的ZnO薄膜,在1.5V低沉积电压下仍为柱状结构,但比未加超声电化学法沉积的样品具有更好的c轴取向,沉积电压增加到2.0V时样品则变为麦粒状结构,热退火后其透射率几乎不变。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 超声电化学沉积 c取向 麦粒状结构 透射率
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FBAR有效机电耦合系数的影响因素分析 被引量:2
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作者 赵坤丽 高杨 韩超 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期202-206,共5页
针对有效机电耦合系数(k2eff)的两种影响因素-薄膜体声波谐振器(FBAR)的电极/压电层厚度比与压电层薄膜的c轴取向,分别建立了厚度比可变与c轴取向可变的三层复合结构的FBAR三维仿真模型。以一个谐振频率为2.185GHz的FBAR谐振器作为分析... 针对有效机电耦合系数(k2eff)的两种影响因素-薄膜体声波谐振器(FBAR)的电极/压电层厚度比与压电层薄膜的c轴取向,分别建立了厚度比可变与c轴取向可变的三层复合结构的FBAR三维仿真模型。以一个谐振频率为2.185GHz的FBAR谐振器作为分析案例,通过仿真得出,设计得到的膜层厚度比为0.206时,虽然FBAR的k2eff略有下降,但此时Mo电极厚为0.247μm,AlN压电层厚为1.119 7μm,使得FBAR电学性能较好,工艺制备复杂度及时间降低。另外,c轴倾斜角度为3°时,会使FBAR的k2eff下降,同时FBAR阻抗特性曲线产生较强的寄生谐振,这会引起FBAR横向能量泄露,恶化FBAR滤波器的带内插损。因此,在制备AlN薄膜时应该严格把握各项工艺参数。此外,通过适当放宽FBAR谐振器谐振频率增量能使k2eff具有一定冗余量来弥补工艺制备引起的k2eff下降。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(FBAR) 有效机电耦合系数 厚度比 c取向 寄生谐振 横向能量泄漏
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