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镀膜Al箔钎料对AlN陶瓷的钎焊 被引量：4
1
作者 张笑一 尚海龙 +2 位作者 马冰洋 李荣斌 李戈扬 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期575-580,共6页
为了实现Al钎料对Al N的直接钎焊,提出了一种可以在熔化后自行去除表面Al_2O_3膜的镀膜Al箔钎料,以及提高Al钎焊Al N接头强度的升温钎焊方法,研究了表面气相沉积Ni/Al双层薄膜对Al箔表面Al_2O_3氧化膜的自去除作用,以及钎焊温度对接头... 为了实现Al钎料对Al N的直接钎焊,提出了一种可以在熔化后自行去除表面Al_2O_3膜的镀膜Al箔钎料,以及提高Al钎焊Al N接头强度的升温钎焊方法,研究了表面气相沉积Ni/Al双层薄膜对Al箔表面Al_2O_3氧化膜的自去除作用,以及钎焊温度对接头强度提高的作用。结果表明,由于被Ni/Al双层薄膜掩埋,原Al箔表面的Al_2O_3氧化膜在钎料加热及熔化的过程中被破碎并卷入到含1%Ni(原子分数)的Al液中,实现了Al对Al N的无界面反应过渡层直接钎焊。采用升高钎焊温度的方法,可显著提高接头的强度。680℃钎焊时,由于Al液不润湿Al N,接头的断裂发生在Al钎缝与Al N的界面,剪切强度为79 MPa;随着钎焊温度的提高和润湿性的改善,Al/Al N的界面强度得到显著提高,接头的断裂逐步由界面转移至钎缝金属中,接头强度也相应逐步提高,并在840℃后达到最高值(146 MPa)。 展开更多
关键词 钎焊 ALN陶瓷 Al箔 氧化膜 接头强度
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高温变形尺度效应及其微观结构 被引量：1
2
作者 周清 Itoh Goroh 孟祥康 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期198-202,共5页
通过在200℃恒载荷的高温变形实验,对厚度(t)为10～200μm的铝箔的应变速率与厚度的变化规律进行了研究.在t≥50μm时,随厚度的降低,变形速率增加,而在t<50μm时随厚度的降低,变形速率降低.根据实验结果,在t≥50μm时应变速率与厚度... 通过在200℃恒载荷的高温变形实验,对厚度(t)为10～200μm的铝箔的应变速率与厚度的变化规律进行了研究.在t≥50μm时,随厚度的降低,变形速率增加,而在t<50μm时随厚度的降低,变形速率降低.根据实验结果,在t≥50μm时应变速率与厚度的关系符合幂率关系,其中的指数(α)大约在1～2之间,α依存于应力和晶粒大小.在t<50μm时应变速率与厚度的关系则受到晶粒减小和织构增强的强烈影响.对高温变形机制的考察表明,其变形受晶界滑移控制.在变形微观结构的观察中找到了晶界滑移的证据. 展开更多
关键词 尺度效应 高温变形 微观结构 微机电系统 铝箔
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200微米DC腐蚀铝箔极限长度的研究
3
作者 王宪 罗向军 +2 位作者 任碧野 陈锦雄 吕根品 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期28-31,共4页
为了探讨电子铝箔经直流电腐蚀后形成隧道孔的生长机理,进一步提高电子铝箔的腐蚀工艺水平,研究了200微米HEC光箔的极限长度在硫酸浓度、温度、二级腐蚀等条件下的影响。发现只改变一级硫酸浓度而不经过二级腐蚀,隧道孔的极限生长有限,... 为了探讨电子铝箔经直流电腐蚀后形成隧道孔的生长机理,进一步提高电子铝箔的腐蚀工艺水平,研究了200微米HEC光箔的极限长度在硫酸浓度、温度、二级腐蚀等条件下的影响。发现只改变一级硫酸浓度而不经过二级腐蚀,隧道孔的极限生长有限,不能贯穿整个夹芯层,这可能是光箔成分和立方织构影响蚀孔的生长方向。在不添加硫酸的条件下温度对极限长度的影响非常小,低于70℃下甚至不生长隧道孔,所形成的夹芯层非常厚。而经过0.8 mol/L游离酸的二级腐蚀,隧道孔径向生长可以贯穿整个夹芯层。 展开更多
关键词 铝箔 DC腐蚀 极限长度 隧道孔 SEM
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硝酸浓度对中高压铝阳极箔比容的影响 被引量：3
4
作者 常凤真 朱承飞 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期16-18,共3页
在不同浓度的硝酸中制备铝阳极箔样品,并通过失重量、电化学交流阻抗及扫描电镜方法对样品进行了表征,重点探讨了硝酸的浓度对所制阳极箔比容的影响。结果表明:当硝酸的浓度为1.5 mol/L时,比容达到了一个相对较大的值2.01×10–6 F/... 在不同浓度的硝酸中制备铝阳极箔样品,并通过失重量、电化学交流阻抗及扫描电镜方法对样品进行了表征,重点探讨了硝酸的浓度对所制阳极箔比容的影响。结果表明:当硝酸的浓度为1.5 mol/L时,比容达到了一个相对较大的值2.01×10–6 F/cm2;交流阻抗谱中,只出现了一个时间常数,且表现出类似常相位角元的特征。 展开更多
关键词 铝阳极箔 交流阻抗 硝酸 浓度
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高压阳极箔隧道枝孔的形成机理 被引量：3
5
作者 蔡双雨 何业东 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期39-42,共4页
增加枝孔处理是大幅度提高高压阳极箔比电容的有效途径。在分析高压阳极箔隧道孔生长机理的基础上,探讨了在隧道上形成枝孔的机理。主隧道孔的4个(100)面为枝孔的形成提供了材料的结构条件。提高阳极过程的?E(?E=Epit-Ecorr)和发生点蚀... 增加枝孔处理是大幅度提高高压阳极箔比电容的有效途径。在分析高压阳极箔隧道孔生长机理的基础上,探讨了在隧道上形成枝孔的机理。主隧道孔的4个(100)面为枝孔的形成提供了材料的结构条件。提高阳极过程的?E(?E=Epit-Ecorr)和发生点蚀的临界电流密度ip,是增强在隧道孔中形成枝孔的必要电化学条件。 展开更多
关键词 电子技术 铝电解电容器 高压阳极箔 隧道孔 枝孔
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超级电容器集流体用铝箔交流腐蚀研究 被引量：3
6
作者 王宪 罗向军 +1 位作者 任碧野 吕根品 《广东化工》 CAS 2013年第21期52-54,共3页
对48微米铝箔集流体在50 Hz交流电腐蚀下进行正交试验的研究,包括因子盐酸、铝离子、硫酸及温度等条件,发现了取得比容的最佳条件是各个因素的相互作用。讨论了在低电量时,高浓度的盐酸更趋向于形成发孔密度大、孔洞大小均一的腐蚀孔,... 对48微米铝箔集流体在50 Hz交流电腐蚀下进行正交试验的研究,包括因子盐酸、铝离子、硫酸及温度等条件,发现了取得比容的最佳条件是各个因素的相互作用。讨论了在低电量时,高浓度的盐酸更趋向于形成发孔密度大、孔洞大小均一的腐蚀孔,而失重效率反而低于2N盐酸,可能是因为高浓度盐酸在交流电解负半周的沉积膜保护作用而导致。SEM分析显示备我们所制备的样品表面形貌抛光图与日本进口集流体形貌极为相似。 展开更多
关键词 集流体 铝箔 交流腐蚀 比容 SEM
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AI系列温度仪表在铝箔生产工艺中的应用
7
作者 常可敬 《自动化信息》 2012年第10期59-59,55,共2页
本文主要介绍了从原铝到铝箔的生产过程，以及在此过程中熔炼、粗轧、中间轧制等生产步骤的温控需求和仪表选型。着重描述了铝箔生产的退火温控曲线和AI系列温度仪表的应用以及一些简单的仪表参数设置。
关键词 原铝 铝箔生产 ai系列温度控制仪表 退火温控曲线
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