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AZO透明导电薄膜的特性、制备与应用 被引量:38
1
作者 范志新 陈玖琳 孙以材 《真空》 CAS 北大核心 2000年第5期10-13,共4页
本文综述了 AZO透明导电薄膜的结构特点 ,电学和光学的特性 ,薄膜研究、应用和开发现状 。
关键词 特性 制备 应用 azo 掺铝氧化锌 透明导电薄膜
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AZO透明导电薄膜的特性、制备与应用 被引量:18
2
作者 范志新 《光电子技术》 CAS 2000年第4期255-259,共5页
综述了 AZO透明导电薄膜的结构特点 ,冶金学、电学和光学的特性 ,薄膜研究、应用和开发现状 ,认为
关键词 azo薄膜 制备 导电薄膜 结构 光学特性 电学特性
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磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究 被引量:15
3
作者 张丽伟 卢景霄 +5 位作者 段启亮 王海燕 李瑞 靳锐敏 王红娟 张宇翔 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期46-48,共3页
用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄... 用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大。 展开更多
关键词 无机非金属材料 azo薄膜 磁控溅射法 制备气氛 退火温度
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基底温度对直流磁控溅射制备掺铝氧化锌薄膜性能的影响 被引量:12
4
作者 杨昌虎 马忠权 袁剑辉 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期254-260,共7页
采用直流磁控溅射工艺,使用掺铝氧化锌(AZO)陶瓷靶,在玻璃基底上制备出具有c轴择优取向的AZO透明导电薄膜。运用共焦显微拉曼光谱仪对AZO陶瓷靶的微结构进行了表征,对在不同基底温度下沉积出来的薄膜运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射... 采用直流磁控溅射工艺,使用掺铝氧化锌(AZO)陶瓷靶,在玻璃基底上制备出具有c轴择优取向的AZO透明导电薄膜。运用共焦显微拉曼光谱仪对AZO陶瓷靶的微结构进行了表征,对在不同基底温度下沉积出来的薄膜运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等分别进行了结构和光电特性的表征。结果表明,随着基底温度的升高,AZO薄膜的晶粒逐渐增大,c轴择优取向加强,结晶状况变好;AZO薄膜的吸收边发生蓝移,折射率降低,而薄膜厚度则有所增加,光学禁带宽度增大;AZO薄膜的电阻率降低,但在基底温度达到350℃后电阻率就趋于稳定。 展开更多
关键词 薄膜 azo薄膜 直流磁控溅射 结构 光电性能
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Effect of annealing treatment on the structural, optical, and electrical properties of Al-doped ZnO thin films 被引量:11
5
作者 LI Li FANG Liang +5 位作者 CHEN Ximing LIU Gaobin LIU Jun YANG Fengfan FU Guangzong KONG Chunyang 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第3期247-253,共7页
Highly conductive and transparent Al-doped ZnO (AZO) thin films were prepared from a zinc target containing Al (1.5 wt.%) by direct current (DC) and radio frequency (RF) reactive magnetron sputtering. The stru... Highly conductive and transparent Al-doped ZnO (AZO) thin films were prepared from a zinc target containing Al (1.5 wt.%) by direct current (DC) and radio frequency (RF) reactive magnetron sputtering. The structural, optical, and electrical properties of AZO films as-deposited and submitted to annealing treatment (at 300 and 400℃, respectively) were characterized using various techniques. The experimental results show that the properties of AZO thin films can be further improved by annealing treatment. The crystallinity of ZnO films improves after annealing treatment. The transmittances of the AZO thin films prepared by DC and RF reactive magnetron sputtering are up to 80% and 85% in the visible region, respectively. The electrical resistivity of AZO thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering can be as low as 8.06 x 10-4 Ωcm after annealing treatment. It was also found that AZO thin films prepared by RF reactive magnetron sputtering have better structural and optical properties than that prepared by DC reactive magnetron sputtering. 展开更多
关键词 azo thin films structure optical and electrical properties ANNEALING transmittance spectra electrical resistivity
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工艺参数对离子束溅射ZnO∶Al薄膜结构与性能的影响 被引量:9
6
作者 梁广兴 范平 +2 位作者 张东平 蔡兴民 郑壮豪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期529-534,共6页
以ZnO(掺杂2%Al2O3)陶瓷靶作为靶材,采用离子束溅射技术在BK7玻璃基底上制备AZO透明导电薄膜。研究不同工艺参数对ZnO∶Al(AZO)薄膜结构与光电性能的影响。结果表明,不同等离子体能量下制备的AZO薄膜均出现ZnO(002)特征衍射峰,具有纤锌... 以ZnO(掺杂2%Al2O3)陶瓷靶作为靶材,采用离子束溅射技术在BK7玻璃基底上制备AZO透明导电薄膜。研究不同工艺参数对ZnO∶Al(AZO)薄膜结构与光电性能的影响。结果表明,不同等离子体能量下制备的AZO薄膜均出现ZnO(002)特征衍射峰,具有纤锌矿结构且c轴择优取向;AZO薄膜的结晶质量和性能对基底温度有较强的依赖性,只有在适当的基底温度下,可改善结晶程度且利于颗粒的生长,呈现较低的电阻率;不同厚度的AZO薄膜均出现较强的ZnO(002)特征衍射峰且随着厚度的增加,ZnO(110)峰强度不断加强,相应晶粒尺寸变大,但缺陷也随之增多;同时得出利用离子束溅射方法制备AZO薄膜的最佳工艺为:等离子体能量为1.3 keV、基底温度200℃和沉积厚度为420 nm,该参数下制备的薄膜结晶程度较高、生长的颗粒较大,相应薄膜的电阻率较低且薄膜透射率在可见光区均达到80%以上。 展开更多
关键词 azo薄膜 离子束溅射 微结构 光电性能
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Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响 被引量:6
7
作者 李金丽 邓宏 +2 位作者 刘财坤 袁庆亮 韦敏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期91-92,96,共3页
采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究。结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现。薄膜的可见光透过率均在80%以上,... 采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究。结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现。薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107Ω.cm。 展开更多
关键词 azo薄膜 X射线衍射 AFM 电阻率
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Al掺杂ZnO薄膜的结构和热电性质研究 被引量:5
8
作者 李丽 常仁杰 +2 位作者 方亮 陈希明 刘俊 《真空》 CAS 北大核心 2008年第2期53-56,共4页
用直流反应磁控溅射方法在透明平面玻璃上制备出Al掺杂ZnO薄膜,并对其结构和温差电动势率进行研究。实验结果表明,所制备样品具有C轴择优取向的多晶结构,温差电动势随着温差(ΔT)的增大而呈线性增加。并且样品的电阻越大,温差电动势率... 用直流反应磁控溅射方法在透明平面玻璃上制备出Al掺杂ZnO薄膜,并对其结构和温差电动势率进行研究。实验结果表明,所制备样品具有C轴择优取向的多晶结构,温差电动势随着温差(ΔT)的增大而呈线性增加。并且样品的电阻越大,温差电动势率越小。在室温附近的环境温度对温差电动势率几乎无影响。退火处理后,温差电动势率增大。实验还发现,在外加磁场时,温差电动势率稍微减小。 展开更多
关键词 azo薄膜 结构 温差电动势 温差电动势率
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磁控溅射AZO透明导电薄膜及其光电性能的研究 被引量:7
9
作者 赵斌 唐立丹 +1 位作者 梅海林 王冰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第8期38-41,共4页
采用磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备AZO薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针测试仪和透射光谱仪等手段研究了衬底温度对AZO薄膜结构、形貌、光电性能的影响。结果表明,所有的AZO薄膜均为纤锌矿结构且具有较好的c轴取向。薄膜... 采用磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备AZO薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针测试仪和透射光谱仪等手段研究了衬底温度对AZO薄膜结构、形貌、光电性能的影响。结果表明,所有的AZO薄膜均为纤锌矿结构且具有较好的c轴取向。薄膜表面平整,晶粒约为55.56 nm。随着衬底温度升高,薄膜电阻率先降低而后升高,当衬底温度为350℃时,电阻率最小,约为1.41×10–3?·cm,而且该薄膜具有较好的透光率,约为84%。 展开更多
关键词 azo薄膜 磁控溅射 衬底温度 结构特性 电阻率 透光率
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薄膜厚度和工作压强对室温制备AZO薄膜性能的影响 被引量:6
10
作者 张俊双 叶勤 +1 位作者 曾富强 王权康 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期45-48,共4页
采用射频磁控溅射法在室温下、普通玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测量了不同薄膜厚度和不同工作压强下所得样品的结构、电学和光学性能,结果表明,所制备的AZO薄膜均具有... 采用射频磁控溅射法在室温下、普通玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测量了不同薄膜厚度和不同工作压强下所得样品的结构、电学和光学性能,结果表明,所制备的AZO薄膜均具有六角纤锌矿结构,沿c轴择优取向生长;在可见光范围内,薄膜平均透过率约为80%;随着薄膜厚度的增加和工作压强的降低,薄膜的电阻率呈下降趋势;得到的薄膜最低方块电阻为7.5Ω/□。 展开更多
关键词 磁控溅射 azo导电薄膜 薄膜厚度 工作压强 光电性能
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室温下射频磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜及其性能研究 被引量:5
11
作者 陈景水 叶芸 +5 位作者 郭太良 张志坚 郑灼勇 张永爱 于光龙 姚剑敏 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期363-367,共5页
采用射频磁控溅射技术,在室温下,以ZnO:Al2O3(2%Al2O3(质量比))为靶材,在石英玻璃基底上,采用不同工艺条件制备了ZnO:Al(AZO)薄膜。使用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌,X射线衍射分析了薄膜的结构,四探针测量仪得到薄膜的表面电阻... 采用射频磁控溅射技术,在室温下,以ZnO:Al2O3(2%Al2O3(质量比))为靶材,在石英玻璃基底上,采用不同工艺条件制备了ZnO:Al(AZO)薄膜。使用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌,X射线衍射分析了薄膜的结构,四探针测量仪得到薄膜的表面电阻,轮廓仪测量了薄膜厚度,并计算了电阻率,最后采用分光光度计测量了薄膜的透过率;研究了溅射功率、溅射气压与薄膜厚度对薄膜电阻率及透过率的影响。结果表明:所制备的AZO薄膜具有(002)择优取向,并且发现薄膜厚度对薄膜的光电性能有明显影响,溅射气压和溅射功率对薄膜电学性能有较大影响,但是对薄膜透过率影响不大。当功率为1kW、溅射气压0.052Pa、AZO薄膜厚度为250nm时,其电阻率为8.38×10-4Ω·cm,波长在550nm处透过率为89%,接近基底的本底透过率92%。当薄膜厚度为1125 nm时薄膜的电阻率降至最低(6.16×10-4Ω·cm)。 展开更多
关键词 azo薄膜射频磁控溅射室温制备透明导电薄膜
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AZO薄膜刻蚀形貌优化及其在硅基薄膜双结太阳能电池中的应用 被引量:6
12
作者 陈光羽 何延如 +6 位作者 雷志芳 谷士斌 赵冠超 杨荣 孟原 郭铁 李立伟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1270-1275,共6页
采用磁控溅射结合酸腐蚀法制备掺铝氧化锌透明导电氧化物薄膜,研究关键溅射工艺参数对AZO薄膜腐蚀后性能的影响。研究发现,在较低沉积温度和较大溅射压强条件下,样品腐蚀后可以形成粗糙度和雾度更大的表面形貌,有利于提高电池性能;而溅... 采用磁控溅射结合酸腐蚀法制备掺铝氧化锌透明导电氧化物薄膜,研究关键溅射工艺参数对AZO薄膜腐蚀后性能的影响。研究发现,在较低沉积温度和较大溅射压强条件下,样品腐蚀后可以形成粗糙度和雾度更大的表面形貌,有利于提高电池性能;而溅射功率增加,虽然能提升样品腐蚀后的粗糙度,但雾度的增加则呈现饱和趋势。将具有优良光电性能、不同雾度的AZO薄膜作为前电极制备非晶/微晶硅薄膜双结太阳能电池,发现雾度越大,电池的短路电流密度越大,特别是底电池电流密度越大,从而电池的光电转换效率也获得提高。这一发现有助于通过优化溅射工艺参数来改进AZO薄膜表面形貌和电池性能。 展开更多
关键词 掺铝氧化锌薄膜 磁控溅射 粗糙度 短路电流密度
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热处理温度对ZnO∶Al薄膜性能的影响 被引量:5
13
作者 杨春秀 闫金良 +2 位作者 孙学卿 李科伟 李俊 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2478-2481,共4页
利用溶胶-凝胶技术在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al薄膜,表征了薄膜的结构、光透过和光致发光特性,探讨了热处理温度对薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表明,在热分解温度400℃和退火温度600℃时,ZnO∶Al薄膜的C轴择优取向明显,透过率较高... 利用溶胶-凝胶技术在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al薄膜,表征了薄膜的结构、光透过和光致发光特性,探讨了热处理温度对薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表明,在热分解温度400℃和退火温度600℃时,ZnO∶Al薄膜的C轴择优取向明显,透过率较高.在热处理温度400℃情况下,激发波长340nm的光致发光谱中有三个发光中心,紫外发光强度随退火温度的升高先升高后下降,500℃时发光强度最强.其它两个发光峰的强度随退火温度的升高而降低甚至消失.激发波长不同,ZnO∶Al薄膜的发光中心和强度均发生变化. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 ZNO:AL薄膜 热处理 晶体结构 光致发光
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AZO薄膜用于GaN基LED透明电极的性能研究 被引量:4
14
作者 陈丹 吕建国 +3 位作者 黄靖云 金豫浙 张昊翔 叶志镇 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期649-652,共4页
采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能。当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优。将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层,在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰,但... 采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能。当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优。将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层,在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰,但芯片工作电压较高,约为10 V,芯片亮度随正向电流的增大而增强。二次离子质谱测试表明,AZO薄膜与GaN层界面处两种材料导电性能的变化以及钝化层的形成是导致芯片工作电压偏高的原因。 展开更多
关键词 azo薄膜 GAN基LED 透明电极 脉冲激光沉积
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ZnO:Al(AZO)薄膜制备工艺参数的正交优化设计 被引量:4
15
作者 葛春桥 薛亦渝 +2 位作者 郭爱云 胡小锋 唐超 《武汉理工大学学报(信息与管理工程版)》 CAS 2004年第5期210-212,共3页
采用正交设计法,对溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的工艺参数进行了优化研究;确定了最佳工艺参数,为制备AZO薄膜的工业化控制提供了一种可行的方法。
关键词 azo薄膜 溶胶-凝胶 正交设计
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衬底温度对共溅射制备AZO薄膜光电性能影响 被引量:5
16
作者 何双赐 钟志成 +1 位作者 汪竞阳 魏彦锋 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期784-788,共5页
以Al金属和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射的方法在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜,采用X线光电子能谱仪、X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和霍耳效应测试仪对薄膜... 以Al金属和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射的方法在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜,采用X线光电子能谱仪、X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和霍耳效应测试仪对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行了表征和分析,探究了不同衬底温度对薄膜光电性能的影响。结果表明,所制备的AZO薄膜均具有c轴取向生长的六角纤锌矿结构,在衬底温度为300℃时AZO薄膜结晶质量最好,电阻率最低(为1.43×10-3Ω·cm)。所有样品薄膜在380~780nm区间平均透过率大于90%,随着衬底温度的升高,AZO薄膜的吸收边出现了蓝移。 展开更多
关键词 Al掺杂ZnO(azo)薄膜 共溅射 衬底温度 光电性能 蓝移
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工作气压对室温溅射柔性AZO薄膜性能的影响 被引量:4
17
作者 张惠 沈鸿烈 +2 位作者 鲁林峰 江丰 冯晓梅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1154-1157,共4页
采用射频磁控溅射法在PEN衬底上室温制备了AZO薄膜,并对不同工作气压下(0.05~0.4Pa)沉积薄膜的结构及光电性能进行了研究。结果表明,薄膜具有良好的c轴择优取向,随工作气压增大,薄膜(002)峰强度减弱,晶粒减小,表面粗糙度增大,电学性能... 采用射频磁控溅射法在PEN衬底上室温制备了AZO薄膜,并对不同工作气压下(0.05~0.4Pa)沉积薄膜的结构及光电性能进行了研究。结果表明,薄膜具有良好的c轴择优取向,随工作气压增大,薄膜(002)峰强度减弱,晶粒减小,表面粗糙度增大,电学性能下降,薄膜可见光透过率变化不大,但禁带宽度变窄。与玻璃衬底相比,PEN衬底上沉积的AZO薄膜拥有更高的品质因数,获得的最佳电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率分别为1.11×10-3Ω.cm、4.14×1020cm-3和13.60cm2/(V.s),该薄膜可见光的绝对透射率达到95.7%。 展开更多
关键词 azo薄膜 磁控溅射 工作气压 PEN衬底
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重掺杂AZO透明导电薄膜的光电特性 被引量:4
18
作者 吕有明 曹培江 +5 位作者 贾芳 柳文军 朱德亮 马晓翠 林传强 刘稳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期307-312,共6页
以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO∶Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电... 以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO∶Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电学性质等进行了研究。结果表明:所制备的AZO薄膜呈现具有高度c轴择优取向的ZnO纤锌矿结构;重掺杂下的AZO显示了简并半导体的性质,电学呈现出了类金属特性;在可见光区域透过率>80%,吸收边和紫外发光峰出现了明显的蓝移现象,被归结为重掺杂下引起的Burstein-Moss效应导致光学带隙展宽。 展开更多
关键词 azo薄膜 Burstein-Moss效应 光电特性
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溶胶-凝胶法制备AZO薄膜工艺参数的优化 被引量:3
19
作者 葛春桥 薛亦渝 +1 位作者 胡小锋 郭爱云 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期22-23,48,共3页
采用正交设计法,对溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的工艺参数进行了优化研究,确定了最佳工艺参数,为制备AZO薄膜的工业化控制提供了一种可行的方法。
关键词 azo薄膜 溶胶-凝胶 正交设计
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双源气溶胶辅助化学气相沉积制备AZO薄膜 被引量:3
20
作者 秦秀娟 王晓娟 +2 位作者 张丽茜 王丽欣 柳林杰 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2016年第2期158-164,共7页
采用双源气溶胶辅助化学气相沉积法制备了Al掺杂Zn O薄膜。研究了不同的乙醇和甲醇溶液比例对AZO薄膜各种性能的影响。通过紫外-可见光吸收光谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射对薄膜性能进行表征。结果表明通过使用双源AACV... 采用双源气溶胶辅助化学气相沉积法制备了Al掺杂Zn O薄膜。研究了不同的乙醇和甲醇溶液比例对AZO薄膜各种性能的影响。通过紫外-可见光吸收光谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射对薄膜性能进行表征。结果表明通过使用双源AACVD法可以获得具有明显(002)择优取向AZO薄膜,并且在15 m L乙醇和20 m L甲醇时具有最佳的结晶性能,同时具有最优的光电学性能。不同乙醇和甲醇比例下薄膜的形貌不同。 展开更多
关键词 气溶胶辅助化学气相沉积法 掺杂 azo薄膜
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