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Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备与特性研究 被引量:14
1
作者 王华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期1265-1270,共6页
采用sol_gel工艺 ,在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基Bi4Ti3O12 铁电薄膜 .研究了Si基Bi4Ti3O12 薄膜的生长行为、铁电性能、C_V特性和疲劳特性 .研究表明 :Si基Bi4Ti3O12 薄膜具有随退火温度升高沿c轴择优生长的趋势 ... 采用sol_gel工艺 ,在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基Bi4Ti3O12 铁电薄膜 .研究了Si基Bi4Ti3O12 薄膜的生长行为、铁电性能、C_V特性和疲劳特性 .研究表明 :Si基Bi4Ti3O12 薄膜具有随退火温度升高沿c轴择优生长的趋势 ;退火温度通过影响薄膜的晶粒尺寸、生长取向和薄膜中载流子的浓度来改变Si基Bi4Ti3O12 薄膜的铁电性能 ;Ag Bi4Ti3O12 p_Si异质结的C_V特性曲线呈现顺时针回滞 ,可以实现极化存储 ;10 9次极化反转后Bi4Ti3O12 薄膜的剩余极化仅下降 12 % 。 展开更多
关键词 铁电薄膜 钛酸铋 退火处理 C-V特性 薄膜生长 剩余极化率
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熔盐法制备Bi_4Ti_3O_(12)的研究 被引量:12
2
作者 高峰 张昌松 +1 位作者 张慧君 田长生 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第2期145-148,共4页
采用NaCl-KCl熔盐法制备了各向异性的Bi4Ti3O12粉体和陶瓷,研究了熔盐含量对粉体尺寸、形貌以及陶瓷的显微组织结构和介电性能的影响。结果表明采用熔盐法可制备出纯Bi4Ti3O12相的粉体和陶瓷,随熔盐含量增加,钛酸铋粉体尺寸及各向异性... 采用NaCl-KCl熔盐法制备了各向异性的Bi4Ti3O12粉体和陶瓷,研究了熔盐含量对粉体尺寸、形貌以及陶瓷的显微组织结构和介电性能的影响。结果表明采用熔盐法可制备出纯Bi4Ti3O12相的粉体和陶瓷,随熔盐含量增加,钛酸铋粉体尺寸及各向异性的程度明显增大;烧结后的Bi4Ti3O12陶瓷晶粒呈片状,且随熔盐含量的增加,钛酸铋陶瓷产生织构;对陶瓷介电性能的研究表明随熔盐含量增加,钛酸铋陶瓷的绝缘电阻率和介电常数增大,介电损耗减小。 展开更多
关键词 钛酸铋 熔盐法 织构 介电性能
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晶化时间对水热法制备钛酸铋纳米粉体的研究 被引量:6
3
作者 杨群保 李永祥 +2 位作者 殷庆瑞 王佩玲 程一兵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期585-587,共3页
 采用分析纯Bi(NO3)3·5H2O和TiCl4为原料,以NaOH为矿化剂,在反应温度为230℃的水热条件下,研究了晶化时间对Bi4Ti3O12物相结晶性能的影响。XRD表明在晶化时间不少于240min的条件下,才能合成纯的Bi4Ti3O12单一物相,并随着晶化时间...  采用分析纯Bi(NO3)3·5H2O和TiCl4为原料,以NaOH为矿化剂,在反应温度为230℃的水热条件下,研究了晶化时间对Bi4Ti3O12物相结晶性能的影响。XRD表明在晶化时间不少于240min的条件下,才能合成纯的Bi4Ti3O12单一物相,并随着晶化时间的延长,Bi4Ti3O12的晶粒有所长大。通过红外光谱、比表面积和TEM等性能表征,探讨了钛酸铋的水热合成机理,用原位生成机理和溶解 再结晶机理解释了钛酸铋的水热生长过程。 展开更多
关键词 水热合成 bi4ti3o12 晶化时间 纳米粉体
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熔盐法制备片状钛酸铋粉体的研究 被引量:6
4
作者 张昌松 高峰 +1 位作者 杨祖培 田长生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期29-31,35,共4页
采用NaCl-KCl熔盐法制备了生长各向异性的片状Bi4Ti3O12粉体。研究了预烧温度及熔盐含量对粉体形貌及显微结构的影响。结果表明,750℃预烧所得Bi4Ti3O12粉体为单一的钙钛矿型结构,随熔盐含量的增加,Bi4Ti3O12粉粒的尺寸及生长的各向异... 采用NaCl-KCl熔盐法制备了生长各向异性的片状Bi4Ti3O12粉体。研究了预烧温度及熔盐含量对粉体形貌及显微结构的影响。结果表明,750℃预烧所得Bi4Ti3O12粉体为单一的钙钛矿型结构,随熔盐含量的增加,Bi4Ti3O12粉粒的尺寸及生长的各向异性程度均有所增大,预烧温度的增加也促进了粉粒的生长,获得明显生长各向异性的钛酸铋粉体的最佳预烧温度为950~1000℃。 展开更多
关键词 钛酸铋 熔盐法 预烧温度
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Si基Bi_4Ti_3O_(12)薄膜电滞回线及铁电性能的研究 被引量:4
5
作者 王华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第6期501-504,共4页
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法直接在p-Si衬底上制备生长Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结电滞回线的特征及Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能。空间电荷层的存在使Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜呈不对称的电滞回线并导致薄膜的极化减弱。... 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法直接在p-Si衬底上制备生长Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结电滞回线的特征及Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能。空间电荷层的存在使Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜呈不对称的电滞回线并导致薄膜的极化减弱。退火温度同时影响了薄膜的晶粒尺寸和薄膜中的载流子浓度,而这两种因素对铁电性能的影响是相反的。Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能随退火温度的变化是两种因素共同作用的结果。 展开更多
关键词 铁电薄膜 bi4ti3o12 电滞回线 铁电性能
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铁电材料Bi_4Ti_3O_(12)及应用 被引量:4
6
作者 顾豪爽 邝安祥 李兴教 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1995年第3期45-49,共5页
叙述了Bi_4Ti_3O_(12)材料的结构、性质和制备方法,并对Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的研究现状和应用前景作了简单分析。
关键词 铁电薄膜 应用 铁电材料
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Dielectric Properties of Bi_4Ti_3O_(12) Ceramics by Impedance Spectroscopic Method 被引量:3
7
作者 陈勇 SU Huyin +6 位作者 XUE Simin LI Zhaozhi ZHANG Cancan CHEN Qi XU Lingfang 曹万强 黄兆祥 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2016年第5期977-981,共5页
Various lead-free ceramics have been investigated in search for new high-temperature dielectrics. In particular, Bi_4Ti_3O_(12) is a type of ferroelectric ceramics, which is supposed to replace leadcontaining cerami... Various lead-free ceramics have been investigated in search for new high-temperature dielectrics. In particular, Bi_4Ti_3O_(12) is a type of ferroelectric ceramics, which is supposed to replace leadcontaining ceramics for its outstanding dielectric properties in the near future. Ferroelectric ceramics of Bi_4Ti_3O_(12) made by conventional mixed oxide route have been studied by impedance spectroscopy in a wide range of temperature. X-ray diffraction patterns show that Bi_4Ti_3O_(12) ceramics are a single-phase of ferroelectric Bi-layered perovskite structure whether it is calcined at 800 ℃ or after sintering production. This study focused on the effect of the grain size on the electric properties of BIT ceramics. The BIT ceramics with different grain sizes were prepared at different sintering temperatures. Grain becomes coarser with the sintering temperature increasing by 50 ℃, relative permittivity and dielectric loss also change a lot. When sintered at 1 100 ℃, r values peak can reach 205.40 at a frequency of 100 k Hz, the minimum dielectric losses of four different frequencies make no difference, all close to 0.027. The values of Ea range from 0.52 to 0.68 e V. The dielectric properties of the sample sintered at 1 100 ℃ are relatively better than those of the other samples by analyzing the relationship of the grain, the internal stresses, the homogeneity and the dielectric properties. SEM can better explain the results of the dielectric spectrum at different sintering temperatures. The results show that Bi_4Ti_3O_(12) ceramics are a kind of dielectrics. Thus, Bi_4Ti_3O_(12) can be used in high-temperature capacitors and microwave ceramics. 展开更多
关键词 bi_4ti_3o_12 temperature sensitivity permittivity loss(tanδ) activation energy(Ea)
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Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜 被引量:3
8
作者 郭冬云 王耘波 +4 位作者 于军 李建军 周春兰 王雨田 魏龙 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期228-230,共3页
介绍溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程;对前驱体溶液进行了综合热分析,并对薄膜的性质进行了研究;成功地在p-Si衬底上制备出随机取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。在650°C下退火30min得到的Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr... 介绍溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程;对前驱体溶液进行了综合热分析,并对薄膜的性质进行了研究;成功地在p-Si衬底上制备出随机取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。在650°C下退火30min得到的Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=12μC/cm2,矫顽场强Ec=130kV/cm。 展开更多
关键词 SoL-GEL法 bi4ti3o12 铁电薄膜
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高取向Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷样品的制备 被引量:2
9
作者 毛翔宇 陈小兵 《扬州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2004年第1期17-20,共4页
采用多次球磨、预合成、真空干燥的工艺,制备了(0014)择优取向的Bi4Ti3O12(BTO)陶瓷样品.样品的c取向方向与样品成型时所加压力的方向基本一致;随烧结时间增加,样品的c取向率增大,烧结时间为16h的陶瓷样品的取向率达到0.96;测量了样品... 采用多次球磨、预合成、真空干燥的工艺,制备了(0014)择优取向的Bi4Ti3O12(BTO)陶瓷样品.样品的c取向方向与样品成型时所加压力的方向基本一致;随烧结时间增加,样品的c取向率增大,烧结时间为16h的陶瓷样品的取向率达到0.96;测量了样品与轴线平行和垂直2个方向的电学性能,得到了各向异性的测量结果,为深入研究BTO的微观结构提供了一定条件. 展开更多
关键词 铁电陶瓷 bi4ti3o12 择优取向 剩余极化 制备 电学性能 微观结构 各向异性
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Facile ultrasonic-assisted synthesis of micro–nanosheet structure Bi_4Ti_3O_(12)/g-C_3N_4 composites with enhanced photocatalytic activity on organic pollutants 被引量:2
10
作者 Huihui Gan Futao Yi +3 位作者 Huining Zhang Yongxing Qian Huixia Jin Kefeng Zhang 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第12期2628-2635,共8页
The Bi_4Ti_3O_(12)/g-C_3N_4 composites with microsheet and nanosheet structure were prepared through facile ultrasonic-assisted method. The SEM and TEM results suggested that the nanosheets g-C_3N_4 were stacked on th... The Bi_4Ti_3O_(12)/g-C_3N_4 composites with microsheet and nanosheet structure were prepared through facile ultrasonic-assisted method. The SEM and TEM results suggested that the nanosheets g-C_3N_4 were stacked on the surface of regular Bi_4Ti_3O_(12) sheets. Comparing with pure Bi_4Ti_3O_(12) and g-C_3N_4, the Bi_4Ti_3O_(12)/g-C_3N_4 composites showed significant enhancement in photocatalytic efficiency for the degradation of RhB in solution. With the mass ratio of g-C_3N_4 increasing to 10 wt%, the Bi_4Ti_3O_(12)/g-C_3N_4-10% presented the best photocatalytic activity. Its photocatalysis reaction constant was approximately 2 times higher than the single component Bi_4Ti_3O_(12) or g-C_3N_4. Meanwhile, good stability and durability for the Bi_4Ti_3O_(12)/g-C_3N_4-10% were confirmed by the recycling experiment and FT-IR analysis. The possible mechanism for the improvements was the matched band positions and the effective separation of photo-excited electrons(e-) and holes(h+). Furthermore, based on the results of active species trapping, photo-generated holes(h+) and superoxide radical(·O2-) could be the main radicals in reaction. 展开更多
关键词 RHoDAMINE B Photocatalyst Ultrasonic assisted synthesis bi4ti3o12 g-C3N4
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La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用 被引量:1
11
作者 钟宇 王晓光 +2 位作者 林殷茵 黄维宁 汤庭鳌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期280-284,共5页
采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底... 采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底上制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)薄膜,分析结果表明,使用LSCO衬底对BTO的析晶有影响,击穿电压、铁电特性均有较大改善。 展开更多
关键词 镧锶钴氧 钛酸铋 化学溶液淀积 铁电薄膜
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硅基Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的C-V特性研究(英文) 被引量:1
12
作者 付承菊 郭冬云 黄志雄 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期74-76,共3页
Bi4 Ti3O1 2 是典型的层状钙钛矿结构铁电材料 ,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能 ,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件。本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜 ,并且对其性能进行了研究。测量不同... Bi4 Ti3O1 2 是典型的层状钙钛矿结构铁电材料 ,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能 ,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件。本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜 ,并且对其性能进行了研究。测量不同退火温度下得到的Ag BTO p Si结构的C V曲线 ,结果表明Bi4 Ti3O1 2 薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储。 展开更多
关键词 bi4ti3o12 铁电薄膜 SoL-GEL法 C-V特性
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溶胶-凝胶法制备高取向Bi_4Ti_3O_(12)/SrTiO_3(100)薄膜 被引量:3
13
作者 顾豪爽 王世敏 +5 位作者 吴新民 邝安祥 马世安 汪连山 赵建洪 李兴教 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1996年第1期63-66,共4页
Highly oriented Bi4Ti3O12 thin films were prepared by Sol-Gel technique on SrTiO3(100) single crystal, using Bi(NO3)3.5H2O, Ti(OC4H9)4 and CH3COOH as raw materials. The c-axis orientation was about 96%. The effect of ... Highly oriented Bi4Ti3O12 thin films were prepared by Sol-Gel technique on SrTiO3(100) single crystal, using Bi(NO3)3.5H2O, Ti(OC4H9)4 and CH3COOH as raw materials. The c-axis orientation was about 96%. The effect of pH value of solution on quality of the thin films was studied. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 高取向薄膜 钛酸锶
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MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究 被引量:3
14
作者 郭冬云 王耘波 +3 位作者 于军 王雨田 王宝义 魏龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期180-182,共3页
 利用sol gel方法在p Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜。测量不同退火温度下得到的In/BTO/p Si结构的C V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储。
关键词 MFS结构 钛酸铋薄膜 C-V特性 制备 铁电材料 FFET 信息存储
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常压MOCVD制备Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜
15
作者 付丽伟 王弘 +5 位作者 尚淑霞 王晓临 于淑琴 鲁智宽 徐平茂 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第2期207-209,共3页
本文首次报道常压 MOCVD 制备 Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜。在较低的衬底温度(~550℃)下一次成膜,薄膜均匀、致密、结晶性好,且具有较好的取向性。
关键词 铁电体 薄膜 bitio
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生长温度与退火温度对钛酸铋薄膜晶相形成的影响
16
作者 付丽伟 王弘 +2 位作者 尚淑霞 田亮光 徐平茂 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第4期357-361,共5页
本文研究了生长温度与退火温度对钛酸铋薄膜晶相形成的影响,在适当的组分下,550℃低温生长了α轴取向的 Bi_4Ti_3O_(12)单晶体薄膜。高温退火(700~800℃)有利于多晶无取向或 c 轴取向的 Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的形成。
关键词 退火 晶相 钛酸铋 薄膜
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钕掺杂钛酸铋自组装纳米颗粒的制备和微结构分析
17
作者 马骏 吕笑梅 +2 位作者 阚益 顾骏 朱劲松 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S1期213-218,共6页
作者在铂衬底上以旋涂不同浓度前驱体溶液,再经烘烤后退火的方法制备了一系列钕掺杂的钛酸铋自组装纳米颗粒.研究了Pt/Ti/Si O2/Si衬底的形貌随退火时间的变化,并确定了合理的制样退火时间.所制备的形貌理想的分立颗粒高度约20~25nm,... 作者在铂衬底上以旋涂不同浓度前驱体溶液,再经烘烤后退火的方法制备了一系列钕掺杂的钛酸铋自组装纳米颗粒.研究了Pt/Ti/Si O2/Si衬底的形貌随退火时间的变化,并确定了合理的制样退火时间.所制备的形貌理想的分立颗粒高度约20~25nm,宽度约100~150nm.通过X射线衍射发现,前驱体溶液的浓度越低,得到纯钙钛矿相所需的铋元素过量比越大. 展开更多
关键词 纳米结构 钕掺杂的钛酸铋 自组装
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衬底材料对Bi_4Ti_3O_(12)薄膜取向度的影响
18
作者 顾豪爽 赵敏 +1 位作者 包定华 尹玲 《湖北大学学报(自然科学版)》 CAS 1999年第1期40-43,共4页
以正丁醉钛和硝酸铋为原料,用Sol-Gel技术分别在Pt/Ti/Si/、Si、Y-ZrO2、SrTiO3(100)和石英玻璃基片上生长出C轴取向的Bi4Ti3O12薄膜.研究了衬底材料表面结构对Bi4Ti312薄膜取向度的影响.晶格失配能和Bi4Ti3O12晶体的晶面能... 以正丁醉钛和硝酸铋为原料,用Sol-Gel技术分别在Pt/Ti/Si/、Si、Y-ZrO2、SrTiO3(100)和石英玻璃基片上生长出C轴取向的Bi4Ti3O12薄膜.研究了衬底材料表面结构对Bi4Ti312薄膜取向度的影响.晶格失配能和Bi4Ti3O12晶体的晶面能决定了薄膜的取向程度. 展开更多
关键词 铁电薄膜 溶胶-凝胶法 取向度 钛酸铋 铁电材料
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Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷及其A和B位掺杂的介电研究 被引量:3
19
作者 姚阳阳 宋春花 +2 位作者 包志豪 朱劲松 王业宁 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期22-23,26,共3页
测量了Bi_4Ti_3O_12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(P1峰)是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电... 测量了Bi_4Ti_3O_12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(P1峰)是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响. 展开更多
关键词 bi4ti3o12陶瓷 介电损耗 B位掺杂 弛豫峰 A位掺杂 铁电性 铁电体 钛酸铋
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溶胶-凝胶法制备掺钕钛酸铋铁电薄膜及其性能 被引量:1
20
作者 王秀章 戴志高 +1 位作者 刘美风 晏伯武 《湖北师范学院学报(自然科学版)》 2009年第2期6-9,共4页
采用溶胶-凝胶法在FTO/glass衬底上制备了Bi4Ti3O12和Bi3.35Nd0.65Ti3O12(BNT)薄膜,研究了Nd掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和介电常数的影响.XRD研究表明Nd掺杂未对薄膜的结晶产生显著的影响。铁电性的测试表明,通过Nd掺杂,... 采用溶胶-凝胶法在FTO/glass衬底上制备了Bi4Ti3O12和Bi3.35Nd0.65Ti3O12(BNT)薄膜,研究了Nd掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和介电常数的影响.XRD研究表明Nd掺杂未对薄膜的结晶产生显著的影响。铁电性的测试表明,通过Nd掺杂,使薄膜的介电性和铁电性得到了增强,剩余极化强度由57.2μC/cm2增加到68.4μC/cm2. 展开更多
关键词 铁电性能 bi_3.35Nd_0.65ti_3o_12薄膜 bi_4ti_3o_12薄膜 溶胶一凝胶法 ND掺杂
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