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冷轧薄板表面线状缺陷分析 被引量：11
1
作者 张彦文 王继辉 张友登 《中国冶金》 CAS 2009年第11期27-29,共3页
炼钢厂某批次的冷轧DC03薄板出现表面黑色线状缺陷,运用扫描电镜及能谱仪对缺陷部位表面和截面进行了观察分析,结果表明,表面可见大量大小不一的呈脆性特征的铁颗粒,而从截面上看,却发现这些铁颗粒心部包含有大量的FeO。因此推断,黑色... 炼钢厂某批次的冷轧DC03薄板出现表面黑色线状缺陷,运用扫描电镜及能谱仪对缺陷部位表面和截面进行了观察分析,结果表明,表面可见大量大小不一的呈脆性特征的铁颗粒,而从截面上看,却发现这些铁颗粒心部包含有大量的FeO。因此推断,黑色线状缺陷是由于FeO压入后经轧制演变暴露于试样表面形成,而在后续退火工艺中块状FeO表层被环境氛围中的氢还原,心部则保留为原来的FeO,应该加强工艺控制来预防。 展开更多
关键词 冷轧板 线状缺陷 退火
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奥氏体不锈钢的组织超细化技术 被引量：6
2
作者 杨钢 刘正东 +3 位作者 龚志华 王立明 林肇杰 程世长 《钢铁研究学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期32-36,共5页
在试验的基础上研究了获得奥氏体不锈钢超细组织的方法，研究结果表明，原始晶粒尺寸为100μm的304N不锈钢经1道次等径角挤压变形＋退火工艺处理后，晶粒尺寸可显著细化到2～7μm，强度可提高50％以上，而塑性并不降低；增加等径角挤压... 在试验的基础上研究了获得奥氏体不锈钢超细组织的方法，研究结果表明，原始晶粒尺寸为100μm的304N不锈钢经1道次等径角挤压变形＋退火工艺处理后，晶粒尺寸可显著细化到2～7μm，强度可提高50％以上，而塑性并不降低；增加等径角挤压变形的道次，经退火后可获得更细小、均匀的再结晶晶粒。 展开更多
关键词 奥氏体不锈钢 超细组织 再结晶 退火
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热处理温度对Monel 401管材组织和性能的影响 被引量：3
3
作者 庞于思 邵海丽 +2 位作者 王连华 郭玲 韩恒力 《钢管》 CAS 2018年第2期69-71,共3页
介绍了Monel 401管材生产及退火试验方法,分析了冷轧态Monel 401管材试验结果,重点研究了不同退火温度对管材金相组织、力学性能的影响。分析认为:Monel 401管材冷轧态组织为纤维状组织,纤维状组织随退火温度升高而逐渐减少。退火温度70... 介绍了Monel 401管材生产及退火试验方法,分析了冷轧态Monel 401管材试验结果,重点研究了不同退火温度对管材金相组织、力学性能的影响。分析认为:Monel 401管材冷轧态组织为纤维状组织,纤维状组织随退火温度升高而逐渐减少。退火温度700℃时,发生完全再结晶,纤维状组织消失;退火温度550～600℃时,抗拉强度、屈服强度、硬度和伸长率基本保持不变;退火温度600～700℃时,抗拉强度缓慢下降,而屈服强度和硬度呈直线迅速下降,伸长率呈直线迅速上升。退火温度650℃时,管材综合性能较好,满足用户要求。 展开更多
关键词 Monel401 退火 温度 组织 力学性能
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红外反射法研究6H-SiC表面热氧化生长的SiO_2特性 被引量：2
4
作者 钟志亲 刘洪军 +3 位作者 袁菁 王欧 刘畅 龚敏 《光散射学报》 2004年第3期256-259,共4页
本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm-1附近红外反射峰的漂移情况,分析了SiO2的密度变化。密度的变化反映了退火中SiO2中的C和CO的扩散... 本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm-1附近红外反射峰的漂移情况,分析了SiO2的密度变化。密度的变化反映了退火中SiO2中的C和CO的扩散以及空位型缺陷的退火过程。 展开更多
关键词 红外反射谱 峰位漂移 Sio2/6H-SiC 退火
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电化学沉积Bi_2Te_3薄膜及其发电器件的制备 被引量：3
5
作者 汪韧 刘玉梅 何少云 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期605-608,612,共5页
通过控制不同梯度的电流密度和电沉积时间,利用电化学方法在铜片上沉积Bi/Te薄膜,经不同温度退火处理后生成Bi2Te3;采用SEM(带EDS)和XRD对薄膜的形貌、成分进行分析,研究了电流密度和电沉积时间对晶粒成长的影响,并对用Bi2Te3薄膜制成... 通过控制不同梯度的电流密度和电沉积时间,利用电化学方法在铜片上沉积Bi/Te薄膜,经不同温度退火处理后生成Bi2Te3;采用SEM(带EDS)和XRD对薄膜的形貌、成分进行分析,研究了电流密度和电沉积时间对晶粒成长的影响,并对用Bi2Te3薄膜制成发电器件的性能进行了研究。结果表明:电流密度越大,Bi2Te3晶粒尺寸越小;电沉积的时间越长,Bi2Te3薄膜越均匀;退火过程中350℃结晶效果最好;退火后可以形成多晶薄膜,颗粒致密均匀,具有一定择优取向性,还可以提高Seebeck系数,达到-123μV/K;对比传统块状粒子发电,电化学沉积制备的Bi2Te3薄膜发电器件更具有优势。 展开更多
关键词 Bi2Te3薄膜 电化学沉积 退火 塞贝克系数
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国内快淬钕铁硼磁粉生产技术及其装备的发展——电弧重熔溢流快淬与晶化工艺的改进 被引量：2
6
作者 王永强 李兆波 +1 位作者 李世贵 彭方元 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2007年第6期34-41,共8页
回顾了国内快淬钕铁硼磁粉及其核心生产技术——电弧重熔溢流快淬和晶化热处理工艺技术以及装备的发展历程:材料组分中锆(Zr)的加入是国内快淬钕铁硼磁粉批量生产的基础;辊轮材质和结构改进是电弧重熔溢流法诸多改进的核心;而晶化热处... 回顾了国内快淬钕铁硼磁粉及其核心生产技术——电弧重熔溢流快淬和晶化热处理工艺技术以及装备的发展历程:材料组分中锆(Zr)的加入是国内快淬钕铁硼磁粉批量生产的基础;辊轮材质和结构改进是电弧重熔溢流法诸多改进的核心;而晶化热处理由静态向动态的转变是快淬钕铁硼磁粉生产工艺技术的又一重要发展。由此真正实现了国内快淬钕铁硼磁粉的规模化生产。 展开更多
关键词 电弧重熔溢流法 快淬NdFeB磁粉 晶化 工艺 设备 改进
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Co_(0.7)Fe_(2.3)O_4纳米晶颗粒与薄膜的结构及磁性 被引量：1
7
作者 李雁 方庆清 +2 位作者 刘艳美 吕庆荣 尹平 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2006年第3期28-30,42,共4页
用化学共沉法制备了纳米Co0.7Fe2.3O4粉末,用射频磁控溅射镀膜法制备了纳米结构的Co0.7Fe2.3O4薄膜。采用X射线衍射仪及振动样品磁强计对不同热处理温度的样品进行了结构和磁性分析,结果显示,Co0.7Fe2.3O4薄膜的比饱和磁化强度略低于粉... 用化学共沉法制备了纳米Co0.7Fe2.3O4粉末,用射频磁控溅射镀膜法制备了纳米结构的Co0.7Fe2.3O4薄膜。采用X射线衍射仪及振动样品磁强计对不同热处理温度的样品进行了结构和磁性分析,结果显示,Co0.7Fe2.3O4薄膜的比饱和磁化强度略低于粉体材料,矫顽力高于粉体材料,并且晶粒明显细化。650℃退火薄膜具有最大矫顽力125.2kA·m-1。550℃退火薄膜可同时获得较高的矫顽力和较高的比饱和磁化强度。Co0.7Fe2.3O4薄膜还具有平行膜面方向的择尤取向。 展开更多
关键词 钴铁氧体纳米粉体 钴铁氧体薄膜 退火 微结构 磁性能
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退火工艺对加氢裂化装置用垫片材料硬度和耐蚀性能的影响 被引量：1
8
作者 任建民 梁平 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2014年第22期184-186,共3页
对某加氢裂化装置所用的耐热钢垫片材料进行650~850℃退火处理,通过显微硬度计测试了退火后各材料的显微硬度,通过极化曲线和交流阻抗测试了退火温度对耐热钢材料在10%HCl介质中的抗腐蚀性能的变化情况。结果表明,当对耐热钢进行650~85... 对某加氢裂化装置所用的耐热钢垫片材料进行650~850℃退火处理,通过显微硬度计测试了退火后各材料的显微硬度,通过极化曲线和交流阻抗测试了退火温度对耐热钢材料在10%HCl介质中的抗腐蚀性能的变化情况。结果表明,当对耐热钢进行650~850℃的退火处理时,可明显降低耐热钢的显微硬度,750℃时的显微硬度达到最低值;极化曲线和交流阻抗曲线都表明,650~800℃退火处理时,耐热钢的抗腐蚀性能均可提高,但超过850℃以后,抗腐蚀性能下降。 展开更多
关键词 耐热钢 退火 显微硬度 组织 抗腐蚀性
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热处理对锆莫来石复相陶瓷材料显微结构的影响 被引量：1
9
作者 梁波 张庆军 《河北理工学院学报》 2001年第3期38-42,共5页
利用电子扫描电镜重点研究了以锆英石与氧化铝、A级铝矾士为原料反应烧结锆莫来石复相陶瓷材料的显微结构。分析表明 :在不同的液相条件下 ,莫来石的晶粒发育产生了 3种完全不同的晶形 ;液相量越高 ,莫来石的针状发育越好。过量氧化铝... 利用电子扫描电镜重点研究了以锆英石与氧化铝、A级铝矾士为原料反应烧结锆莫来石复相陶瓷材料的显微结构。分析表明 :在不同的液相条件下 ,莫来石的晶粒发育产生了 3种完全不同的晶形 ;液相量越高 ,莫来石的针状发育越好。过量氧化铝的存在严重阻碍了残余晶界玻璃相的析晶。金属铝粉的添加容易引入热处理难以消除的大的贯通性气孔。 展开更多
关键词 锆莫来石复相陶瓷 显微结构 热处理 电子扫描电镜
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基于微波照射储能用PbZrO_(3)反铁电薄膜的制备
10
作者 王占杰 房胤 白宇 《沈阳工业大学学报》 CAS 北大核心 2022年第6期636-641,共6页
为了获得具有优良储能性能的PbZrO_(3)反铁电薄膜,采用微波照射技术在LaNiO_(3)电极薄膜上制备了PbZrO_(3)薄膜,并研究了PbZrO_(3)薄膜的微结构、电学性能和储能性能随微波照射时间的变化规律.结果表明:通过微波照射在750℃下只需要180 ... 为了获得具有优良储能性能的PbZrO_(3)反铁电薄膜,采用微波照射技术在LaNiO_(3)电极薄膜上制备了PbZrO_(3)薄膜,并研究了PbZrO_(3)薄膜的微结构、电学性能和储能性能随微波照射时间的变化规律.结果表明:通过微波照射在750℃下只需要180 s就可以获得晶粒大小均匀且微结构致密的钙钛矿相PbZrO_(3)薄膜;在1640 kV/cm电场下PbZrO_(3)薄膜的储能密度可达27.3 J/cm^(3),储能效率可达59%,表现出良好的储能性能.因此,在结晶过程中使用微波照射技术可以有效获得具有优良储能性能的PbZrO_(3)反铁电薄膜. 展开更多
关键词 介电电容器 LaNiO_(3)电极 PbZrO_(3)薄膜 铁电性能 储能性能 微波照射 溶胶凝胶法 退火
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退火对氧敏CeO_(2-x)薄膜结构及电子组态的影响 被引量：1
11
作者 杜新华 刘振祥 +2 位作者 谢侃 王燕斌 褚武扬 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期610-614,共5页
用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜．用Ce3d的XPS谱计算了Ce3＋浓度．研究了退火条件对氧敏CeO2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响XRD和AFM分析表明，薄膜经973K至1373K退火后，形成了CaF2型结构的CeO2-x，其晶粒大小明显依赖... 用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜．用Ce3d的XPS谱计算了Ce3＋浓度．研究了退火条件对氧敏CeO2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响XRD和AFM分析表明，薄膜经973K至1373K退火后，形成了CaF2型结构的CeO2-x，其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚．退火温度在973K至1173K时，（200）晶面是择优取向的，在1373K退火4h后，可得到热力学稳定的CeO2－x，在退火前后薄膜表面存在少量Ce3＋． 展开更多
关键词 二氧化铈 薄膜 晶体结构 退火 电子组态
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中间退火氩气稀释HCI氧化制备超薄SiO_2介质
12
作者 湾福祥 章定康 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第8期44-46,共3页
本文详细分析了影响制备高质量超薄SiO_2介质的主要因素,找到了制备超薄SiO_2介质的较佳工艺,即中间退火氩气稀释氯化氢氧化法,用该方法制备的100～120(?)超薄SiO_2介质平均击穿强度达12MV/cm.
关键词 超薄二氧化硅介质 中间退火氩气稀释氯化氢氧化法 半导体器件 掺杂
全文增补中
氢化非晶硅场效应晶体管的特性研究
13
作者 王广民 皮德富 周士源 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期55-59,共5页
氢化非晶硅场效应晶体管的特性对环境因素较为敏感，如光照、温度和湿度等。文中介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体官场效应特性的变化，并探讨导致这种变化的原因。
关键词 氢化非晶硅 场效应 退火 场效应晶体管
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CsI(TI)晶体的辐照损伤研究 被引量：8
14
作者 何景棠 毛裕芳 +2 位作者 董晓黎 陈端保 李祖豪 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 1997年第1期21-24,共4页
本文报道 CsI(T1)晶体辐照损伤的实验研究,结果表明,CsI(T1)晶体具有辐照损伤效应.对被辐照损伤过的 CsI(T1)晶体作恢复研究,表明在200℃下加热4小时,可使辐照损伤的 CsI(T1)晶体得到恢复.
关键词 碘化铯 晶体 辐照损伤 自然恢复
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激光技术在半导体行业中的应用 被引量：6
15
作者 杨洪星 刘晓伟 +2 位作者 陈亚楠 武永超 赵权 《电子工业专用设备》 2010年第2期10-13,共4页
激光技术自诞生以来,受到了广泛地关注,并逐步拓展了其应用领域。对激光技术在晶片/芯片加工领域的应用、激光打标技术、激光测试技术以及激光脉冲退火技术(LSA)进行简要的介绍。
关键词 激光 激光打标 激光测试 脉冲退火技术
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激光退火实现非晶Si晶化的成核势垒研究 被引量：4
16
作者 邓泽超 褚立志 +3 位作者 丁学成 梁伟华 傅广生 王英龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期876-879,共4页
采用脉冲激光烧蚀技术,在真空条件下沉积了一系列非晶Si薄膜,并对薄膜样品进行不同能量密度的激光退火处理。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、Raman散射仪(Raman)等手段对退火后的薄膜进行形貌、晶态成分表征,确定了非晶Si... 采用脉冲激光烧蚀技术,在真空条件下沉积了一系列非晶Si薄膜,并对薄膜样品进行不同能量密度的激光退火处理。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、Raman散射仪(Raman)等手段对退火后的薄膜进行形貌、晶态成分表征,确定了非晶Si薄膜晶化的激光能量密度阈值(85 mJ/cm2)。结合激光晶化机理进行定量计算。结果显示:形成一个18 nm的Si晶粒所需要的能量,即成核势垒大小约为1.4×10-9mJ。 展开更多
关键词 脉冲激光烧蚀 激光退火 成核势垒
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国产CsI(TI)晶体辐照损伤实验研究 被引量：2
17
作者 朱永生 陈宇 +13 位作者 史焕章 喻纯旭 寥宜华 夏小米 赖元芬 张竹湘 钟学初 张彩娣 郑林生 张长春 陈刚 任绍霞 郑燕宁 刘虎 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 1998年第10期865-872,共8页
研究了ＣｓＩ（ＴＩ）晶体在１．３ＧｅＶｅ－束形成的电磁辐射场和６０Ｃｏγ辐射场照射后的辐照损伤，测量了晶体光输出和透射率的变化，以及辐射损伤的自然恢复和加热恢复效应。
关键词 碘化铯 晶体 辐照损伤 自然恢复 电磁量能器
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轻质MgAlSnZnCu高熵合金的微观组织和力学性能 被引量：1
18
作者 杨拓宇 王克鸿 +3 位作者 张德库 陈丰 郭纯 张雅晶 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2022年第12期216-221,共6页
为了提高阻隔层的稳定性,研究采用电磁感应加热方法,在覆盖剂和氩气保护作用下制备MgAlSnZnCu系列轻质高熵合金。使用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDS)对合金的铸造组织、退火组织和物相进行了表征和分析,同时采用显微硬... 为了提高阻隔层的稳定性,研究采用电磁感应加热方法,在覆盖剂和氩气保护作用下制备MgAlSnZnCu系列轻质高熵合金。使用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDS)对合金的铸造组织、退火组织和物相进行了表征和分析,同时采用显微硬度测试方法对其硬度进行了研究。结果表明,铸态MgAlSnZnCu合金组织由(AlMgZnCu)-FCC相和Mg_(2)Sn相组成,Mg_(2)Sn相的形态为2~6μm粒状和不规则块状。Mg的含量由22%降低到12%,其合金的硬度由277 HV0.2增加到326 HV0.2,抗压强度由223 MPa增加到237 MPa。Sn和Zn含量降低后组织中出现了针状和片状的杂质相,且硬度值分散度较大,在450℃保温6 h的退火工艺条件下,组织中的杂质相出现明显的积聚长大的趋势。力学性能测试显示退火对抗压强度和硬度的影响不大,MgAlSnZnCu系列合金在450℃的条件下能保持较好的热稳定性。 展开更多
关键词 轻质高熵合金 扩散退火 组织 维氏硬度 抗压强度
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非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应 被引量：2
19
作者 李柳青 廖显伯 游志朴 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1076-1078,共3页
本文报道a Si∶H本征膜及Pin二极管的 1MeV1 4× 10 15,4 2× 10 15,8 4× 10 15/cm2 电子幅照实验结果和退火行为 .测量了电子辐照对a Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响 ,以及a Si∶HPin二极管光伏特性和光谱响应随电子... 本文报道a Si∶H本征膜及Pin二极管的 1MeV1 4× 10 15,4 2× 10 15,8 4× 10 15/cm2 电子幅照实验结果和退火行为 .测量了电子辐照对a Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响 ,以及a Si∶HPin二极管光伏特性和光谱响应随电子辐照剂量的变化 .发现电子辐照在a Si∶H本征膜和二极管中引起严重的损伤 ,和二极管光谱响应的峰值“红移” .但未见饱和现象 ,还观测到明显的室温恢复现象 ;但高温退火处理后未能完全恢复 .本文对以上实验结果给出了合理的解释 . 展开更多
关键词 PIN二极管 电子辐照效应 非晶硅
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坛紫菜核糖体蛋白S7基因的克隆与表达分析 被引量：2
20
作者 谢潮添 张元 +2 位作者 陈昌生 徐燕 纪德华 《水产学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1814-1821,共8页
为了研究坛紫菜在高温胁迫条件下的分子应答机制,应用引物退火控制(ACP)技术对耐高温型纯系(Z-61)叶状体在高温胁迫条件下的差异表达基因进行筛选时,获得了一条核糖体蛋白S7基因的全长序列,命名为Phrps7(GenBank登录号:JF719273)。该基... 为了研究坛紫菜在高温胁迫条件下的分子应答机制,应用引物退火控制(ACP)技术对耐高温型纯系(Z-61)叶状体在高温胁迫条件下的差异表达基因进行筛选时,获得了一条核糖体蛋白S7基因的全长序列,命名为Phrps7(GenBank登录号:JF719273)。该基因序列全长702 bp,包含一个585 bp的开放阅读框,其编码195个氨基酸的核糖体S7蛋白(PhRPS7),蛋白分子式为C984H1604N294O283S2,由5条α螺旋,6个片层及6个环状连接组成,与多个物种的RPS7蛋白具有较高的序列一致性(>55%)。系统进化树分析表明,PhRPS7蛋白与真菌的亲缘关系较近,而与其它物种的亲缘关系较远。实时荧光定量PCR分析结果表明,Phrps7基因的表达水平与高温胁迫密切相关,在高温胁迫刚开始时(0～6d),Phrps7基因的表达水平极显著上调,而随着胁迫的继续(>6 d),表达量又有所下调,但仍显著高于胁迫开始前。 展开更多
关键词 坛紫菜 引物退火控制技术 核糖体蛋白S7 克隆 表达
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