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Dy_2O_3掺杂对BaTiO_3陶瓷结构与性能的影响 被引量:15
1
作者 蒲永平 宁叔帆 +1 位作者 陈维 陈寿田 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期424-427,共4页
对水热法合成的BaTiO3粉体进行稀土氧化物Dy2O3掺杂改性,利用扫描电镜、X射线衍射及电气性能测试等手段,分析了离子取代行为和晶格参数与固溶度之间的关系,重点研究了Dy2O3掺杂量对BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸、介电性能的影响规律.结果表明,D... 对水热法合成的BaTiO3粉体进行稀土氧化物Dy2O3掺杂改性,利用扫描电镜、X射线衍射及电气性能测试等手段,分析了离子取代行为和晶格参数与固溶度之间的关系,重点研究了Dy2O3掺杂量对BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸、介电性能的影响规律.结果表明,Dy2O3在陶瓷的烧结过程中可抑制晶粒生长,使晶粒尺寸变小,提高了陶瓷的致密度.当掺杂量w(Dy2O3)为0.6%时,陶瓷晶粒的晶格常数达到最大值,此时晶粒内部缺位浓度最低,常温介电常数提高到4100,在-15~100℃范围内,介电常数随温度变化率为±10%,交流击穿场强为3 2kV/mm. 展开更多
关键词 掺杂Dy2O3 结构 性能 细晶 batio3陶瓷
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压电陶瓷的制备与特性研究 被引量:15
2
作者 解光亮 屈晓田 裴建文 《电力学报》 2002年第4期243-246,共4页
研究了不同的制备工艺对BaTiO3纯相的影响以及钛锆酸钡陶瓷的特性。实验结果表明 :在 10 0 0℃以上条件下制备的BaTiO3陶瓷的相组成较为单一。 110 0℃条件下制得的纯相BaTiO3比在 10 0 0℃条件下的钙钛矿型结构较好 ,c/a较大。适量掺Z... 研究了不同的制备工艺对BaTiO3纯相的影响以及钛锆酸钡陶瓷的特性。实验结果表明 :在 10 0 0℃以上条件下制备的BaTiO3陶瓷的相组成较为单一。 110 0℃条件下制得的纯相BaTiO3比在 10 0 0℃条件下的钙钛矿型结构较好 ,c/a较大。适量掺Zr可控制晶体的四方度和有害的焦绿石相的含量 。 展开更多
关键词 batio3陶瓷 钙钛矿型结构 固相反应 压电陶瓷
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掺杂稀土元素对BaTiO_3系统介电性能的影响 被引量:15
3
作者 郭炜 李玲霞 +2 位作者 吴霞宛 王洪儒 张志萍 《科技通讯(上海)》 CSCD 2004年第1期103-106,共4页
研究了稀土氧化物Sm2O3及Gd2O3的掺杂对细晶BaTiO3系统介电性能的影响。稀土添加剂Sm2O3的掺杂可以形成化学均匀性系统,对居里峰有明显的改善作用;Gd2O3的掺杂可以形成化学非均匀性系统即壳-芯结构,这可以使细晶BaTiO3系统获得理想的介... 研究了稀土氧化物Sm2O3及Gd2O3的掺杂对细晶BaTiO3系统介电性能的影响。稀土添加剂Sm2O3的掺杂可以形成化学均匀性系统,对居里峰有明显的改善作用;Gd2O3的掺杂可以形成化学非均匀性系统即壳-芯结构,这可以使细晶BaTiO3系统获得理想的介电性能,满足X7R特性。 展开更多
关键词 batio3陶瓷 介电性能 稀土 掺杂 壳-芯结构
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溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备BaTiO_3陶瓷的铁电和介电性质研究 被引量:8
4
作者 蔡政 卢文庆 冯悦兵 《南京师大学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2002年第1期67-70,共4页
研究了钛酸钡体相陶瓷的铁电性和介电性 .以硬脂酸、氢氧化钡和钛酸四丁酯为原料 ,用Sol Gel法合成BaTiO3 .生成的前体粉末是无定型的 ,在空气中 75 0℃下焙烧凝胶 1h得到BaTiO3 四方晶 .自发极化Pr、剩余极化Ps 和矫顽场Ec 的值分别为 ... 研究了钛酸钡体相陶瓷的铁电性和介电性 .以硬脂酸、氢氧化钡和钛酸四丁酯为原料 ,用Sol Gel法合成BaTiO3 .生成的前体粉末是无定型的 ,在空气中 75 0℃下焙烧凝胶 1h得到BaTiO3 四方晶 .自发极化Pr、剩余极化Ps 和矫顽场Ec 的值分别为 5 .5 12 μc/cm2 、12 .2 85 μC/cm2 和 334 2V/cm ,介电常数ε为 2 713(2 0 0~ 15 0 0 0 0Hz) . 展开更多
关键词 SOL-GEL 制备 batio3陶瓷 溶胶-凝胶法 铁电性 介电性 钛酸钡体相陶瓷 纳米粉体
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掺杂对宽带激光烧结BaTiO_3陶瓷组织与性能的影响 被引量:11
5
作者 刘其斌 曲微 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期2409-2412,共4页
为了获得组织与性能优良的BaTiO_3陶瓷,采用宽带激光烧结技术制备了掺杂碱金属离子(Ca^(2+))和稀土元素离子(Y^(2+))的BaTiO_3陶瓷。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重-差热分析(TG-DTA)、TR-8401振簧式静电计对BaTiO_3... 为了获得组织与性能优良的BaTiO_3陶瓷,采用宽带激光烧结技术制备了掺杂碱金属离子(Ca^(2+))和稀土元素离子(Y^(2+))的BaTiO_3陶瓷。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重-差热分析(TG-DTA)、TR-8401振簧式静电计对BaTiO_3陶瓷进行了组织与性能表征。实验结果表明,Ca^(2+)的掺杂抑制了陶瓷晶粒长大,改善了BaTiO_3的温度稳定性,防止六方相的生成,提高BaTiO_3的居里点;Y^(3+)的掺杂使BaTiO_3陶瓷组织致密,降低了BaTiO_3陶瓷的室温电阻率并使BaTiO_3半导体化。 展开更多
关键词 材料 batio3陶瓷 组织 性能 宽带激光烧结 掺杂
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Nd_2O_3添加量对BaTiO_3陶瓷介电性能的影响 被引量:8
6
作者 郝素娥 韦永德 +1 位作者 王进福 韦华 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1042-1044,共3页
BaTiO 3 ceramics doped with Nd 2 O 3 (the additive content was respectively 0.001,0.002,0.003,0.005,0.01,0.03mol)were prepared by Sol-Gel method.Effects of Nd 2 O 3 contents on the dielectric constant (ε),the dielect... BaTiO 3 ceramics doped with Nd 2 O 3 (the additive content was respectively 0.001,0.002,0.003,0.005,0.01,0.03mol)were prepared by Sol-Gel method.Effects of Nd 2 O 3 contents on the dielectric constant (ε),the dielectric loss(tanδ),the Curie-temperature(T C )and the resistivity(ρ)of BaTiO 3 ceramic were studied.When Nd 2 O 3 content was 0.001mol and 0.002mol,t he dielectric constant was increase d obviously,but the dielectric loss was also increased.When Nd 2 O 3 content was 0.003mol,the dielectric constant was increased,and the die lectric loss was decreased,which was suitable fo r application in condenser.The resistivity was decreased obviously with the increasing of Nd 2 O 3 contents,the resistivity was the sm allest when Nd 2 O 3 content was 0.001mol.The Curie-temperature was also decreased with the increasing of Nd 2 O 3 contents. 展开更多
关键词 batio3陶瓷 介电性能 ND2O3 掺杂 钛酸钡 氧化钕
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基于人工神经网络的BaTiO_3陶瓷配方研究 被引量:4
7
作者 郭栋 王永力 +2 位作者 夏军涛 李龙土 桂治轮 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期329-334,共6页
人工神经网络具有巨量并行、结构可变、高度非线性等特点 ,其建立数学模型并不需要预先知道太多有关问题背景的知识 ,这尤其适用于陶瓷配方研究中某些机理尚未完全清楚、传统数学方法无法分析的情况 .本工作将人工神经网络技术用于介电... 人工神经网络具有巨量并行、结构可变、高度非线性等特点 ,其建立数学模型并不需要预先知道太多有关问题背景的知识 ,这尤其适用于陶瓷配方研究中某些机理尚未完全清楚、传统数学方法无法分析的情况 .本工作将人工神经网络技术用于介电陶瓷的配方性能分析 ,以BaTiO3为研究对象选取了几种掺杂剂 ,在均匀实验设计的基础上 ,用BP人工神经网络对所得实验结果进行了分析 ,并且用图形化方式直观地表达了出来 .根据实验结果 ,并与多重非线形回归模型相比发现 ,人工神经网络模型比多重非线形回归模型更加准确且能给出配方组成与性能更丰富的信息 。 展开更多
关键词 batio3陶瓷 配方 钛酸钡 介电性能 人工神经网络 多层反问误差传播算法
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Y^(3+),Mn^(2+)掺杂BaTiO_3陶瓷晶界特性研究 被引量:4
8
作者 莫文玲 张庆军 +1 位作者 胡林彦 沈毅 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期584-588,共5页
PTC陶瓷的晶界特性对材料的电性能有重要影响,通过对Y,Mn掺杂钛酸钡陶瓷的电性能与晶界形态及元素分布关系的研究发现,施主掺杂量和Ca元素的掺杂量对晶粒的发育有一定影响;晶界对PTC性能有重大影响,杂乱的晶界不利于PTC效应,洁净的发育... PTC陶瓷的晶界特性对材料的电性能有重要影响,通过对Y,Mn掺杂钛酸钡陶瓷的电性能与晶界形态及元素分布关系的研究发现,施主掺杂量和Ca元素的掺杂量对晶粒的发育有一定影响;晶界对PTC性能有重大影响,杂乱的晶界不利于PTC效应,洁净的发育良好的窄晶界有利于PTC效应;能谱分析发现,陶瓷中不同部位的元素分布存在一定的规律. 展开更多
关键词 batio3陶瓷 PTC效应 晶界 掺杂
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第一性原理计算Sn掺杂钛酸钡陶瓷的压电性能
9
作者 王婉茹 李彩霞 +3 位作者 马晓轩 李成龙 计楠 李天奇 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 北大核心 2024年第3期134-140,共7页
为了探究Sn掺杂钛酸钡无铅压电陶瓷的微观结构和宏观电学性能的调控机理。采用第一性原理的密度泛函理论方法计算了锡钛酸钡陶瓷(BaTi_(1-x)SnxO_(3),简写为BTSx,x=0,0.125,0.20,0.25,0.33和0.50)的能带结构、态密度和压电性能,研究了... 为了探究Sn掺杂钛酸钡无铅压电陶瓷的微观结构和宏观电学性能的调控机理。采用第一性原理的密度泛函理论方法计算了锡钛酸钡陶瓷(BaTi_(1-x)SnxO_(3),简写为BTSx,x=0,0.125,0.20,0.25,0.33和0.50)的能带结构、态密度和压电性能,研究了其压电性调控机理。研究发现:钛酸钡陶瓷的带隙宽度为1.780 eV,在所研究的组分范围内,随着Sn掺杂量的增加,BTSx陶瓷样品的带隙宽度单调减小。其态密度图谱表明原子之间的轨道杂化使压电性更稳定,钛酸钡陶瓷中B位Sn掺杂使其室温压电性能增强。 展开更多
关键词 第一性原理 batio3陶瓷 电子结构 压电性
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BaTiO_3半导体陶瓷的分析电镜研究 被引量:5
10
作者 宋祥云 温树林 姚尧 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期59-63,共5页
利用透射电镜(TEM)和微区分析方法对BaTiO_3半导体陶瓷的晶粒和晶界进行了研究。研究发现,某些晶粒中存在一种极为特殊的不均匀性——即晶粒具有“壳-芯”结构特征。选区电子衍射(SAD)和X射线能量色散谱(EDAX)分析证实,壳-芯结构是由晶... 利用透射电镜(TEM)和微区分析方法对BaTiO_3半导体陶瓷的晶粒和晶界进行了研究。研究发现,某些晶粒中存在一种极为特殊的不均匀性——即晶粒具有“壳-芯”结构特征。选区电子衍射(SAD)和X射线能量色散谱(EDAX)分析证实,壳-芯结构是由晶粒中含杂质Si的分布不均匀引起。研究表明,壳和芯同属BaTiO_3结构,它们的结晶学取向相同。同时还发现,在晶界处有富Si的结晶相存在。 展开更多
关键词 半导体 batio3陶瓷 电镜 PTC
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BaTiO_3系热敏电阻的特性和应用 被引量:6
11
作者 王琪山 《声学与电子工程》 1991年第2期36-41,6,共7页
1 引言 BaTiO_3陶瓷具有P型电导,在常温下电阻率达到10^(11) Ω cm,但通过少量施主(如Nb,La,Y 等)掺杂可使其半导体化,室温下的电阻率降为10^(1Φ~3)Ω cm。当温度达到居里点时,BaTiO_3半导体由四方晶形向立方晶形转变,电阻率随温度的... 1 引言 BaTiO_3陶瓷具有P型电导,在常温下电阻率达到10^(11) Ω cm,但通过少量施主(如Nb,La,Y 等)掺杂可使其半导体化,室温下的电阻率降为10^(1Φ~3)Ω cm。当温度达到居里点时,BaTiO_3半导体由四方晶形向立方晶形转变,电阻率随温度的升高而急剧增大。正温系数(PTC)热敏电阻就是利用这个现象制作的。 展开更多
关键词 热敏电阻 batio3陶瓷
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BaTiO_3-Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3无铅PTCR陶瓷研究 被引量:4
12
作者 韦继锋 蒲永平 +1 位作者 王瑾菲 杨公安 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A02期249-251,共3页
以BaTiO3-Na0.5Bi0.5TiO3(BT-NBT)陶瓷系统为研究对象,采用固相法制备了(1-x)BT+xNBT(0.01<x<0.06)系统陶瓷。通过DSC、XRD、SEM等分析手段研究了NBT的加入量以及烧成气氛对BaTiO3基PTCR陶瓷的显微结构及阻温特性的影响。研究结... 以BaTiO3-Na0.5Bi0.5TiO3(BT-NBT)陶瓷系统为研究对象,采用固相法制备了(1-x)BT+xNBT(0.01<x<0.06)系统陶瓷。通过DSC、XRD、SEM等分析手段研究了NBT的加入量以及烧成气氛对BaTiO3基PTCR陶瓷的显微结构及阻温特性的影响。研究结果表明:加入低含量(x<0.03)NBT时,能明显提高烧成陶瓷的居里温度(Tc),当加入x=0.01NBT时,Tc提高到150℃。氮气中烧成的陶瓷室温电阻率低于空气中烧成的,但其PTC效应减弱。 展开更多
关键词 batio3陶瓷 无铅 阻温特性 PTC效应
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高能球磨法制备钛酸钡陶瓷及其掺杂改性 被引量:5
13
作者 吴雪梅 陶珍东 +1 位作者 黄志文 滕铁力 《西南科技大学学报》 CAS 2008年第1期66-70,共5页
以TiO2和Ba(OH)2.8H2O为原料,用高能球磨法合成了BaTiO3前驱体,并掺加了PbO和CaO以改善其介电性能。通过XRD、SEM等测定分析了相组成及晶体形貌。实验结果表明:高能球磨过程使物料发生一定程度的无定型化,从而显著降低烧结温度,提高烧... 以TiO2和Ba(OH)2.8H2O为原料,用高能球磨法合成了BaTiO3前驱体,并掺加了PbO和CaO以改善其介电性能。通过XRD、SEM等测定分析了相组成及晶体形貌。实验结果表明:高能球磨过程使物料发生一定程度的无定型化,从而显著降低烧结温度,提高烧结体的结构致密度和力学性能。掺杂后PbO和CaO形成的(Ba,Ca)TiO3和(Ba,Pb)TiO3的介电性能明显改善,且随掺杂量的增大,烧结体的介电常数呈上升趋势。 展开更多
关键词 高能球磨 batio3陶瓷 掺杂改性 烧结性能 介电性能 力学性能
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尺寸效应对细晶粒BaTiO_3陶瓷电滞现象的影响 被引量:3
14
作者 康爱国 邓湘云 +1 位作者 王晓慧 李龙土 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1712-1714,共3页
考虑到转向极化和反向畴的成核生长过程的综合影响,引入了一个反映两种过程影响程度的比例参数,对细晶粒BaTiO3陶瓷的电滞回线进行了理论分析,其结论与试验结果是极其一致的,这将有助于深入了解晶粒尺寸效应对BaTiO3陶瓷极化影响的机制。
关键词 尺寸效应 电滞回线 batio3陶瓷
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Y3+掺杂对Ba0.99La0.01TiO3陶瓷介电性能的影响 被引量:5
15
作者 张晓云 丁士华 +2 位作者 宋天秀 张云 严欣堪 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期13-19,共7页
以Ba0.99La0.01TiO3陶瓷为基体,采用传统固相反应法制备Ba0.99La0.01Ti1-xYxO3(0≤x≤0.04)陶瓷样品。通过XRD、SEM、LCR分析仪对陶瓷样品的晶体结构、微观形貌、介电性能进行了分析。结果表明:随着掺杂量增加,晶胞体积逐渐增大,在x=0.0... 以Ba0.99La0.01TiO3陶瓷为基体,采用传统固相反应法制备Ba0.99La0.01Ti1-xYxO3(0≤x≤0.04)陶瓷样品。通过XRD、SEM、LCR分析仪对陶瓷样品的晶体结构、微观形貌、介电性能进行了分析。结果表明:随着掺杂量增加,晶胞体积逐渐增大,在x=0.04时由四方相转变为立方相,当x≥0.01时,陶瓷样品出现了第二相。结合GULP代码模拟计算和实验数据可知陶瓷中Y^3+取代Ti位,主要存在Y3+与La^3+相互补偿和氧空位补偿。在x=0.02时,陶瓷发生了半导化,介电常数较大。介电常数峰值温度随着掺杂量的增大向低温方向移动,介电峰被展宽并呈现弛豫铁电体特征。 展开更多
关键词 batio3陶瓷 掺杂机制 缺陷 介电性能 铁电弛豫
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制备工艺对钛酸钡基无铅高压陶瓷电容器材料性能的影响 被引量:4
16
作者 景文斌 李少炳 +2 位作者 徐亮 王丽熙 张其土 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期286-291,共6页
以BaTiO3为基料,加入SrTiO3,CaCO3,Bi2O3.3TiO2等制备了(1-z)Ba1-x-ySrxCayTiO3.z(Bi2O3.3TiO2)系无铅高压陶瓷电容器材料,研究了制备工艺对材料性能的影响。结果表明,在保温时间一定的情况下,瓷料的最佳烧结温度取决于组分中Bi2O3.3TiO... 以BaTiO3为基料,加入SrTiO3,CaCO3,Bi2O3.3TiO2等制备了(1-z)Ba1-x-ySrxCayTiO3.z(Bi2O3.3TiO2)系无铅高压陶瓷电容器材料,研究了制备工艺对材料性能的影响。结果表明,在保温时间一定的情况下,瓷料的最佳烧结温度取决于组分中Bi2O3.3TiO2含量,且烧结温度随着Bi2O3.3TiO2的含量的增加而降低;在BaTiO3中加入30%SrTiO3,10%CaCO3和3%Bi2O3.3TiO2时(均为摩尔分数),瓷料的最佳烧结温度为1240℃,其εr=3802,tgδ=4.2×10-3,Eb=9.2 kV.mm-1;并且在研究介温性能时,居里温度降低到35℃左右,拓宽了介电峰;当Bi2O3.3TiO2的含量增加到4%时,瓷料的最佳烧结温度为1220℃;在合理的烧结温度范围内,低温烧结和慢速升温将有利于细晶的致密化,从而改善高压陶瓷电容器的综合性能。 展开更多
关键词 高压陶瓷电容器 batio3陶瓷 烧结 介电性能
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基于第一性原理的BaTiO_3陶瓷临界尺寸的研究 被引量:4
17
作者 张海涛 康爱国 +2 位作者 杨北革 薛辉 郭小龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1848-1852,1863,共6页
采用WIEN2K软件,基于第一性原理对具有不同晶格常数的BaTiO3晶胞结构的特性进行了模拟分析。计算了不同晶胞结构中的电荷密度分布,分析了体积与能量的关系对晶胞结构稳定性的影响。结合试验结果探讨了尺寸效应对瓷体铁电性的影响,找到... 采用WIEN2K软件,基于第一性原理对具有不同晶格常数的BaTiO3晶胞结构的特性进行了模拟分析。计算了不同晶胞结构中的电荷密度分布,分析了体积与能量的关系对晶胞结构稳定性的影响。结合试验结果探讨了尺寸效应对瓷体铁电性的影响,找到了晶胞能量最低的状态以及电子轨道杂化最显著的晶胞尺寸。从而确定了晶胞铁电性存在的晶粒的临界尺寸为10~15 nm。 展开更多
关键词 batio3陶瓷 临界尺寸 第一性原理
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叠层片式PTC热敏陶瓷与基体研究进展 被引量:3
18
作者 程绪信 赵肇雄 +2 位作者 周东祥 傅邱云 崔海宁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期4-7,28,共5页
叠层片式PTC热敏陶瓷(MLPTC)具有尺寸小、质量轻、电阻低、通流量大、反应快、无明火、无触点、无噪音和可修复等优点,可作为低压电路中过流保护和温度补偿等元件。介绍了叠层片式PTC热敏陶瓷的发展历程和研究现状,以及该样品基体配方... 叠层片式PTC热敏陶瓷(MLPTC)具有尺寸小、质量轻、电阻低、通流量大、反应快、无明火、无触点、无噪音和可修复等优点,可作为低压电路中过流保护和温度补偿等元件。介绍了叠层片式PTC热敏陶瓷的发展历程和研究现状,以及该样品基体配方的研究,分析了当前制备工艺中存在的问题,并提出了解决的方法,同时指出叠层片式PTC热敏陶瓷向着低阻化、片式化、微型化和绿色化方向发展。 展开更多
关键词 batio3陶瓷 PTC效应 综述 热敏陶瓷 叠层片式 低阻化
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半导体BaTiO_3陶瓷PTC效应的研究 被引量:2
19
作者 冯士明 吴晓东 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期53-58,共6页
本文应用俄歇电子能谱(AES)直接验证了BaTiO_3陶瓷的半导化是由于钛元素的变价(Ti^(4+)+e→Ti^(3+))所致,并据此对材料半导化程度作了半定量的描述;通过电子自旋共振(ESR)对存在于BaTiO_3陶瓷晶界中的Cu、Mn等受主杂质的价态进行了确定... 本文应用俄歇电子能谱(AES)直接验证了BaTiO_3陶瓷的半导化是由于钛元素的变价(Ti^(4+)+e→Ti^(3+))所致,并据此对材料半导化程度作了半定量的描述;通过电子自旋共振(ESR)对存在于BaTiO_3陶瓷晶界中的Cu、Mn等受主杂质的价态进行了确定。根据以上两种谱仪的检测结果,认为各种晶界受主态类型(晶界氧吸附、Ba空位及氧化态的杂质等)都有可能单独或同时存在,并取决于材料的组成及制备工艺。 展开更多
关键词 半导体 batio3陶瓷 PCT热敏电阻
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施主掺杂BaTiO_3陶瓷的正电子湮没研究 被引量:2
20
作者 张绪礼 周国良 +1 位作者 谭德生 邓传益 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期67-71,共5页
在常温下测量了不同施主食量的 BaTiO_3陶瓷的正电子寿命谱。按照正电子理论对实验结果进行了分析讨论。结果表明,自由钡空位的正电子寿命强度随施主含量的增加而经历一极大值。因而,当施主含量小于某一值时,自由钡空位浓度随施主掺杂... 在常温下测量了不同施主食量的 BaTiO_3陶瓷的正电子寿命谱。按照正电子理论对实验结果进行了分析讨论。结果表明,自由钡空位的正电子寿命强度随施主含量的增加而经历一极大值。因而,当施主含量小于某一值时,自由钡空位浓度随施主掺杂量的增加而增加;超过最大值后,自由钡空位浓度随施主含量增加而减少,并逐步趋于平缓。这一事实强烈地支持了复合缺陷模型。 展开更多
关键词 batio3陶瓷 钛酸钡陶瓷 正电子湮没
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