气体流量对磁控溅射氮化镍薄膜对电极性能的影响

1

作者 何万霞 时方晓 《浙江化工》 CAS 2024年第3期6-11,共6页

目的:开发性能卓越、成本经济的对电极,优化氮化镍薄膜制备工艺。方法:使用直流磁控反应溅射技术探究气体(氮气、氩气)流量对薄膜对电极的性能及组装成染料敏化太阳能电池的光电转化效率的影响。利用X射线衍射仪分析薄膜物相组成、紫外... 目的:开发性能卓越、成本经济的对电极,优化氮化镍薄膜制备工艺。方法:使用直流磁控反应溅射技术探究气体(氮气、氩气)流量对薄膜对电极的性能及组装成染料敏化太阳能电池的光电转化效率的影响。利用X射线衍射仪分析薄膜物相组成、紫外-可见分光光度计对薄膜透光度进行分析、太阳光模拟器和数字源表测定电池的光电转换效率。结果:氮化镍薄膜为四方相Ni2N物质,在通入固定Ar流量(16 mL·min^(-1))的条件下,电池光电转换效率随N2通入量的增加而增加;在通入固定N2流量(10 mL·min^(-1))的条件下,电池光电转换效率随Ar通入量的增加而减小,未通入Ar时为最优(η=2.87%),这与Ar流量为16 mL·min^(-1)、N2流量为10 mL·min^(-1)条件下的电池光电转换效率非常接近,但制备成本更低。此时薄膜透光率接近40%,满足将其作为半透明光伏窗以实现绿色低碳建筑的要求。结论:半透明光伏窗不仅具备窗户的采光功能,还能通过光伏组件发电以降低能耗,为染料敏化太阳能电池和光伏建筑一体化技术相结合提供了可能性,具备较大的节能潜力。 展开更多

关键词 过渡金属氮化物 对电极 磁控溅射 光电转化效率 ar流量 N2流量

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Ar流量对磁控溅射制备Al掺杂ZnO薄膜的影响 被引量：3

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作者 赵笑昆 李博研 冯波 《真空与低温》 2021年第1期32-37,共6页

Al掺杂ZnO(AZO)具有电导率高、光学透射率高的优点,且原料来源丰富、制备成本低廉,被认为是最有应用潜力的透明导电薄膜。本文利用射频磁控溅射制备30 cm×30 cm尺寸大面积AZO薄膜,研究了气压恒定时,Ar流量对薄膜晶粒生长机制、电... Al掺杂ZnO(AZO)具有电导率高、光学透射率高的优点,且原料来源丰富、制备成本低廉,被认为是最有应用潜力的透明导电薄膜。本文利用射频磁控溅射制备30 cm×30 cm尺寸大面积AZO薄膜,研究了气压恒定时,Ar流量对薄膜晶粒生长机制、电学和光学性能的影响。结果表明,AZO薄膜晶粒均表现出垂直基片方向的c轴择优取向生长,随Ar流量增大取向变弱;薄膜表面晶粒尺寸大小分布不均匀,随Ar流量增大,大晶粒数量增多,表面出现长度为100 nm、宽度为30 nm的棒状晶;随着Ar流量增大,载流子浓度由4.52×1020 cm-3略微增大至6.2×1020 cm-3,霍尔迁移率由4.79 cm2(/V·s)提升至10.46 cm2(/V·s),电阻率在Ar流量94 mL/min时达到最低值1.01×10-3Ω·cm。薄膜可见光平均透射率均大于78%,禁带宽度约3.8 eV。 展开更多

关键词 Al掺杂ZnO 射频磁控溅射 ar流量 晶粒生长

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溅射Ar流量对Mn膜光学常数的影响 被引量：1

3

作者 邵飞 张晋敏 +4 位作者 唐华杰 胡维前 谢泉 卢顺顺 贺晓金 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期101-103,共3页

采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪,在能量2.0～4.0 eV范围内测量了磁控溅射法制备的金属Mn膜的光学常数,分析了氩气流量对Mn膜光学性质的影响.结果表明,在低能区,随Ar流量的增加,薄膜的所有光学常数均有不同程度的降低;而在高能区,... 采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪,在能量2.0～4.0 eV范围内测量了磁控溅射法制备的金属Mn膜的光学常数,分析了氩气流量对Mn膜光学性质的影响.结果表明,在低能区,随Ar流量的增加,薄膜的所有光学常数均有不同程度的降低;而在高能区,流量对光学常数的影响不明显.薄膜复介电常数、折射率n随流量增大不断减小,在流量为15 mL/min后变化不明显;而消光系数k在流量为15～20 mL/min没有明显变化,在流量达到25 mL/min后消光系数显著减小. 展开更多

关键词 磁控溅射 锰薄膜 ar流量 光学常数

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氩气流量对掺铝氧化锌薄膜光电性能的影响 被引量：1

4

作者 杨盼 赵晓冲 +3 位作者 杨丽军 顾友辰 林红 赖新春 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第S1期91-94,共4页

采用双靶射频磁控溅射沉积掺铝氧化锌(AZO)薄膜作为铜锌锡硫(CZTS)太阳能电池的低阻窗口层。研究了在溅射功率60 W、溅射时间30 min的工艺条件下,氩气(Ar)流量对AZO薄膜的结晶性、表面形貌、光透过率、电阻率、载流子浓度等光电性能的... 采用双靶射频磁控溅射沉积掺铝氧化锌(AZO)薄膜作为铜锌锡硫(CZTS)太阳能电池的低阻窗口层。研究了在溅射功率60 W、溅射时间30 min的工艺条件下,氩气(Ar)流量对AZO薄膜的结晶性、表面形貌、光透过率、电阻率、载流子浓度等光电性能的影响。结果表明,最优Ar气流量为22 cm^3/min,该流量下AZO晶粒大,结晶性能好,AZO薄膜的载流子浓度高,电阻率小,薄膜在400~1100 nm波长下的光透过率为87.2%。 展开更多

关键词 ar流量 AZO 薄膜 磁控溅射

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Ar流量对ZnO薄膜光电性能的影响

5

作者 曲汝丹 时方晓 +2 位作者 宋泓霖 李思仪 王建阳 《广州化学》 CAS 2022年第2期40-44,共5页

通过磁控溅射沉积系统在控制不同Ar流量的条件下,在FTO(氟掺SnO_(2))导电玻璃基底沉积一层致密的ZnO基底,通过旋涂法在致密层ZnO薄膜的基底上制备出多孔ZnO NPS薄膜,随后组装成电池进行测试。采用XRD、紫外―可见光分光光度计对所制备... 通过磁控溅射沉积系统在控制不同Ar流量的条件下,在FTO(氟掺SnO_(2))导电玻璃基底沉积一层致密的ZnO基底,通过旋涂法在致密层ZnO薄膜的基底上制备出多孔ZnO NPS薄膜,随后组装成电池进行测试。采用XRD、紫外―可见光分光光度计对所制备的致密层薄膜进行膜层质量分析,采用太阳光模拟器和数字原表对所制备的染料敏化太阳能电池进行光电转换效率的测试。结果表明,在固定溅射参数为125 W、4.1~4.0 Pa、60 min的条件下、Ar流量为10 sccm时制备的电池具有最高的光电转换效率,为1.20%。 展开更多

关键词 磁控溅射 ar流量 染料敏化 光阳极 光电转换效率

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三靶共溅射纳米复合Cr-Al-Si-N涂层的制备及摩擦学性能研究 被引量：7

6

作者 王铁钢 蒙德强 +3 位作者 李柏松 赵彦辉 刘艳梅 姜肃猛 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期78-86,共9页

目的利用高功率脉冲磁控溅射技术离化率高、溅射离子能量高等优点,在Cr-Al-N涂层中添加Si元素研制a-Si3N4包裹nc-(Cr,Al)N的纳米复合涂层,通过改变反应沉积时的N2/Ar比来调控涂层成分与结构,实现纳米复合Cr-Al-Si-N涂层性能优化。方法... 目的利用高功率脉冲磁控溅射技术离化率高、溅射离子能量高等优点,在Cr-Al-N涂层中添加Si元素研制a-Si3N4包裹nc-(Cr,Al)N的纳米复合涂层,通过改变反应沉积时的N2/Ar比来调控涂层成分与结构,实现纳米复合Cr-Al-Si-N涂层性能优化。方法采用高功率脉冲与脉冲直流复合磁控溅射技术制备Cr-Al-Si-N涂层。利用扫描电镜、X射线衍射仪、能谱仪、应力仪、纳米压痕仪、划痕测试仪和摩擦试验机,研究N2/Ar比对涂层成分、结构、力学性能以及摩擦学行为的影响。结果涂层主要由面心立方结构的CrN与AlN相组成,且沿(200)晶面择优生长。当N2/Ar流量比为3∶1时,涂层与基体结合最好,临界载荷约为36.5N;摩擦系数和内应力较低,分别为0.5和-0.48GPa。当N2/Ar流量比为4∶1时,H/E值和H^3/E^*2值升至最高,分别为0.11和0.24GPa,磨损率最低,约为1.9×10^-4μm^3/(N·μm)。结论当N2/Ar流量比为4∶1时,三靶共溅射制备的Cr-Al-Si-N涂层硬度较高,耐磨性能最好。 展开更多

关键词 高功率脉冲磁控溅射 脉冲直流磁控溅射 三靶共溅射 纳米复合涂层 Cr-Al-Si-N涂层 N2/ar流量比 临界载荷 摩擦系数 磨损率

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100t钢包浇铸末期起旋高度及控制物理模拟研究 被引量：4

7

作者 孔凡杰 蒋有洪 +1 位作者 唐萍 秦鹏鹏 《连铸》 2020年第1期6-11,共6页

针对某钢厂100 t钢包浇铸末期起旋高度(残钢量)控制问题,依据相似原理,建立了1∶3的钢包物理模型,通过水力学模拟的方法研究了钢包起旋高度与生产工艺条件的关系,并与钢厂实际生产下渣预报的残钢量判断进行了比对。研究结果表明:随着通... 针对某钢厂100 t钢包浇铸末期起旋高度(残钢量)控制问题,依据相似原理,建立了1∶3的钢包物理模型,通过水力学模拟的方法研究了钢包起旋高度与生产工艺条件的关系,并与钢厂实际生产下渣预报的残钢量判断进行了比对。研究结果表明:随着通钢量的增大,旋涡开始起旋高度及贯通高度先降低后升高;模拟实验得出的贯通高度对应残钢量与钢厂实际生产下渣预报判断值相当;浇铸过程,在一定吹Ar流量范围内,随着吹Ar流量的升高,旋涡高度下降,而临界吹穿高度升高,存在合适吹Ar流量,单孔吹Ar合适流量为18.0 L/min,对应的起旋高度为42.6 mm、残钢量4.9 t,双孔吹Ar合适单孔流量为17.4 L/min,对应的起旋高度为40.3 mm、残钢量4.6 t;单孔吹Ar效果略差于双孔吹Ar效果。 展开更多

关键词 钢包 起旋高度 通钢量 残钢量 吹ar流量 吹ar孔数

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H_2/Ar流量比对纳米金刚石形貌和结构的影响 被引量：2

8

作者 熊礼威 彭环洋 +2 位作者 汪建华 崔晓慧 龚国华 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期45-50,共6页

目的研究不同H_2/Ar流量比对纳米金刚石形貌和结构的影响。方法采用MPECVD法制备了质量较好的纳米金刚石薄膜,并通过SEM、XRD对金刚石薄膜的形貌、结构以及晶粒尺寸进行了测试,还使用Raman对金刚石D峰、纳米金刚石特征峰(TPA)的变化趋... 目的研究不同H_2/Ar流量比对纳米金刚石形貌和结构的影响。方法采用MPECVD法制备了质量较好的纳米金刚石薄膜,并通过SEM、XRD对金刚石薄膜的形貌、结构以及晶粒尺寸进行了测试,还使用Raman对金刚石D峰、纳米金刚石特征峰(TPA)的变化趋势进行了分析。结果当Q(H_2):Q(Ar)=50:49时,制备的金刚石晶粒为亚微米范畴,其平均晶粒尺寸为250 nm,表面平整度较差,出现堆积层错现象,但金刚石特征峰(D峰)最强,生长速率达到最大,约为125 nm/h;Q(H_2):Q(Ar)=10:89时,表面平整度高,二次形核现象明显,平均晶粒尺寸为20 nm;进一步减小H_2/Ar流量比为0时,可发现晶粒由纳米变为超纳米,二次形核更为明显,表面平整更高,其平均晶粒尺寸为3 nm,另外Raman测试发现金刚石特征峰强度随H_2/Ar流量比的减小而减小,而纳米金刚石特征峰随H_2/Ar流量比的减小而增大。结论随着H_2/Ar流量比的增加,金刚石表面平整度逐渐变差,表面粗糙度也在逐渐增大,同时金刚石的晶粒尺寸和生长速率在Q(H_2):Q(Ar)=50:49时达到最大。 展开更多

关键词 H2/ar流量比 NCD薄膜 表面形貌 MPECVD 平整度 晶粒尺寸

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多弧离子镀TiN涂层的N_2/Ar流量参数研究 被引量：1

9

作者 陈昌浩 金永中 +3 位作者 陈建 蔡瑜 余学金 龙国俊 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2016年第3期44-48,共5页

利用多弧离子镀在硬质合金基体上制备TiN涂层,研究了N_2/Ar流量比对TiN涂层表面大颗粒分布与力学性能的影响。通过扫描电镜观察TiN涂层的表面形貌,并利用Image J图像处理软件对大颗粒的数量和尺寸进行了分析,通过自动划痕仪和纳米压痕... 利用多弧离子镀在硬质合金基体上制备TiN涂层,研究了N_2/Ar流量比对TiN涂层表面大颗粒分布与力学性能的影响。通过扫描电镜观察TiN涂层的表面形貌,并利用Image J图像处理软件对大颗粒的数量和尺寸进行了分析,通过自动划痕仪和纳米压痕仪对涂层的力学性能进行表征。结果表明:随着N2流量的增加,涂层表面沉积颗粒的最大直径和平均直径逐渐减小,涂层的附着力整体呈现增加趋势,显微硬度则先增大后减小。 展开更多

关键词 多弧离子镀 TIN涂层 N2/ar流量比 大颗粒 力学性能

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CaZrO3薄膜的微观结构与介电性能研究

10

作者 谢斌 余萍 《广东化工》 CAS 2020年第7期4-6,共3页

采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了单一钙钛矿结构的CaZrO3薄膜。研究了CaZrO3薄膜的介电性能和微观形貌,利用X射线衍射技术和扫描电子显微镜技术对所制备薄膜的微观结构进行了表征,并对所制备薄膜的介电性能进行了系统... 采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了单一钙钛矿结构的CaZrO3薄膜。研究了CaZrO3薄膜的介电性能和微观形貌,利用X射线衍射技术和扫描电子显微镜技术对所制备薄膜的微观结构进行了表征,并对所制备薄膜的介电性能进行了系统测试,侧重讨论了制备工艺参数O2:Ar比对所制备薄膜的物相及电学性能的影响。研究结果表明,O2:Ar比对所制备薄膜的相纯度有显著影响,在O2:Ar比为10:40和20:40时获得单一钙钛矿相的CaZrO3薄膜,O2:Ar比为30:40和40:40时,薄膜中可观察到第二相Ca0.2Zr0.8O1.8(CSZ)杂相。O2:Ar比为10:40条件下所制备的单一钙钛矿相CaZrO3薄膜在1MHz介电常数约为30,介电损耗为0.006,并且该薄膜在40 V直流电压下,漏电流密度为5×107 A/cm2。单一钙钛矿相的CaZrO3薄膜在薄膜型电容器和微波器件方面具有潜在应用。 展开更多

关键词 CaZrO3薄膜 射频磁控溅射 O2:ar流量比 介电性能 漏电流密度

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金属反射层制备工艺对倒装LED芯片光电性能的影响

11

作者 刘智超 林海峰 郭贵田 《厦门理工学院学报》 2024年第1期23-28,共6页

为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯... 为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯片光电性能的影响。实验结果表明,当Ag溅射功率为200 W、TiW溅射功率为3 000 W、环境Ar气流量为150 mL/min时,LED芯片的工作电压和出光功率分别为2.91 V、1 247.03 mW,在400~800 nm波段,金属反射层的反射率平均提高了约0.31%,460 nm处的反射率高达96.70%,且产品的综合良率提升了约1.17%。 展开更多

关键词 倒装LED芯片 光电性能 金属反射层 Ag/TiW溅射功率 ar气体流量

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柔性衬底硅基太阳电池ZAO透明导电膜的研究 被引量：2

12

作者 王雅欣 裴志军 +5 位作者 王爽 李彤 张军 徐建萍 蔡宏琨 张德贤 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期928-932,共5页

采用孪生对靶直流磁控溅射的方法,在室温下制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜材料,将其应用于柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的窗口电极。通过调整Ar气流量(1.67×10-7 m3/s～8.33×10-7 m3/s),优化了ZAO薄膜的结构、成份及光电性能。得到如... 采用孪生对靶直流磁控溅射的方法,在室温下制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜材料,将其应用于柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的窗口电极。通过调整Ar气流量(1.67×10-7 m3/s～8.33×10-7 m3/s),优化了ZAO薄膜的结构、成份及光电性能。得到如下结论:理想的Ar气流量为3.33×10-7 m3/s,此时ZAO薄膜具有较高的晶化率和C轴择优取向,薄膜的霍尔电阻率达为4.26×10-4Ω.cm,载流子浓度达到1.8×1021cm-3,可见光波长范围内的光学透过率达到85%以上。将优化后的ZAO薄膜用于柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的窗口电极,转化效率达到了4.26%。 展开更多

关键词 柔性衬底 氢化非晶硅太阳电池 磁控溅射 ZAO薄膜 ar气流量

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超音速等离子体喷涂MoSi2涂层工艺研究 被引量：2

13

作者 刘喜宗 吴恒 +3 位作者 姚栋嘉 张东生 杨超 张相国 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期80-88,共9页

涂层技术是C/C复合材料高温抗氧化与抗烧蚀的有效手段,单一的SiC涂层很难为C/C复合材料提供有效的长寿命保护。金属间化合物MoSi2高温时会形成一层致密的SiO2保护膜,具有特别优异的高温抗氧化性能,常作为C/C复合材料的高温抗氧化涂层。... 涂层技术是C/C复合材料高温抗氧化与抗烧蚀的有效手段,单一的SiC涂层很难为C/C复合材料提供有效的长寿命保护。金属间化合物MoSi2高温时会形成一层致密的SiO2保护膜,具有特别优异的高温抗氧化性能,常作为C/C复合材料的高温抗氧化涂层。本文采用超音速等离子喷涂法在带SiC涂层的C/C复合材料表面制备了MoSi2涂层,主要研究了喷涂功率、主气(Ar)流量对粉料表面温度、飞行速度、沉积率以及对涂层表面微观结构和结合强度的影响。结果表明:喷涂功率在47.5~52.5 kW之间,既能使粒子有较高的速度和温度,还能保证粉末不过熔,在喷涂功率为50 kW时,粉料的沉积率最高,氧化不高,涂层表面致密性好,截面结合紧密,结合强度高;Ar流量为65 L/min时,能够保证MoSi2粉末有较高的表面温度与较快飞行速度,沉积率最高,氧化不高,涂层表面致密,几乎没有孔隙与裂纹。因此,调控超音速等离子体喷涂工艺参数能够在带SiC涂层的C/C复合材料表面得到致密且结合良好的MoSiO2涂层。 展开更多

关键词 碳/碳复合材料 超音速等离子喷涂 二硅化钼涂层 喷涂功率 主气(ar)流量

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Ar气流量对磁控溅射AZO导电薄膜红外透光性能的影响 被引量：1

14

作者 魏齐 沈鸿烈 高凯 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第3期370-374,共5页

采用射频磁控溅射法在超白玻璃衬底上制备出了近红外波段高透光性的AZO透明导电薄膜,用XRD、SEM和发光光度计研究了不同Ar气流量对AZO薄膜的结晶、电学性能和红外透光性能的影响。发现在室温、不同Ar气流量条件下制备出的AZO薄膜在300~1... 采用射频磁控溅射法在超白玻璃衬底上制备出了近红外波段高透光性的AZO透明导电薄膜,用XRD、SEM和发光光度计研究了不同Ar气流量对AZO薄膜的结晶、电学性能和红外透光性能的影响。发现在室温、不同Ar气流量条件下制备出的AZO薄膜在300~1 100nm内的透过率相差不大,均大于86%,而在1 100~2 500nm内透过率变化明显。在Ar气流量为10cm3/min时,制备出的AZO薄膜在1 100~2 500nm内透过率仅为62.7%,而在Ar气流量增大至40cm3/min时,在1 100~2 500nm内透过率则增加到86.6%。分析表明,AZO薄膜红外透光性能的增加是因为Ar气流量增大时,薄膜电学性能变差,电阻率增加,载流子浓度下降,对红外波段光的自由载流子吸收减弱。 展开更多

关键词 磁控溅射 AZO透明导电薄膜 ar气流量 红外透光

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O_2/Ar气体流量比对射频磁控溅射HfO_2薄膜的影响 被引量：1

15

作者 刘文婷 刘正堂 《真空》 CAS 北大核心 2011年第3期62-66,共5页

采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜。通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究了不同O2/Ar气体流量比对薄膜沉积速率、结构、形貌等的影响。结果表明,随着O2/Ar气... 采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜。通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究了不同O2/Ar气体流量比对薄膜沉积速率、结构、形貌等的影响。结果表明,随着O2/Ar气体流量比从0增加到0.50,薄膜的沉积速率逐渐下降。O2/Ar气体流量比为0时制备的薄膜沿[001]方向择优取向生长,具有较高的结晶程度,较大的晶粒尺寸和柱状晶形貌。O2/Ar气体流量比不为0时制备的薄膜没有出现择优生长,结晶程度较低,晶粒尺寸较小,具有球形颗粒状形貌。随着O2/Ar气体流量比从0.25增加到0.50,薄膜的晶粒尺寸有所增大,形貌变化不大。最后探讨了O2/Ar气体流量比为0时制备HfO2薄膜择优取向生长的机理。 展开更多

关键词 HFO2薄膜 O2/ar气体流量比 择优取向生长

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Ar气流量对磁控溅射制备微晶硅薄膜微观结构及光/电学性能的影响

16

作者 乔泳彭 蒋百灵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期361-367,共7页

采用射频磁控溅射法在不同Ar气流量条件下制备了多组微晶硅薄膜,研究了Ar气流量对薄膜微观结构及光/电学性能的影响。结果表明:当Ar气流量的较小时,微晶硅薄膜的沉积速率较高,薄膜的晶化率、晶粒尺寸以及粗糙度处于较好的生长态势。同时... 采用射频磁控溅射法在不同Ar气流量条件下制备了多组微晶硅薄膜,研究了Ar气流量对薄膜微观结构及光/电学性能的影响。结果表明:当Ar气流量的较小时,微晶硅薄膜的沉积速率较高,薄膜的晶化率、晶粒尺寸以及粗糙度处于较好的生长态势。同时,薄膜的光学性能发生明显变化,对于长波长范围内薄膜的光学透过率随Ar气流量的增大逐渐下降。薄膜的电学性能表现为随Ar气流量的增大,少子寿命呈现出先增大后大幅降低的变化趋势。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 ar气流量 微晶硅薄膜

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