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双极晶体管ΔV_(be)瞬态热阻测试法精度修正 被引量:11
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作者 李霁 贾颖 +1 位作者 康锐 高成 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期1010-1014,共5页
对双极型晶体管ΔVBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻ΔVBE修正测试方法与红外扫描热... 对双极型晶体管ΔVBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻ΔVBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下,测试成本低,测量效率高. 展开更多
关键词 双极晶体管 瞬态热阻 试验方法
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工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响 被引量:13
2
作者 陆妩 郑玉展 +2 位作者 任迪远 郭旗 余学峰 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期114-120,共7页
对具有相同制作工艺但NPN管的发射极面积不同以及LPNP管发射极掺杂浓度相异的两种不同类型的国产双极晶体管,在不同剂量率下进行辐射效应和退火特性研究。结果表明:晶体管类型不同,对高低剂量率的辐照响应也相异;不同发射极面积的NPN管... 对具有相同制作工艺但NPN管的发射极面积不同以及LPNP管发射极掺杂浓度相异的两种不同类型的国产双极晶体管,在不同剂量率下进行辐射效应和退火特性研究。结果表明:晶体管类型不同,对高低剂量率的辐照响应也相异;不同发射极面积的NPN管的结果显示,发射极面积越小,损伤越大;不同掺杂浓度的LPNP管的结果则表明,轻掺杂的发射极比重掺杂的具有更高的辐射敏感性。对各种实验现象的损伤机理进行了较详细的分析。 展开更多
关键词 双极晶体管 60Coγ辐照 剂量率效应 发射极面积 掺杂浓度
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IGBT驱动电路的应用与改进技术 被引量:6
3
作者 朱锦洪 丁喆 +2 位作者 梁文林 刘兆魁 史耀武 《洛阳工学院学报》 1999年第1期10-13,共4页
对IGBT驱动电路特性进行了详细分析,就EXB840/841提出了应用和改进技术,在逆变焊机中得到了成功应用。
关键词 双极晶体管 逆变器 焊机 驱动电路 电弧焊设备
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Si/Si_(1-x)Ge_x应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真研究 被引量:5
4
作者 郭宝增 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期764-772,共9页
本文报道了Si/Si1-xGex应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真结果.通过用叠代法求漂移-扩散方程的数值解,确定器件的直流特性.再利用瞬态激励法,求解器件的交流特性参数.将基区Ge摩尔含量x为0.2、... 本文报道了Si/Si1-xGex应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真结果.通过用叠代法求漂移-扩散方程的数值解,确定器件的直流特性.再利用瞬态激励法,求解器件的交流特性参数.将基区Ge摩尔含量x为0.2、0.31的HBT的模拟结果分别与有关文献报道的实验结果进行了比较。 展开更多
关键词 HBT 异质结 双极晶体管 仿真
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AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究 被引量:5
5
作者 顾伟东 夏冠群 +2 位作者 冯先根 吴强 P.A.HoustonA 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期748-754,共7页
本文采用深能级瞬态谱(DLTS)方法直接对Al0.3Ga0.22In0.48P/GaAs异质结双极型晶体管(HBT)的发射结(N-P+结)进行了测试,得到了N型AlGaInP发射区中的深能级的位置、俘获截面以及缺陷浓度.利用这些数据通过单一能级复合的Shockle... 本文采用深能级瞬态谱(DLTS)方法直接对Al0.3Ga0.22In0.48P/GaAs异质结双极型晶体管(HBT)的发射结(N-P+结)进行了测试,得到了N型AlGaInP发射区中的深能级的位置、俘获截面以及缺陷浓度.利用这些数据通过单一能级复合的Shockley-Read-Hall公式,计算了发射结空间电荷区(SCR)中的复合电流,探讨了深能级中心对HBT器件特性的影响.本文的理论分析方法可为研制高性能HBT器件所需的材料质量提高提供参考依据. 展开更多
关键词 HBT 异质结 测试 发射结 双极型晶体管
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Analysis of displacement damage effects on bipolar transistors irradiated by spallation neutrons 被引量:3
6
作者 Yan Liu Wei Chen +5 位作者 Chaohui He Chunlei Su Chenhui Wang Xiaoming Jin Junlin Li Yuanyuan Xue 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第6期372-377,共6页
Displacement damage induced by neutron irradiation in China Spallation Neutron Source(CSNS) is studied on bipolar transistors with lateral PNP, substrate PNP, and vertical NPN configurations, respectively. Comparison ... Displacement damage induced by neutron irradiation in China Spallation Neutron Source(CSNS) is studied on bipolar transistors with lateral PNP, substrate PNP, and vertical NPN configurations, respectively. Comparison of the effects on different type transistors is conducted based on displacement damage factor, and the differences are analyzed through minority carrier lifetime calculation and structure analysis. The influence of CSNS neutrons irradiation on the lateral PNP transistors is analyzed by the gate-controlled method, including the oxide charge accumulation, surface recombine velocity,and minority carrier lifetime. The results indicate that the total ionizing dose in CSNS neutron radiation environment is negligible in this study. The displacement damage factors based on 1-MeV equivalent neutron flux of different transistors are consistent between Xi’an pulse reactor(XAPR) and CSNS. 展开更多
关键词 DISPLACEMENT damage China SPALLATION NEUTRON Source(CSNS) reactor neutrons bipolar transistors
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不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究 被引量:3
7
作者 钱伟 金晓军 +3 位作者 张炯 林惠旺 陈培毅 钱佩信 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期261-266,共6页
Early电压VA和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数,本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下,SiGeHBT中基区Ge含量以及VCE对器件的Early电压VA的影响,并用数值计算的方法得... Early电压VA和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数,本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下,SiGeHBT中基区Ge含量以及VCE对器件的Early电压VA的影响,并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下,器件的Early电压VA随基区中Ge含量和偏置电压VCE的变化规律,表明Early电压VA是随VCE和Ge含量的增加而增加的.这些结果对SiGeHBT在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导. 展开更多
关键词 锗化硅 HBT 应变层 Early电压
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采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路 被引量:3
8
作者 李树荣 郭维廉 +2 位作者 郑云光 刘理天 李志坚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期715-720,共6页
本文介绍采用与CMOS工艺完全相容的双极/MOS混合模式晶体管(BMHMT)构成新型的低温BiCMOS集成电路.理论分析表明该电路与CMOS相比,在电压摆幅相同,静态功耗相近的条件下,具有更大的驱动能力,尤其在较低的... 本文介绍采用与CMOS工艺完全相容的双极/MOS混合模式晶体管(BMHMT)构成新型的低温BiCMOS集成电路.理论分析表明该电路与CMOS相比,在电压摆幅相同,静态功耗相近的条件下,具有更大的驱动能力,尤其在较低的工作电压下,其特点更加突出.我们用统一的标准和相同芯片面积设计了39级带负载的BiCMOS和CMOS环形振荡器.实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试,表明在相同工作电压下BiCMOS优于CMOS.若两种电路都采用SOI结构。 展开更多
关键词 混合模式晶体管 VLSI BMHMT IC 铋CMOS 制造工艺
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Si_3N_4钝化层对横向PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响机理 被引量:4
9
作者 杨剑群 董磊 +2 位作者 刘超铭 李兴冀 徐鹏飞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第16期334-340,共7页
航天器中电子器件在轨服役期间,会遭受到空间带电粒子及各种射线的辐射环境的显著影响,易于造成电离辐射损伤.本文采用60Coγ射线辐照源,针对有/无Si_3N_4钝化层结构的横向PNP型(LPNP)双极晶体管,开展了电离辐射损伤效应及机理研究.利用... 航天器中电子器件在轨服役期间,会遭受到空间带电粒子及各种射线的辐射环境的显著影响,易于造成电离辐射损伤.本文采用60Coγ射线辐照源,针对有/无Si_3N_4钝化层结构的横向PNP型(LPNP)双极晶体管,开展了电离辐射损伤效应及机理研究.利用KEITHLEY 4200-SCS半导体参数测试仪测试了LPNP晶体管电性能参数(包括Gummel特性曲线和电流增益等).采用深能级瞬态谱分析仪(DLTS),对辐照前后有/无Si_3N_4钝化层结构的LPNP晶体管的电离缺陷进行测试.研究结果表明,在相同吸收剂量条件下,与无Si_3N_4钝化层的晶体管相比,具有Si_3N_4钝化层的LPNP晶体管基极电流退化程度大,并且随吸收剂量的增加,电流增益退化更为显著.通过DLTS分析表明,与无Si_3N_4钝化层的晶体管相比,有Si_3N_4钝化层的晶体管辐射诱导的界面态能级位置更接近于禁带中心.这是由于制备Si_3N_4钝化层时引入了大量的氢所导致,而氢的存在会促使辐射诱导的界面态能级位置更接近于禁带中心,复合率增大,从而加剧了晶体管性能的退化. 展开更多
关键词 双极晶体管 电离辐射 钝化 辐射机理
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微波BJT器件噪声参数的抽取 被引量:2
10
作者 刘章文 古天祥 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1396-1398,共3页
对微波BJT器件的级联噪声模型 (En In)以及噪声参数的提取进行了研究 .从复相关理论出发 ,求得噪声参数Fmin,Rn 和Γopt的表达式 .根据二端口器件的本征H参数和噪声源配置 ,推出了En-In 模型的表达式方程 .将En-In 代入噪声参数的表达... 对微波BJT器件的级联噪声模型 (En In)以及噪声参数的提取进行了研究 .从复相关理论出发 ,求得噪声参数Fmin,Rn 和Γopt的表达式 .根据二端口器件的本征H参数和噪声源配置 ,推出了En-In 模型的表达式方程 .将En-In 代入噪声参数的表达式中即完成了对噪声参数的抽取 .后给出器件AT4 14 10和AT4 14 11噪声参数抽取结果 ,并与实测值进行比较 ,结果表明提取值与测量值基本上一致 . 展开更多
关键词 噪声测量 BJT En-In模型 复相关
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电子辐照对硅双极晶体管参数的影响 被引量:2
11
作者 翟冬青 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期126-128,共3页
报道了2MeV电子束辐照对硅双极晶体管参数h_(FE)、t_(off)和C_T的影响。这些参数的变化依赖于电子辐照在晶体管内部引人缺陷能级的性质。实测表明,这些缺陷能级引起的少数载流子寿命下降和多数载流子去除效应是h_(FE)、t_(off)和C_T变... 报道了2MeV电子束辐照对硅双极晶体管参数h_(FE)、t_(off)和C_T的影响。这些参数的变化依赖于电子辐照在晶体管内部引人缺陷能级的性质。实测表明,这些缺陷能级引起的少数载流子寿命下降和多数载流子去除效应是h_(FE)、t_(off)和C_T变化的直接原因。 展开更多
关键词 双极晶体管 载流子 电子束 辐照
全文增补中
双极晶体管ELDRS实验及数值模拟 被引量:3
12
作者 刘敏波 陈伟 +5 位作者 何宝平 黄绍艳 姚志斌 盛江坤 肖志刚 王祖军 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期262-266,270,共6页
对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究。选取了两种类型的双极晶体管,利用60Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律;建立了衬底型NPN晶体管理论模型,利用半... 对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究。选取了两种类型的双极晶体管,利用60Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律;建立了衬底型NPN晶体管理论模型,利用半导体模拟软件模拟了载流子在氧化层中的输运、捕获及释放等物理过程,得到了NPN晶体管基极电流随总剂量和剂量率的变化规律。结果表明,双极晶体管在不同剂量率下表现出低剂量率辐射损伤增强效应,主要是因为高剂量率和低剂量率下晶体管基区氧化层内产生的氧化物陷阱电荷所形成的空间电场不同。 展开更多
关键词 双极晶体管 低剂量率 氧化物陷阱电荷 空间电场
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工作在液氮温度下的低频低噪声双极晶体管的研究 被引量:2
13
作者 杨拥军 王长河 白淑华 《半导体情报》 1995年第3期8-15,共8页
对双极晶体管的低温物理模型和低频噪声模型进行了研究,认为低温下硅双极晶体管电流增益下降的主要原因是低温下非理想基极电流的增加。同时指出,低温下硅双极晶体管1/f噪声的增大,是由于低温下电流增益的减小和载流子在体内和表... 对双极晶体管的低温物理模型和低频噪声模型进行了研究,认为低温下硅双极晶体管电流增益下降的主要原因是低温下非理想基极电流的增加。同时指出,低温下硅双极晶体管1/f噪声的增大,是由于低温下电流增益的减小和载流子在体内和表面的复合增加。通过优化设计,做出了一种低温、低频、低噪声硅双极晶体管。测试表明,在室温(300K)下,电流增益、低频转折频率、1kHz点的噪声电压分别为β≥800,f_L≤30Hz,En(1kHz)≤1.5nV/  ;低温(77K)下,电流增益、低频转折频率、1kHz点的噪声电压分别为β≥30,f_L≤300Hz,En(1kHz)≤1.2nV/。 展开更多
关键词 低频 低噪声 1/f噪声 双极晶体管
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The expression correction of transistor current gain and its application in reliability assessment
14
作者 齐浩淳 张小玲 +3 位作者 谢雪松 赵利 陈成菊 吕长志 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第9期71-75,共5页
Considering the impacts of ideal factor n, VBE and band gap changes with the temperature on current gain, the current gain expression has been corrected to make the results closer to the actual test. Besides, the acce... Considering the impacts of ideal factor n, VBE and band gap changes with the temperature on current gain, the current gain expression has been corrected to make the results closer to the actual test. Besides, the accelerating lifetime study method in the constant temperature-humidity stress is used to estimate the reliability of the same batch transistors. Applying the revised findings from the expression, the current gains before and after the test are compared and analyzed, and, according to the degradation data of the current gain, the transistor lifetimes in the test stress are respectively extrapolated in the different failure criteria. 展开更多
关键词 bipolar transistors temperature feature current gain accelerating lifetime
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基区复合电流对双极晶体管厄利电压的影响 被引量:1
15
作者 郭宝增 宋登元 +2 位作者 王永青 孙荣霞 田华 《半导体情报》 2001年第5期44-47,57,共5页
推导了在考虑了基区复合电流后双极晶体管厄利电压的理论表达式。用该表达式计算了 Si/Si Ge异质结双极晶体管的厄利电压 ,并且与仿真结果进行了比较。比较结果表明 。
关键词 双极晶体管 厄利电压 基区复合电流
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预加温处理对双极晶体管过剩基极电流理想因子的影响机制 被引量:1
16
作者 董磊 杨剑群 +1 位作者 甄兆丰 李兴冀 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期343-349,共7页
基于60Coγ射线辐照源,针对有/无Kovar合金金属帽的横向PNP晶体管(LPNP),探究预加温处理对双极晶体管电离辐射损伤的影响.通过半导体参数测试仪对辐照前后LPNP晶体管电性能参数进行测试.利用深能级瞬态谱分析仪(DLTS),对辐照前后LPNP晶... 基于60Coγ射线辐照源,针对有/无Kovar合金金属帽的横向PNP晶体管(LPNP),探究预加温处理对双极晶体管电离辐射损伤的影响.通过半导体参数测试仪对辐照前后LPNP晶体管电性能参数进行测试.利用深能级瞬态谱分析仪(DLTS),对辐照前后LPNP晶体管电离缺陷进行表征.研究结果表明,未开帽处理的晶体管过剩基极电流(△IB)增加更明显,理想因子n随发射结电压(VEB)的增加逐渐降低,转换电压(Vtr)明显向低发射结电压方向移动.分析认为这是由于基区表面辐射诱导界面态复合率发生变化,界面态数量增多导致n值的变化.DLTS谱证实界面态是导致LPNP晶体管电性能退化的主要原因,未开帽处理的LPNP晶体管中辐照诱导的界面态数量明显增多,这是由于采用Kovar合金制备的金属帽中含有大量的氢,氢的存在会促进界面态的形成.而对于开帽处理的LPNP晶体管,在预处理过程中除去金属帽后器件内氢气逸出,腔内氢气含量降低,因此导致晶体管内部产生的界面态数量减少,使LPNP晶体管电性能退化程度降低. 展开更多
关键词 双极晶体管 电离辐射 Kovar合金 界面态
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低温、低频双极晶体管的噪声分析
17
作者 杨拥军 《半导体情报》 1996年第3期23-29,共7页
建立了低温双极晶体管的低频噪声模型,对低温、低频双极晶体管的噪声进行了分析,并给出了噪声电压随工作温度、工作电流以及频率的三维变化曲线,指出了双极晶体管获得最小噪声的最佳工作温度和最佳工作电流。通过对低温双极晶体管的... 建立了低温双极晶体管的低频噪声模型,对低温、低频双极晶体管的噪声进行了分析,并给出了噪声电压随工作温度、工作电流以及频率的三维变化曲线,指出了双极晶体管获得最小噪声的最佳工作温度和最佳工作电流。通过对低温双极晶体管的CAT噪声测试,证明了我们的噪声分析结果。 展开更多
关键词 低温 低频 低噪声 1/f噪声 双极晶体管
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双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和开关特性的解析模型(Ⅱ)
18
作者 乐中道 龙忠琪 《浙江工业大学学报》 CAS 1995年第3期224-230,共7页
本文是文献[1]的续篇,给出了在多晶硅和单晶硅发射极区域中涉动电流和存贮电荷的解析分析,将它们表示成发射结电压Vbe的函数。在文献[1]中已知Vbe决定于基区中的正态模涉动电流,从而发射极区域中的涉动电流与存贮电荷也... 本文是文献[1]的续篇,给出了在多晶硅和单晶硅发射极区域中涉动电流和存贮电荷的解析分析,将它们表示成发射结电压Vbe的函数。在文献[1]中已知Vbe决定于基区中的正态模涉动电流,从而发射极区域中的涉动电流与存贮电荷也是收集极传导电流Ic和收集极与基极之间电位差Vcb的函数。在此基础上,并与文献[1]相结合,本文对双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和的行为提出了一个严格的解析模型。 展开更多
关键词 双极型 晶体管 多晶硅发射极 开关特性
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双极晶体管电流增益与发射区杂质浓度关系的温度特性
19
作者 郑茳 魏同立 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第2期39-41,共3页
本文从理论和实验两方面对双极型晶体管电流增益H_(FE)与发射区杂质浓度N_E 的关系的温度特性进行了探讨.研究结果表明,H_(FE)与N_E 的相关程度与温度有关,在常温下,H_(FE)随N_E 的增加而增加;当温度升高时,H_(FE)将随N_E 的增加而更剧... 本文从理论和实验两方面对双极型晶体管电流增益H_(FE)与发射区杂质浓度N_E 的关系的温度特性进行了探讨.研究结果表明,H_(FE)与N_E 的相关程度与温度有关,在常温下,H_(FE)随N_E 的增加而增加;当温度升高时,H_(FE)将随N_E 的增加而更剧烈地增加. 展开更多
关键词 双极晶体管 电流增益 发射区 杂质浓度 温度特性
全文增补中
硅低温双极型晶体管电流增益的分析
20
作者 魏同立 郑茳 冯耀兰 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1990年第6期24-30,共7页
从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温... 从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温度下降而下降,下降程度随工作电流的减小而增强.发射区采用轻掺杂技术以减小禁带变窄量,并考虑载流子冻析效应,可获得适于低温工作的硅双极晶体管. 展开更多
关键词 晶体管 电流增益 低温 双极型
全文增补中
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